JPH0718210A - 着色薄膜形成用塗布液、着色薄膜およびその製造方法 - Google Patents
着色薄膜形成用塗布液、着色薄膜およびその製造方法Info
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- JPH0718210A JPH0718210A JP6081631A JP8163194A JPH0718210A JP H0718210 A JPH0718210 A JP H0718210A JP 6081631 A JP6081631 A JP 6081631A JP 8163194 A JP8163194 A JP 8163194A JP H0718210 A JPH0718210 A JP H0718210A
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- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】窒素を０. １〜３０ｗｔ％含有するＴｉＯx
（１．０≦ｘ＜２．０）などの窒素を含有する金属酸化
物を含む着色薄膜形成用塗布液および該塗布液を用いた
着色薄膜およびその製造方法。 【効果】熱安定性、耐候性に優れ、特定の可視光波長に
吸収を生じないため、陰極線管に適用した場合、蛍光体
の発するスペクトルのバランスを崩すことなくコントラ
ストの向上を図れる。
（１．０≦ｘ＜２．０）などの窒素を含有する金属酸化
物を含む着色薄膜形成用塗布液および該塗布液を用いた
着色薄膜およびその製造方法。 【効果】熱安定性、耐候性に優れ、特定の可視光波長に
吸収を生じないため、陰極線管に適用した場合、蛍光体
の発するスペクトルのバランスを崩すことなくコントラ
ストの向上を図れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は陰極線管用パネル等に適
用される着色薄膜形成用塗布液、該塗布液を用いて形成
される着色薄膜、およびその製造方法に関する。
用される着色薄膜形成用塗布液、該塗布液を用いて形成
される着色薄膜、およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】帯電防止膜、着色薄膜、着色帯電防止
膜、低反射帯電防止膜、着色低反射帯電防止膜のコーテ
ィング方法は従来より光学機器においてはいうまでもな
く、民生用機器特にＴＶ、コンピュータ端末の陰極線管
（ＣＲＴ）に関し多くの検討がなされてきた。
膜、低反射帯電防止膜、着色低反射帯電防止膜のコーテ
ィング方法は従来より光学機器においてはいうまでもな
く、民生用機器特にＴＶ、コンピュータ端末の陰極線管
（ＣＲＴ）に関し多くの検討がなされてきた。
【０００３】帯電防止に関しては、ブラウン管パネル表
面を３５０℃程度に加熱してＣＶＤ法により酸化スズお
よび酸化インジウム等の導電性酸化物層を設ける方法が
提案されている（たとえば特開昭６３−７６２４７）。
膜の着色に関しては、水溶性フタロシアニン化合物を用
いる方法が提案されている（特開平１−２７５６６
４）。帯電防止性能をもつ着色薄膜については、メチル
バイオレットを用いた帯電防止膜の記述がある（特開平
１−２５１５４５）。低反射性に関しては、ブラウン管
表面に防眩効果をもたせるため表面に微細な凹凸を有す
るＳｉＯ2 層を付着させたり、フッ酸により表面をエッ
チングして凹凸を設ける等の方法が採られてきた（たと
えば特開昭６１−１１８９３１号）。
面を３５０℃程度に加熱してＣＶＤ法により酸化スズお
よび酸化インジウム等の導電性酸化物層を設ける方法が
提案されている（たとえば特開昭６３−７６２４７）。
膜の着色に関しては、水溶性フタロシアニン化合物を用
いる方法が提案されている（特開平１−２７５６６
４）。帯電防止性能をもつ着色薄膜については、メチル
バイオレットを用いた帯電防止膜の記述がある（特開平
１−２５１５４５）。低反射性に関しては、ブラウン管
表面に防眩効果をもたせるため表面に微細な凹凸を有す
るＳｉＯ2 層を付着させたり、フッ酸により表面をエッ
チングして凹凸を設ける等の方法が採られてきた（たと
えば特開昭６１−１１８９３１号）。
【０００４】しかし、これらの方法は、外部光を散乱さ
せるノングレア処理と呼ばれ、本質的に低反射層を設け
る方法ではないため、反射率の低減には限界があり、ま
たブラウン管等においては解像度を低下させる原因とも
なっていた。
せるノングレア処理と呼ばれ、本質的に低反射層を設け
る方法ではないため、反射率の低減には限界があり、ま
たブラウン管等においては解像度を低下させる原因とも
なっていた。
【０００５】低反射帯電防止膜については、イオンプレ
ーティング法による光学多層膜を設ける方法が記載され
ている（特開平３−９３１３６）。
ーティング法による光学多層膜を設ける方法が記載され
ている（特開平３−９３１３６）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述の方法のうち、Ｃ
ＶＤ法による帯電防止膜を付与させる手法は装置コスト
がかかることに加えてブラウン管表面を高温に加熱する
ためブラウン管内の蛍光体の脱落を生じたり、寸法精度
が低下する等の問題があった。またこの場合通常４００
℃程度の高温を必要とし、低温で焼成した場合、充分低
抵抗な膜が得られない欠点があった。
ＶＤ法による帯電防止膜を付与させる手法は装置コスト
がかかることに加えてブラウン管表面を高温に加熱する
ためブラウン管内の蛍光体の脱落を生じたり、寸法精度
が低下する等の問題があった。またこの場合通常４００
℃程度の高温を必要とし、低温で焼成した場合、充分低
抵抗な膜が得られない欠点があった。
【０００７】また上記着色薄膜に水溶性フタロシアニン
化合物を用いる方法は、有機染料を用いるため耐熱性、
耐候性に乏しく特定波長に吸収をもつため可視光全波長
領域にわたっての均一な吸収を得ることが難しいという
欠点を有している。
化合物を用いる方法は、有機染料を用いるため耐熱性、
耐候性に乏しく特定波長に吸収をもつため可視光全波長
領域にわたっての均一な吸収を得ることが難しいという
欠点を有している。
【０００８】上記メチルバイオレットを含む帯電防止膜
も同様な理由より耐熱性、耐候性に乏しく可視光全波長
領域にわたっての均一な吸収を得ることが難しい。
も同様な理由より耐熱性、耐候性に乏しく可視光全波長
領域にわたっての均一な吸収を得ることが難しい。
【０００９】またイオンプレーティングによる方法は工
業的に安価とはいえず、また可視光波長領域にわたって
の均一な吸収を得られないため、陰極線管に成膜したと
きコントラストの向上も望めない。
業的に安価とはいえず、また可視光波長領域にわたって
