JPS58113373A - 蒸着方法 - Google Patents
蒸着方法Info
- Publication number
- JPS58113373A JPS58113373A JP21316381A JP21316381A JPS58113373A JP S58113373 A JPS58113373 A JP S58113373A JP 21316381 A JP21316381 A JP 21316381A JP 21316381 A JP21316381 A JP 21316381A JP S58113373 A JPS58113373 A JP S58113373A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- substrate
- inert gas
- film
- ionized
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は蒸着方法に関し、特に透明導電膜を蒸着で形成
する方法に関するものである。
する方法に関するものである。
透明導電膜は、今日広い用途に用いられている。
例えば、電子写真記録用としてはスライドフィルム、マ
イクロフィルム等の如き透過型画像形成のための記録体
に用いられ、またＢ Ｌ （Ｅｌ＊ｃｔｒｏ−ｊｕｍｉ
ｎ・■・ｎｃ・）、液晶又はエレクトロクｐミツり表示
の電極、端末機器における透明スイッチ、更には帯電防
止材、太陽電池の窓材、熱線反射膜、面発熱体等に夫々
用いられている。
イクロフィルム等の如き透過型画像形成のための記録体
に用いられ、またＢ Ｌ （Ｅｌ＊ｃｔｒｏ−ｊｕｍｉ
ｎ・■・ｎｃ・）、液晶又はエレクトロクｐミツり表示
の電極、端末機器における透明スイッチ、更には帯電防
止材、太陽電池の窓材、熱線反射膜、面発熱体等に夫々
用いられている。
従来、この種の透明導電膜は大別して、金属薄膜と金属
酸化物薄膜とに分けられているが、前者は金、金属パラ
ジウム等を数１０ＯＡの厚さに蒸着したものからなり、
導電性は良好であるが一般に光透過性が悪いとされてい
る。これに対して後者は、酸化インジウム、酸化スズ又
は両者の混合物、或いはカドミウムと酸化スズとの混合
物等からなり、化学的製膜法（例えばスプレー法、化学
的気相成長法（ＣＶＤ）、塗布法）や物理的製膜法（例
えば真空蒸着法、イオンブレーティング法、スパッタリ
ング法）によって形成される。化学的製膜法では被蒸着
基板の温度が一般に５００〜６００℃と高く、生産性が
悪いｉ、物理的製膜法の場合には同基板の温度は比較的
低く、２５０〜３００℃でよいとされている。
酸化物薄膜とに分けられているが、前者は金、金属パラ
ジウム等を数１０ＯＡの厚さに蒸着したものからなり、
導電性は良好であるが一般に光透過性が悪いとされてい
る。これに対して後者は、酸化インジウム、酸化スズ又
は両者の混合物、或いはカドミウムと酸化スズとの混合
物等からなり、化学的製膜法（例えばスプレー法、化学
的気相成長法（ＣＶＤ）、塗布法）や物理的製膜法（例
えば真空蒸着法、イオンブレーティング法、スパッタリ
ング法）によって形成される。化学的製膜法では被蒸着
基板の温度が一般に５００〜６００℃と高く、生産性が
悪いｉ、物理的製膜法の場合には同基板の温度は比較的
低く、２５０〜３００℃でよいとされている。
本発明者は、特に真空蒸着法によって上記透明導電膜を
形成する方法について検討を重ねた結果、公知の方法で
は次の（１）〜（３）の如き問題があることが判明した
。
形成する方法について検討を重ねた結果、公知の方法で
は次の（１）〜（３）の如き問題があることが判明した
。
（１）、光透過性及び導電性を共に満足する透明導電膜
