JPS59146022A - 表示体用電極基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は表示体用電極基板の製造方法に関するものであ
る。

ｉ’ｆｆｌ晶や工し・・りｌ・ロクロミノクの表示体に
使用している電極基板は２ノーダブｊラス、白板ガラス
を用い、その表向にアルカリプロデクト膜として、Ｊ−
゛酸化クイ素膜を膜ｆ＝１けシ、２、し、かる后、酸化
インジウノ・、酸化スズ等の透明電導性膜を膜（；１け
を行ない、選択的にバターニーングして表示用電極と１
，５て℃・る。アルカリプロテクト膜として用いる二酸
化ケイ素は、ソーダガラス、白板ガラスに溶存するすト
リウノ１、カリウノ・等のアルカリ成分の溶出を計重し
７て、液晶、エレクトロクロミ、ツク士／Ｌ中−゛・、
の表斤ミ時の電醗直増加、表示部ｃりにじみ等を１υＪ
１１−４−るもので、通常、ガラス主成分−Ｑ’ｈ不）
−二酸化クイ素膜が使用されて（・る１、 二酸化ケイ素膜ｆ＝Ｊげ法とし−こは、ンゼ漬法、気相
法、化学気相法等数多くの製品法があり、−ｆ　ｔｔぞ
、１１ｆｉ′有の性質を有し、−艮一短がｋ）る。例女
ば、通常最もよく使用されているん清洗に１．）いては
、膜）リバラツギが大きく、基板の中火、周縁Ｋ　：（
ｔ；℃・てＣま４００〜６００人と異なることが七）す
、マイクロクラックの発生、お３Ｙぴピンホール、溶媒
の残跡等、基根品質ト、アルカリ成分の溶出が４Ｆし、
液晶、エレクトロクロミック十ノしυン一ふ；いで、シ
ばしば電流１（１１″置り増加、表示部にじ）木、配向
不■〕舌、セル品質に問題を牛じ、商品ａθ）液晶セル
、ニジ・・クトロクロミノクセル等の製造は困難４−り
［（二１．−８本発明（，１、かかる二酸化り・イ素膜
を、さ１ユ）にアルノノリブロブクト効果をもだ・）シ
゛、ノ　グガシス、白板ガラス等な基板とず７．）溶イ
ｔアルカリ成分を＋ル内に溶出計重をはかることを１的
とし１５−もσ）Ｃ゛、高品質の表示体の製造において
重要なものである６、以ト、図面に基づいて本発明の一
実施例を説、明する。

第１図は液晶表示体電極基板の断面拡大図を示すもので
あり、１はソーダガラス、白板ガラス等の基板、２は二
酸化ケイ素膜、６は選択的にバターニニングした酸化イ
ンジウノ３、酸化スズ等の透明電導性膜を示している。

第１図に示している構成において、２０−二酸化り一イ
素膜の膜イマ］け製造法による本発明を以■説明する。

実施例１ 浸漬法二酸化り一イ素膜製造法 白板ガラス基板をケイ酸塩溶液に浸漬し、常温放１Δ３
０分間行なし・、しかる后、４２０°Ｃ１１時間大気中
連続炉により焼成して揮発成分を除去１゜二酸化ケイ素
膜とし、中央部平均膜厚１ｚｏｏＬとＩ〜た。係る本発
明に従い同一連続炉で４２０’Ｃ１１時間の再焼成を施
こし、残存揮発成分を除去、かつ低次二酸化ケイ素膜を
高次二酸化り″イ素とし酸化、さらに二酸化ケイ素の膜
密度を高め１、−０第２図に実施例１による赤外針元分
析法によ４）赤外吸光データを示ず。横軸に波数（ｃｍ
’−’）を示１−．−．、縦軸に波高を示す。４は従来
法に基づ（１回焼成時、５は本発明による再焼成を行な
った二酸化ケイ素膜を示し、６はシリコーンウェハーと
し標準サンプルとした。第２図で判明するごとく、本発
明品５は６の標準サンプルに近（・ピーク（直を示１〜
、二酸化ケイ素により近い膜質となっていることが判る
。さらに再々焼成を繰り返すことにより５０波形は６の
波形に近づい°Ｃいく。