の均一な吸収を得られないため、陰極線管に成膜したと
きコントラストの向上も望めない。
【００１０】本発明は従来技術が有していた前述の欠点
を解決し、低温熱処理が可能な着色薄膜、あるいは着色
帯電防止膜、着色低反射帯電防止膜およびそれらの製造
方法を新規に提供することを目的とする。
を解決し、低温熱処理が可能な着色薄膜、あるいは着色
帯電防止膜、着色低反射帯電防止膜およびそれらの製造
方法を新規に提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、窒素を含有す
る金属酸化物を含む着色薄膜形成用塗布液を提供する。
る金属酸化物を含む着色薄膜形成用塗布液を提供する。
【００１２】本発明はまた、窒素を含有する金属酸化物
を含み、かつ、３８０ｎｍから７００ｎｍの波長領域に
おいて透過率の低下が生じることを特徴とする着色薄膜
を提供する。
を含み、かつ、３８０ｎｍから７００ｎｍの波長領域に
おいて透過率の低下が生じることを特徴とする着色薄膜
を提供する。
【００１３】本発明はまた、基体上に形成される多層膜
において、該多層膜のうちの少なくとも１層が、前記着
色薄膜であることを特徴とする多層膜を提供する。
において、該多層膜のうちの少なくとも１層が、前記着
色薄膜であることを特徴とする多層膜を提供する。
【００１４】本発明の着色薄膜はディスプレイ用途に供
されるガラス物品に好ましく用いられる。
されるガラス物品に好ましく用いられる。
【００１５】ガラス物品としての陰極線管は近年コンピ
ュータの端末表示等に使用される場合高解像度の要求と
ともにハイコントラストの要求も高まりつつある。しか
しコントラストの向上を期してガラス自体の透過率を低
下させた場合、ディスプレイの大型化に伴ってフェイス
プレートの肉厚も厚くなっていることから、特に大型デ
ィスプレイでは透過率の著しい低下が問題となる。
ュータの端末表示等に使用される場合高解像度の要求と
ともにハイコントラストの要求も高まりつつある。しか
しコントラストの向上を期してガラス自体の透過率を低
下させた場合、ディスプレイの大型化に伴ってフェイス
プレートの肉厚も厚くなっていることから、特に大型デ
ィスプレイでは透過率の著しい低下が問題となる。
【００１６】本発明ではガラス自体の透過率を下げるこ
となくその表面に膜を形成しこの膜で光吸収を生じさせ
ることによりコントラストの向上を図る。したがって、
種々の肉厚をもつディスプレイ用ガラスパネルへの適用
がきわめて容易にできる。
となくその表面に膜を形成しこの膜で光吸収を生じさせ
ることによりコントラストの向上を図る。したがって、
種々の肉厚をもつディスプレイ用ガラスパネルへの適用
がきわめて容易にできる。
【００１７】陰極線管の発光スペクトルは複数のスペク
トルで構成されるが、発光スペクトルのバランスを崩さ
ずにコントラストの向上を図るには、特定の光吸収を持
つ着色薄膜よりも可視光領域にわたって均一の光吸収を
持つ着色薄膜が好ましい。
トルで構成されるが、発光スペクトルのバランスを崩さ
ずにコントラストの向上を図るには、特定の光吸収を持
つ着色薄膜よりも可視光領域にわたって均一の光吸収を
持つ着色薄膜が好ましい。
【００１８】このような観点より鋭意研究を行った結
果、窒素を含有する金属酸化物（以下、窒素含有酸化物
という）を含む着色薄膜を構成することにより、可視光
領域、特に３８０ｎｍから７００ｎｍの波長領域におい
て均一な光吸収を可能とし上記の問題点を解決できた。
果、窒素を含有する金属酸化物（以下、窒素含有酸化物
という）を含む着色薄膜を構成することにより、可視光
領域、特に３８０ｎｍから７００ｎｍの波長領域におい
て均一な光吸収を可能とし上記の問題点を解決できた。
【００１９】前記金属酸化物の金属としては、特に限定
されないが、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｎ
ｂ、ＴａおよびＶからなる群から選ばれる少なくとも１
種であることが好ましい。特に、窒素を含有するＴｉの
酸化物（以下、酸窒化チタンという）が好ましい。
されないが、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｎ
ｂ、ＴａおよびＶからなる群から選ばれる少なくとも１
種であることが好ましい。特に、窒素を含有するＴｉの
酸化物（以下、酸窒化チタンという）が好ましい。
【００２０】酸窒化チタンの組成は限定されないが、窒
素を０. １〜３０ｗｔ％含有するＴｉＯx （１．０≦ｘ
＜２．０）であることが好ましい。ｘ＜１では屈折率が
１．９以下となり好ましくなく、また、ｘ＜２．０でな
ければ好ましい導電性が得られない。
素を０. １〜３０ｗｔ％含有するＴｉＯx （１．０≦ｘ
＜２．０）であることが好ましい。ｘ＜１では屈折率が
１．９以下となり好ましくなく、また、ｘ＜２．０でな
ければ好ましい導電性が得られない。
【００２１】また窒素元素を酸化物中で安定化させるた
めに、短周期型周期表において示される３〜１１族元
素、たとえば、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａなどの遷移金属元素を酸
窒化チタンに対して５. ０重量％以下添加するのも好ま
しい。
めに、短周期型周期表において示される３〜１１族元
素、たとえば、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａなどの遷移金属元素を酸
窒化チタンに対して５. ０重量％以下添加するのも好ま
しい。
【００２２】本発明で用いる酸窒化チタン粒子は還元処
理した酸化チタンを用いることが好ましく、還元処理に
はＮ2 ガス、ＮＨ3 ガス等を用いることができる。
理した酸化チタンを用いることが好ましく、還元処理に
はＮ2 ガス、ＮＨ3 ガス等を用いることができる。
【００２３】本発明における窒素含有酸化物は、粒径が
５〜２００μｍであることが好ましい。ここでいう粒径
とは、粒子の平均１次粒径をいう。これよりも小さい粒
径の場合は、粒子の隠蔽力の点で着色性能が充分発現さ
れず、また、これよりも大きい粒径の場合、表面の凹凸
構造が大きくなり過ぎ、かつ、ヘーズが増加し好ましく
ない。
５〜２００μｍであることが好ましい。ここでいう粒径
とは、粒子の平均１次粒径をいう。これよりも小さい粒
径の場合は、粒子の隠蔽力の点で着色性能が充分発現さ
れず、また、これよりも大きい粒径の場合、表面の凹凸
構造が大きくなり過ぎ、かつ、ヘーズが増加し好ましく
ない。
【００２４】本発明に用いられるその他の窒素含有酸化
物としては特に限定されないが、窒素を０. ５〜２５ｗ
ｔ％含有するＣｒ2 Ｏ3-x （０＜ｘ＜３）、窒素を０.
