JPS61243427A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
- Publication number
- JPS61243427A JPS61243427A JP8395085A JP8395085A JPS61243427A JP S61243427 A JPS61243427 A JP S61243427A JP 8395085 A JP8395085 A JP 8395085A JP 8395085 A JP8395085 A JP 8395085A JP S61243427 A JPS61243427 A JP S61243427A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- liquid crystal
- electrode
- glass substrate
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、液晶表示素子に関し、特に、電極基板のガラ
ス基板と電極膜との間に形成される絶縁被膜に関する。
ス基板と電極膜との間に形成される絶縁被膜に関する。
一般に、液晶表示素子（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ
Ｄ １ｓｐｌａｙ ：以下、ＬＣＤと略記する）の電
極基板は、第１図に示すように、ガラス基板ｌと、この
ガラス基板１の上面に一様に被着された絶縁液ｌＩ＊２
と、この絶縁被膜２の上面に表示パターンに応した形状
に形成された電極膜３と、上面が平坦面となるように電
極膜３と絶縁被膜２とを被覆す 。
Ｄ １ｓｐｌａｙ ：以下、ＬＣＤと略記する）の電
極基板は、第１図に示すように、ガラス基板ｌと、この
ガラス基板１の上面に一様に被着された絶縁液ｌＩ＊２
と、この絶縁被膜２の上面に表示パターンに応した形状
に形成された電極膜３と、上面が平坦面となるように電
極膜３と絶縁被膜２とを被覆す 。
る配向膜４とで構成されている。
従来のＬＣＤにおける絶縁液１ＩＩ２は、真空蒸着法ま
たは化学スプレー法を用いて、主として二酸化シリコン
（ＳｉＯ□）もしくは二酸化チタン（Ｔ ｉ Ｏｔ ）
で形成されていた。
たは化学スプレー法を用いて、主として二酸化シリコン
（ＳｉＯ□）もしくは二酸化チタン（Ｔ ｉ Ｏｔ ）
で形成されていた。
しかし、従来用いられていた真空蒸着法は、優れた特性
の絶縁被膜を形成することはできるが、量産性の点で問
題があった。
の絶縁被膜を形成することはできるが、量産性の点で問
題があった。
また、化学スプレー法は、形成される絶縁被膜の１特性
が劣るとともに、材料の無駄が生じやすいという問題点
があった。
が劣るとともに、材料の無駄が生じやすいという問題点
があった。
一方、印刷法を使用することも考えられるが、量産性の
点で問題がある。
点で問題がある。
上記の各種方法に比べて、浸漬法は、数多くの電極基板
を同時に処理できるとともに材料の無駄が生ぜず、量産
に適しているという特徴がある。
を同時に処理できるとともに材料の無駄が生ぜず、量産
に適しているという特徴がある。
しかし、従来の浸漬法では、ＳｉＯ□のみで絶縁液Ｂり
を作った場合に、その屈折率がインジウムースズ（Ｉｎ
−３ｎ）酸化物からなる電極膜の屈折率より小さくなる
ために、Ｌ Ｃ−Ｄとしてみたときに非駆動時に電極パ
ターンが゛目立つという問題点があった。
を作った場合に、その屈折率がインジウムースズ（Ｉｎ
−３ｎ）酸化物からなる電極膜の屈折率より小さくなる
ために、Ｌ Ｃ−Ｄとしてみたときに非駆動時に電極パ
