JPS59193488A - 表示体用パネル基板の製造方法 - Google Patents
表示体用パネル基板の製造方法Info
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- JPS59193488A JPS59193488A JP6874783A JP6874783A JPS59193488A JP S59193488 A JPS59193488 A JP S59193488A JP 6874783 A JP6874783 A JP 6874783A JP 6874783 A JP6874783 A JP 6874783A JP S59193488 A JPS59193488 A JP S59193488A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｊ一るＯ
従来、表示体用パネル基板はスパッタ法、蒸着法により
、ノーダガラス、ホウ硅酸ガラス等に酸化インジウムを
主成分とする電導膜付けを行なっている。蒸Ａ法はバッ
チ方式で行なわれ、生産性が劣イ）ことから、近年、大
量生産できるスパッタ法がよく用いられる様になってき
た。
、ノーダガラス、ホウ硅酸ガラス等に酸化インジウムを
主成分とする電導膜付けを行なっている。蒸Ａ法はバッ
チ方式で行なわれ、生産性が劣イ）ことから、近年、大
量生産できるスパッタ法がよく用いられる様になってき
た。
しかしながら、スパッタ法は、ターゲツトを金属ターゲ
ツトとするとき、酸化インジウムを主成分とする低級酸
化物からなる被膜てあり、高級酸化物である透明電導膜
は大気中雰囲′気状態で、３５０°Ｃからｌ１５０°Ｃ
で２０分間焼成とし、透明電導膜を得ることにあった。
ツトとするとき、酸化インジウムを主成分とする低級酸
化物からなる被膜てあり、高級酸化物である透明電導膜
は大気中雰囲′気状態で、３５０°Ｃからｌ１５０°Ｃ
で２０分間焼成とし、透明電導膜を得ることにあった。
上記従来法による透明電導膜Ｏま、高温処理とすること
から、基板として用いろノーダガラス、ホウ硅酸ガラス
の軟化点に近く、焼成時ソリの発生を生じ、表示体製造
において、ギヤノブのバラノキが犬、及びシール接着強
度を劣１ｚさぜ、歩留低下をもたらし、かつ表示体用パ
イ・ル品質まで影響を及ぼして℃・た。
から、基板として用いろノーダガラス、ホウ硅酸ガラス
の軟化点に近く、焼成時ソリの発生を生じ、表示体製造
において、ギヤノブのバラノキが犬、及びシール接着強
度を劣１ｚさぜ、歩留低下をもたらし、かつ表示体用パ
イ・ル品質まで影響を及ぼして℃・た。
また、焼成はバッチ方式と１−ろことがら、炉内渦度バ
ラソキを解消することがｔ（ｔかしく、透明電導膜の透
過率バラツキ、抵抗値バラノキが太き（安定生産に困難
であった。
ラソキを解消することがｔ（ｔかしく、透明電導膜の透
過率バラツキ、抵抗値バラノキが太き（安定生産に困難
であった。
本発明は上記問題点の解消を行なうもので、酸化インジ
ウムを主成分とずろ低級酸化物を紫外線照射にて、透明
電導膜を得るものであり、表示体用パイ・ル基板の安定
生産を重視し、その工業的価値は多大なものである。
ウムを主成分とずろ低級酸化物を紫外線照射にて、透明
電導膜を得るものであり、表示体用パイ・ル基板の安定
生産を重視し、その工業的価値は多大なものである。
以下、本発明の実施例につ℃・て記述する。
実施例１
９５％インンウム、５％ススからなる金属ターゲノＩ−
を陰極とし、１５０°Ｃに保持した１ｏα×］０ｃｍＸ
０．］ｃｍのソーダカラス基板を陽極とし、トレ−−−
」−に固定させた、スパッタ装置内は、８０％アルコン
、２０？ｂ酸素からなるガス雰囲気とし、０８７１１Ａ
／ Ｃｌ１１、；３２０＼！の印加電圧、３Ｘ１０−
”１’ Ｏｒ ｒの真乞′２度て、２５０人の膜厚を有
する酸化インジウムを主成分とする低級酸化物をガラス
基板上に剛着させた。被膜の透過率は平均又−５５％、
σ＝ｏ７％、抵抗＋１−ｘ＝２０００Ω／ｓｑ、σ＝２
００てあった。
を陰極とし、１５０°Ｃに保持した１ｏα×］０ｃｍＸ
０．］ｃｍのソーダカラス基板を陽極とし、トレ−−−
」−に固定させた、スパッタ装置内は、８０％アルコン
、２０？ｂ酸素からなるガス雰囲気とし、０８７１１Ａ
／ Ｃｌ１１、；３２０＼！の印加電圧、３Ｘ１０−
”１’ Ｏｒ ｒの真乞′２度て、２５０人の膜厚を有
する酸化インジウムを主成分とする低級酸化物をガラス
基板上に剛着させた。被膜の透過率は平均又−５５％、
σ＝ｏ７％、抵抗＋１−ｘ＝２０００Ω／ｓｑ、σ＝２
００てあった。
トレーに固疋され該低級酸化物を剛着したガラス基板を
スパッタ装置から搬出後、低圧水銀灯を１１’ｌい、１
８４．９１１１１１及び２５３．７ｎｍを主とする紫外
線波長て紫外線照射とした。
スパッタ装置から搬出後、低圧水銀灯を１１’ｌい、１
８４．９１１１１１及び２５３．７ｎｍを主とする紫外
線波長て紫外線照射とした。
低圧水銀灯光源とガラス基板は５ ｍｍとした。
第１図、第２図は実施例１で得られた被膜特性（１］
１ＯＯ）を示すものである。
１ＯＯ）を示すものである。
第１図は紫外線照射時間による波長５５０ｎ＋ｎ単光源
における透過率を示した。約２分間で８９％の透過率と
なり、バラツキはσ−ｏ：３と優れた特性を示していた
。
における透過率を示した。約２分間で８９％の透過率と
なり、バラツキはσ−ｏ：３と優れた特性を示していた
。
第２図は紫外線照射時間による被膜の７−ト抵抗値変化
を示すもので、約３分て平均１００Ω／ ｃｎＩσ−３
をイ！Ｉることかできた。
を示すもので、約３分て平均１００Ω／ ｃｎＩσ−３
をイ！Ｉることかできた。
実施例２
実施例１と同じスパッタ条件で、３０ｃｍＸ３０ｃｍＸ
Ｏ，ｌ ｃｍのホウ硅酸ガラスを基板とし、酸化イン
ジウムを主成分と１−る低級酸化物からなる被膜を剛着
した。該基板にポジレジストをスピンナーで約１μの厚
