JPH0925575A - Ｉｔｏ膜の成膜方法 - Google Patents
Ｉｔｏ膜の成膜方法Info
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- JPH0925575A JPH0925575A JP17327695A JP17327695A JPH0925575A JP H0925575 A JPH0925575 A JP H0925575A JP 17327695 A JP17327695 A JP 17327695A JP 17327695 A JP17327695 A JP 17327695A JP H0925575 A JPH0925575 A JP H0925575A
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- film
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- ito film
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板１１に低抵抗率のＩＴＯ膜を、基板１１
の温度を低く保持した状態で成膜する。 【解決手段】 圧力勾配型プラズマガン５を使用する活
性化反応蒸着法により基板にＩＴＯ膜を成膜するに際
し、基板１１の温度を、膜の抵抗率が最小値となる温度
を含み、所望の抵抗率が得られる温度領域の低温側温度
から高温側温度までの温度領域内に保持する。
の温度を低く保持した状態で成膜する。 【解決手段】 圧力勾配型プラズマガン５を使用する活
性化反応蒸着法により基板にＩＴＯ膜を成膜するに際
し、基板１１の温度を、膜の抵抗率が最小値となる温度
を含み、所望の抵抗率が得られる温度領域の低温側温度
から高温側温度までの温度領域内に保持する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、低抵抗率を有する
ＩＴＯ膜の成膜方法に関するものであり、詳しくは圧力
勾配型プラズマガンを使用する活性化反応蒸着法により
基板にＩＴＯ膜を成膜するＩＴＯ膜の成膜方法に関す
る。
ＩＴＯ膜の成膜方法に関するものであり、詳しくは圧力
勾配型プラズマガンを使用する活性化反応蒸着法により
基板にＩＴＯ膜を成膜するＩＴＯ膜の成膜方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術及びその背景】液晶あるいはタッチパネル
等に使用されるＩＴＯ膜（透明導電性膜）は、その普及
に伴って高性能化の要求が高まっており、特にＩＴＯ成
膜プロセスの低温化とＩＴＯ膜の低抵抗率化、さらには
高効率化が強く望まれている。従来、ＩＴＯ膜を基板等
に成膜するには、真空蒸着あるいはスパッタリング等の
ドライプロセスによる成膜方法が一般的に行われてい
る。
等に使用されるＩＴＯ膜（透明導電性膜）は、その普及
に伴って高性能化の要求が高まっており、特にＩＴＯ成
膜プロセスの低温化とＩＴＯ膜の低抵抗率化、さらには
高効率化が強く望まれている。従来、ＩＴＯ膜を基板等
に成膜するには、真空蒸着あるいはスパッタリング等の
ドライプロセスによる成膜方法が一般的に行われてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、真空蒸
着あるいはスパッタリングによるＩＴＯ膜の成膜方法で
低抵抗率を有するＩＴＯ膜を得るには、ＩＴＯの結晶性
が成膜時の基板温度および成膜速度に依存すること、す
なわち、基板温度を高くする程結晶化が促進され、ま
た、成膜速度を遅くする程ダメージが軽減されることか
ら、基板を高温に保持して成膜する、あるいは成膜速度
を遅くして成膜する必要があり、上記基板が耐熱性の低
いものである場合は１０００Å／ｍｉｎ以上の成膜速度
で低抵抗率のＩＴＯ膜を成膜することができなかった。
具体的には、図６に示すように、スパッタリングによっ
て１０００Å／ｍｉｎ以上の成膜速度で１．５×１０-4
Ω・ｃｍ以下の抵抗率のＩＴＯ膜を得るには基板の温度
を約３００°Ｃ以上としなければならず、耐熱温度の低
い樹脂基板等には上記低抵抗率のＩＴＯ膜を成膜するこ