としては酸化インジウムと酸化スズとからなる金属酸化
膜が用いられるが、蒸着時の基板温度を２５０〜３００
℃としなければならないため、この温度範囲では耐熱性
の悪い高分子基板等を使用することが不可能となる。
としては酸化インジウムと酸化スズとからなる金属酸化
膜が用いられるが、蒸着時の基板温度を２５０〜３００
℃としなければならないため、この温度範囲では耐熱性
の悪い高分子基板等を使用することが不可能となる。
（２）、一方、基板温度を下げて２００℃以下とした場
合、上記（１）は回避できるものの、得られた金属酸化
膜の光透過率が減少し、かつ導電性も低くなり、使用に
耐えない膜しか作成できない。
合、上記（１）は回避できるものの、得られた金属酸化
膜の光透過率が減少し、かつ導電性も低くなり、使用に
耐えない膜しか作成できない。
これは、低基板温度による堆積膜の結晶性の劣化、酸化
度の低下が原因であると考えられる。
度の低下が原因であると考えられる。
（３）、近時、活性化された酸素ガス中でインジウム、
スズ又はこれらめ酸化物を加熱、蒸発させて透明導電膜
を形成する方法が検討されているが、却って膜の酸化度
が高くなりすぎて電気抵抗が上昇（導電性が低下）して
しまう。これは基板温度を下げても回避できず、基板温
度の低下に従って目的とする特性の膜の得られる許容製
膜条件の設定範囲が狭くなり、良質な導電膜を得ること
が困難となる。 一 本発明は、こうした状況に鑑み、上記透明導電膜の如き
蒸着膜を形成するに際し、基板を高温に加熱することな
しに光透過性と導電性との双方を満足した膜を容易かつ
生産性よく形成することを目的としている。
スズ又はこれらめ酸化物を加熱、蒸発させて透明導電膜
を形成する方法が検討されているが、却って膜の酸化度
が高くなりすぎて電気抵抗が上昇（導電性が低下）して
しまう。これは基板温度を下げても回避できず、基板温
度の低下に従って目的とする特性の膜の得られる許容製
膜条件の設定範囲が狭くなり、良質な導電膜を得ること
が困難となる。 一 本発明は、こうした状況に鑑み、上記透明導電膜の如き
蒸着膜を形成するに際し、基板を高温に加熱することな
しに光透過性と導電性との双方を満足した膜を容易かつ
生産性よく形成することを目的としている。
この目的を達成するために、本発明によれば、蒸着に際
し、イオン化又は活性化された酸化性ガスと共に、イオ
ン化又は活性化された不活性ガスも存在せしめた状態で
蒸発物質を加熱、蒸発せしめるようにしている。
し、イオン化又は活性化された酸化性ガスと共に、イオ
ン化又は活性化された不活性ガスも存在せしめた状態で
蒸発物質を加熱、蒸発せしめるようにしている。
即ち、本発明の蒸着方法によれば、基体の温度を低下さ
せても、イオン化又は活性化された（若しくは付活され
た）不活性ガスの作用で、そのエネルギーが基体上に堆
積する元素に効果的に与えられ、同元素の移動エネルギ
ーが増大し、得られた膜の結晶性が良好に唸るものと考
えられる。言い換見れば、上記不活性ガスのもつエネル
ギーであたかも基体が加熱されたのと等価的な状態とな
るから、基体温度を２００℃以下と低くしても結晶性良
く堆積可能となり、これによって膜の導電性を高く（電
気抵抗を低く）するこ゛とができるのである。同時に、
上記不活性ガスによって、イオン化又は活性化された酸
化性ガスの酸化能を適度に発揮させることができるから
一過度な酸化による膜抵抗の上昇を防止して適度な抵抗
値に設定でき、かつ適度な酸化作用）；よって膜の透明
度（光透過性）を充分なもの−にすることができる。こ
のような蒸着条件下では従って、上記酸化性ガスの作用
と結晶粒の成長とがバランス良く行なわれるから、パラ