ターンが゛目立つという問題点があった。
また、電極膜の屈折率を上げるために、Ｔｉ０ｇを２層
に重ねることも行われているが、工程が増えてコスト高
になるという問題点があった。
に重ねることも行われているが、工程が増えてコスト高
になるという問題点があった。
さらに、Ｔ ｉ Ｏ！を単層だけ設けると、ガラス基板
から液晶へのナトリウムイオン（Ｎａ”）等のアルカリ
イオンの溶出が生じ、信頼性テストにおいて表示パター
ンのにじみが生じるという問題点があった。
から液晶へのナトリウムイオン（Ｎａ”）等のアルカリ
イオンの溶出が生じ、信頼性テストにおいて表示パター
ンのにじみが生じるという問題点があった。
本発明は、上記従来の問題点を解消するために、アルカ
リイオンの液晶への溶出を防止するとともに、絶縁被膜
の屈折率を電極膜のそれに近づけることにより電極パタ
ーンを見えに＜クシ、よって信頼性および表示品位を向
上させるようにしたＬＣＤを提供することを目的とする
。
リイオンの液晶への溶出を防止するとともに、絶縁被膜
の屈折率を電極膜のそれに近づけることにより電極パタ
ーンを見えに＜クシ、よって信頼性および表示品位を向
上させるようにしたＬＣＤを提供することを目的とする
。
本発明に係るＬＣＤは、Ｓ ｉ Ｏｚ Ｔ ａ ｔ
Ｏｓ Ａ １ ｔｏ、の膜でなる絶縁被膜をガラス基
板と電極膜との間に有する電極基板を備える。
Ｏｓ Ａ １ ｔｏ、の膜でなる絶縁被膜をガラス基
板と電極膜との間に有する電極基板を備える。
本発明によるＬＣＤにおいては、絶縁被膜に含まれる酸
化タンタルおよび酸化アルミニウムが、ガラス基板から
液晶へのＮａ’等のアルカリイオンの溶出を有効に防止
する。
化タンタルおよび酸化アルミニウムが、ガラス基板から
液晶へのＮａ’等のアルカリイオンの溶出を有効に防止
する。
また、酸化タンタルは□その含有量に応じて絶縁被膜の
屈折率を変化させるので、絶縁被膜の屈折率を電極膜の
それに近づけることにより非駆動時に電極パターンを見
えにくくする。
屈折率を変化させるので、絶縁被膜の屈折率を電極膜の
それに近づけることにより非駆動時に電極パターンを見
えにくくする。
本発明のしＣＤにおいては、Ｓｔｏｗ Ｔｍ２Ｏ３−
Ａ１□０．の膜でなる絶縁被膜を浸漬法により形成する
。詳しくは、有機溶剤に可溶なケイ素（Ｓｉ）の有機金
属化合物、タンタル（Ｔａ ）の有機金属化合物および
アルミニウム（ＡＩ ）の有機金属化合物を有機溶剤に
溶解させて相互に反応させるとともに、望ましくは溶液
の安定化のためにキレート化剤を添加して、生成された
反応生成物を均一に含有する溶液とし、この溶液にガラ
ス基板を浸漬後、焼成して有機溶剤を除去し、ＳｉＯｇ
−Ｔ −ｚ Ｏｓ Ａ １ ｔ Ｏｓの膜でなる絶縁
被膜をガラス基板上に形成する。
Ａ１□０．の膜でなる絶縁被膜を浸漬法により形成する
。詳しくは、有機溶剤に可溶なケイ素（Ｓｉ）の有機金
属化合物、タンタル（Ｔａ ）の有機金属化合物および
アルミニウム（ＡＩ ）の有機金属化合物を有機溶剤に
溶解させて相互に反応させるとともに、望ましくは溶液
の安定化のためにキレート化剤を添加して、生成された
反応生成物を均一に含有する溶液とし、この溶液にガラ
ス基板を浸漬後、焼成して有機溶剤を除去し、ＳｉＯｇ
−Ｔ −ｚ Ｏｓ Ａ １ ｔ Ｏｓの膜でなる絶縁
被膜をガラス基板上に形成する。
上記溶液におけるＴａ 、、ＡＩおよびＳｉの各有機金
属化合物の成分の割合は、酸化物の重量比で下記の範囲
となるようにすることが好ましい。
属化合物の成分の割合は、酸化物の重量比で下記の範囲
となるようにすることが好ましい。
Ｔａ２０５ ”” ６０〜９０ （重量％）、Ａ