とはできなかった。さらに、基板の温度を厳格に管理す
る必要があった。
着あるいはスパッタリングによるＩＴＯ膜の成膜方法で
低抵抗率を有するＩＴＯ膜を得るには、ＩＴＯの結晶性
が成膜時の基板温度および成膜速度に依存すること、す
なわち、基板温度を高くする程結晶化が促進され、ま
た、成膜速度を遅くする程ダメージが軽減されることか
ら、基板を高温に保持して成膜する、あるいは成膜速度
を遅くして成膜する必要があり、上記基板が耐熱性の低
いものである場合は１０００Å／ｍｉｎ以上の成膜速度
で低抵抗率のＩＴＯ膜を成膜することができなかった。
具体的には、図６に示すように、スパッタリングによっ
て１０００Å／ｍｉｎ以上の成膜速度で１．５×１０-4
Ω・ｃｍ以下の抵抗率のＩＴＯ膜を得るには基板の温度
を約３００°Ｃ以上としなければならず、耐熱温度の低
い樹脂基板等には上記低抵抗率のＩＴＯ膜を成膜するこ
とはできなかった。さらに、基板の温度を厳格に管理す
る必要があった。
【０００４】本発明者らは、圧力勾配型プラズマガンを
使用する活性化反応蒸着法（イオンプレーティング）で
基板上に成膜したＩＴＯ膜の抵抗率について、成膜時の
基板の温度との関係を種々実験したところ、ＩＴＯ膜の
抵抗率は、従来の真空蒸着法あるいはスパッタリング法
と同様に成膜時の基板の温度に依存するものの、基板の
温度が特定温度域であるとき、上記抵抗率は最小値とな
る一方、この特定温度域を境に低温側および高温側で増
加すること、および、ＩＴＯ膜に対するダメージについ
て、成膜速度との関係を考察したところ、成膜速度を速
くしても粒子の運動エネルギーが著しく増加しないとの
知見を得た。
使用する活性化反応蒸着法（イオンプレーティング）で
基板上に成膜したＩＴＯ膜の抵抗率について、成膜時の
基板の温度との関係を種々実験したところ、ＩＴＯ膜の
抵抗率は、従来の真空蒸着法あるいはスパッタリング法
と同様に成膜時の基板の温度に依存するものの、基板の
温度が特定温度域であるとき、上記抵抗率は最小値とな
る一方、この特定温度域を境に低温側および高温側で増
加すること、および、ＩＴＯ膜に対するダメージについ
て、成膜速度との関係を考察したところ、成膜速度を速
くしても粒子の運動エネルギーが著しく増加しないとの
知見を得た。
【０００５】本発明は上記知見に基づいてなされたもの
であって、基板に低抵抗率のＩＴＯ膜を低温でしかも高
効率で成膜できるＩＴＯ膜の成膜方法を提供することを
目的としている。
であって、基板に低抵抗率のＩＴＯ膜を低温でしかも高
効率で成膜できるＩＴＯ膜の成膜方法を提供することを
目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に係る発明では、圧力勾配型プラズマガン
を使用する活性化反応蒸着法により基板にＩＴＯ膜を成
膜するに際し、基板の温度を、膜の抵抗率が最小値とな
る温度を含み、所望の抵抗率が得られる温度領域の低温
側温度から高温側温度までの温度領域内に保持すること
を特徴としている。
に、請求項１に係る発明では、圧力勾配型プラズマガン
を使用する活性化反応蒸着法により基板にＩＴＯ膜を成
膜するに際し、基板の温度を、膜の抵抗率が最小値とな
る温度を含み、所望の抵抗率が得られる温度領域の低温
側温度から高温側温度までの温度領域内に保持すること
を特徴としている。
【０００７】また、請求項２に係る発明では、基板の温
度を１４０〜２２０°Ｃに保持することを特徴としてい
る。
度を１４０〜２２０°Ｃに保持することを特徴としてい
る。
【０００８】さらに、請求項３に係る発明では、請求項
１または請求項２に記載の発明において、成膜速度が１
０００Å／ｍｉｎ以上であることを特徴としている。
１または請求項２に記載の発明において、成膜速度が１
０００Å／ｍｉｎ以上であることを特徴としている。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
に係る実施の形態について説明する。図１に、ＩＴＯ膜
の抵抗率と成膜時の基板温度の関係を示す。図１から明
らかなように、ＩＴＯ膜の抵抗率は成膜時の基板１１の
温度が特定温度、本実施の形態では約１９５°Ｃ近傍で
あるとき、最小値を示す一方、この特定温度を境にそれ