５〜３０重量％含有するＺｒＯx （１. ０≦ｘ＜２）、
窒素を０. １〜３５重量％含有するＨｆＯx （１. ０≦
ｘ＜２）、酸素を１〜４０重量％含有するＡｌＮx （０
＜ｘ＜１）、酸素を１〜３５重量％含有するＳｉ3 Ｎx
（０＜ｘ＜１）、酸素を１〜２８重量％含有するＮｂＮ
x （０＜ｘ＜１）、ＴａＮx （０＜ｘ＜１）、ＶＮx
（０＜ｘ＜１）等が挙げられる。
物としては特に限定されないが、窒素を０. ５〜２５ｗ
ｔ％含有するＣｒ2 Ｏ3-x （０＜ｘ＜３）、窒素を０.
５〜３０重量％含有するＺｒＯx （１. ０≦ｘ＜２）、
窒素を０. １〜３５重量％含有するＨｆＯx （１. ０≦
ｘ＜２）、酸素を１〜４０重量％含有するＡｌＮx （０
＜ｘ＜１）、酸素を１〜３５重量％含有するＳｉ3 Ｎx
（０＜ｘ＜１）、酸素を１〜２８重量％含有するＮｂＮ
x （０＜ｘ＜１）、ＴａＮx （０＜ｘ＜１）、ＶＮx
（０＜ｘ＜１）等が挙げられる。
【００２５】窒素を０. １〜３０重量％含有するＴｉＯ
x （１≦ｘ＜２）に関しては、これよりも含有される窒
素量が少ないと、充分な着色度が得られず、かつこれよ
りも含有される量が多いと、赤みの色相が増加し、着色
薄膜に適用した場合均一な光の吸収が得られず好ましく
ない。
x （１≦ｘ＜２）に関しては、これよりも含有される窒
素量が少ないと、充分な着色度が得られず、かつこれよ
りも含有される量が多いと、赤みの色相が増加し、着色
薄膜に適用した場合均一な光の吸収が得られず好ましく
ない。
【００２６】これらの窒素含有酸化物のうちでＴｉ、Ｃ
ｒの窒素含有酸化物は黒色を呈しており、着色材として
好適に使用できる。Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｂの窒素
含有酸化物は電気伝導率の点で導電成分、あるいは導電
補肋成分として優れている。Ａｌ、Ｓｉの窒素含有酸化
物は、硬度が高く、膜中での膜補強成分として好適に使
用できる。
ｒの窒素含有酸化物は黒色を呈しており、着色材として
好適に使用できる。Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｂの窒素
含有酸化物は電気伝導率の点で導電成分、あるいは導電
補肋成分として優れている。Ａｌ、Ｓｉの窒素含有酸化
物は、硬度が高く、膜中での膜補強成分として好適に使
用できる。
【００２７】さらに本発明ではこの着色薄膜にＳｎ、Ｉ
ｎ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ａｌ、およびＧａの群から選ばれる少
なくとも１種の金属の酸化物を含有させることによりデ
ィスプレイのオン、オフ時に生起する静電気を抑える帯
電防止性能も付与させ、埃等の付着を抑制することも可
能とした。
ｎ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ａｌ、およびＧａの群から選ばれる少
なくとも１種の金属の酸化物を含有させることによりデ
ィスプレイのオン、オフ時に生起する静電気を抑える帯
電防止性能も付与させ、埃等の付着を抑制することも可
能とした。
【００２８】さらには上記着色帯電防止膜上に当該被膜
よりも低屈折率を有する膜を構成し、解像度を損なうこ
となく蛍光灯の映り込み等を抑制する低反射性能をも付
与することも可能とした。
よりも低屈折率を有する膜を構成し、解像度を損なうこ
となく蛍光灯の映り込み等を抑制する低反射性能をも付
与することも可能とした。
【００２９】膜厚は、強度、着色性等から適宜決定さ
れ、膜厚が厚過ぎると種々の特性より好ましくないこと
から、０．５μｍ以下がよい。
れ、膜厚が厚過ぎると種々の特性より好ましくないこと
から、０．５μｍ以下がよい。
【００３０】一般に、薄膜の光学的性能はその膜を構成
する屈折率と膜厚で決定される。ここで一定の屈折率ｎ
S を有する基体上に屈折率ｎを有する薄膜を付着させ、
屈折率ｎ0 の媒質中より波長λの光が入射した場合のエ
ネルギー反射率Ｒは光が膜中を通過する際の位相差をΔ
とするとΔ＝４πｎｄ／λ（ｄ：膜厚）であり、Δ＝
（２ｍ＋１）π、すなわち位相差Δが半波長の奇数倍の
とき、極小値をとり、このとき、数１となる。
する屈折率と膜厚で決定される。ここで一定の屈折率ｎ
S を有する基体上に屈折率ｎを有する薄膜を付着させ、
屈折率ｎ0 の媒質中より波長λの光が入射した場合のエ
ネルギー反射率Ｒは光が膜中を通過する際の位相差をΔ
とするとΔ＝４πｎｄ／λ（ｄ：膜厚）であり、Δ＝
（２ｍ＋１）π、すなわち位相差Δが半波長の奇数倍の
とき、極小値をとり、このとき、数１となる。
【００３１】
【数１】 Ｒ＝（（ｎ2 −ｎ0 ｎS ）／（ｎ2 ＋ｎ0 ｎS ））２
【００３２】無反射条件を満たすには、数１において、
Ｒ＝０とおき、数２が必要とされる。
Ｒ＝０とおき、数２が必要とされる。
【００３３】
【数２】ｎ＝（ｎ０ ｎS ）1/2
【００３４】数２を２層構成に拡張した場合、数３とな
る。ただし、ｎ1 は媒質側層、ｎ2は基体側層の屈折率
である。
る。ただし、ｎ1 は媒質側層、ｎ2は基体側層の屈折率
である。
【００３５】
【数３】ｎS ｎ1 2＝ｎ2 2ｎ0
【００３６】ここでｎ0 ＝１（空気）、ｎS ＝１. ５２
（ガラス）を数３に適用した場合、ｎ2 ／ｎ1 ＝１．２
３となり、この場合、２層構成膜の最大の低反射性が得
られる。勿論ｎ2 ／ｎ1 ＝１．２３を満たさなくても、
２層膜の屈折率がこれに近い値をとれる場合、低反射性
が得られる。したがって、基体側に設ける高屈折率層と
媒質側に設ける低屈折率層は両者の屈折率比ができるだ
け１．２３に近い値を選択するのが望ましい。
（ガラス）を数３に適用した場合、ｎ2 ／ｎ1 ＝１．２
３となり、この場合、２層構成膜の最大の低反射性が得
られる。勿論ｎ2 ／ｎ1 ＝１．２３を満たさなくても、