ｌｔ ｏ ｓ ＝ ３〜１０ （重量％）、５ｉＯ
１Ｆ 残りの割合、 ・なお、上記
範囲よりＴａ２０５が多くなると液晶表示素子の信頼性
が悪くなる一方、少なくなると非駆動時に電極パターン
が目立つようになる。また、上記範囲よりＡ ｌ ｔ
Ｏｓが多くても少なくても液晶表示素子の信頼性が悪（
なる。
ｌｔ ｏ ｓ ＝ ３〜１０ （重量％）、５ｉＯ
１Ｆ 残りの割合、 ・なお、上記
範囲よりＴａ２０５が多くなると液晶表示素子の信頼性
が悪くなる一方、少なくなると非駆動時に電極パターン
が目立つようになる。また、上記範囲よりＡ ｌ ｔ
Ｏｓが多くても少なくても液晶表示素子の信頼性が悪（
なる。
ただし、本発明の目的を達成するならば、上記範囲に限
られるものではない。
られるものではない。
上記Ｓｔの有機金属化合物としては、テトラメトキシシ
ラン（Ｓｉ（ＯＣＨｓ）４） 、テトラエトキシシラン
、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン等の有
機シラン化合物がよい。
ラン（Ｓｉ（ＯＣＨｓ）４） 、テトラエトキシシラン
、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン等の有
機シラン化合物がよい。
また、上記Ｔａのを機金属化合物としては、ペンタエト
キシタンタル、ペンタイソプロキシタンタル、ペンタブ
トキシタンタル（Ｔａ（ＯＣａＨＪｓ）、ペンタアセチ
ルアセトナートタンタル等がよい。
キシタンタル、ペンタイソプロキシタンタル、ペンタブ
トキシタンタル（Ｔａ（ＯＣａＨＪｓ）、ペンタアセチ
ルアセトナートタンタル等がよい。
さらに、上記ＡＩの有機金属化合物としては、トリエト
キシアルミニウム、トリイソプロキシアルミニウム、ト
リーｎ−ブトキシアルミニウム（Ａｌ（ＯＣａＨｑ）ｓ
） 、）リスアセチルアセトナートアルミニウム等が
よい。
キシアルミニウム、トリイソプロキシアルミニウム、ト
リーｎ−ブトキシアルミニウム（Ａｌ（ＯＣａＨｑ）ｓ
） 、）リスアセチルアセトナートアルミニウム等が
よい。
に五ら有機金属化合物を溶解させる有機溶剤としては、
メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、酢酸エチル、エタノー
ル、メタノール等がよい。
メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、酢酸エチル、エタノー
ル、メタノール等がよい。
また、溶液の安定化のために添加するキレート化剤とし
ては、アセチルアセトン、トリエタノールアミン等がよ
い。
ては、アセチルアセトン、トリエタノールアミン等がよ
い。
これらを混合して作成された溶液を浸漬液とし
。
。
て使用し、これにガラス基板を浸漬した後に、４００℃
以上特に５００℃程度の温度で焼成すると、Ｓ ｉ Ｏ
ｚ Ｔ ａ ｚ Ｏｓ Ａ ｌ ｚ Ｏｘの膜でな
る絶縁被膜が形成される。浸漬液中に含有されるＳｉ、
ＴａおよびＡＩの量、浸漬液の粘度、ガラス基板の浸漬
液中からの引き上げ速度等を制御することにより、膜厚
が５０００Å以下の絶縁被膜を自由に形成することがで
きる。
以上特に５００℃程度の温度で焼成すると、Ｓ ｉ Ｏ
ｚ Ｔ ａ ｚ Ｏｓ Ａ ｌ ｚ Ｏｘの膜でな
る絶縁被膜が形成される。浸漬液中に含有されるＳｉ、
ＴａおよびＡＩの量、浸漬液の粘度、ガラス基板の浸漬
液中からの引き上げ速度等を制御することにより、膜厚
が５０００Å以下の絶縁被膜を自由に形成することがで
きる。
このようにして形成された絶縁被膜は、透明であること
はもちろん、膜強度が大きいとともに高い絶縁性を有す
