JPS59149605A - 透明導電膜作製方法 - Google Patents
透明導電膜作製方法Info
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- JPS59149605A JPS59149605A JP2363783A JP2363783A JPS59149605A JP S59149605 A JPS59149605 A JP S59149605A JP 2363783 A JP2363783 A JP 2363783A JP 2363783 A JP2363783 A JP 2363783A JP S59149605 A JPS59149605 A JP S59149605A
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- transparent conductive
- conductive film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(3)産業上の利用分野:
本発明は、高分子材料をベースとし7た。いわゆる高分
子基体−ヒに透明導電膜を、均一、かつ平滑にする透明
導電膜作製方法に関する。
子基体−ヒに透明導電膜を、均一、かつ平滑にする透明
導電膜作製方法に関する。
(bl 従来技術:
透明;+;iX’「!1.膜は、たとえば、スラ・イド
フィルム、マイクロフィルム等の透過型画像作成の電子
写真体、エレクトロルミネッセンス(以下、r、−EL
、1という)、液晶、プラズマ、強誘電体等の固体ディ
スプレイの電極を基体上に、目的とする形状にパターン
化して設置される。
フィルム、マイクロフィルム等の透過型画像作成の電子
写真体、エレクトロルミネッセンス(以下、r、−EL
、1という)、液晶、プラズマ、強誘電体等の固体ディ
スプレイの電極を基体上に、目的とする形状にパターン
化して設置される。
一方、誘明導電膜の材料は、大別して金属薄膜タイプの
ものど、酸化物タイプのものとがネ)す。
ものど、酸化物タイプのものとがネ)す。
金属薄膜タイプは、金、パラジウム等を数百スのHさに
蒸着したものであり、導電性はよいが、透明性が劣る。
蒸着したものであり、導電性はよいが、透明性が劣る。
酸化物薄膜タイプには、酸インジウムー酸化錫の混合体
の透明導電膜(以下、「ITO膜」という)と酸化カド
ミウム−2酸化錫の混合体からなる透明導電膜(以下、
[’cTo膜−1という)等がある。CTO膜の導電性
は、はぼITO膜に匹敵する程度に作製することができ
るが、膜厚が厚(なると光の吸収端が可視光の長波長(
ill JCあるため着色する欠点がある。
の透明導電膜(以下、「ITO膜」という)と酸化カド
ミウム−2酸化錫の混合体からなる透明導電膜(以下、
[’cTo膜−1という)等がある。CTO膜の導電性
は、はぼITO膜に匹敵する程度に作製することができ
るが、膜厚が厚(なると光の吸収端が可視光の長波長(
ill JCあるため着色する欠点がある。
また、2酸化錫透明導電膜は化学的安定性はよいが、導
電性はITO膜より約1桁程小さい。これらの理由から
、ITO膜は化学的安定性が、他の二酸化錫透明導電膜
などより若干劣るが、導′亀性および透明性が優れてい
る点から、一般に広く透明導電膜として使用されている
。
電性はITO膜より約1桁程小さい。これらの理由から
、ITO膜は化学的安定性が、他の二酸化錫透明導電膜
などより若干劣るが、導′亀性および透明性が優れてい
る点から、一般に広く透明導電膜として使用されている
。
透明導電膜を作製するには、化学的製膜法によるものと
、物理的製膜法によるものとがある。
、物理的製膜法によるものとがある。
囚 化学的製膜法は、透明導電膜材料を塗布若しくはス
ル−により基体上面に塗布あるいは散布して行うか、化
学蒸着法により、透明導電膜材料のハロゲン化物、酸化
物等を高温で熱分解し、酸化、鏝元あるいは気A[]反
応などさせたのち、薄膜組成物を加熱した基体−ヒに被
着させることにより行う。
ル−により基体上面に塗布あるいは散布して行うか、化
