JPH0212126A - Ｓｉ Ｏ斜方蒸着配向膜の処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、薄膜トランジスタを内蔵した液晶デイスプレ
ィのセルに使用される配向膜付き基板におけるＳｉＯ斜
方蒸着配向膜の処理方法に関する。

（従来の技術） 液晶の水平配向法の一つとして、斜方蒸着法が知られて
いる。この斜方蒸着法は、Ｓｌ　０ターゲツトに対して
基板を所定の角度、例えば６０″〜８５°程度の角度を
もたせて対向配置し、該ターゲットからスバタツリング
された５１０粒子を基板上に蒸着してＳｉＯ斜方蒸着配
向膜を形成するものである。

しかしながら、上記方法によりＳ１０斜方蒸着配向膜を
形成した基板間に液晶等を充填して液晶セルを組立てた
場合、液晶の基板に対する傾き角を大きく、配向力が弱
いために、液晶セルの視野が狭くなる問題があった。ま
た、Ｓ１０斜方蒸着配向膜は不安定であるため、同様な
液晶セルを組立てた場合、液晶と配向膜が反応して画像
不良を招く問題があった。

（発明が解決しようとする課題） 本発明は、上記従来の課題を解決するためになされたも
ので、Ｓ１０斜方蒸着配向膜全体を均一に安定化させ、
液晶の配向力の向上等を達成し得るＳｉＯ斜方蒸着配向
膜の処理方法を提供しようとするものである。

〔発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明は、基板上に形成されたＳｉＯ斜方蒸着配向膜を
アニーリングした後、該配向膜にＵＶ光を照射すること
を特徴とするものである。

上記アニーリングは、１５０℃以上、ＳｉＯ斜方蒸着配
向膜又は基板のうちいずれか低い側の軟化点未満の温度
範囲で行なうことが望ましい。

上記ＵＶ光の照射は、１本又は２本以上のＵＶランプを
光源として行なわれる。

なお、本発明のＳｉＯ斜方蒸着配向膜の処理にあたって
は、例えば第１図に示すようにＳｉＯ斜方蒸着配向膜が
形成された基板（図示せず）を搬送ローラ１上を矢印方
向に移動させ、該搬送ローラｌ上に設置したヒータ等の
熱源（図示せず）を内蔵するアニーリング室２を通して
アニーリングした後、複数のＵＶランプ３を内蔵するＵ
Ｖ照射室４内を通過させ、ここで基板上の配向膜にＵＶ
光を照射してＳｌＯ斜方蒸着配向膜の処理を行なう。

（作用） 本発明によれば、基板上に形成されたＳ１０斜方蒸着配
向膜をアリ−リングした後、該配向膜にＵＶ光を照射す
ることによって、配向膜を構成するＳｉＯの大部分をそ
の表面のみならず膜厚方向全体に亙ってＳｉＯ２に変換
できる。その結果、配向膜全体を均一に安定化できるた
め、この配向膜が形成された基板間に液晶等を充填して
液晶セルを組立てた場合、液晶の基板に対する傾き角を
小さくでき、配向力を強めることができ、ひいては液晶
セルの視野を広くできる。また、配向膜を安定化できる
ため、同様な液晶セルを組立てた場合、液晶と配向膜が
反応するのを防止して良好な画像を得ることができる。

（実施例） 以下、本発明の実施例を詳細に説明する。

実施例 まず、ＳｉＯターゲットが配置された真空チャンバ内に
アルカリガラス基板を該ターゲットに対して６０″傾斜
させて設置した後、ターゲットからＳｉＯをスバタリン
グさせて基板上にＳｉ０粒子を堆積させることによって
、厚さ２００人のＳｉＯ斜方蒸着配向膜を形成した。つ
づいて、この基板を搬送ローラ上を移動させ、該ローラ
上に設置したアニーリング室で１８０℃、３０分間アニ
ーリングを行ない、更に８０ＷのＵＶランプを２４本内
蔵したＵＶ照射室に移動させ、ここで波長２５４　ｎｍ
のＵＶ光を１０ｍＷ／＃の照射密度で１０分間照射して
配向膜の処理を行なった。