メーター（例えば、上記イオン化又は活性化のための放
電電力）による膜特性の変動が少なくなり、許容製膜条
件の設定範囲を広くとれ、容易に目的とする膜を形成す
ることができる１、１また、不活性ガスの存在によって
例えば蒸発源加熱用ヒーターのフィラメントの酸化され
る度合が減り、その寿命を延ばすことができ、他方酸化
性ガスの酸化能はそのイオン化又は活性化によっテ充分
発揮させることができる。更に、不活性ガスによって基
体の表面が清浄化される効果もあり、このために蒸着膜
の付着性（膜付き）も良好となる。
せても、イオン化又は活性化された（若しくは付活され
た）不活性ガスの作用で、そのエネルギーが基体上に堆
積する元素に効果的に与えられ、同元素の移動エネルギ
ーが増大し、得られた膜の結晶性が良好に唸るものと考
えられる。言い換見れば、上記不活性ガスのもつエネル
ギーであたかも基体が加熱されたのと等価的な状態とな
るから、基体温度を２００℃以下と低くしても結晶性良
く堆積可能となり、これによって膜の導電性を高く（電
気抵抗を低く）するこ゛とができるのである。同時に、
上記不活性ガスによって、イオン化又は活性化された酸
化性ガスの酸化能を適度に発揮させることができるから
一過度な酸化による膜抵抗の上昇を防止して適度な抵抗
値に設定でき、かつ適度な酸化作用）；よって膜の透明
度（光透過性）を充分なもの−にすることができる。こ
のような蒸着条件下では従って、上記酸化性ガスの作用
と結晶粒の成長とがバランス良く行なわれるから、パラ
メーター（例えば、上記イオン化又は活性化のための放
電電力）による膜特性の変動が少なくなり、許容製膜条
件の設定範囲を広くとれ、容易に目的とする膜を形成す
ることができる１、１また、不活性ガスの存在によって
例えば蒸発源加熱用ヒーターのフィラメントの酸化され
る度合が減り、その寿命を延ばすことができ、他方酸化
性ガスの酸化能はそのイオン化又は活性化によっテ充分
発揮させることができる。更に、不活性ガスによって基
体の表面が清浄化される効果もあり、このために蒸着膜
の付着性（膜付き）も良好となる。
本発明による方法においては、上記酸化性ガスとして特
に酸素ガスを用い、上記不活性ガスとしては周期表０族
元素（Ａｒ、Ｋｒ、Ｘ＠、Ｎｅ、Ｈ＠等）からなる希ガ
ス又は反応性に乏しいガス（ＮｚＩＩＩ）を用いるのが
望ましい。また、上記蒸発物質としては種々選択できる
が、透明導電膜を得る上でインジウム、スズ及びこれら
の酸化物からなる群より選ばれた少なくとも一種を用い
るのがよい。
に酸素ガスを用い、上記不活性ガスとしては周期表０族
元素（Ａｒ、Ｋｒ、Ｘ＠、Ｎｅ、Ｈ＠等）からなる希ガ
ス又は反応性に乏しいガス（ＮｚＩＩＩ）を用いるのが
望ましい。また、上記蒸発物質としては種々選択できる
が、透明導電膜を得る上でインジウム、スズ及びこれら
の酸化物からなる群より選ばれた少なくとも一種を用い
るのがよい。
電管によって夫々イオン化又は活性化するのがよい。真
空槽としてのペルジャー内には、上記酸化性ガス及び不
活性ガスの各イオンー活性化ガス、及びこれらの双方が
同時に導入されてよい。このイオン化又は活性化された
両ガスの供給量はある範囲に設定することが望ましい。
空槽としてのペルジャー内には、上記酸化性ガス及び不
活性ガスの各イオンー活性化ガス、及びこれらの双方が
同時に導入されてよい。このイオン化又は活性化された
両ガスの供給量はある範囲に設定することが望ましい。
例えば、放電管の放電電力を５００Ｗａｔｔ以下とした
場合、酸化するのがよい。この範囲を外れて、酸化性ガ
スが多くなると酸化能が出すぎて膜抵抗が上昇しすぎ、
結晶性も悪くなり、また不活性ガスが多くなると酸化不