ぞれ増加する。これは、圧力勾配型プラズマガンによっ
て発生するプラズマビームの活性力が強いことに起因し
ており、上記特定温度以上では成膜時の総合エネルギが
過剰状態となり、ＩＴＯ膜自体にダメージを与えるた
め、結晶化が阻害されることが原因と考えられる。な
お、従来の真空蒸着法あるいはスパッタリング法に比較
して、低温域で低抵抗率が得られるのは、プラズマビー
ムの活性力が強いため、ＩＴＯの結晶化が促進されるこ
とが原因と考えられる。
に係る実施の形態について説明する。図１に、ＩＴＯ膜
の抵抗率と成膜時の基板温度の関係を示す。図１から明
らかなように、ＩＴＯ膜の抵抗率は成膜時の基板１１の
温度が特定温度、本実施の形態では約１９５°Ｃ近傍で
あるとき、最小値を示す一方、この特定温度を境にそれ
ぞれ増加する。これは、圧力勾配型プラズマガンによっ
て発生するプラズマビームの活性力が強いことに起因し
ており、上記特定温度以上では成膜時の総合エネルギが
過剰状態となり、ＩＴＯ膜自体にダメージを与えるた
め、結晶化が阻害されることが原因と考えられる。な
お、従来の真空蒸着法あるいはスパッタリング法に比較
して、低温域で低抵抗率が得られるのは、プラズマビー
ムの活性力が強いため、ＩＴＯの結晶化が促進されるこ
とが原因と考えられる。
【００１０】したがって、例えば、ＩＴＯ膜の所望抵抗
値が１．５×１０-4Ω・ｃｍ以下であれば、成膜時の基
板１１の温度を１４０〜２２０°Ｃの間で維持すれば良
い。また、上記所望抵抗値が１．３×１０-4Ω・ｃｍ以
下であれば、成膜時の基板１１の温度を１７０〜２１０
°Ｃの間で維持すれば良い。
値が１．５×１０-4Ω・ｃｍ以下であれば、成膜時の基
板１１の温度を１４０〜２２０°Ｃの間で維持すれば良
い。また、上記所望抵抗値が１．３×１０-4Ω・ｃｍ以
下であれば、成膜時の基板１１の温度を１７０〜２１０
°Ｃの間で維持すれば良い。
【００１１】図２は、本発明に係るＩＴＯ膜の成膜方法
を行うＩＴＯ膜の成膜装置１を示している。上記成膜装
置１は、概略、チャンバー２内の底部に配置したるつぼ
３と、上記チャンバー２の側壁に取り付けられた圧力勾
配型プラズマガン５と、上記チャンバー２内の上部に配
置された基板支持ホルダ６及び基板加熱ヒータ７によっ
て構成されている。なお、上記圧力勾配型プラズマガン
５はマイナスの直流電源４に接続されている。また、上
記るつぼ３と上記基板ホルダ６との間にはマスフローコ
ントローラ８を介して図示しない反応ガス供給装置に接
続された反応ガスの供給ノズル９が配置されている。さ
らに、上記チャンバー２は図示しない真空排気装置に接
続され、所定の真空度に維持されるようになっている。
を行うＩＴＯ膜の成膜装置１を示している。上記成膜装
置１は、概略、チャンバー２内の底部に配置したるつぼ
３と、上記チャンバー２の側壁に取り付けられた圧力勾
配型プラズマガン５と、上記チャンバー２内の上部に配
置された基板支持ホルダ６及び基板加熱ヒータ７によっ
て構成されている。なお、上記圧力勾配型プラズマガン
５はマイナスの直流電源４に接続されている。また、上
記るつぼ３と上記基板ホルダ６との間にはマスフローコ
ントローラ８を介して図示しない反応ガス供給装置に接
続された反応ガスの供給ノズル９が配置されている。さ
らに、上記チャンバー２は図示しない真空排気装置に接
続され、所定の真空度に維持されるようになっている。
【００１２】上記基板ホルダ６は図示しないモータによ
り矢印方向に回転するようになっている。また、基板ホ
ルダ６の近傍には温度計１０が設けられ、上記基板ホル
ダ６に取り付けられた基板１１の温度を測定するととも
に、後述する制御装置１２にその情報を出力するように
なっている。
り矢印方向に回転するようになっている。また、基板ホ
ルダ６の近傍には温度計１０が設けられ、上記基板ホル
ダ６に取り付けられた基板１１の温度を測定するととも
に、後述する制御装置１２にその情報を出力するように
なっている。
【００１３】上記基板加熱ヒータ７は、成膜処理される
基板１１を所定温度に保持するために設けられたもの
で、制御装置１２によって制御されるようになってい
る。また、上記制御装置１２には上記温度計１０の測定
値（基板１１の温度）がフィードバックされるようにな
