JPS6227719A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
- Publication number
- JPS6227719A JPS6227719A JP60167209A JP16720985A JPS6227719A JP S6227719 A JPS6227719 A JP S6227719A JP 60167209 A JP60167209 A JP 60167209A JP 16720985 A JP16720985 A JP 16720985A JP S6227719 A JPS6227719 A JP S6227719A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- org
- liquid crystal
- electrode
- insulating film
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Liquid Crystal (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、液晶表示素子に関し、特に、電極基板のガラ
ス基板と電極膜との間に形成される絶縁被膜に関する。
ス基板と電極膜との間に形成される絶縁被膜に関する。
「従来の技術」
第１図に示すように、液晶表示素子は、ガラス基板１１
上に一様に形成された絶縁被膜１２と、この絶縁被膜１
２上に表示パターンに応じた形状に形成された電極膜１
３と、上面が平坦面となるように電極膜１３と絶縁被膜
１２とを被覆する配向膜１４とからなる一対の電極基板
１５を備えている。これらの電極基板１５．１５は、シ
ール材１６を介して所定ギャップとなるように貼り合わ
され、内部に液晶１７が封入されている。なお、ツイス
トネマティック型の液晶表示素子などにおいては、電極
基板１５．１５の外側に偏光板１８．１８が貼り付けら
れている。
上に一様に形成された絶縁被膜１２と、この絶縁被膜１
２上に表示パターンに応じた形状に形成された電極膜１
３と、上面が平坦面となるように電極膜１３と絶縁被膜
１２とを被覆する配向膜１４とからなる一対の電極基板
１５を備えている。これらの電極基板１５．１５は、シ
ール材１６を介して所定ギャップとなるように貼り合わ
され、内部に液晶１７が封入されている。なお、ツイス
トネマティック型の液晶表示素子などにおいては、電極
基板１５．１５の外側に偏光板１８．１８が貼り付けら
れている。
従来の液晶表示素子において、ガラス基板１１と電極膜
１３との間に介在する絶縁被膜１２は、真空蒸着法また
は化学スプレー法を用いて、主として二酸化シリコン（
Ｓ；Ｏ２） 、二酸化チタン（ＴｉＯ２）などで形成さ
れていた。
１３との間に介在する絶縁被膜１２は、真空蒸着法また
は化学スプレー法を用いて、主として二酸化シリコン（
Ｓ；Ｏ２） 、二酸化チタン（ＴｉＯ２）などで形成さ
れていた。
「発明が解決しようとする問題点」
絶縁被膜１２の形成に際して、真空蒸着法は、優れた特
性の絶縁被膜が得られるが、量産性の点で問題があった
。
性の絶縁被膜が得られるが、量産性の点で問題があった
。
また、化学スプレー法は、得られた絶縁被膜の特性が劣
ると共に、材料の無駄が生じやすいという問題点があっ
た。
ると共に、材料の無駄が生じやすいという問題点があっ
た。
一方、スクリーン印刷法を使用することも考えられるが
、量産性の点で問題がある。
、量産性の点で問題がある。
上記の各種方法に比べて、浸漬法は、数多くの電極基板
を同時に処理できると共に材料の無駄が生ぜず、量産に
適しているという特徴がある。
を同時に処理できると共に材料の無駄が生ぜず、量産に
適しているという特徴がある。
しかし、浸漬法によって５ｉＱ２のみで絶縁被膜１２を
形成すると、その屈折率がインジウム−スズ（Ｉｎ−３
ｎ）酸化物からなる電極膜１３の屈折率より小さくなる
ため、液晶表示素子の非駆動時に電極パターンが目立つ
という問題点があった。
形成すると、その屈折率がインジウム−スズ（Ｉｎ−３
ｎ）酸化物からなる電極膜１３の屈折率より小さくなる
ため、液晶表示素子の非駆動時に電極パターンが目立つ
という問題点があった。