２層膜の屈折率がこれに近い値をとれる場合、低反射性
が得られる。したがって、基体側に設ける高屈折率層と
媒質側に設ける低屈折率層は両者の屈折率比ができるだ
け１．２３に近い値を選択するのが望ましい。
【００３７】本発明において、所望の低反射膜を得るに
は、多層膜間の屈折率差と合わせて膜厚も重要な要素で
ある。
は、多層膜間の屈折率差と合わせて膜厚も重要な要素で
ある。
【００３８】反射防止性能を有する多層の低反射膜の構
成としては、反射防止をしたい波長をλとして、基体側
より高屈折率層および低屈折率層を光学厚みλ／２およ
びλ／４で構成した低反射膜、基体側より中屈折率層、
高屈折率層および低屈折率層を光学厚みλ／４、λ／２
およびλ／４で順次形成した３層の低反射膜、基体側よ
り低屈折率層、中屈折率層、高屈折率層および低屈折率
層を光学厚みλ／４、λ／４、λ／２およびλ／４で順
次形成した４層の低反射膜等が典型的な例として知られ
ている。
成としては、反射防止をしたい波長をλとして、基体側
より高屈折率層および低屈折率層を光学厚みλ／２およ
びλ／４で構成した低反射膜、基体側より中屈折率層、
高屈折率層および低屈折率層を光学厚みλ／４、λ／２
およびλ／４で順次形成した３層の低反射膜、基体側よ
り低屈折率層、中屈折率層、高屈折率層および低屈折率
層を光学厚みλ／４、λ／４、λ／２およびλ／４で順
次形成した４層の低反射膜等が典型的な例として知られ
ている。
【００３９】本発明で用いる酸窒化チタン粒子は還元処
理した酸化チタンを用いる。還元処理にはＮ2 ガス、Ｎ
Ｈ3 ガス等を使用できる。
理した酸化チタンを用いる。還元処理にはＮ2 ガス、Ｎ
Ｈ3 ガス等を使用できる。
【００４０】酸窒化チタン自体導電性を有しているた
め、帯電防止膜を構成する場合、導電補助成分として機
能する。
め、帯電防止膜を構成する場合、導電補助成分として機
能する。
【００４１】酸窒化チタンの被膜中における含有割合に
ついては、着色薄膜の場合１〜９０ｗｔ％が好ましく、
これ以下の場合、着色性能が充分でなくこれ以上の場合
は膜の強度が低下し好ましくない。
ついては、着色薄膜の場合１〜９０ｗｔ％が好ましく、
これ以下の場合、着色性能が充分でなくこれ以上の場合
は膜の強度が低下し好ましくない。
【００４２】着色帯電防止膜、着色低反射帯電防止膜の
場合は、酸窒化チタンの被膜中における含有割合が１〜
８０ｗｔ％であることが好ましい。酸窒化チタン量が少
なすぎると着色性能が充分でなく、また多すぎると帯電
防止能および膜の透過率が悪化し好ましくない。
場合は、酸窒化チタンの被膜中における含有割合が１〜
８０ｗｔ％であることが好ましい。酸窒化チタン量が少
なすぎると着色性能が充分でなく、また多すぎると帯電
防止能および膜の透過率が悪化し好ましくない。
【００４３】本発明で用いる酸化物には、Ｓｂをドープ
したＳｎＯ2 、ＩＴＯ、ＡｌをドープしたＺｎＯ、また
はＧａをドープしたＺｎＯなどを使用できる。これらの
酸化物は塗布液中に粒子として分散させて用いることも
でき、また溶液として用いて基体上で酸化物化させるこ
ともできる。
したＳｎＯ2 、ＩＴＯ、ＡｌをドープしたＺｎＯ、また
はＧａをドープしたＺｎＯなどを使用できる。これらの
酸化物は塗布液中に粒子として分散させて用いることも
でき、また溶液として用いて基体上で酸化物化させるこ
ともできる。
【００４４】これらの粒子の分散媒、分散法も特に限定
されず、種々の溶媒および分散法が使用できる。好まし
くは、水あるいはアルコール等の有機溶媒中に粒子を添
加し、酸あるいはアルカリを添加しｐＨを調整し、コロ
イドボールミル、サンドミル、ホモジナイザー等の市販
の粉砕器で分散させて得ることができる。
されず、種々の溶媒および分散法が使用できる。好まし
くは、水あるいはアルコール等の有機溶媒中に粒子を添
加し、酸あるいはアルカリを添加しｐＨを調整し、コロ
イドボールミル、サンドミル、ホモジナイザー等の市販
の粉砕器で分散させて得ることができる。
【００４５】この場合、分散中の粒子の平均粒径は３０
０ｎｍ以下となっていることが好ましい。溶液を用いる
場合、キレート錯体のような有機化合物、硝酸塩のよう
な無機化合物を用い上記の粒子を分散した液と混合して
用いる。
０ｎｍ以下となっていることが好ましい。溶液を用いる
場合、キレート錯体のような有機化合物、硝酸塩のよう
な無機化合物を用い上記の粒子を分散した液と混合して
用いる。
【００４６】溶液の基体への塗布方法は、スピンコート
法、ディップ法、スプレー法、ロールコーター法、メニ
スカスコーター法等、種々考えられるが、特にスピンコ
ート法は量産性、再現性に優れ、好ましく用いられる。
かかる方法によって１０ｎｍ〜１μｍ程度の膜が形成可
能である。
法、ディップ法、スプレー法、ロールコーター法、メニ
スカスコーター法等、種々考えられるが、特にスピンコ
ート法は量産性、再現性に優れ、好ましく用いられる。
かかる方法によって１０ｎｍ〜１μｍ程度の膜が形成可
能である。
【００４７】また、着色低反射帯電防止膜において低屈
折率膜を構成する物質としてはケイ素化合物が屈折、膜
強度の点より好ましく用いられる。ケイ素化合物として
は、Ｓｉ（ＯＲ）m Ｒn （ｍ＋ｎ＝４、ｍ＝１〜４、ｎ
＝０〜３、Ｒ＝Ｃ1 〜Ｃ4 のアルキル基）で示される化
合物あるいは部分加水分解物を用いることが好ましい
が、ケイフッ化水素酸、ホウ酸を含む水溶液に二酸化ケ
イ素粉末を飽和させてなる溶液より析出させてできるケ
イ素化合物も使用できる。
折率膜を構成する物質としてはケイ素化合物が屈折、膜
強度の点より好ましく用いられる。ケイ素化合物として
は、Ｓｉ（ＯＲ）m Ｒn （ｍ＋ｎ＝４、ｍ＝１〜４、ｎ
＝０〜３、Ｒ＝Ｃ1 〜Ｃ4 のアルキル基）で示される化
合物あるいは部分加水分解物を用いることが好ましい
が、ケイフッ化水素酸、ホウ酸を含む水溶液に二酸化ケ