っている。なお、基板１１を加熱する手段はヒータ７に
限るものではなく、制御装置１２で制御可能であれば、
抵抗加熱装置、レーザ加熱装置等であっても良い。
基板１１を所定温度に保持するために設けられたもの
で、制御装置１２によって制御されるようになってい
る。また、上記制御装置１２には上記温度計１０の測定
値（基板１１の温度）がフィードバックされるようにな
っている。なお、基板１１を加熱する手段はヒータ７に
限るものではなく、制御装置１２で制御可能であれば、
抵抗加熱装置、レーザ加熱装置等であっても良い。
【００１４】上記構成からなる成膜装置１でＩＴＯ膜
を、例えば、ガラス基板１１に成膜するには、基板ホル
ダ６にガラス基板１１を取り付け、チャンバー２内を約
１０-5〜１０-6Ｔｏｒｒに真空排気する。なお、るつぼ
３にはＩｎ／Ｓｎ酸化物（または、Ｉｎ／Ｓｎ金属）か
らなる蒸発材料１３が収容されている。そして、圧力勾
配型プラズマガン５は、上記プラズマガン５の出力が１
００Ａになるように供給電圧を調節する。この際、プラ
ズマガン５からチャンバー２内にＡｒガスを約５０ｓｃ
ｃｍの流量で供給し、チャンバーを約１０-3〜１０-4Ｔ
ｏｒｒの圧力に調整する。
を、例えば、ガラス基板１１に成膜するには、基板ホル
ダ６にガラス基板１１を取り付け、チャンバー２内を約
１０-5〜１０-6Ｔｏｒｒに真空排気する。なお、るつぼ
３にはＩｎ／Ｓｎ酸化物（または、Ｉｎ／Ｓｎ金属）か
らなる蒸発材料１３が収容されている。そして、圧力勾
配型プラズマガン５は、上記プラズマガン５の出力が１
００Ａになるように供給電圧を調節する。この際、プラ
ズマガン５からチャンバー２内にＡｒガスを約５０ｓｃ
ｃｍの流量で供給し、チャンバーを約１０-3〜１０-4Ｔ
ｏｒｒの圧力に調整する。
【００１５】次に、反応ガスであるＯ2ガスを供給ノズ
ル９から供給する。このＯ2ガスは、チャンバー２内に
存在する水分の量によってその供給量が左右されるの
で、成膜中の酸素分圧が最大１×１０-4Ｔｏｒｒ以下と
なるようにマスフローコントローラ８を調節する。
ル９から供給する。このＯ2ガスは、チャンバー２内に
存在する水分の量によってその供給量が左右されるの
で、成膜中の酸素分圧が最大１×１０-4Ｔｏｒｒ以下と
なるようにマスフローコントローラ８を調節する。
【００１６】そして、上記基板１１は、成膜状態におい
てその温度が１４０〜２２０°Ｃに保持されるように、
ヒータ７で加熱される。基板の温度を１４０〜２２０℃
の間に保持するのは、図１に示すように、１４０℃以下
および２２０℃以上では、ＩＴＯ膜の抵抗率が１．５×
１０-4Ω・ｃｍ以下にならないからである。
てその温度が１４０〜２２０°Ｃに保持されるように、
ヒータ７で加熱される。基板の温度を１４０〜２２０℃
の間に保持するのは、図１に示すように、１４０℃以下
および２２０℃以上では、ＩＴＯ膜の抵抗率が１．５×
１０-4Ω・ｃｍ以下にならないからである。
【００１７】以上の条件下において、上記圧力勾配型プ
ラズマガン５を作動させてプラズマビーム１４をるつぼ
３の蒸発材料１３に収束させる。加熱・蒸発した蒸発材
料１３はＯ2ガスと反応し、基板ホルダ６に支持されて
回転する基板１１にＩＴＯ膜を形成する。この際、成膜
速度は１０００Å／ｍｉｎであり、基板１１には１．５
×１０-4Ω・ｃｍ以下の抵抗率のＩＴＯ膜が形成され
る。なお、プラズマガン５の出力を増加させれば成膜速
度は上昇させることができ、例えば、プラズマガン５の
出力を１５０Ａとすれば、１５００Å／ｍｉｎの成膜速
度で、１．５×１０-4Ω・ｃｍ以下の抵抗値を有するＩ
ＴＯ膜を得ることができる。成膜速度を１０００Å／ｍ
ｉｎ以上で処理するのは、実操業上における効率性ある
いは生産性を考慮することによる。
ラズマガン５を作動させてプラズマビーム１４をるつぼ
３の蒸発材料１３に収束させる。加熱・蒸発した蒸発材
料１３はＯ2ガスと反応し、基板ホルダ６に支持されて
回転する基板１１にＩＴＯ膜を形成する。この際、成膜
速度は１０００Å／ｍｉｎであり、基板１１には１．５
×１０-4Ω・ｃｍ以下の抵抗率のＩＴＯ膜が形成され
る。なお、プラズマガン５の出力を増加させれば成膜速