また、絶縁被膜１２の屈折率を上げるために。
ＴｉＱ２を２層に重ねることも行なわれているが、工程
が増えてコスト高になるという問題点があった。
が増えてコスト高になるという問題点があった。
さらに、絶縁被膜１２としてＴｉＱ２を単層だけ設ける
と、ガラス基板１１から液晶１７へのナトリウムイオン
（Ｎａ” ）等のアルカリイオンの溶出が生じ、信頼性
テストにおいて表示パターンのにじみが生じるという問
題点があった。
と、ガラス基板１１から液晶１７へのナトリウムイオン
（Ｎａ” ）等のアルカリイオンの溶出が生じ、信頼性
テストにおいて表示パターンのにじみが生じるという問
題点があった。
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解消するため
に、アルカリイオンの液晶への溶出を防止すると共に、
絶縁被膜の屈折率を電極膜のそれに近づけることにより
電極パターンを見えにくくし、よって信頼性および表示
品位奢向上させるようにした液晶表示素子を提供するこ
とにある。
に、アルカリイオンの液晶への溶出を防止すると共に、
絶縁被膜の屈折率を電極膜のそれに近づけることにより
電極パターンを見えにくくし、よって信頼性および表示
品位奢向上させるようにした液晶表示素子を提供するこ
とにある。
「問題点を解決するための手段」
本発明の液晶表示素子は、ガラス基板と電極膜との間に
介在する絶縁被膜をＳｉＯ、、〜ＺｒＯ□−Ｂ２Ｏ３の
混合膜で形成した電極基板を備えていることを特徴とす
る。
介在する絶縁被膜をＳｉＯ、、〜ＺｒＯ□−Ｂ２Ｏ３の
混合膜で形成した電極基板を備えていることを特徴とす
る。
「作用」
本発明による液晶表示素子においては、５ｉＱ２−Ｚｒ
Ｏ□−Ｂ２Ｏ３の混合膜からなる絶縁被膜がガラス基板
から液晶へのＮａ＋等のアルカリイオンの溶出を防＋ｈ
すると共に、絶縁被膜の屈折率が電極膜のそれに近づき
、電極パターンを見えに〈＜シて液晶表示素子の視認性
を高める。
Ｏ□−Ｂ２Ｏ３の混合膜からなる絶縁被膜がガラス基板
から液晶へのＮａ＋等のアルカリイオンの溶出を防＋ｈ
すると共に、絶縁被膜の屈折率が電極膜のそれに近づき
、電極パターンを見えに〈＜シて液晶表示素子の視認性
を高める。
「発明の実施例」
本発明の液晶表示素子の一実施例においては、Ｓ ｉ０
２ ＺｒＱ２−８２０３の混合膜からなる絶縁被膜を
浸漬法により形成する。すなわち、有機溶剤に可溶なケ
イ素（Ｓｉ）の有機金属化合物、ジルコニウム（Ｚ「）
の有機金属化合物およびポロン（Ｂ）の有機金属化合物
を有機溶剤に溶解させて相互に反応させると共に、溶液
の安定化のためにキレート生成物を添加して、生成され
た反応生成物を均一に含有する溶液とし、この溶液にガ
ラス基板を浸ｆｆｌ塗布した後、焼成しテ５ｉｏ２ｚｒ
ｏ２ Ｂ２Ｏ３（’）混合膜からなる絶縁被膜を形成
する。
２ ＺｒＱ２−８２０３の混合膜からなる絶縁被膜を
浸漬法により形成する。すなわち、有機溶剤に可溶なケ
イ素（Ｓｉ）の有機金属化合物、ジルコニウム（Ｚ「）
の有機金属化合物およびポロン（Ｂ）の有機金属化合物
を有機溶剤に溶解させて相互に反応させると共に、溶液
の安定化のためにキレート生成物を添加して、生成され
た反応生成物を均一に含有する溶液とし、この溶液にガ
ラス基板を浸ｆｆｌ塗布した後、焼成しテ５ｉｏ２ｚｒ
ｏ２ Ｂ２Ｏ３（’）混合膜からなる絶縁被膜を形成
する。
上記Ｓ１の有機金属化合物としては、テトラメトキシシ
ラン（Ｓｉ（ＯＣｔ（＋ ＞ａ ） 、テトラエトキシ
シラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン
等の有機シラン化合物が好ましく使用できる。
ラン（Ｓｉ（ＯＣｔ（＋ ＞ａ ） 、テトラエトキシ
シラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン
等の有機シラン化合物が好ましく使用できる。
また、上記Ｚｒの有機金属化合物としては、テトラエト
キシジルコニウム、テトライソプロポキシジルコニウム
（Ｚｒ（ＯＣ＋ Ｈ７）４） 、テトラアセチルアセト
ナートジルコニウム等が好ましく使用できる。
キシジルコニウム、テトライソプロポキシジルコニウム
（Ｚｒ（ＯＣ＋ Ｈ７）４） 、テトラアセチルアセト
