JPS6290621A - 透明絶縁被膜および透明絶縁被膜形成液 - Google Patents
透明絶縁被膜および透明絶縁被膜形成液Info
- Publication number
- JPS6290621A JPS6290621A JP60232171A JP23217185A JPS6290621A JP S6290621 A JPS6290621 A JP S6290621A JP 60232171 A JP60232171 A JP 60232171A JP 23217185 A JP23217185 A JP 23217185A JP S6290621 A JPS6290621 A JP S6290621A
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- insulating film
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
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- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「技術分野」
本発明は１例えば液晶表示素子、エレクトロクロミック
素子、エレクトロルミネッセンス素子などに用いられる
透明絶縁被膜および透明絶縁被膜形成液に関する。
素子、エレクトロルミネッセンス素子などに用いられる
透明絶縁被膜および透明絶縁被膜形成液に関する。
「従来技術およびその問題点」
例えば液晶表示素子、エレクトロクロミンク素子、エレ
クトロルミネッセンス素子などにおいては、基板と透明
電極との間に透明絶縁被膜が形成されることが゛ある。
クトロルミネッセンス素子などにおいては、基板と透明
電極との間に透明絶縁被膜が形成されることが゛ある。
この透明絶縁被膜は、駆動用透明電極が外部光の反射に
より見えるのを防ぐと共に、ソーダガラスなどの基板か
ら拡散溶出するＮａをトラップする役割りをなしている
。
より見えるのを防ぐと共に、ソーダガラスなどの基板か
ら拡散溶出するＮａをトラップする役割りをなしている
。
従来、この種の透明絶縁被膜として、有機金１１を溶か
した溶液にガラス基板を浸漬して溶液を塗布させ′、５
００℃程度で焼成する、いわゆる浸漬法により形成した
ものが知られており、例えば機能分離型の７１０２／’
３１０２の２層からなる透明絶縁被膜が知られている。
した溶液にガラス基板を浸漬して溶液を塗布させ′、５
００℃程度で焼成する、いわゆる浸漬法により形成した
ものが知られており、例えば機能分離型の７１０２／’
３１０２の２層からなる透明絶縁被膜が知られている。
この透明絶縁被膜は、５１０２膜でＮａの拡散溶出を防
ぎ、高屈折率のＴｉＱ２膜で透明電極を見えにくくする
ようにしている。
ぎ、高屈折率のＴｉＱ２膜で透明電極を見えにくくする
ようにしている。
しかしながら、この透明絶縁波１２では、溶液にガラス
基板を浸漬して焼成する工程を２回繰返さなければなら
ず、生産性が非常に悪かった。
基板を浸漬して焼成する工程を２回繰返さなければなら
ず、生産性が非常に悪かった。
一方、スパフタリング、真空蒸着、 Ｃ：ＶＤ法などに
より、窒化珪素、炭化珪素、あるいは、ヒ素、アンチモ
ンなどをドープして形成した５ｉＱ２膜からなる透明絶
縁被膜も知られている。
より、窒化珪素、炭化珪素、あるいは、ヒ素、アンチモ
ンなどをドープして形成した５ｉＱ２膜からなる透明絶
縁被膜も知られている。
しかしながら、この透明絶縁被膜では、製造設備が大が
かりとなり、構成成分数あるいは被膜面積が大きくなる
と、制御に困難を生じ、生産性が悪かった。
かりとなり、構成成分数あるいは被膜面積が大きくなる
と、制御に困難を生じ、生産性が悪かった。
また、これらの透明絶縁被膜をスクリーン印刷法により
形成することも考えられるが、もろくポーラスな膜にな
りやすいという問題点があった。
形成することも考えられるが、もろくポーラスな膜にな
りやすいという問題点があった。
「発明の目的」
本発明の目的は、上記従来技術の問題点に鑑み、浸漬法