足による透明度の劣化がｌ生じ易くなると考えられる。
場合、酸化するのがよい。この範囲を外れて、酸化性ガ
スが多くなると酸化能が出すぎて膜抵抗が上昇しすぎ、
結晶性も悪くなり、また不活性ガスが多くなると酸化不
足による透明度の劣化がｌ生じ易くなると考えられる。
この放電パワーは高める程、酸化性ガス量をより少なく
できる。上記放電電力を特に２００Ｗａｔｔ付近とした
場合、本発明による方法は不活性がスを導入せずに酸素
ガスのみを導入する方法に対する優位性を顕著に有して
いる。即ち、２０ＯＷａｔｔ付近では、後者の方法では
その電力値の近傍で急激に酸化度が増えて膜抵抗が著し
く増加するが、本発明による方法では不活性ガスの影響
で酸化度が適度となってそれ程膜抵抗は上昇しない。し
かも、１００Ｗａｔｔ’付近で既に光透過率は充分高く
なり、従って抵抗値の変動が少ないこともあって所望の
条件設定を行ない易くなる。
できる。上記放電電力を特に２００Ｗａｔｔ付近とした
場合、本発明による方法は不活性がスを導入せずに酸素
ガスのみを導入する方法に対する優位性を顕著に有して
いる。即ち、２０ＯＷａｔｔ付近では、後者の方法では
その電力値の近傍で急激に酸化度が増えて膜抵抗が著し
く増加するが、本発明による方法では不活性ガスの影響
で酸化度が適度となってそれ程膜抵抗は上昇しない。し
かも、１００Ｗａｔｔ’付近で既に光透過率は充分高く
なり、従って抵抗値の変動が少ないこともあって所望の
条件設定を行ない易くなる。
以下、本発明による方法をより具体的に説明する。
＠１図は、本発明による方法を実施するための真空蒸着
装置の一例を示すものである。
装置の一例を示すものである。
この装置においては、蒸着槽としてのペルジャー１に対
し排気管８を介して真空ポンプ（図示せず）が接続され
、このポンプによりペルジャー１内が例えばｌ Ｘ Ｉ
Ｑ ”〜ｉ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ （Ｄ圧力に設定
される。ペルジャー１内には、基板としてガラス板３が
背面電極２と共に配され、ヒーター９で加熱されるよう
になっている。基板３は図面では平板状とし、実際には
製品の種類に応じてその形状や材質は種々選択できる。
し排気管８を介して真空ポンプ（図示せず）が接続され
、このポンプによりペルジャー１内が例えばｌ Ｘ Ｉ
Ｑ ”〜ｉ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ （Ｄ圧力に設定
される。ペルジャー１内には、基板としてガラス板３が
背面電極２と共に配され、ヒーター９で加熱されるよう
になっている。基板３は図面では平板状とし、実際には
製品の種類に応じてその形状や材質は種々選択できる。
この基板３には０〜−１０ＫＶ、１育しくけ−３〜−１
０ＫＶ（７）直流バイアス電圧、又は０〜５ ＫＶの交
流電圧Ｖｇが背面電極２によって印加される。これによ
って、ペルジャー１内のイオン化粒子を基板３側へ吸引
する。基板３の下方には、ボート９中に上記のインジウ
ム、スズ等の各蒸発源６が配置されている。
０ＫＶ（７）直流バイアス電圧、又は０〜５ ＫＶの交
流電圧Ｖｇが背面電極２によって印加される。これによ
って、ペルジャー１内のイオン化粒子を基板３側へ吸引
する。基板３の下方には、ボート９中に上記のインジウ
ム、スズ等の各蒸発源６が配置されている。
そして、これらの蒸発源の蒸発量又は堆積速度の制御の
ために、各蒸発源６に対向して膜厚検出装置４が設けら
れている。この検出装置４自体は公知の構造からなって
おり、蒸発する。物質の付着量に応じて振動数が変化す
る水晶板１０ｔ−筒体１１内に設け、その振動数を検知