みに塗布、８０℃１０分間のプレイ−りとし、露光、現
像を行なった。
Ｏ，ｌ ｃｍのホウ硅酸ガラスを基板とし、酸化イン
ジウムを主成分と１−る低級酸化物からなる被膜を剛着
した。該基板にポジレジストをスピンナーで約１μの厚
みに塗布、８０℃１０分間のプレイ−りとし、露光、現
像を行なった。
しかる後０５％１１ｃ １３分間のエツチング処理を施
こし、任意の形状とした低級酸化物パターン基板を作成
、乾燥を行なった後、該パターン化した低級酸化物の基
板を実施例１と同条件で紫外線照射５分間行なった。紫
外線照射におけるガラス基板温度は５５°Ｇであった。
こし、任意の形状とした低級酸化物パターン基板を作成
、乾燥を行なった後、該パターン化した低級酸化物の基
板を実施例１と同条件で紫外線照射５分間行なった。紫
外線照射におけるガラス基板温度は５５°Ｇであった。
しかる後、配向剤を塗布、ラビング後、２枚のガラス基
板を重ね合せ、液晶を注入、封孔し液晶セルを待た。
板を重ね合せ、液晶を注入、封孔し液晶セルを待た。
上記実施例２による液晶セル特性を従来法と比較し以下
に記述する。
に記述する。
表１はエツチング後紫外線照射工程を経た配向剤塗布前
のガラス基板のノリ量を示すものである。
のガラス基板のノリ量を示すものである。
表 １
表１から本発明法はノリがな（優れたものであることが
明らかであった。
明らかであった。
表２は液晶セル製造工程重ね合せ時のソールばくり性を
示ずものである。
示ずものである。
表 ２
表２は表」で示したノリ量に大きく影響するもので２枚
ガラスを重ね合せたセルはソリによりソールはくりをも
たらしたものてあり、本発明は従来法と比べ歩留向上が
明白であった。
ガラスを重ね合せたセルはソリによりソールはくりをも
たらしたものてあり、本発明は従来法と比べ歩留向上が
明白であった。
表３は液晶セルギャノグバラソキを示したもので、２枚
のガラス基板の重ね合せ間のすきまバラツキを示すもの
である。ギャップバラツキは、液晶注入後、外観におい
て、色づきを生じ商品イノージを低下さぜるばかりでな
（、液晶セルの品質に大きく影響し、コントラスト応答
性等のセル品質に重要な役割を演するものである。
のガラス基板の重ね合せ間のすきまバラツキを示すもの
である。ギャップバラツキは、液晶注入後、外観におい
て、色づきを生じ商品イノージを低下さぜるばかりでな
（、液晶セルの品質に大きく影響し、コントラスト応答
性等のセル品質に重要な役割を演するものである。
表 ３
（ギャップ設定［直１０μ）
表３から本発明法によればセル品質がずこぷろ良好であ
ることが判明する。
ることが判明する。
上記実施例で示されたごとく、本発明は基板上に酸化イ
ンジウムを主成分とする低級酸化物がらなろ破膜をイー
１着し、紫外線照射にて透明型イタ膜を（４４るものて
、基板のノリ防止を行ない、表示体用パネル製造を行な
うもので、製造時の歩留向上、品質向上て大きな利点を
生みだすものである。
ンジウムを主成分とする低級酸化物がらなろ破膜をイー
１着し、紫外線照射にて透明型イタ膜を（４４るものて
、基板のノリ防止を行ない、表示体用パネル製造を行な
うもので、製造時の歩留向上、品質向上て大きな利点を
生みだすものである。
第１図は、紫夕１線照射時間と被膜透過率との関係を示
ずグラフ。 第２図は、紫外線照射時間と被膜ソート抵抗との関係を
示すグラフ。 第１図 第２図
ずグラフ。 第２図は、紫外線照射時間と被膜ソート抵抗との関係を
示すグラフ。 第１図 第２図
Claims (1)
- 基板上に酸化イノ／ラムを主成分とする低級酸化物から
なる被膜な小」着し、該被膜に紫外線照射によって形成
したオゾンを施すことによって透明電導膜をイ↓）るこ
とを特徴とする表示体用パネル基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6874783A JPS59193488A (ja) | 1983-04-19 | 1983-04-19 | 表示体用パネル基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6874783A JPS59193488A (ja) | 1983-04-19 | 1983-04-19 | 表示体用パネル基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59193488A true JPS59193488A (ja) | 1984-11-02 |
Family
ID=13382673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6874783A Pending JPS59193488A (ja) | 1983-04-19 | 1983-04-19 | 表示体用パネル基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59193488A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63314714A (ja) * | 1987-06-18 | 1988-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 透明導電膜の製造方法 |
-
1983
- 1983-04-19 JP JP6874783A patent/JPS59193488A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63314714A (ja) * | 1987-06-18 | 1988-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 透明導電膜の製造方法 |
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