る。よって、ガラス基板からのＮａ”等のアルカリイオ
ンの溶出を完全に防ぎ、信頬性の高いＬＣＤを大量に製
造することを可能とする。
はもちろん、膜強度が大きいとともに高い絶縁性を有す
る。よって、ガラス基板からのＮａ”等のアルカリイオ
ンの溶出を完全に防ぎ、信頬性の高いＬＣＤを大量に製
造することを可能とする。
ｌ迷±
撹拌器および還流冷却器を備えた３首フラスコを攪拌さ
せながら、窒素ガス（Ｎ、）の導入下で、まず、 ｆｉｌ エタノール＋ア七チルアセトン、（２＋
ＡＩ（ＯＣａＨ９）ｓ を順次フラスコに加える。次に、これらを還流させなが
ら煮沸してから、 （３１５ｉ（ＯＣＨｉ）＜ を加える。続いて、 （４１Ｔａ（ＯＣａＨｑ）。
せながら、窒素ガス（Ｎ、）の導入下で、まず、 ｆｉｌ エタノール＋ア七チルアセトン、（２＋
ＡＩ（ＯＣａＨ９）ｓ を順次フラスコに加える。次に、これらを還流させなが
ら煮沸してから、 （３１５ｉ（ＯＣＨｉ）＜ を加える。続いて、 （４１Ｔａ（ＯＣａＨｑ）。
を反応、、ｇ液中にさらに添加する。
このようにして作成された溶液の濃度は、酸化物濃度と
して、 ５ｊＯｚ ＝１８．７ （重量％）、Ｔ ａ ｚ Ｏ
ｓ ＝ ７４ 、８ （重量％）、ＡｈＯｓ ＝ ６．
５ （重量％） を有する。
して、 ５ｊＯｚ ＝１８．７ （重量％）、Ｔ ａ ｚ Ｏ
ｓ ＝ ７４ 、８ （重量％）、ＡｈＯｓ ＝ ６．
５ （重量％） を有する。
この溶液゛を浸漬液として用い、固液にガラス基板を浸
漬してから、ガラス基板を毎分６０ｃｍの引き
、上げ速度で引き上げ、４００〜５００℃
の温度範囲で３０〜６０分間焼成した。この結果、ガラ
ス基板上に膜厚が約１０００人の絶縁被膜が形成された
。
漬してから、ガラス基板を毎分６０ｃｍの引き
、上げ速度で引き上げ、４００〜５００℃
の温度範囲で３０〜６０分間焼成した。この結果、ガラ
ス基板上に膜厚が約１０００人の絶縁被膜が形成された
。
絶縁液＃２が形成されたガラス基板１上に、さらにスパ
フタリングにより電極膜３を形成し、パターニング後、
ポリイミド膜をコートしラビングによって配向膜４を形
成すれば、第１図に示したＬＣＤ用の電極基板が得られ
る。
フタリングにより電極膜３を形成し、パターニング後、
ポリイミド膜をコートしラビングによって配向膜４を形
成すれば、第１図に示したＬＣＤ用の電極基板が得られ
る。
この後、第２図に示すように、配向膜４側を互いに対向
させた２枚の電極基板をスペーサ５を介してギャップが
１０μｍとなるようにシール剤で貼り合わせ、このギャ
ップに例えばネマティック液晶６を封入し、各電極基板
に偏光板７を貼り付ければ、ツイストネマティック形の
ＬＣＤが完成する。
させた２枚の電極基板をスペーサ５を介してギャップが
１０μｍとなるようにシール剤で貼り合わせ、このギャ
ップに例えばネマティック液晶６を封入し、各電極基板
に偏光板７を貼り付ければ、ツイストネマティック形の
ＬＣＤが完成する。
このようにして製作されたＬＣＤは、ＳｉＯｘ−Ｔａｘ
Ｏｓ−ＡＩｔＯ，の膜で絶縁被膜を形成したので、Ｔａ
の含有量に応じて絶縁被膜の屈折率を１．６０〜１．９
０の範囲で調整可能であり、このため、Ｓ ｉ Ｏｚ単
層の場合の屈折率１．５２に比べて非駆動時に電極パタ
ーンが見えにくく、ＬＣＤとしての視認性がよい。
Ｏｓ−ＡＩｔＯ，の膜で絶縁被膜を形成したので、Ｔａ
の含有量に応じて絶縁被膜の屈折率を１．６０〜１．９
０の範囲で調整可能であり、このため、Ｓ ｉ Ｏｚ単
層の場合の屈折率１．５２に比べて非駆動時に電極パタ
ーンが見えにくく、ＬＣＤとしての視認性がよい。
また、アルカリイオンが溶出してきたかどうかの判定の