参照例 上記実施例と同様な厚さ２００人のＳｊＯ斜方蒸着配向
膜を形成されたアルカリガラス基板を１８０℃で１０分
間アリ−リングして配向膜の処理を行なった。

しかして、本実施例、参照例のＳｉＯ斜方蒸着配向膜及
びアルカリガラス基板に形成した厚さ２００人のＳ１０
斜方蒸着配向膜そのもの（比較例）について、Ｅ　Ｓ　
ＣＡ　（ｅｌｅｃｔｒｏｎ　５ｐｅｃｔｏｒｓｃｏｐｙ
ｆ’ｏｒ　ｅｈｅ＋ａｌｃａｌ　ａｎａｌｙｓｉｓ　）
により配向膜の構成材を５１０ｘとした時のＸの値を調
べた。その結果、比較例の配向膜のＸは１．４９、参照
例の同Ｘは１，６Ｂ、本実施例の同Ｘは２．０８であっ
た。また、本実施例、比較例及び参照例の配向膜におけ
る５ｉ２Ｐの光電子スペクトルビーク値の深さ方向によ
る変化をＥＳＣＡにより各々２サンプルについて調べた
ところ、第２図（Ａ）〜（Ｃ）に示す特性図を得た。

なお、第２図（Ａ）は比較例の配向膜における特性図、
同図（Ｂ）は参照例の配向膜における特性図、同図（Ｃ
）は実施例の配向膜における特性図であり、各図の実線
は一つ目のサンプルの特性線を、二点鎖線は二つ目のサ
ンプルの特性線を夫々示す。更に、本実施例、比較例及
び参照例の配向膜について、放置時間とエリブトメータ
による屈折率の変化の関係を１２サンプルの平均値とし
て測定したところ、第３図に示す特性図を得た。なお、
第３図中のａは比較例の配向膜における特性線、ｂは参
照例の配向膜における特性線を示す。同図中のＣ１−Ｃ
３は、夫々本実施例における配向膜の特性線で、ｃｌは
ＵＶ光の照射を３分間行なった配向膜の特性線、Ｃ２は
ＵＶ光の照射を５分間行なった配向膜の特性線、Ｃ３は
ＵＶ光の照射を１０分間行なった配向膜の特性線である
。

上記５ｉＣ）ｘのＸ値及び第２図（Ａ）　〜ＣＣ）の結
果から、基板上に形成されたＳｉＯ斜方蒸着配向膜をア
ニーリングし、更にＵＶ光を照射を行なう本実施例の処
理後の配向膜はＳＩｏ、２に近い値となり、優れた安定
性を有することがわかる。

また、第３図の結果からＳｉＯ斜方蒸着配向膜をアニー
リングし、更にＵＶ光を照射を行なう本実施例の処理後
の配向膜は膜質が大きく変化しており、しかも放置時間
との関係において放置初期を除くと一定の屈折率を有す
ることがわかる。事実、比較例により表面に薄膜トラン
ジスタを複数設けたアルカリガラス基板にＳｉＯ斜方蒸
着配向膜を形成し、該配向膜の処理を施さずにそのまま
液晶セルを作製した場合では、気泡の発生や画像欠陥が
認められたが、同様な基板にＳｉＯ斜方蒸着配向膜を形
成し、アニーリング、ＵＶ光の照射を行なう処理を施し
たもので液晶セルを作製した場合では前記不良発生は全
く認められなかった。

［発明の効果］ 以上詳述した如く、本発明のＳｉＯ斜方蒸着配向膜の処
理方法によればＳｉＯ斜方蒸着配向膜全体を均一に安定
化でき、膜質の不均一化に伴う画像欠陥を抑制でき、か
つ液晶の配向力の向上によりＶ−Ｔ特性を改善できると
共に視野を広げることができる等顕著な効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のＳｉＯ斜方蒸着配向膜の処理に使用す
る装置の一形態を示す斜視図、第２図は実施例、比較例
及び参照例の配向膜における５１２Ｐの光電子スペクト
ルビーク値の深さ方向による変化をＥＳＣＡにより測定
して得た特性図、第３図は実施例、比較例及び参照例の
配向膜における放置時間とエリブトメータによる屈折率
の変化の関係を示す特性図である。 ■・・・搬送ローラ、２・・・アニーリング室、３・・
・ＵＶランプ、４・・・ＵＶ照射室。 出願人代理人　　弁理士　　鈴江武彦

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板上に形成されたＳｉＯ斜方蒸着配向層をアニーリン
   グした後、該配向膜にＵＶ光を照射することを特徴とす
   るＳｉＯ斜方蒸着配向層の処理方法。