部（図示せず）で検・出し、更にこの検出値に基いて蒸
発量を制御（例えば図示省略した抵抗加熱又は電子銃加
熱装置のヒータ一温度を制御）できるようにしたもので
ある。図中、５はシャッターである。ペルジャー１には
、上述した酸素とＡｒ等の不活性ガスとの混る導入管１
２が配役されている。
ために、各蒸発源６に対向して膜厚検出装置４が設けら
れている。この検出装置４自体は公知の構造からなって
おり、蒸発する。物質の付着量に応じて振動数が変化す
る水晶板１０ｔ−筒体１１内に設け、その振動数を検知
部（図示せず）で検・出し、更にこの検出値に基いて蒸
発量を制御（例えば図示省略した抵抗加熱又は電子銃加
熱装置のヒータ一温度を制御）できるようにしたもので
ある。図中、５はシャッターである。ペルジャー１には
、上述した酸素とＡｒ等の不活性ガスとの混る導入管１
２が配役されている。
なお、第１図の装置では、放電管７をペルジャー１外に
配したから、ペルジャー１内に配する場合に比べて、汚
染が非常に少なくなり、操作時のペルジャー内の熱やガ
スで放電管の電極や構成材料が損傷を受けることがない
。従って、放電管の材質の選択の自由度が大きくなり、
またその構造や配置も任意に行なうことができる。また
、放電管内の冷却用水冷パイプ（図示せず）の構造も設
計し易く、その冷却効率も良好となると共に、放電管自
体の交換作業もペルジャー外で容易に行なえる。但、活
性ガスを送り込むという点では、放電管７をペルジャー
１内に設けても差支えない。
配したから、ペルジャー１内に配する場合に比べて、汚
染が非常に少なくなり、操作時のペルジャー内の熱やガ
スで放電管の電極や構成材料が損傷を受けることがない
。従って、放電管の材質の選択の自由度が大きくなり、
またその構造や配置も任意に行なうことができる。また
、放電管内の冷却用水冷パイプ（図示せず）の構造も設
計し易く、その冷却効率も良好となると共に、放電管自
体の交換作業もペルジャー外で容易に行なえる。但、活
性ガスを送り込むという点では、放電管７をペルジャー
１内に設けても差支えない。
このような装置を用いた場合、放電装置なしに単に酸素
ガス中でのみ蒸発源６（例えば５重量襲の８ｎＯ雪を含
むＩ Ｔ Ｏ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｎｘｔｄ＠））
を電子銃加熱装置で蒸発させると、基板温度Ｔｓが２５
０〜３００℃では蒸着膜のシート抵抗が１００Ω／口〜
ＩＫΩ／口、光透過率が８５〜８０襲の導電膜の形成が
可能である しかし、Ｔｓを２００℃以下とすれば、１１２図の曲線
ム２で示すようにシート抵抗が５０００／Ｄから数１０
にΩ／口へと急激に上昇し、かつ曲線ム１で示すように
光透過率も８４襲〜３０襲へとかなり低下し、１００℃
では夫々５〜ＩＯＫΩ４．５０ｓと非常に悪くなってし
まう。しかしながら、上記と同条件下で本発明のように
酸素ガス（４０ｃｅ／ｍ１ｍとムｒ又はＫｒ等の不活性
ガス（２０ｅｃ／ｍｌｎ ）との混合ガスを放電現象に
よりイオン化又は活性化して導入した場合、Ｔｓの低下
によってもシート抵抗の増大や光透過率の低下が夫々５
００Ω１０から約ＩＫΩ／口へ、８５弧から７９噂へと
着しく制御され、＃Ｉ２図の曲線Ｂｚ（シート抵抗）及
びＢｌ（光透過率）を共に充分なものに保持できる。例
えば、ＲＦパワーが１３．５６Ｍ１（！、２００Ｗとし
たとき、Ｔｅ；ニー１００℃でもシート抵抗は５００Ω
／口〜２にΩ／口とし、光透過率を７０〜８０％に保持
できる。これは、導入ガスのイオン化又は活性化によっ
て、蒸発物質の酸化促進で光透過率が向上し、酸化の適
度な進行及び不活性ガスの作用でキャリア濃度が増加（
結晶性が向上）シて導電性が高く保持されたからである