学蒸着法により、透明導電膜材料のハロゲン化物、酸化
物等を高温で熱分解し、酸化、鏝元あるいは気A[]反
応などさせたのち、薄膜組成物を加熱した基体−ヒに被
着させることにより行う。
しかし、化学的製膜法では、基板の加熱温度を300〜
500 Gに加熱する必要があるため、高分子シートを
基板に使うことは内錐である。
500 Gに加熱する必要があるため、高分子シートを
基板に使うことは内錐である。
(13)また、物理的製膜法にはイオンブレーティング
法、ス・ξツタリング法、真空蒸着法等がキ)る。
法、ス・ξツタリング法、真空蒸着法等がキ)る。
■ イオンツル−=ディング法、たとえば口、1・゛イ
オンブレーティングは、l(空槽内の蒸発源近傍に、高
周波放電用電極としてコイルを設け、不活1(1ユガス
および反応性ガスを」Δ[人した真空蒸着室内に、蒸発
源と基体間に11¥流電圧を供給するとともに、蒸発源
近傍の前nri屯極に高周波電圧を印加し、放電領域を
生J゛ることにより、基体表面に、蒸発源のイオン化し
た蒸発粒子が加速されて蒸着する。
オンブレーティングは、l(空槽内の蒸発源近傍に、高
周波放電用電極としてコイルを設け、不活1(1ユガス
および反応性ガスを」Δ[人した真空蒸着室内に、蒸発
源と基体間に11¥流電圧を供給するとともに、蒸発源
近傍の前nri屯極に高周波電圧を印加し、放電領域を
生J゛ることにより、基体表面に、蒸発源のイオン化し
た蒸発粒子が加速されて蒸着する。
しかし、均一な高周波放電の形成および安定化が得難い
。
。
■ スパッタリング法は、真空蒸着室内に放電ガスを導
入し、真空蒸着室内の電極とターゲット間に高周波電圧
を印加すると、真空蒸着室内に放電が発生し、放電空間
内に生じた正イオン粒子がターゲット表面をスパッタし
基体−ヒにターゲット材料を蒸着させることができる。
入し、真空蒸着室内の電極とターゲット間に高周波電圧
を印加すると、真空蒸着室内に放電が発生し、放電空間
内に生じた正イオン粒子がターゲット表面をスパッタし
基体−ヒにターゲット材料を蒸着させることができる。
(・ ・・1、。
しかし、この方法は製膜中、透明導゛眠膜を蒸着させる
ターゲットの酸化度が変化するために、長時間の製膜中
、膜質を均一にするのが内器である。
ターゲットの酸化度が変化するために、長時間の製膜中
、膜質を均一にするのが内器である。
(リ 真空蒸着法は、特開昭48−5526号公報に示
されているように高分子組成物の表面に酸化インジウム
を真空蒸着した後、酸化性雰囲気中で熱処理するなどの
方法が知られている。この方法はインジウム−鍋温合体
又はその酸化物を蒸発源とし、真空中で、基板−上面に
低級酸化物を形成した後、さらに酸素雰囲気中で前記基
板を加熱酸化することにより、透明導電膜を形成するも
のである。しかし、この方法は低級酸化物の酸化加熱処
理を含むために、十分な酸化膜を得るには、処理時間を
長くするか、基体温度を上げる必要があり、生産性が悪
い欠点がある。また、真空蒸着法の中の反応蒸着法では
、反応用ガスをイオン化又は活性化ヒ仄着空間に導入し
、蒸発物質を前記ガスと反応させ所望の反応物質を基体
上に堆積させる。しかし、前記イオン化又は活性化した
ガスまた、従来、透明導電膜の基体には、ガラス、石莢
、P IF、 Z Tなどの材料が用いられて虐たり強
誘藏体の場合、その誘電率は高く、固体ディスプレイな
どの透明電極に使用したときは、変調信号を使用するこ
とが多く、誘電損失が大きくなる。
されているように高分子組成物の表面に酸化インジウム
を真空蒸着した後、酸化性雰囲気中で熱処理するなどの
方法が知られている。この方法はインジウム−鍋温合体
又はその酸化物を蒸発源とし、真空中で、基板−上面に
低級酸化物を形成した後、さらに酸素雰囲気中で前記基
板を加熱酸化することにより、透明導電膜を形成するも
のである。しかし、この方法は低級酸化物の酸化加熱処
理を含むために、十分な酸化膜を得るには、処理時間を
長くするか、基体温度を上げる必要があり、生産性が悪
い欠点がある。また、真空蒸着法の中の反応蒸着法では