度は上昇させることができ、例えば、プラズマガン５の
出力を１５０Ａとすれば、１５００Å／ｍｉｎの成膜速
度で、１．５×１０-4Ω・ｃｍ以下の抵抗値を有するＩ
ＴＯ膜を得ることができる。成膜速度を１０００Å／ｍ
ｉｎ以上で処理するのは、実操業上における効率性ある
いは生産性を考慮することによる。
【００１８】また、ガラス基板上に１５００Å／ｍｉｎ
の成膜速度で、かつ、２．３×１０-4Ｔｏｒｒの圧力下
で基板の温度を１５５°Ｃ、１９５°Ｃ、２１５°Ｃで
成膜したところ、それぞれ１．４×１０-4Ω・ｃｍ、
１．１５×１０-4Ω・ｃｍ、１．３５×１０-4Ω・ｃｍ
の抵抗値を有するＩＴＯ膜を得ることができた。
の成膜速度で、かつ、２．３×１０-4Ｔｏｒｒの圧力下
で基板の温度を１５５°Ｃ、１９５°Ｃ、２１５°Ｃで
成膜したところ、それぞれ１．４×１０-4Ω・ｃｍ、
１．１５×１０-4Ω・ｃｍ、１．３５×１０-4Ω・ｃｍ
の抵抗値を有するＩＴＯ膜を得ることができた。
【００１９】なお、成膜装置１としては上記したものに
限るものではなく、図３、４、５に示す成膜装置２０、
４０、６０であってもよい。
限るものではなく、図３、４、５に示す成膜装置２０、
４０、６０であってもよい。
【００２０】図３に示す成膜装置２０は、複数の基板１
１を連続的に成膜する水平通過式の成膜装置である。チ
ャンバー２１内の上部には複数のヒータ７が配置される
とともに、基板１１の進行方向上流側にはヒータ７を有
するロードロックチャンバー２２が接続してあり、基板
１１の進行方向下流側にはアンロードロックチャンバー
２３が接続してある。また、ロードロックチャンバー２
２とアンロードロックチャンバー２３はそれぞれ仕切り
バルブ２４、２５により区画され、上記ロードロックチ
ャンバー２２の基板装入口２６及びアンロードロックチ
ャンバー２３の基板排出口２７にはそれぞれ仕切りバル
ブ２８、２９が設けてある。
１を連続的に成膜する水平通過式の成膜装置である。チ
ャンバー２１内の上部には複数のヒータ７が配置される
とともに、基板１１の進行方向上流側にはヒータ７を有
するロードロックチャンバー２２が接続してあり、基板
１１の進行方向下流側にはアンロードロックチャンバー
２３が接続してある。また、ロードロックチャンバー２
２とアンロードロックチャンバー２３はそれぞれ仕切り
バルブ２４、２５により区画され、上記ロードロックチ
ャンバー２２の基板装入口２６及びアンロードロックチ
ャンバー２３の基板排出口２７にはそれぞれ仕切りバル
ブ２８、２９が設けてある。
【００２１】上記成膜装置２０では、ロードロックチャ
ンバー２２の装入口２６から図示しない基板ホルダに取
り付けられた基板１１は、ロードロックチャンバー２２
内に装入され、ここでヒータ７により予熱される。ロー
ドロックチャンバー２２内は、真空排気された後、仕切
りバルブ２４を開いてチャンバー２１内に基板１１を搬
送する。そして、ＩＴＯ膜が成膜された基板１１は、ア
ンロードロックチャンバー２３に搬送されて基板排出口
２７から取り出される。なお、その後、アンロードロッ
クチャンバー２３内は真空排気される。上記成膜装置２
０について、他の構成部分及び詳細な成膜方法について
は上記成膜装置１と同様であるので、同一構成部分につ
いては同一符号を付して説明を省略する。なお、上記基
板１１の幅が広い場合、プラズマビーム１４を基板１１
の幅方向にシート状に変形させれば、基板１１には幅方
向に均一な膜が形成される。
ンバー２２の装入口２６から図示しない基板ホルダに取
り付けられた基板１１は、ロードロックチャンバー２２
内に装入され、ここでヒータ７により予熱される。ロー
ドロックチャンバー２２内は、真空排気された後、仕切
りバルブ２４を開いてチャンバー２１内に基板１１を搬
送する。そして、ＩＴＯ膜が成膜された基板１１は、ア
ンロードロックチャンバー２３に搬送されて基板排出口
２７から取り出される。なお、その後、アンロードロッ
クチャンバー２３内は真空排気される。上記成膜装置２
０について、他の構成部分及び詳細な成膜方法について
は上記成膜装置１と同様であるので、同一構成部分につ
いては同一符号を付して説明を省略する。なお、上記基
板１１の幅が広い場合、プラズマビーム１４を基板１１