によって形成可能な単層膜で、透明電極の見えを抑え、
ガラス基板からのＮａの拡散溶出を防１ヒできるように
した透明絶縁被膜および透明絶縁被膜形成液を提供する
ことにある。
によって形成可能な単層膜で、透明電極の見えを抑え、
ガラス基板からのＮａの拡散溶出を防１ヒできるように
した透明絶縁被膜および透明絶縁被膜形成液を提供する
ことにある。
「発明の構成」
本発明の透明絶縁被膜は、有機インジウム、有機ジルコ
ニウムおよび有機シリコンの混合物を焼成して得られる
Ｉｎ７Ｑ３−ＺｒＯ２−ＳｉＯ２系酸化物を含有するこ
とを特徴とする。
ニウムおよび有機シリコンの混合物を焼成して得られる
Ｉｎ７Ｑ３−ＺｒＯ２−ＳｉＯ２系酸化物を含有するこ
とを特徴とする。
また、本発明の透明絶縁被膜形成液は、焼成によりＩｎ
２Ｏ３−ＺｒＯ２−９ｉ０２系酸化物を形成する有機イ
ンジウム、有機ジルコニウムおよび有機シリコンの混合
物を有機溶媒に溶解してなることを特徴とする。
２Ｏ３−ＺｒＯ２−９ｉ０２系酸化物を形成する有機イ
ンジウム、有機ジルコニウムおよび有機シリコンの混合
物を有機溶媒に溶解してなることを特徴とする。
このように、本発明の透明絶縁被膜は、高屈折率のＺｒ
Ｑ２−３ｉ０２系酸化物にＩｎ２Ｏ３を含有させたので
、高い屈折率により透明電極が見えにくくなると共に、
Ｎａの拡散溶出防止効果も実用上充分に得られる。さら
に、成膜性がよく、電気絶縁性が大きく、密着強度も実
用上充分である。
Ｑ２−３ｉ０２系酸化物にＩｎ２Ｏ３を含有させたので
、高い屈折率により透明電極が見えにくくなると共に、
Ｎａの拡散溶出防止効果も実用上充分に得られる。さら
に、成膜性がよく、電気絶縁性が大きく、密着強度も実
用上充分である。
透明絶縁被膜を浸漬法により形成可能ならしめるには、
有機インジウム、有機ジルコニウムおよび有機シリコン
を低沸点溶媒に溶解させた形成液を使用する必要があり
、かつ、ソーダガラスなどの基板に成膜するためには、
５００°Ｃ付近の焼成温度でＩｎ２Ｑ ３−Ｚ ｒ０２
−９ ｉ０２系酸化物となることが心安とされる。
有機インジウム、有機ジルコニウムおよび有機シリコン
を低沸点溶媒に溶解させた形成液を使用する必要があり
、かつ、ソーダガラスなどの基板に成膜するためには、
５００°Ｃ付近の焼成温度でＩｎ２Ｑ ３−Ｚ ｒ０２
−９ ｉ０２系酸化物となることが心安とされる。
この条件を満足させるため、有機インジウムとしては、
トリアルコキシインジウム（Ｉｎ（ＯＲ）＋ ）、トリ
アセチルアセトネートインジウム （Ｉｎ（ＡｃＡｃ）ｓ ） 、 トリアルキルアセト
アセテートインジウム（Ｉｎ（ＲＡＡ）３）等が好まし
い。また、有機ジルコニウムとしては、テトラアルコキ
シジルコニウム（Ｚｒ（ＯＲ）−） 、テトラアセチル
アセトネートジルコニウム（Ｚｒ（ＡｃＡｃ）ａ） 、
テトラアルキルアセトアセテートジルコニウム（Ｚｒ（
ＲＡＡ）ａ ）等が好ましい。さらに、有機シリコンと
しては、テトラアルコキシシラン（Ｓ ｉ （ＯＲ）４
）およびその縮合体（ＳｉｎＯｎ−＋ （ＯＲ）２１
１４２． ｒ＋５５） 、テトラアセテートシラｙ （
Ｓｉ（ＣＩＩ３ Ｃ；００）４ ）等が好ましい。
トリアルコキシインジウム（Ｉｎ（ＯＲ）＋ ）、トリ
アセチルアセトネートインジウム （Ｉｎ（ＡｃＡｃ）ｓ ） 、 トリアルキルアセト
アセテートインジウム（Ｉｎ（ＲＡＡ）３）等が好まし
い。また、有機ジルコニウムとしては、テトラアルコキ
シジルコニウム（Ｚｒ（ＯＲ）−） 、テトラアセチル
アセトネートジルコニウム（Ｚｒ（ＡｃＡｃ）ａ） 、
テトラアルキルアセトアセテートジルコニウム（Ｚｒ（
ＲＡＡ）ａ ）等が好ましい。さらに、有機シリコンと
しては、テトラアルコキシシラン（Ｓ ｉ （ＯＲ）４
）およびその縮合体（ＳｉｎＯｎ−＋ （ＯＲ）２１
１４２． ｒ＋５５） 、テトラアセテートシラｙ （
Ｓｉ（ＣＩＩ３ Ｃ；００）４ ）等が好ましい。
また 有機溶媒としては、低沸点で、比較的速い警部速
度でも膜中に残存セず、気化するものが用いられ、例え
ば低級アルコール、酢酸エチル、ＭＥＫ アセトン、