、反応用ガスをイオン化又は活性化ヒ仄着空間に導入し
、蒸発物質を前記ガスと反応させ所望の反応物質を基体
上に堆積させる。しかし、前記イオン化又は活性化した
ガスまた、従来、透明導電膜の基体には、ガラス、石莢
、P IF、 Z Tなどの材料が用いられて虐たり強
誘藏体の場合、その誘電率は高く、固体ディスプレイな
どの透明電極に使用したときは、変調信号を使用するこ
とが多く、誘電損失が大きくなる。
誘電損失が問題にならない場合でも、可塑性、加工性、
酬衝撃性、重漿、生産性などの点で高分子材料の方が有
利である。このよう1よ性質から、最近では、液晶又は
EL表示装置の透明電極の基体に高分子材料を用いたフ
レキシブル表示装置・、・11パ/バ注目されるように
なってきた。
酬衝撃性、重漿、生産性などの点で高分子材料の方が有
利である。このよう1よ性質から、最近では、液晶又は
EL表示装置の透明電極の基体に高分子材料を用いたフ
レキシブル表示装置・、・11パ/バ注目されるように
なってきた。
しかし、高分子基体に、上記の透明導電膜を綱膜しても
、製膜の平滑性および寸法安定性が悪く、シート抵抗も
高い欠点があった。
、製膜の平滑性および寸法安定性が悪く、シート抵抗も
高い欠点があった。
(C) 発明の目的:
本発明は、イオンブレーティング法、スパッタリング、
真空蒸着法等の方法により、高分子基体−ヒに製膜する
透明導電膜作製方法において、透明導電膜付着より得ら
れる製膜の平滑性、寸法安定性およびシート抵抗の低下
不均一性ならびに生産性上の欠点を除去することを目的
とするものである。
真空蒸着法等の方法により、高分子基体−ヒに製膜する
透明導電膜作製方法において、透明導電膜付着より得ら
れる製膜の平滑性、寸法安定性およびシート抵抗の低下
不均一性ならびに生産性上の欠点を除去することを目的
とするものである。
(d) 発明の構成:
このような目的を達成するため、本発明は、高分子基体
上に透明導電膜を形成した後、当該高分子基体および透
明導電膜を加熱して透明導電膜を平滑にするものである
。r−1・l li!z ’、1”暑(ン1、本発明で
使用される高分子基体は、耐熱性、寸法安定性の点から
、セルロースアセテート、セルロースジアセテートなど
のアセテート類、ポリエチレンプレフタレートなどのポ
リエステル類、硬質ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート
、ポリプロピレンなどの耐熱性ポリオレフィン、dソリ
イミド類、ポリスチレンなどが挙げられる。また、透光
率などの光学的性質からは、セルローストリアセテート
などのアセテート類、ポリエチレンテレフタレート等の
月2リエステル類、ポリカーボネート等が挙げられる。
上に透明導電膜を形成した後、当該高分子基体および透
明導電膜を加熱して透明導電膜を平滑にするものである
。r−1・l li!z ’、1”暑(ン1、本発明で
使用される高分子基体は、耐熱性、寸法安定性の点から
、セルロースアセテート、セルロースジアセテートなど
のアセテート類、ポリエチレンプレフタレートなどのポ
リエステル類、硬質ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート
、ポリプロピレンなどの耐熱性ポリオレフィン、dソリ
イミド類、ポリスチレンなどが挙げられる。また、透光
率などの光学的性質からは、セルローストリアセテート
などのアセテート類、ポリエチレンテレフタレート等の
月2リエステル類、ポリカーボネート等が挙げられる。
透明導電材料は、金属薄膜タイプのものも、酸化物薄膜
タイプのものも使用でき、金属薄膜タイプは金、パラジ
ウム等を数ib−Xの厚みに蒸着したものである。酸化
物薄膜タイプには、酸化インジウム−酸化錫混合体の透
明導電膜材料(ITO嘆)、二酸化錫透明導電材料、酸
化カドミウム−2酸鍋温合体からなる透明導電材料等が
例示できる。
タイプのものも使用でき、金属薄膜タイプは金、パラジ
ウム等を数ib−Xの厚みに蒸着したものである。酸化
物薄膜タイプには、酸化インジウム−酸化錫混合体の透
明導電膜材料(ITO嘆)、二酸化錫透明導電材料、酸