イ素粉末を飽和させてなる溶液より析出させてできるケ
イ素化合物も使用できる。
【００４８】Ｓｉ（ＯＲ）m Ｒn で示される化合物ある
いは部分加水分解物の着色帯電防止膜上への塗布方法と
しては、前述した方法と同様に種々の方法が好ましく用
いられる。
いは部分加水分解物の着色帯電防止膜上への塗布方法と
しては、前述した方法と同様に種々の方法が好ましく用
いられる。
【００４９】本発明の着色薄膜は酸窒化チタンを含有す
るため、高屈折率を有し上記低屈折率膜との２層で構成
した場合前述の低反射性能が容易に発現される。
るため、高屈折率を有し上記低屈折率膜との２層で構成
した場合前述の低反射性能が容易に発現される。
【００５０】本発明の着色薄膜には膜強度を向上させる
ため、上記溶液に前記Ｓｉ（ＯＲ）m Ｒn で示される化
合物（たとえば、シリコンエトキシド、シリコンメトキ
シド、シリコンイソプロポキシド、シリコンブトキシド
等）あるいは部分加水分解物を添加してもよい。
ため、上記溶液に前記Ｓｉ（ＯＲ）m Ｒn で示される化
合物（たとえば、シリコンエトキシド、シリコンメトキ
シド、シリコンイソプロポキシド、シリコンブトキシド
等）あるいは部分加水分解物を添加してもよい。
【００５１】本発明において、着色薄膜を形成する基体
としは特に限定されるものではなく、目的に応じてソー
ダライムシリケートガラス、アルミノシリケートガラ
ス、ホウケイ酸塩ガラス、リチウムアルミノシリケート
ガラス、石英ガラス等のガラス、鋼玉等の単結晶、マグ
ネシア、サイアロン等の透光性セラミックス、ポリカー
ボネート等のプラスチックも使用できる。
としは特に限定されるものではなく、目的に応じてソー
ダライムシリケートガラス、アルミノシリケートガラ
ス、ホウケイ酸塩ガラス、リチウムアルミノシリケート
ガラス、石英ガラス等のガラス、鋼玉等の単結晶、マグ
ネシア、サイアロン等の透光性セラミックス、ポリカー
ボネート等のプラスチックも使用できる。
【００５２】
【作用】本発明の着色薄膜においては着色成分として窒
素を含有してなる酸化チタンを用いるので着色性能に関
して熱安定性、耐候性に優れている。
素を含有してなる酸化チタンを用いるので着色性能に関
して熱安定性、耐候性に優れている。
【００５３】また、特定の可視光波長に吸収を生じない
ため陰極線管に適用した場合、陰極線管内の蛍光体の発
するスペクトルのバランスを崩すことなくコントラスト
の向上を図れる。
ため陰極線管に適用した場合、陰極線管内の蛍光体の発
するスペクトルのバランスを崩すことなくコントラスト
の向上を図れる。
【００５４】全可視光領域における均一な吸収に起因し
て低反射特性も向上する。
て低反射特性も向上する。
【００５５】さらには窒素を含有してなる酸化チタン自
体も導電性を有しているため酸窒化チタンも帯電防止能
を発現させる成分として機能している。
体も導電性を有しているため酸窒化チタンも帯電防止能
を発現させる成分として機能している。
【００５６】
【実施例】以下に実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例に限定されない。得られ
た膜の評価結果は下記のように行った。
るが、本発明はこれらの実施例に限定されない。得られ
た膜の評価結果は下記のように行った。
【００５７】１）透過率評価：日立製作所製スペクトロ
フォトメータＵ−３５００により３８０ｎｍ、５５０ｎ
ｍ、７８０ｎｍの透過率を測定した。
フォトメータＵ−３５００により３８０ｎｍ、５５０ｎ
ｍ、７８０ｎｍの透過率を測定した。
【００５８】２）ヘーズ評価：スガ試験機製直読ヘーズ
コンピュータにより膜自体のヘーズを測定した。
コンピュータにより膜自体のヘーズを測定した。
【００５９】３）導電性評価：着色帯電防止膜、低反射
帯電防止膜について三菱油化製ハイレスタ抵抗測定器に
より相対湿度３０％以下の雰囲気中で膜表面の表面抵抗
値を測定した。
帯電防止膜について三菱油化製ハイレスタ抵抗測定器に
より相対湿度３０％以下の雰囲気中で膜表面の表面抵抗
値を測定した。
【００６０】４）耐擦傷性：１ｋｇ重の荷重下、消しゴ
ムで膜表面を５０回往復後、その表面の傷の付きを目視
で判断した。評価基準は次の通りとした。○：傷が全く
付かない、△：傷が多少付く、×：多くの傷が付くか剥
離。
ムで膜表面を５０回往復後、その表面の傷の付きを目視
で判断した。評価基準は次の通りとした。○：傷が全く
付かない、△：傷が多少付く、×：多くの傷が付くか剥
離。
【００６１】５）鉛筆硬度：１ｋｇ重の荷重下、鉛筆で
膜表面を走査し、その後目視により表面の傷の生じ始め
る鉛筆の硬度を膜の鉛筆硬度と判断した。
膜表面を走査し、その後目視により表面の傷の生じ始め
る鉛筆の硬度を膜の鉛筆硬度と判断した。
【００６２】６）視感反射率：着色低反射帯電防止膜に
ついてＧＡＭＭＡ分光反射スペクトル測定器により膜の
３８０ｎｍ〜７００ｎｍの視感反射率を測定した。
ついてＧＡＭＭＡ分光反射スペクトル測定器により膜の
３８０ｎｍ〜７００ｎｍの視感反射率を測定した。
【００６３】実施例１ 窒素を２ｗｔ％含有するＴｉＯx （１．０≦ｘ＜２．
０）１５ｇをあらかじめｐＨ３．０に調整した水溶液８
５g 中に添加してサンドミルで４時間粉砕して９０℃で
１時間加熱したのち、濃度１０ｗｔ％に調整し、平均粒
径９０ｎｍのゾルを得た（Ａ液）。
０）１５ｇをあらかじめｐＨ３．０に調整した水溶液８
５g 中に添加してサンドミルで４時間粉砕して９０℃で
１時間加熱したのち、濃度１０ｗｔ％に調整し、平均粒
径９０ｎｍのゾルを得た（Ａ液）。
【００６４】Ｓｉ（ＯＥｔ）4 のエタノール溶液（酸化
物換算で固形分２０ｗｔ％）にＳｉ（ＯＥｔ）4 に対し
て水（ｐＨ３．０に調整した塩酸酸性水溶液）を８ｍｏ
ｌ比で添加し、２時間撹拌した（Ｂ液）。
物換算で固形分２０ｗｔ％）にＳｉ（ＯＥｔ）4 に対し