ベンゼン、Ｔ）ＩＦ 、エーテル等カ好ましい。この有
機溶媒中には、さらに必要に応じて粘性剤を添加しても
よく、かかる粘性剤としては、例えばニトロセルロース
、エチルセルロース等の各種セルロース類、ポリエチレ
ングリコール等のグリコールのポリマーなどが好ましく
使用される。
度でも膜中に残存セず、気化するものが用いられ、例え
ば低級アルコール、酢酸エチル、ＭＥＫ アセトン、
ベンゼン、Ｔ）ＩＦ 、エーテル等カ好ましい。この有
機溶媒中には、さらに必要に応じて粘性剤を添加しても
よく、かかる粘性剤としては、例えばニトロセルロース
、エチルセルロース等の各種セルロース類、ポリエチレ
ングリコール等のグリコールのポリマーなどが好ましく
使用される。
本発明の透明絶縁膜の組成は、特に限定されないが、例
えばＩｎ２０３１０〜２０重量％、ＺｒＱ２４０”４重
に％、５ｉ０２３０〜５０重量％からなることが好まし
い。Ｉｎ、０３が１０重斌％未満ではソーダガラス基板
からのＮａ拡散溶出防止効果が不充分という問題が生じ
、Ｉｎ２Ｏ３が２０重量％を超えると電気絶縁性が悪く
なるという問題が生じる。また、 ＺｒＱ２が４０屯４
１％未満では屈折率が低く電極見え防止が不充分という
問題が生じ、Ｚ「０２が６０重に％を超えると膜にクラ
ックが入り易いという問題が生じる。さらに、 ５ｉ０
２が３０重品＝％未満では均一な厚い膜が得にくいとい
う問題が生じ、５ｉＱ２が５０重量％を超えると電極見
え、Ｎａ拡散溶出防止効果が不充分という問題が生じる
。したがって、透明絶縁被膜形成液の作製に際し、その
中に含まれる有機インジウム、有機ジルコニウムおよび
有機シリコンが焼成されたときに上記の組成となるよう
に、それらの配合割合を調整することが好ましい。また
、本発明の透明絶縁被膜は、Ｉｎ２Ｏ３，ＺｒＯ２，５
ｉＱ２以外の他の成分を１０重量％以下の範囲で含有し
ていてもよい。
えばＩｎ２０３１０〜２０重量％、ＺｒＱ２４０”４重
に％、５ｉ０２３０〜５０重量％からなることが好まし
い。Ｉｎ、０３が１０重斌％未満ではソーダガラス基板
からのＮａ拡散溶出防止効果が不充分という問題が生じ
、Ｉｎ２Ｏ３が２０重量％を超えると電気絶縁性が悪く
なるという問題が生じる。また、 ＺｒＱ２が４０屯４
１％未満では屈折率が低く電極見え防止が不充分という
問題が生じ、Ｚ「０２が６０重に％を超えると膜にクラ
ックが入り易いという問題が生じる。さらに、 ５ｉ０
２が３０重品＝％未満では均一な厚い膜が得にくいとい
う問題が生じ、５ｉＱ２が５０重量％を超えると電極見
え、Ｎａ拡散溶出防止効果が不充分という問題が生じる
。したがって、透明絶縁被膜形成液の作製に際し、その
中に含まれる有機インジウム、有機ジルコニウムおよび
有機シリコンが焼成されたときに上記の組成となるよう
に、それらの配合割合を調整することが好ましい。また
、本発明の透明絶縁被膜は、Ｉｎ２Ｏ３，ＺｒＯ２，５
ｉＱ２以外の他の成分を１０重量％以下の範囲で含有し
ていてもよい。
「発明の実施例」
実施例１
有機インジウムとしてトリエチルアセトアセテートイン
ジウム（Ｉｎ（ＥＡＡ）３） 、有機ジルコニウムとし
てテトラブトキシジルコニウム （Ｚｒ（ＯＢｕ）ａ ） 、有機シリコンとしてテトラ
エトキシシランの縮合体（ＳｉｎＯｎ−＋（ＯＣ２Ｈｓ
）２ｎ＋２． ｒ＋４−５）を用い、有機溶媒としてＭ
ＥＫ 、粘性剤としてニトロセルローズを用い、これら
を第１表に示す各種配合１組成で混合し溶解させて透明
絶縁被膜形成液を作製した。
ジウム（Ｉｎ（ＥＡＡ）３） 、有機ジルコニウムとし
てテトラブトキシジルコニウム （Ｚｒ（ＯＢｕ）ａ ） 、有機シリコンとしてテトラ
エトキシシランの縮合体（ＳｉｎＯｎ−＋（ＯＣ２Ｈｓ
）２ｎ＋２． ｒ＋４−５）を用い、有機溶媒としてＭ
ＥＫ 、粘性剤としてニトロセルローズを用い、これら
を第１表に示す各種配合１組成で混合し溶解させて透明
絶縁被膜形成液を作製した。
そして、これらの透明絶縁被膜形成液にソーダガラスか
らなる基板を浸漬して液を塗布させ、５００ ’（：！
で３０分Ｌ１）１焼成してそれぞれ透明絶縁被膜を形成
した。こうして得られた透明絶縁波■Ｑは、試料ＮＯＩ