ナートジルコニウム等が好ましく使用できる。
さらに、上記Ｂの有機金属化合物としては、ホウ酸、ト
リエトキシポロン、トリイソプロポキシポロン、トリｎ
ブトキシポロ７ （Ｂ（ＯＣ４Ｈ９）３ ） 、 ト
リスアセチルアセトナートポロン等が好ましく使用でき
る。
リエトキシポロン、トリイソプロポキシポロン、トリｎ
ブトキシポロ７ （Ｂ（ＯＣ４Ｈ９）３ ） 、 ト
リスアセチルアセトナートポロン等が好ましく使用でき
る。
これらの有機金属化合物を溶解させる有機溶剤としては
、メチルエチルケトン（ＭＥＫ） 、酢酸エチル、エタ
ノール、メタノール等カ好ましく使用できる。
、メチルエチルケトン（ＭＥＫ） 、酢酸エチル、エタ
ノール、メタノール等カ好ましく使用できる。
また、溶剤の安定化剤としては、アセチルアセトン、ト
リエタノールアミン等が好ましく使用できる。
リエタノールアミン等が好ましく使用できる。
これらを混合して作成された溶液を浸漬液として使用し
、これにガラス基板を浸漬して塗布した後に、４００〜
５００℃程度の温度で焼成すると、５ｉ０２−２ｒ０２
Ｂ２Ｏ３の混合膜からなる絶縁被膜が形成される。
、これにガラス基板を浸漬して塗布した後に、４００〜
５００℃程度の温度で焼成すると、５ｉ０２−２ｒ０２
Ｂ２Ｏ３の混合膜からなる絶縁被膜が形成される。
浸漬液中に含有されるＳｉ、 Ｚｒ、 Ｂの量、浸漬液
の粘度８ガラス基板の浸漬液中からの引き上げ速度等を
調整することにより、膜厚が５０００Å以下程度の絶縁
被膜を自由に形成することができる。
の粘度８ガラス基板の浸漬液中からの引き上げ速度等を
調整することにより、膜厚が５０００Å以下程度の絶縁
被膜を自由に形成することができる。
なお、こうして形成された絶縁被膜の各成分の含有量は
、ＳｉＯ２： ２０〜５０重量％、−ＺｒＯｚ ： ４
０〜８０ｆｉ量％、 ８２０３ ： ２〜１５重量％と
なるようにすることが好ましい。５ｉＱ２が２０重量％
未満では成膜性が悪くなるという問題が生じ、ＳｉＯ□
が５０重量％を超えると電極パターンが見えやすくなる
という問題が生じる。また、ＺｒＱ２が４０重量％未満
では屈折率が低くなるという問題が生じ、ＺｒＯ２が８
０重量％を超えるとクラックが入りやすくなるという問
題が生じる。さらに、Ｂ２Ｏ３が２重量％未満では電極
パターンににじみが発生しやすくなるという問題が生じ
、 Ｂ２Ｏ３が１５重量％を超えると耐水性が悪くなる
という問題が生じる。
、ＳｉＯ２： ２０〜５０重量％、−ＺｒＯｚ ： ４
０〜８０ｆｉ量％、 ８２０３ ： ２〜１５重量％と
なるようにすることが好ましい。５ｉＱ２が２０重量％
未満では成膜性が悪くなるという問題が生じ、ＳｉＯ□
が５０重量％を超えると電極パターンが見えやすくなる
という問題が生じる。また、ＺｒＱ２が４０重量％未満
では屈折率が低くなるという問題が生じ、ＺｒＯ２が８
０重量％を超えるとクラックが入りやすくなるという問
題が生じる。さらに、Ｂ２Ｏ３が２重量％未満では電極
パターンににじみが発生しやすくなるという問題が生じ
、 Ｂ２Ｏ３が１５重量％を超えると耐水性が悪くなる
という問題が生じる。
実施例：
攪拌器および還流冷却器を備えた３首フラスコを攪拌さ
せながら、窒素ガス（Ｎ２）の導入下で、まず、 ■エタノール＋アセチルアセトン ■Ｂ （Ｏｃ、 ｔ（９）１ を順次フラスコに加える０次に、これらを還流させなが
ら煮沸してから、 ＠Ｓ ｉ （ＯＣＲ＊ ）ａ ■Ｚｒ （ｏｃ、 Ｎ７ ）４ を、 （＋） Ｃ７Ｎ５ ＯＨ に溶解しフラスコに加える。
せながら、窒素ガス（Ｎ２）の導入下で、まず、 ■エタノール＋アセチルアセトン ■Ｂ （Ｏｃ、 ｔ（９）１ を順次フラスコに加える０次に、これらを還流させなが
ら煮沸してから、 ＠Ｓ ｉ （ＯＣＲ＊ ）ａ ■Ｚｒ （ｏｃ、 Ｎ７ ）４ を、 （＋） Ｃ７Ｎ５ ＯＨ に溶解しフラスコに加える。
この溶液は、酸化物濃度として、ＳｉＯ□： ３４．８
重量％、ＺｒＱ、 ： ５１．７重量％、Ｂ２Ｏ３：
８．１重量％有するように作成した。
重量％、ＺｒＱ、 ： ５１．７重量％、Ｂ２Ｏ３：
８．１重量％有するように作成した。
この溶液を浸漬液として用い、同液にガラス基板を浸漬
してから、ガラス基板を毎分Ｈｃｔｍの引き上げ速度で