て水（ｐＨ３．０に調整した塩酸酸性水溶液）を８ｍｏ
ｌ比で添加し、２時間撹拌した（Ｂ液）。
【００６５】Ａ液とＢ液を各酸化物換算で１．２ｗｔ％
となるようにエタノールで希釈した後、Ａ液：Ｂ液＝
２：３（重量比）となるように混合し、ブラウン管パネ
ル表面に１００ｒｐｍの回転速度で６０秒間塗布し、そ
の後１６０℃で３０分間加熱し約１００ｎｍの厚さの膜
を得た。
となるようにエタノールで希釈した後、Ａ液：Ｂ液＝
２：３（重量比）となるように混合し、ブラウン管パネ
ル表面に１００ｒｐｍの回転速度で６０秒間塗布し、そ
の後１６０℃で３０分間加熱し約１００ｎｍの厚さの膜
を得た。
【００６６】実施例２ Ｓｂが８ｍｏｌ％ドープされたＳｎＯ2 粉末（１次粒径
１０ｎｍ）１５ｇを水８５ｇ中に添加してサンドミルで
１６時間粉砕して９０℃で１時間加熱した後、濃度１０
ｗｔ％に調整し、平均粒径５０ｎｍのゾルを得た（Ｃ
液）。
１０ｎｍ）１５ｇを水８５ｇ中に添加してサンドミルで
１６時間粉砕して９０℃で１時間加熱した後、濃度１０
ｗｔ％に調整し、平均粒径５０ｎｍのゾルを得た（Ｃ
液）。
【００６７】Ａ液とＢ液とＣ液を各酸化物換算で１．２
ｗｔ％となるようにエタノールで希釈した後、Ａ液：Ｂ
液：Ｃ液＝３：２：５（重量比）となるように混合し、
ブラウン管パネル表面に１００ｒｐｍの回転速度で６０
秒間塗布し、その後１６０℃で３０分間加熱し約９０ｎ
ｍの厚さの膜を得た。
ｗｔ％となるようにエタノールで希釈した後、Ａ液：Ｂ
液：Ｃ液＝３：２：５（重量比）となるように混合し、
ブラウン管パネル表面に１００ｒｐｍの回転速度で６０
秒間塗布し、その後１６０℃で３０分間加熱し約９０ｎ
ｍの厚さの膜を得た。
【００６８】実施例３ 実施例２におけるＳｂが８ｍｏｌ％ドープされたＳｎＯ
2 粉末をＩＴＯ粉末（Ｓｎ／Ｉｎ＝１０／９０ｍｏｌ
比、１次粒径３０ｎｍ) に変更し水８５ｇをＫＯＨであ
らかじめｐＨ１０．０に調整した水溶液に変更した以外
は実施例２と同様に行い約８０ｎｍの膜厚の膜を得た。
2 粉末をＩＴＯ粉末（Ｓｎ／Ｉｎ＝１０／９０ｍｏｌ
比、１次粒径３０ｎｍ) に変更し水８５ｇをＫＯＨであ
らかじめｐＨ１０．０に調整した水溶液に変更した以外
は実施例２と同様に行い約８０ｎｍの膜厚の膜を得た。
【００６９】実施例４ 実施例２におけるＳｂが８ｍｏｌ％ドープされたＳｎＯ
2 粉末をＡｌが１０ｍｏｌ％ドープされたＺｎＯ粉末
（１次粒径２０ｎｍ) に変更した以外は実施例２と同様
に行った。
2 粉末をＡｌが１０ｍｏｌ％ドープされたＺｎＯ粉末
（１次粒径２０ｎｍ) に変更した以外は実施例２と同様
に行った。
【００７０】実施例５ 実施例４におけるＡｌが１０ｍｏｌ％ドープされたＺｎ
Ｏ粉末をＧａが８ｍｏｌ％ドープされたＺｎＯ粉末（１
次粒径４００Å) に変更した以外は実施例４と同様に行
った。
Ｏ粉末をＧａが８ｍｏｌ％ドープされたＺｎＯ粉末（１
次粒径４００Å) に変更した以外は実施例４と同様に行
った。
【００７１】実施例６ 実施例２において１６０℃、３０分の加熱処理を６０
℃、１０分の加熱処理に変更し約１００ｎｍの厚さの膜
を得た。この膜上にＢ液を酸化物換算で０．９ｗｔ％に
エタノールで希釈した溶液を実施例２記載のスピンコー
ト法で塗布し１６０℃で３０分加熱処理し着色低反射帯
電防止膜を得た。
℃、１０分の加熱処理に変更し約１００ｎｍの厚さの膜
を得た。この膜上にＢ液を酸化物換算で０．９ｗｔ％に
エタノールで希釈した溶液を実施例２記載のスピンコー
ト法で塗布し１６０℃で３０分加熱処理し着色低反射帯
電防止膜を得た。
【００７２】実施例７ 実施例６におけるＳｂが８ｍｏｌ％ドープされたＳｎＯ
2 粉末をＩＴＯ粉末（Ｓｎ／Ｉｎ＝１０／９０ｍｏｌ
比、１次粒径３０ｎｍ) に変更し水８５ｇをＫＯＨであ
らかじめｐＨ１０．０に調整した水溶液に変更した以外
は実施例６と同様に行った。
2 粉末をＩＴＯ粉末（Ｓｎ／Ｉｎ＝１０／９０ｍｏｌ
比、１次粒径３０ｎｍ) に変更し水８５ｇをＫＯＨであ
らかじめｐＨ１０．０に調整した水溶液に変更した以外
は実施例６と同様に行った。
【００７３】実施例８ 実施例６において基体側第１層を構成する塗布溶液の混
合比をＡ液：Ｂ液：Ｃ液＝４：２：４（重量比）となる
ように変更した以外は実施例６と同様に行った。
合比をＡ液：Ｂ液：Ｃ液＝４：２：４（重量比）となる
ように変更した以外は実施例６と同様に行った。
【００７４】実施例９ 硝酸インジウムを酸化物換算で１０ｗｔ％となるように
アセチルアセトンに溶解し１３０℃で１時間還流を行っ
た（Ｄ液）。塩化第一スズをアセチルアセトンに酸化物
換算で１０ｗｔ％となるように溶解し１３５℃で２時間
加熱還流を行った（Ｅ液）。Ｄ液とＥ液を各酸化物換算
で１．２ｗｔ％となるようにエタノールで希釈した後、
Ｄ液：Ｅ液＝８５：１５（重量比）となるように混合し
た（Ｆ液）。
アセチルアセトンに溶解し１３０℃で１時間還流を行っ
た（Ｄ液）。塩化第一スズをアセチルアセトンに酸化物
換算で１０ｗｔ％となるように溶解し１３５℃で２時間
加熱還流を行った（Ｅ液）。Ｄ液とＥ液を各酸化物換算
で１．２ｗｔ％となるようにエタノールで希釈した後、
Ｄ液：Ｅ液＝８５：１５（重量比）となるように混合し
た（Ｆ液）。
【００７５】実施例７におけるＣ液をＦ液に変更し２層
塗布後の焼成を３７０℃、６分に変更した以外は実施例
７と同様に行った。
塗布後の焼成を３７０℃、６分に変更した以外は実施例
７と同様に行った。
【００７６】比較例１ 実施例１におけるＡ液をＣ液に変更した以外は実施例１
と同様に行った。
と同様に行った。
【００７７】比較例２ 銅フタロシアニンブルー０．０１ｇをＢ液２０ｇに添加
し酸化物換算で１．４ｗｔ％になるようにエタノールで
希釈しブラウン管パネル表面に１００ｒｐｍの回転速度
で６０秒間塗布しその後１６０℃で３０分間加熱し膜を
得た。