がＩｎ２Ｑｊ＋８重量％、 ＺｒＯ２３７重Ｙ％、Ｓ
ｉＱ、、４５重に％からなり、試料ＮＯ２がＩｎ２Ｑ３
２０重量％、ＺｒＯ２４０Ｔ！州％、３１０２４０重（
−、％からなり、試料ＮＯ３がｆ７Ｑ、 ２２重量％、
ＺｒＱ２４５重量％、ＳｉＱ、、３３ｉ１ｊ州％からな
るものであった。
らなる基板を浸漬して液を塗布させ、５００ ’（：！
で３０分Ｌ１）１焼成してそれぞれ透明絶縁被膜を形成
した。こうして得られた透明絶縁波■Ｑは、試料ＮＯＩ
がＩｎ２Ｑｊ＋８重量％、 ＺｒＯ２３７重Ｙ％、Ｓ
ｉＱ、、４５重に％からなり、試料ＮＯ２がＩｎ２Ｑ３
２０重量％、ＺｒＯ２４０Ｔ！州％、３１０２４０重（
−、％からなり、試料ＮＯ３がｆ７Ｑ、 ２２重量％、
ＺｒＱ２４５重量％、ＳｉＱ、、３３ｉ１ｊ州％からな
るものであった。
これらの透明絶縁被膜の特性を第２表に示す。
なお、透明電極の見えの状態は、この透明絶縁被膜上に
、さらにＩｎ２Ｑ ３−５ｎ０２系の透明電極を厚さ７
００〜８００人で形成し、パターンエツチングして観察
した。また、比較として、ＳｉＱ□膜の特性を併せて示
した。
、さらにＩｎ２Ｑ ３−５ｎ０２系の透明電極を厚さ７
００〜８００人で形成し、パターンエツチングして観察
した。また、比較として、ＳｉＱ□膜の特性を併せて示
した。
実施例２
有機インジウムとしてトリエチルアセトアセテートイン
ジウム（Ｉｎ（ＥＡＡ）３） 、有機ジルコニウムとし
てテトラエチルアセトセテートジルコニウム（Ｚｒ（Ｆ
ＡＡ）４） 、有機シリコンとしてテトラエトキシシラ
ンの縮合体（ＳｉｎＯｎ−＋（ＤＣ３ｌｌｓ）２ｎ＋ｚ
、 ｎ＝５）を用い、有機溶媒として酢酸エチルとエ
タノールの混合溶媒を用い、下記の配合組成で混合し溶
解させて透明絶縁被膜形成液を作製した。
ジウム（Ｉｎ（ＥＡＡ）３） 、有機ジルコニウムとし
てテトラエチルアセトセテートジルコニウム（Ｚｒ（Ｆ
ＡＡ）４） 、有機シリコンとしてテトラエトキシシラ
ンの縮合体（ＳｉｎＯｎ−＋（ＤＣ３ｌｌｓ）２ｎ＋ｚ
、 ｎ＝５）を用い、有機溶媒として酢酸エチルとエ
タノールの混合溶媒を用い、下記の配合組成で混合し溶
解させて透明絶縁被膜形成液を作製した。
Ｉｎ（ＦＡＡ）、・＝ １４．４ｇ（４，７重量％）Ｚ
ｒ（ＦＡＡ）ａ −５２，３ｇ（１７，２重量％）
ＳｉｎＯｎ−＋（ＯＣ２Ｈｓ ）２ ｎ＋２．ｎ：５）
−”２９．８ｇ（９，７重量％）エタノール ・・・１
２０＋Ｉ１文 酢酸エチル ・・・１２０ｉ文 この透明絶縁被膜形成液にソーダガラスからなる基板を
浸漬して液を塗布させ、５００°Ｃで３０分間焼成して
透明絶縁被膜を形成した。こうして得られた透明絶縁被
膜は、Ｉｎ２Ｏ３２０重昂％、ＺｒＱ２４０重μ％、５
ｉＱ２４０重量％からなり、膜厚は１６００人であった
。この透明絶縁被膜は、屈折率が１．６３で、透明電極
の見えの状態、ソーダガラス基板からのＮａの拡散溶出
防止性は、良好な結果を示した。
ｒ（ＦＡＡ）ａ −５２，３ｇ（１７，２重量％）
ＳｉｎＯｎ−＋（ＯＣ２Ｈｓ ）２ ｎ＋２．ｎ：５）
−”２９．８ｇ（９，７重量％）エタノール ・・・１
２０＋Ｉ１文 酢酸エチル ・・・１２０ｉ文 この透明絶縁被膜形成液にソーダガラスからなる基板を
浸漬して液を塗布させ、５００°Ｃで３０分間焼成して
透明絶縁被膜を形成した。こうして得られた透明絶縁被
膜は、Ｉｎ２Ｏ３２０重昂％、ＺｒＱ２４０重μ％、５
ｉＱ２４０重量％からなり、膜厚は１６００人であった
。この透明絶縁被膜は、屈折率が１．６３で、透明電極
の見えの状態、ソーダガラス基板からのＮａの拡散溶出
防止性は、良好な結果を示した。
（以下、余白）
「発明の効果」
以上説明したように、本発明によれば、浸漬法によって
弔−の層で形成でき、透明電極の見え、Ｈａの拡散溶出
を実用上充分な程度に防ぐことができる。したがって、
簡単な工程、設備で期待する特性が得られ、各種表示素
子等の低コスト化を図ることができる。
弔−の層で形成でき、透明電極の見え、Ｈａの拡散溶出
を実用上充分な程度に防ぐことができる。したがって、
簡単な工程、設備で期待する特性が得られ、各種表示素
子等の低コスト化を図ることができる。
Claims (3)