化カドミウム−2酸鍋温合体からなる透明導電材料等が
例示できる。
前記高分子シートの加熱温度は、高分子材料に収縮、カ
ール等の熱変化を起させない温度であり。
ール等の熱変化を起させない温度であり。
前記した例示高分子材料にあっては50〜150Cの範
囲の温度がこれに相当する。
囲の温度がこれに相当する。
(e) 効果:
本発明の透明導電膜製造方法によると、■ 製膜した高
分子基体を、加熱状態で平滑処理するので、製膜中に発
生した高分子基体および透明導電膜の平面性の劣化をな
くすことができる。
分子基体を、加熱状態で平滑処理するので、製膜中に発
生した高分子基体および透明導電膜の平面性の劣化をな
くすことができる。
■ また、高分子基体上の製膜透明導電膜のシート抵抗
の不均一性が平滑処理時の加熱温度又は雰囲気の酸素濃
度を変えることにより自由にコントロールできる。
の不均一性が平滑処理時の加熱温度又は雰囲気の酸素濃
度を変えることにより自由にコントロールできる。
(f) 実施例:
以下1本発明の実施例について説明する。
第1図乃至第3図に、本発明の透明導電膜作製方法に直
接使用する装置の一実施例を示す。
接使用する装置の一実施例を示す。
■ 製膜工程
本発明の透明導電膜作製方法に使用する装置の蒸着装置
は、第1図および第2図に示すように、真空槽1を有し
ており、真空槽1には排気路が設けられ、図示しない真
空ポンプによって、真空槽−5−7 1内を10〜10 Torrの真空に減圧する。 ま
た、真空槽1にはガス導入口3に接続されたガス放電装
置4が設けられ、活性化又はイオン化された反応ガスを
真空槽1内に導入(ガス圧I X 10−’〜8x1.
O’I’orr)できる構造となっている。
は、第1図および第2図に示すように、真空槽1を有し
ており、真空槽1には排気路が設けられ、図示しない真
空ポンプによって、真空槽−5−7 1内を10〜10 Torrの真空に減圧する。 ま
た、真空槽1にはガス導入口3に接続されたガス放電装
置4が設けられ、活性化又はイオン化された反応ガスを
真空槽1内に導入(ガス圧I X 10−’〜8x1.
O’I’orr)できる構造となっている。
また、真空槽j内には、下記の装置が配設されている。
■ 蒸発源5と蒸発源を加熱蒸発する加熱手段として、
たとえば電子銃加熱装置又は抵抗加熱6と、 0 真空槽1上部に、蒸発源5と対向して、送りロール
7Aから巻取ロール7Bへ供給されるポリエチレンテレ
フタレートフィルム8と、Oこれらロール7A、7Bお
よびフィルム8上部にl;璽、・:1i−防着板9A、
、9Bが配設され、フィルム8は全綱10を通して、上
部の反射板11付きのヒータ12によって均一に加熱さ
れる。
たとえば電子銃加熱装置又は抵抗加熱6と、 0 真空槽1上部に、蒸発源5と対向して、送りロール
7Aから巻取ロール7Bへ供給されるポリエチレンテレ
フタレートフィルム8と、Oこれらロール7A、7Bお
よびフィルム8上部にl;璽、・:1i−防着板9A、
、9Bが配設され、フィルム8は全綱10を通して、上
部の反射板11付きのヒータ12によって均一に加熱さ
れる。
■ また、フィルム8上に旬着する蒸着膜の膜厚を調節
するための膜厚計13が蒸発源5を見通せる位置に配設
されている。
するための膜厚計13が蒸発源5を見通せる位置に配設
されている。
第1図、第2図に示される蒸着装置を操作して。
次の条件で蒸着される。
蒸発材料5 : ITOタブレット(Snを5重晴%を
含む) 蒸発法:電子銃加熱 被蒸着基板(フィルム8)の温度=70C高分子シート
:ホリエチレンテレフタレート100μ厚、30crn
幅 導入ガス:酸素ガス(39cc/1nin )とアルゴ
ンガス(5Q cc/1nin :酸素量を一定にし、
かつ、酸素による酸化度 調節のため)との混合ガス。
含む) 蒸発法:電子銃加熱 被蒸着基板(フィルム8)の温度=70C高分子シート
:ホリエチレンテレフタレート100μ厚、30crn
幅 導入ガス:酸素ガス(39cc/1nin )とアルゴ
ンガス(5Q cc/1nin :酸素量を一定にし、