し酸化物換算で１．４ｗｔ％になるようにエタノールで
希釈しブラウン管パネル表面に１００ｒｐｍの回転速度
で６０秒間塗布しその後１６０℃で３０分間加熱し膜を
得た。
【００７８】比較例３ 比較例２で得た膜上にＢ液を０．９ｗｔ％となるように
エタノールで希釈した後、ブラウン管パネル表面に１０
０ｒｐｍの回転速度で６０秒間塗布しその後１６０℃で
３０分加熱した。
エタノールで希釈した後、ブラウン管パネル表面に１０
０ｒｐｍの回転速度で６０秒間塗布しその後１６０℃で
３０分加熱した。
【００７９】比較例４ 実施例２におけるＡ液とＢ液とＣ液の混合比を、Ａ液：
Ｂ液：Ｃ液＝９．５：０．２５：０．２５（重量比）と
なるように混合した以外は実施例２と同様に行った。
Ｂ液：Ｃ液＝９．５：０．２５：０．２５（重量比）と
なるように混合した以外は実施例２と同様に行った。
【００８０】実施例１〜９および比較例１〜４において
作成された膜の評価結果を表１に示す。
作成された膜の評価結果を表１に示す。
【００８１】
【表１】
【００８２】
【発明の効果】本発明の着色薄膜は、熱安定性、耐候性
に優れるとともに、特定の可視光波長に吸収を生じない
ため、陰極線管に適用した場合、陰極線管内の蛍光体の
発するスペクトルのバランスを崩すことなくコントラス
トの向上を図れる。
に優れるとともに、特定の可視光波長に吸収を生じない
ため、陰極線管に適用した場合、陰極線管内の蛍光体の
発するスペクトルのバランスを崩すことなくコントラス
トの向上を図れる。
【００８３】また、本発明において用いる窒素を含有し
てなる酸化チタンは導電性を有しているため、本発明の
着色薄膜は、帯電防止能も発現することができる。
てなる酸化チタンは導電性を有しているため、本発明の
着色薄膜は、帯電防止能も発現することができる。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０２Ｂ 1/11 5/22 8507−2Ｋ Ｈ０１Ｊ 9/20 Ａ 7250−5Ｅ (72)発明者 平塚 和也 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社中央研究所内
Claims (15)
- 【請求項１】窒素を含有する金属酸化物を含む着色薄膜
形成用塗布液。 - 【請求項２】前記金属酸化物の金属は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚ
ｒ、Ｈｆ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｎｂ、ＴａおよびＶからなる群
から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請
求項１記載の着色薄膜形成用塗布液。 - 【請求項３】前記金属酸化物の金属は、Ｔｉであること
を特徴とする請求項１記載の着色薄膜形成用塗布液。 - 【請求項４】前記窒素を含有する金属酸化物は、窒素を
０. １〜３０ｗｔ％含有するＴｉＯx （１．０≦ｘ＜
２．０）であることを特徴とする請求項１記載の着色薄
膜形成用塗布液。 - 【請求項５】前記塗布液は、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｚｎ、
ＡｌおよびＧａの群から選ばれる少なくとも１種の金属
の化合物を含むことを特徴とする請求項１〜４いずれか
１項記載の着色薄膜形成用塗布液。 - 【請求項６】基体表面に請求項１〜５いずれか１項記載
の着色薄膜形成用塗布液を塗布した後、加熱および／ま
たは紫外線照射し基体表面に着色薄膜を形成することを
特徴とする着色薄膜の製造方法。 - 【請求項７】窒素を含有する金属酸化物を含み、かつ、
３８０ｎｍから７００ｎｍの波長領域において透過率の
低下が生じることを特徴とする着色薄膜。 - 【請求項８】前記金属酸化物の金属は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚ
ｒ、Ｈｆ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｎｂ、ＴａおよびＶからなる群
から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請
求項７記載の着色薄膜。 - 【請求項９】前記金属酸化物の金属は、Ｔｉであること
を特徴とする請求項７記載の着色薄膜。 - 【請求項１０】前記窒素を含有する金属酸化物は、窒素
を０. １〜３０ｗｔ％含有するＴｉＯx （１．０≦ｘ＜
２．０）であることを特徴とする請求項７記載の着色薄
膜。 - 【請求項１１】前記着色薄膜は、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｚ
ｎ、ＡｌおよびＧａの群から選ばれる少なくとも１種の
金属の化合物を含むことを特徴とする請求項７〜１０い
ずれか１項記載の着色薄膜。 - 【請求項１２】基体上に形成される多層膜において、該
多層膜のうちの少なくとも１層が、請求項７〜１１いず
れか１項記載の着色薄膜であることを特徴とする多層
膜。 - 【請求項１３】前記多層膜は、基体側から、請求項７〜
１１いずれか１項記載の着色薄膜、その上に該着色薄膜
よりも低屈折率を有する膜が順次形成されたものである
ことを特徴とする多層膜。 - 【請求項１４】請求項７〜１１いずれか１項記載の着色
薄膜、請求項１２記載の多層膜、または請求項１３記載
の多層膜が形成されたことを特徴とするガラス物品。 - 【請求項１５】請求項７〜１１いずれか１項記載の着色
薄膜、請求項１２記載の多層膜、または請求項１３記載