基準となる駆動時の表示パターンの（ずれ、いわゆるに
じみ現象が起こりにくい０例えば、８０°Ｃ１９０％の
耐湿加速試験下において、にじみ現象の発生時間は、Ｓ
ｉ Ｏｚ単層の場合に比べて、約３０％〜７０％長く
なる。したがって、常温常圧下においては、さらに長寿
命のＬＣＤとなる。
基準となる駆動時の表示パターンの（ずれ、いわゆるに
じみ現象が起こりにくい０例えば、８０°Ｃ１９０％の
耐湿加速試験下において、にじみ現象の発生時間は、Ｓ
ｉ Ｏｚ単層の場合に比べて、約３０％〜７０％長く
なる。したがって、常温常圧下においては、さらに長寿
命のＬＣＤとなる。
以上説明したように、本発明によれば、ＳｉＯ’ｚＴ
ａ ｚ Ｏｓ Ａ ｌ□０．の膜でなる絶縁被膜が、
ガラス基板から液晶へのＮａ”等のアルカリイオンの
−溶出を防止するとともに、絶縁
被膜の屈折率を電極膜のそれに近づけ電極パターンを見
えに＜＜シてＬＣＤの視認性を高めるという効果が得ら
れる。
ａ ｚ Ｏｓ Ａ ｌ□０．の膜でなる絶縁被膜が、
ガラス基板から液晶へのＮａ”等のアルカリイオンの
−溶出を防止するとともに、絶縁
被膜の屈折率を電極膜のそれに近づけ電極パターンを見
えに＜＜シてＬＣＤの視認性を高めるという効果が得ら
れる。
第１図は、液晶表示素子における電極基板の構成を示す
断面図、 第２図は、第１図に示した電極基板を用いて構成された
液晶表示素子の断面図である。 図において、 ｌ・・・・・ガラス基板、 ２・・・・・絶縁被膜、 ３・・・・・電極膜、 ４・・・・・配向膜、 ５・・・・・スペーサ、 ６・・・・・液晶、 ７・・・・・偏光板。 第 １ 図 第 ２ 図 １ニアＦ’ブス基ｕ ２： 絶外城ＦｆＡ３：電易
Ｊｉ ４：配向用 ５ニス公−サ ６：液 晶 ７：偏光掖
断面図、 第２図は、第１図に示した電極基板を用いて構成された
液晶表示素子の断面図である。 図において、 ｌ・・・・・ガラス基板、 ２・・・・・絶縁被膜、 ３・・・・・電極膜、 ４・・・・・配向膜、 ５・・・・・スペーサ、 ６・・・・・液晶、 ７・・・・・偏光板。 第 １ 図 第 ２ 図 １ニアＦ’ブス基ｕ ２： 絶外城ＦｆＡ３：電易
Ｊｉ ４：配向用 ５ニス公−サ ６：液 晶 ７：偏光掖
Claims (1)
- ガラス基板と電極膜との間に介在する絶縁被膜をＳｉＯ
＿２−Ｔａ＿２Ｏ＿５−Ａｌ＿２Ｏ＿３からなる膜で形
成した電極基板を備えたことを特徴とする液晶表示素子
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8395085A JPS61243427A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8395085A JPS61243427A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61243427A true JPS61243427A (ja) | 1986-10-29 |
Family
ID=13816864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8395085A Pending JPS61243427A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61243427A (ja) |
-
1985
- 1985-04-19 JP JP8395085A patent/JPS61243427A/ja active Pending
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