かつ、酸素による酸化度 調節のため)との混合ガス。
放電装置:高周波電力50W〜IKW
すなわち、酸素とアルゴンとの混合ガスを放電装置4で
放電イオン化又は活性化して、真空槽1内の蒸着空間1
4中に導入しなからIT、05を抵抗加熱して蒸着させ
、導入ガスイオン又は活性ガス成分と反応させてフィル
ム8上に付着させる。
放電イオン化又は活性化して、真空槽1内の蒸着空間1
4中に導入しなからIT、05を抵抗加熱して蒸着させ
、導入ガスイオン又は活性ガス成分と反応させてフィル
ム8上に付着させる。
矢印入方向に回転する送出ロール7Aから供給するフィ
ルム8は蒸着期間中、巻取ロール7Bを矢印B方向に回
転して巻取る。このようにして作製したITO膜付膜付
PE−シートいて、シート抵抗、光学透過率(波長55
0771μ)および平面性について測定した結果を下記
表−1に示す。
ルム8は蒸着期間中、巻取ロール7Bを矢印B方向に回
転して巻取る。このようにして作製したITO膜付膜付
PE−シートいて、シート抵抗、光学透過率(波長55
0771μ)および平面性について測定した結果を下記
表−1に示す。
表−ま
ただし、表−1における光学透過率は、波長λ=550
77Lμに対する透過率を示し、平面性は3゜dのIT
O膜付PETフィルムを平面板上においた時の、フィル
ムと平面板との間に生じる間隙を示す。
77Lμに対する透過率を示し、平面性は3゜dのIT
O膜付PETフィルムを平面板上においた時の、フィル
ムと平面板との間に生じる間隙を示す。
、また、試料1および2は、下記表−2の条件で形成し
7たものである。
7たものである。
■ 加熱平滑処理工程
上記工程■によりITO膜を製膜したPE’lJフィル
ム8を、径5crn、長さ5ocrnのローラ15Aに
巻き取り、第3図に示す加熱平滑処理装置17内に取付
ける。
ム8を、径5crn、長さ5ocrnのローラ15Aに
巻き取り、第3図に示す加熱平滑処理装置17内に取付
ける。
加熱平滑処理装置17の下部前後位置にそれぞれ、径5
側、長さ50cmの送出ローラ15Aと、同一寸法の巻
取りローラ15Bが装着されており、これらローラ15
Aと15BIVllCは灰供給され、径20crn、長
さ50mの熱ローラ16A、16Bおよび16Cが配設
されており、熱ローラ16Aおよび16Cは装置の上部
位置に、下部位置に16Bが装着され、送出ローラ15
Aから供給さ巻取られる。
側、長さ50cmの送出ローラ15Aと、同一寸法の巻
取りローラ15Bが装着されており、これらローラ15
Aと15BIVllCは灰供給され、径20crn、長
さ50mの熱ローラ16A、16Bおよび16Cが配設
されており、熱ローラ16Aおよび16Cは装置の上部
位置に、下部位置に16Bが装着され、送出ローラ15
Aから供給さ巻取られる。
熱ロー216A、16B、16Cは、表面がCrメッキ
され、0.2μ以下の平滑性を有するように研磨された
円筒形状を有し、図示しない加熱装置により、均−熱長
が40cm程度に加熱される。
され、0.2μ以下の平滑性を有するように研磨された
円筒形状を有し、図示しない加熱装置により、均−熱長
が40cm程度に加熱される。
この加熱平滑処理に当って、処理されるフィルム8がP
BTフィルムで、ローラ15Aの搬送速度が50crn
AeCのと剖は、各熱ローラの加熱温度はそれぞれ 熱ローラ16A:130tZ” 同上16B:100t? 同 上 16C: 70C である。一般に、熱ローラの加熱温度は50〜200C
の範囲で選択され、搬送時の熱ローラ周囲での張力は1
0に7重、4! 〜0.1 K9重/myl、好ましく
は3 K99重mi 〜0.1 Kg重/v+++!
テある。
BTフィルムで、ローラ15Aの搬送速度が50crn
AeCのと剖は、各熱ローラの加熱温度はそれぞれ 熱ローラ16A:130tZ” 同上16B:100t? 同 上 16C: 70C である。一般に、熱ローラの加熱温度は50〜200C
の範囲で選択され、搬送時の熱ローラ周囲での張力は1
0に7重、4! 〜0.1 K9重/myl、好ましく
は3 K99重mi 〜0.1 Kg重/v+++!