の幅方向にシート状に変形させれば、基板１１には幅方
向に均一な膜が形成される。
【００２２】図４に示す成膜装置４０は、垂直通過式の
成膜装置であって、同時に２枚の基板１１に成膜できる
ようにチャンバー４１の両側に、圧力勾配型プラズマガ
ン５等をそれぞれ設けたものである。チャンバー４１の
中央部上下には連通部４２、４３が突出して設けてあ
り、これら連通部４２、４３には、それぞれ仕切りバル
ブ４４と４５を介してロードロックチャンバー４６とア
ンロードロックチャンバー４７とが接続してある。ま
た、上記ロードロックチャンバー４６の基板装入口４８
には仕切りバルブ４９が設けてあり、アンロードロック
チャンバー４７の基板排出口５０には仕切りバルブ５１
が設けてある。
成膜装置であって、同時に２枚の基板１１に成膜できる
ようにチャンバー４１の両側に、圧力勾配型プラズマガ
ン５等をそれぞれ設けたものである。チャンバー４１の
中央部上下には連通部４２、４３が突出して設けてあ
り、これら連通部４２、４３には、それぞれ仕切りバル
ブ４４と４５を介してロードロックチャンバー４６とア
ンロードロックチャンバー４７とが接続してある。ま
た、上記ロードロックチャンバー４６の基板装入口４８
には仕切りバルブ４９が設けてあり、アンロードロック
チャンバー４７の基板排出口５０には仕切りバルブ５１
が設けてある。
【００２３】上記構成からなる成膜装置４０では、基板
装入口４８で図示しない２つの基板ホルダにそれぞれ取
り付けられた２枚の基板１１は、チャンバー４１に搬送
され、ＩＴＯ膜が成膜される。そして、上記基板１１は
基板排出口５０に搬送されて排出口５０から取り出され
る。上記成膜装置４０について、他の構成部分及び詳細
な成膜方法については上記成膜装置１と同様であるの
で、同一構成部分については同一符号を付して説明を省
略する。
装入口４８で図示しない２つの基板ホルダにそれぞれ取
り付けられた２枚の基板１１は、チャンバー４１に搬送
され、ＩＴＯ膜が成膜される。そして、上記基板１１は
基板排出口５０に搬送されて排出口５０から取り出され
る。上記成膜装置４０について、他の構成部分及び詳細
な成膜方法については上記成膜装置１と同様であるの
で、同一構成部分については同一符号を付して説明を省
略する。
【００２４】図５に示す成膜装置６０は、可撓性の基板
材料、例えば、フィルム基板６１にＩＴＯ膜を成膜する
もので、チャンバー６２の上部に該チャンバー６２に連
通する基板収容チャンバー６３を設け、この基板収容チ
ャンバー６３の内部にフィルム基板６１の送り出しロー
ル６４と巻き取りロール６５を配置する。また、両ロー
ル６４、６５の中間位置及び送り出しロール６４の近傍
にはヒータ７が配置してある。
材料、例えば、フィルム基板６１にＩＴＯ膜を成膜する
もので、チャンバー６２の上部に該チャンバー６２に連
通する基板収容チャンバー６３を設け、この基板収容チ
ャンバー６３の内部にフィルム基板６１の送り出しロー
ル６４と巻き取りロール６５を配置する。また、両ロー
ル６４、６５の中間位置及び送り出しロール６４の近傍
にはヒータ７が配置してある。
【００２５】上記構成からなる成膜装置６０では、送り
出しロール６４から送り出され、ヒータ７で予備加熱さ
れたフィルム基板６１にＩＴＯ膜が成膜される。また、
成膜されたフィルム基板６１は上記巻き取りロール６５
で巻き取られる。上記成膜装置６０において、他の構成
部分及び成膜方法については上記成膜装置１と同様であ
るので、同一構成部分については同一符号を付して説明
を省略する。なお、上記フィルム基板４１はヒータ７に
よって加熱される。
出しロール６４から送り出され、ヒータ７で予備加熱さ
れたフィルム基板６１にＩＴＯ膜が成膜される。また、
成膜されたフィルム基板６１は上記巻き取りロール６５
で巻き取られる。上記成膜装置６０において、他の構成
部分及び成膜方法については上記成膜装置１と同様であ
るので、同一構成部分については同一符号を付して説明
を省略する。なお、上記フィルム基板４１はヒータ７に
よって加熱される。
【００２６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る圧力勾配型プラズマガンを使用する活性化反応蒸