の多層膜が形成されたことを特徴とする陰極線管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08163194A JP3347467B2 (ja) | 1993-04-21 | 1994-04-20 | 着色薄膜形成用塗布液、着色薄膜とその製造方法、およびガラス物品 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-117931 | 1993-04-21 | ||
| JP11793193 | 1993-04-21 | ||
| JP08163194A JP3347467B2 (ja) | 1993-04-21 | 1994-04-20 | 着色薄膜形成用塗布液、着色薄膜とその製造方法、およびガラス物品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0718210A true JPH0718210A (ja) | 1995-01-20 |
| JP3347467B2 JP3347467B2 (ja) | 2002-11-20 |
Family
ID=26422630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08163194A Expired - Fee Related JP3347467B2 (ja) | 1993-04-21 | 1994-04-20 | 着色薄膜形成用塗布液、着色薄膜とその製造方法、およびガラス物品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3347467B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0780717A3 (en) * | 1995-12-18 | 1999-05-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Optical isolator and optical part having heat-resistant anti-reflection coating |
| US6835688B2 (en) | 1999-08-05 | 2004-12-28 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Photocatalytic material, photocatalyst, photocatalytic article, and method for the preparation thereof |
| WO2006070794A1 (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-06 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | 表示素子用黒色樹脂組成物、及び表示素子用部材 |
| CN102565884A (zh) * | 2010-10-01 | 2012-07-11 | 卡尔蔡司视觉有限责任公司 | 具有抗静电涂层的光学透镜 |
-
1994
- 1994-04-20 JP JP08163194A patent/JP3347467B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0780717A3 (en) * | 1995-12-18 | 1999-05-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Optical isolator and optical part having heat-resistant anti-reflection coating |
| EP1072925A3 (en) * | 1995-12-18 | 2001-08-22 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Optical element having heat-resistant anti-reflection coating |
| US6835688B2 (en) | 1999-08-05 | 2004-12-28 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Photocatalytic material, photocatalyst, photocatalytic article, and method for the preparation thereof |
| WO2006070794A1 (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-06 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | 表示素子用黒色樹脂組成物、及び表示素子用部材 |
| KR100967465B1 (ko) * | 2004-12-28 | 2010-07-07 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 표시 소자용 흑색 수지 조성물 및 표시 소자용 부재 |
| US7785501B2 (en) | 2004-12-28 | 2010-08-31 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Black resin composition for display device, and member for display device |
| CN102565884A (zh) * | 2010-10-01 | 2012-07-11 | 卡尔蔡司视觉有限责任公司 | 具有抗静电涂层的光学透镜 |
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