引き上げ、４００〜５００℃の温度範囲で３０〜６０分
間焼成した。この結果、ガラス基板上に膜厚が約１００
０人の絶縁被膜が形成された。
してから、ガラス基板を毎分Ｈｃｔｍの引き上げ速度で
引き上げ、４００〜５００℃の温度範囲で３０〜６０分
間焼成した。この結果、ガラス基板上に膜厚が約１００
０人の絶縁被膜が形成された。
第１図に示すように、絶縁被膜１２が形成されたガラス
基板１１上に、スパッタリングにより電極膜１３を形成
し、バターニングする。さらに、ポリイミド膜をコート
してラビングすることにより配向膜１４を形成する。こ
うして電極基板１５を得ることができる。
基板１１上に、スパッタリングにより電極膜１３を形成
し、バターニングする。さらに、ポリイミド膜をコート
してラビングすることにより配向膜１４を形成する。こ
うして電極基板１５を得ることができる。
次に、２枚の電極基板１５をシール材１Ｂを介してセル
ギャップが１０１Ｌ１１となるように貼り合わせ、内部
に例えばネマティック液晶１７を封入し、各電極基板１
５の外側に偏光板１８．１９を貼り付けることにより、
ツイストネマティック型の液晶表示素子を作成すること
ができる。
ギャップが１０１Ｌ１１となるように貼り合わせ、内部
に例えばネマティック液晶１７を封入し、各電極基板１
５の外側に偏光板１８．１９を貼り付けることにより、
ツイストネマティック型の液晶表示素子を作成すること
ができる。
このようにして作成された液晶表示素子は、５ｉ０２−
−ＺｒＯ２− Ｂ２Ｏ３の混合膜からなる絶縁被膜を有
するので、Ｚｒの含有量に応じて絶縁被膜の屈折率を１
．６〜１．７５の範囲で調整可能である。このため、屈
折率１，５２のＳｉＯ□単層の絶縁被膜を用いた場合に
比べると、非駆動時に電極パターンが見えることが少な
くなり、液晶表示素子としての視認性が向上する。
−ＺｒＯ２− Ｂ２Ｏ３の混合膜からなる絶縁被膜を有
するので、Ｚｒの含有量に応じて絶縁被膜の屈折率を１
．６〜１．７５の範囲で調整可能である。このため、屈
折率１，５２のＳｉＯ□単層の絶縁被膜を用いた場合に
比べると、非駆動時に電極パターンが見えることが少な
くなり、液晶表示素子としての視認性が向上する。
また、この液晶表示素子においては、アルカリイオンが
溶出してきたどうかの判定の基準となる駆動時の表示パ
ターンのくずれ、いわゆるにじみ現象が起こりにくい。
溶出してきたどうかの判定の基準となる駆動時の表示パ
ターンのくずれ、いわゆるにじみ現象が起こりにくい。
例えば８０℃、９０％の耐湿加速試験下において、にじ
み現象の発生時間は。
み現象の発生時間は。
５ｉ０２単層の絶縁被膜を用いた場合に比べて、約３０
％長くなる。したがって、長寿命の液晶表示素子を製造
することができる。
％長くなる。したがって、長寿命の液晶表示素子を製造
することができる。
「発明の効果」
以上説明したように、本発明によれば、 ＺｒおよびＢ
の成分によりＮａ＋等のアルカリイオンの溶出防止性能
を向上させることができるという効果が得られる。
の成分によりＮａ＋等のアルカリイオンの溶出防止性能
を向上させることができるという効果が得られる。
また、Ｚｒの含有量に応じて絶縁被膜の屈折率を変化さ
せることができるので、絶縁被膜の屈折率を電極膜のそ
れに近づけることにより非駆動時に電極パターンを見え
にくくすることができるという効果が得られる。
せることができるので、絶縁被膜の屈折率を電極膜のそ
れに近づけることにより非駆動時に電極パターンを見え
にくくすることができるという効果が得られる。
第１図は液晶表示素子の一般的な構成を示す断面図であ
る。 図中、 １１はガラス基板、１２は絶縁被膜、１３は電
極膜、１４は配向膜、１５は電極基板、１７は液晶であ
る。
る。 図中、 １１はガラス基板、１２は絶縁被膜、１３は電
極膜、１４は配向膜、１５は電極基板、１７は液晶であ
る。
Claims (2)
- （１）ガラス基板と電極膜との間に介在する絶縁被膜が
ＳｉＯ＿２−ＺｒＯ＿２−Ｂ＿２Ｏ＿３の混合膜で形成
された電極基板を備えていることを特徴とする液晶表示
素子。 - （２）特許請求の範囲第１項において、前記絶縁被膜は
、ＳｉＯ＿２：２０〜５０重量％、ＺｒＯ＿２：４０〜
８０重量％、Ｂ＿２Ｏ＿３：２〜１５重量％の混合膜で