−ト記従来法及び本発明品（２回焼成）の基板を用いて
液晶セルを作成し、信頼性試験とし゛（加速面」湿テス
ト（９５％ＲＨ１６５℃、１０日間）を行なった。以下
表１に結果を記載ずろ。

表Ｉ 白板ガラス中に存在するアルカリ成分の溶出を防止した
二酸化クーイ素膜であることが明白である。

実施例２ 化学気相法二、酸化ケイ素膜製造法 ノーダガラス基板に常温法化学気相蒸着装置を用い″Ｃ
１シランガスー酸素混合ガスを４００℃の温度で基板に
吹きつげ二酸化ケイ素膜を形成させた。膜厚は平均ｘｏ
ｏｏＡとした。しかる后、本発明である再焼成として３
５０℃、４５０°Ｃ１５２０°Ｃの３条件で大気中連続
炉を用い処理時間２０分間とした。

上記サンプルをピンポールテストとして、塩酸ばくろデ
スト加速法を用いて、ソーダカラスに存在するアルカリ
成分の溶出量を調べた。塩酸ばくろデスト法は、基板中
のアルカリ成分が二酸化ケイ素膜を通して溶出してくる
と塩素ガスと反応し、塩を形成して、こん跡を示すもの
で、こん跡の大きさ、量からピンホールの形状、量を判
断するものである。

上記テスト結果を表Ｈに記載する。

表ＩＮ 表■かも化学気相法で得られた二酸化ケイ素膜について
も実施例１で記載したごとく、アルカリプロテクト効果
は犬であった。また上記化学気相法を用いて製造した二
酸化ケイ素膜を本発明により、４５０　’Ｃ再焼成品で
テストした所、電流１１＾はもとより、光学特性テスト
であるコントラスト応答性等優れた結果をもたらした。

実施例３ ソーダガラス基板に浸漬法によりニー酸化クイ素膜を処
理し，、しかる后、直ちに透明電導性膜、酸化インジウ
ムを膜例け、選択的にパターン化Ｉ７た従来法の基板に
、本発明であるパターン形成后、３５０°Ｃ、３０分間
、大気中バッチ炉で再焼成し該実施例は、従来パターン
化された基板は二酸化ケイ素膜が露出しており、該二酸
化ケイ素膜が再焼成により、品質向上二ｔ−，、アルカ
リプロテクト効果を生じろものと判断する。

該実施例に基づく液晶セルで計部した所、従来品と比べ
、優れた特性を示し、実施例１．２に準する結果を与え
て（ねた。

以上述べたように、表示体用電極基板製造において、ア
ルカリプロデクト膜として用いる、二酸化ケイ素膜を再
焼成して膜品質を向上し、液晶、エレクトロクロミック
等の表示体の高品質セル製造をもたらすもので工業的何
時多大である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、液晶表示体電極基板の拡大断面図、第２図は
、浸漬法による二酸化ケイ素膜赤外分光分析吸光データ
を示すグラフ。 １・・・・・・基板、　２・・・・・・二酸化ケイ素膜
、６・・・・・選択的バターニングされた透明電導性膜
、４・・・・・・従来品で浸漬法による二酸化ケイ素膜
波形、５・・・・・本発明品で従来品４を再焼成した二
酸化ケイ素膜波形、 ６　・・・・標準サンプルでシリコーンウェハーの波形
。 （＋−，□１旧１

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. アルカリ成分ラ゛りｌ・膜とし７て用いる一ニ酸化クイ
   素膜の膜ト１げ后、３８０〜５２０　’Ｃ；の温度範囲
   で再焼成をすることを特徴とする表示体用電極基板の製
   造方法。