- （１）有機インジウム、有機ジルコニウムおよび有機シ
リコンの混合物を焼成して得られるＩｎ＿２Ｏ＿３−Ｚ
ｒＯ＿２−ＳｉＯ＿２系酸化物を含有することを特徴と
する透明絶縁被膜。 - （２）焼成によりＩｎ＿２Ｏ＿３−ＺｒＯ＿２−ＳｉＯ
＿２系酸化物を形成する有機インジウム、有機ジルコニ
ウムおよび有機シリコンの混合物を有機溶媒に溶解して
なることを特徴とする透明絶縁被膜形成液。 - （３）特許請求の範囲第２項において、前記有機溶媒中
には、ニトロセルロース、エチルセルロース、ポリエチ
レングリコールから選ばれた少なくとも一種からなる粘
性剤が添加されている透明絶縁被膜形成液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60232171A JPS6290621A (ja) | 1985-10-17 | 1985-10-17 | 透明絶縁被膜および透明絶縁被膜形成液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60232171A JPS6290621A (ja) | 1985-10-17 | 1985-10-17 | 透明絶縁被膜および透明絶縁被膜形成液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6290621A true JPS6290621A (ja) | 1987-04-25 |
Family
ID=16935109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60232171A Pending JPS6290621A (ja) | 1985-10-17 | 1985-10-17 | 透明絶縁被膜および透明絶縁被膜形成液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6290621A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5240354A (en) * | 1975-09-26 | 1977-03-29 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Display unit in which electrooptical fluid is filled |
| JPS5787469A (en) * | 1980-11-19 | 1982-05-31 | Alps Electric Co Ltd | Transparent insulating film and paste for forming the same |
| JPS5876815A (ja) * | 1981-10-30 | 1983-05-10 | Alps Electric Co Ltd | 液晶セル基板とその製造方法 |
-
1985
- 1985-10-17 JP JP60232171A patent/JPS6290621A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5240354A (en) * | 1975-09-26 | 1977-03-29 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Display unit in which electrooptical fluid is filled |
| JPS5787469A (en) * | 1980-11-19 | 1982-05-31 | Alps Electric Co Ltd | Transparent insulating film and paste for forming the same |
| JPS5876815A (ja) * | 1981-10-30 | 1983-05-10 | Alps Electric Co Ltd | 液晶セル基板とその製造方法 |
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