着法でのＩＴＯ膜の成膜方法では、従来のスパッタリン
グ等の成膜方法と比較して、同程度の低抵抗率のＩＴＯ
膜を得る場合であっても、基板の保持温度は広範囲が採
用でき、それだけ基板の温度管理が容易になるととも
に、低い保持温度で成膜できる。したがって、耐熱温度
の低い基板であっても成膜できるので基板を形成する材
料の選択の幅が飛躍的に広がる。
に係る圧力勾配型プラズマガンを使用する活性化反応蒸
着法でのＩＴＯ膜の成膜方法では、従来のスパッタリン
グ等の成膜方法と比較して、同程度の低抵抗率のＩＴＯ
膜を得る場合であっても、基板の保持温度は広範囲が採
用でき、それだけ基板の温度管理が容易になるととも
に、低い保持温度で成膜できる。したがって、耐熱温度
の低い基板であっても成膜できるので基板を形成する材
料の選択の幅が飛躍的に広がる。
【００２７】また、基板の温度を１４０〜２２０°Ｃに
保持してＩＴＯ膜を成膜すれば、１．５×１０-4Ω・ｃ
ｍ以下の低抵抗率を有するＩＴＯ膜が得られる。
保持してＩＴＯ膜を成膜すれば、１．５×１０-4Ω・ｃ
ｍ以下の低抵抗率を有するＩＴＯ膜が得られる。
【００２８】さらに、成膜速度を１０００Å／ｍｉｎ以
上とすれば、上記ＩＴＯ膜が高効率に成膜できる。
上とすれば、上記ＩＴＯ膜が高効率に成膜できる。
【図１】 圧力勾配型プラズマガンを使用してＩＴＯ膜
を基板に成膜した場合における成膜時の基板の温度と膜
の電気抵抗率との関係を示すグラフである。
を基板に成膜した場合における成膜時の基板の温度と膜
の電気抵抗率との関係を示すグラフである。
【図２】 本発明のＩＴＯ膜の成膜方法が適用される成
膜装置である。
膜装置である。
【図３】 本発明のＩＴＯ膜の成膜方法が適用される第
２の実施の形態に係る成膜装置である。
２の実施の形態に係る成膜装置である。
【図４】 本発明のＩＴＯ膜の成膜方法が適用される第
３の実施の形態に係る成膜装置である。
３の実施の形態に係る成膜装置である。
【図５】 本発明のＩＴＯ膜の成膜方法が適用される第
４の実施の形態に係る成膜装置である。
４の実施の形態に係る成膜装置である。
【図６】 スパッタリングによりＩＴＯ膜を基板に成膜
した場合における成膜時の基板の温度と膜の電気抵抗率
との関係を示すグラフである。
した場合における成膜時の基板の温度と膜の電気抵抗率
との関係を示すグラフである。
１…成膜装置、２…チャンバー、３…るつぼ、５…圧力
勾配型プラズマガン、７…基板加熱ヒータ、１１…基
板、１２…制御装置、１３…蒸発材料。
勾配型プラズマガン、７…基板加熱ヒータ、１１…基
板、１２…制御装置、１３…蒸発材料。
Claims (3)
- 【請求項１】 圧力勾配型プラズマガンを使用する活性
化反応蒸着法により基板にＩＴＯ膜を成膜するに際し、
基板の温度を、膜の抵抗率が最小値となる温度を含み、
所望の抵抗率が得られる温度領域の低温側温度から高温
側温度までの温度領域内に保持することを特徴とするＩ
ＴＯ膜の成膜方法。 - 【請求項２】 基板の温度を１４０〜２２０°Ｃに保持
することを特徴とする請求項１に記載のＩＴＯ膜の成膜
方法。 - 【請求項３】 成膜速度が１０００Å／ｍｉｎ以上であ
ることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＩ
ＴＯ膜の成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17327695A JPH0925575A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | Ｉｔｏ膜の成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17327695A JPH0925575A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | Ｉｔｏ膜の成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0925575A true JPH0925575A (ja) | 1997-01-28 |
Family