形成されている液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60167209A JPS6227719A (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60167209A JPS6227719A (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6227719A true JPS6227719A (ja) | 1987-02-05 |
Family
ID=15845442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60167209A Pending JPS6227719A (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6227719A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6446039B1 (en) | 1998-09-08 | 2002-09-03 | Seiko Epson Corporation | Speech recognition method, speech recognition device, and recording medium on which is recorded a speech recognition processing program |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5240354A (en) * | 1975-09-26 | 1977-03-29 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Display unit in which electrooptical fluid is filled |
| JPS5662224A (en) * | 1979-10-25 | 1981-05-28 | Seiko Epson Corp | Construction of display panel |
| JPS56116015A (en) * | 1980-02-20 | 1981-09-11 | Seiko Epson Corp | Manufacture of liquid crystal panel |
-
1985
- 1985-07-29 JP JP60167209A patent/JPS6227719A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5240354A (en) * | 1975-09-26 | 1977-03-29 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Display unit in which electrooptical fluid is filled |
| JPS5662224A (en) * | 1979-10-25 | 1981-05-28 | Seiko Epson Corp | Construction of display panel |
| JPS56116015A (en) * | 1980-02-20 | 1981-09-11 | Seiko Epson Corp | Manufacture of liquid crystal panel |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6446039B1 (en) | 1998-09-08 | 2002-09-03 | Seiko Epson Corporation | Speech recognition method, speech recognition device, and recording medium on which is recorded a speech recognition processing program |
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