テある。
ローラ15Aの搬送速度が上がると表面の最適温度領域
も上がる。1m/secのときは、各熱ローラの加熱温
度は110〜130[にする必要がある。
も上がる。1m/secのときは、各熱ローラの加熱温
度は110〜130[にする必要がある。
以上の工程■および■を経た試料1および2について、
シート抵抗、光透過率(550mμにおける)および平
面性につ℃・て測定した結果を表−3に示す。
シート抵抗、光透過率(550mμにおける)および平
面性につ℃・て測定した結果を表−3に示す。
以下余白
表−3
表−3の結果から、試料1.2ともに、シート抵抗が1
0〜20係減少し、試料2については均一性が大巾に向
上した。光学透過率については特に変化がない。
0〜20係減少し、試料2については均一性が大巾に向
上した。光学透過率については特に変化がない。
しかし、平面性は、試料1.2ともに著しく改善された
ことが判る。このような結果は、熱ロールの代りに、フ
ィルム8に対シ、50〜20Or、好ましくは50〜1
50cの熱風を吹きつけロール又は2本の熱ロールでフ
ィルム8を挾み、圧力10Kg重/md 〜0. I
Kv重/yn1Kを加え、整形しながら搬送しても同様
の効果がある。
ことが判る。このような結果は、熱ロールの代りに、フ
ィルム8に対シ、50〜20Or、好ましくは50〜1
50cの熱風を吹きつけロール又は2本の熱ロールでフ
ィルム8を挾み、圧力10Kg重/md 〜0. I
Kv重/yn1Kを加え、整形しながら搬送しても同様
の効果がある。
上記の結果は5単にITO膜の場合に限らず、高分子基
体上に製膜した透明導電膜一般に共通して得られる効果
である。
体上に製膜した透明導電膜一般に共通して得られる効果
である。
したがって、高分子基体上に製膜した透明導電膜に対す
る加熱平滑処理の効果は大きく、シート抵抗の均一化と
平面性の向上が可能となる。
る加熱平滑処理の効果は大きく、シート抵抗の均一化と
平面性の向上が可能となる。
前記第1図〜第3図の装置は、高分子基体に対する透明
導電膜の製膜と、平面平滑処理とを別々の装置で行う実
施例について説明したが、第4図に示すごとく蒸着装置
1と、加熱平滑装置17とを、共通の隔壁18を介して
一体化すると共に。
導電膜の製膜と、平面平滑処理とを別々の装置で行う実
施例について説明したが、第4図に示すごとく蒸着装置
1と、加熱平滑装置17とを、共通の隔壁18を介して
一体化すると共に。
送出ロール15Aから供給されるフィルム8をガイドロ
ール20を通して、蒸着空間14に導き、蒸着後のフィ
ルム8は、隔壁18の細隙19を通して、加熱平滑処理
装置17内に導き、熱ロール16A、16B、16Cを
介して巻取ロール15Bで巻取る構造としてもよい。
ール20を通して、蒸着空間14に導き、蒸着後のフィ
ルム8は、隔壁18の細隙19を通して、加熱平滑処理
装置17内に導き、熱ロール16A、16B、16Cを
介して巻取ロール15Bで巻取る構造としてもよい。
第1図は本発明の透明導電膜作製方法に使用する蒸着装
置の縦断面図、第2図は第1図のX=X断面図、第3図
(a)は本発明の透明導電膜作製方法に使用する加熱平
滑装置の縦断面図、第3図゛(b)は第3図(a)のY
−Y断面図、第4図は本発明の透明導電膜作製方法に使
用する蒸着兼用加熱平滑装置の縦断面図である。 1:蒸着装置、5:蒸発源。 7人、7B、15A、15B :送出および巻取ロール
、8:フィルム、12 :ヒータ、14:蒸着空間、1
6A、16B、16C:熱ロール。 特許出願人 小西六写真工業株式会社 代理人 ♂ 弁理士 市之瀬 宮 夫1.・菖 Iメ・2゛n 第1図 第2図 (a) (b) 特許庁長官 若杉和夫殿 1 事件の表示 昭和58年 特 許 願第23637%’3、 補正を
する者 事件上の関係 特許出願人 氏 名<q市)(127)小西六写真工業株式会社6、
補正により増加する発明の数 ナシ〔1〕明細書の「
発明の名称」の「透明導電膜作製方法」を[透明導電膜
製造方法」と訂正します。 〔2、特許請求の範囲を(別紙)の如く補正する。 〔3、発明の詳細な説明を以下の如く補正する。 (1)明細書第1頁13行目の「・・・透明導電膜作製
方法・・・」を「・・・透明導電膜製造方法・・・」と
する。 (2)下記表−1の頁、行に示される明細書の記載を以
下の如く補正する。 表−1 〔4、図面の簡単な説明を以下の如く補正する。 以上 特許請求の範囲 高分子基体上に透明導電膜を製膜後、当該高分子基体お
よび透明導電膜を加熱し透明導電膜を平滑にすることを
特徴とする透明導電膜製造方法。
置の縦断面図、第2図は第1図のX=X断面図、第3図
(a)は本発明の透明導電膜作製方法に使用する加熱平
滑装置の縦断面図、第3図゛(b)は第3図(a)のY