ID=15957454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17327695A Pending JPH0925575A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | Ｉｔｏ膜の成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0925575A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005013290A1 (ja) * | 2003-07-30 | 2005-02-10 | Central Glass Company, Limited | Ｉｔｏ透明導電膜付き基板およびその製法 |
| KR100736664B1 (ko) * | 2004-11-25 | 2007-07-06 | 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 | Ｉｔｏ 투명 전도성 필름을 포함하는 기판 및 그 제조 방법 |
| JP2010084153A (ja) * | 2008-09-01 | 2010-04-15 | Mitsubishi Materials Corp | 成膜方法および成膜装置 |
| JP2014506960A (ja) * | 2011-02-21 | 2014-03-20 | ツェーテーエフ・ゾラール・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | 基体のコーティングのための方法および装置 |
| US9508613B2 (en) | 2013-08-19 | 2016-11-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Method for testing susceptor of chemical vapor deposition apparatus and method for manufacturing organic light emitting display apparatus by using the same |
-
1995
- 1995-07-10 JP JP17327695A patent/JPH0925575A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005013290A1 (ja) * | 2003-07-30 | 2005-02-10 | Central Glass Company, Limited | Ｉｔｏ透明導電膜付き基板およびその製法 |
| JP2005050730A (ja) * | 2003-07-30 | 2005-02-24 | Central Glass Co Ltd | Ｉｔｏ透明導電膜付き基板およびその製法 |
| KR100736664B1 (ko) * | 2004-11-25 | 2007-07-06 | 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 | Ｉｔｏ 투명 전도성 필름을 포함하는 기판 및 그 제조 방법 |
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| US9508613B2 (en) | 2013-08-19 | 2016-11-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Method for testing susceptor of chemical vapor deposition apparatus and method for manufacturing organic light emitting display apparatus by using the same |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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