−Y断面図、第4図は本発明の透明導電膜作製方法に使
用する蒸着兼用加熱平滑装置の縦断面図である。 1:蒸着装置、5:蒸発源。 7人、7B、15A、15B :送出および巻取ロール
、8:フィルム、12 :ヒータ、14:蒸着空間、1
6A、16B、16C:熱ロール。 特許出願人 小西六写真工業株式会社 代理人 ♂ 弁理士 市之瀬 宮 夫1.・菖 Iメ・2゛n 第1図 第2図 (a) (b) 特許庁長官 若杉和夫殿 1 事件の表示 昭和58年 特 許 願第23637%’3、 補正を
する者 事件上の関係 特許出願人 氏 名<q市)(127)小西六写真工業株式会社6、
補正により増加する発明の数 ナシ〔1〕明細書の「
発明の名称」の「透明導電膜作製方法」を[透明導電膜
製造方法」と訂正します。 〔2、特許請求の範囲を(別紙)の如く補正する。 〔3、発明の詳細な説明を以下の如く補正する。 (1)明細書第1頁13行目の「・・・透明導電膜作製
方法・・・」を「・・・透明導電膜製造方法・・・」と
する。 (2)下記表−1の頁、行に示される明細書の記載を以
下の如く補正する。 表−1 〔4、図面の簡単な説明を以下の如く補正する。 以上 特許請求の範囲 高分子基体上に透明導電膜を製膜後、当該高分子基体お
よび透明導電膜を加熱し透明導電膜を平滑にすることを
特徴とする透明導電膜製造方法。
Claims (1)
- (1)高分子基体上に透明4雷1膜を製膜後、当該高分
子基体および透明導電膜を加熱し透明導電膜を平滑にす
ることを!14i・徴とする透明導電膜作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2363783A JPS59149605A (ja) | 1983-02-15 | 1983-02-15 | 透明導電膜作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2363783A JPS59149605A (ja) | 1983-02-15 | 1983-02-15 | 透明導電膜作製方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59149605A true JPS59149605A (ja) | 1984-08-27 |
Family
ID=12116083
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2363783A Pending JPS59149605A (ja) | 1983-02-15 | 1983-02-15 | 透明導電膜作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59149605A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59177813A (ja) * | 1983-03-28 | 1984-10-08 | 筒中プラスチツク工業株式会社 | 透明導電性塗膜の形成方法 |
JPS61195506A (ja) * | 1985-02-26 | 1986-08-29 | 日本板硝子株式会社 | 透明電極基板およびその製造方法 |
US7928946B2 (en) | 1991-06-14 | 2011-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method of driving the same |
-
1983
- 1983-02-15 JP JP2363783A patent/JPS59149605A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59177813A (ja) * | 1983-03-28 | 1984-10-08 | 筒中プラスチツク工業株式会社 | 透明導電性塗膜の形成方法 |
JPH0372169B2 (ja) * | 1983-03-28 | 1991-11-15 | Tsutsunaka Purasuchitsuku Kogyo Kk | |
JPS61195506A (ja) * | 1985-02-26 | 1986-08-29 | 日本板硝子株式会社 | 透明電極基板およびその製造方法 |
US7928946B2 (en) | 1991-06-14 | 2011-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method of driving the same |
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