と考えられる。
ガス中でのみ蒸発源６（例えば５重量襲の８ｎＯ雪を含
むＩ Ｔ Ｏ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｎｘｔｄ＠））
を電子銃加熱装置で蒸発させると、基板温度Ｔｓが２５
０〜３００℃では蒸着膜のシート抵抗が１００Ω／口〜
ＩＫΩ／口、光透過率が８５〜８０襲の導電膜の形成が
可能である しかし、Ｔｓを２００℃以下とすれば、１１２図の曲線
ム２で示すようにシート抵抗が５０００／Ｄから数１０
にΩ／口へと急激に上昇し、かつ曲線ム１で示すように
光透過率も８４襲〜３０襲へとかなり低下し、１００℃
では夫々５〜ＩＯＫΩ４．５０ｓと非常に悪くなってし
まう。しかしながら、上記と同条件下で本発明のように
酸素ガス（４０ｃｅ／ｍ１ｍとムｒ又はＫｒ等の不活性
ガス（２０ｅｃ／ｍｌｎ ）との混合ガスを放電現象に
よりイオン化又は活性化して導入した場合、Ｔｓの低下
によってもシート抵抗の増大や光透過率の低下が夫々５
００Ω１０から約ＩＫΩ／口へ、８５弧から７９噂へと
着しく制御され、＃Ｉ２図の曲線Ｂｚ（シート抵抗）及
びＢｌ（光透過率）を共に充分なものに保持できる。例
えば、ＲＦパワーが１３．５６Ｍ１（！、２００Ｗとし
たとき、Ｔｅ；ニー１００℃でもシート抵抗は５００Ω
／口〜２にΩ／口とし、光透過率を７０〜８０％に保持
できる。これは、導入ガスのイオン化又は活性化によっ
て、蒸発物質の酸化促進で光透過率が向上し、酸化の適
度な進行及び不活性ガスの作用でキャリア濃度が増加（
結晶性が向上）シて導電性が高く保持されたからである
と考えられる。
次に、Ｔｓ＝１５０℃において、放電装置（Ｒｒ：１３
．５６Ｍａｚ）に導入する電力を変化さ繍た場合、第３
図に示す結果が得られた。即ち酸素ガスのみを供給した
ときには、ある電力値で急激にシート抵抗が増大しく曲
線Ｃ２）、光透過率も約６０％から徐々に向上するだけ
であり、８０〜８４％でほぼ一定となる（曲線Ｃｓ）。
．５６Ｍａｚ）に導入する電力を変化さ繍た場合、第３
図に示す結果が得られた。即ち酸素ガスのみを供給した
ときには、ある電力値で急激にシート抵抗が増大しく曲
線Ｃ２）、光透過率も約６０％から徐々に向上するだけ
であり、８０〜８４％でほぼ一定となる（曲線Ｃｓ）。
これは明らかに、酸化の過度な進行によるキャリア濃度
の減少、結晶性不足による粒径の不充分さに依るものと
思われる。ところが、本発明の方法に従えば、曲＠Ｄ鵞
のようにシー十抵抗の増加の割合が非常に少なくなり、
かつ曲線Ｄ１のように光透過率は１００Ｗａｔｔ 付近
で既に充分高くなり、８４〜８５％でほぼ一定となる。
の減少、結晶性不足による粒径の不充分さに依るものと
思われる。ところが、本発明の方法に従えば、曲＠Ｄ鵞
のようにシー十抵抗の増加の割合が非常に少なくなり、
かつ曲線Ｄ１のように光透過率は１００Ｗａｔｔ 付近
で既に充分高くなり、８４〜８５％でほぼ一定となる。
このことは、所望のシート抵抗と光透過率とを有する蒸
着膜を得るためのパラメーター、例えば放電電力の設定
範囲を本発明の方法においては充分広くとれることを示
している。即ち、シート抵抗２にΩ／口、光透過率８０
％以上の膜を得ようとすれば、曲ｌｌ１ＩＣ１及びＣ２
の方法では電力最適領域は１５０〜２００Ｗと狭いのに
対し、曲ｌ１ＩＤ１及び口２の本発明の方法では１００
〜４５０Ｗと電力最適範囲を非常に広くとれ、生産性に
優れたものとなり、また得られた蒸着＠（ｘＴｏｌｊ）
の膜特性も良好である。
着膜を得るためのパラメーター、例えば放電電力の設定
範囲を本発明の方法においては充分広くとれることを示
している。即ち、シート抵抗２にΩ／口、光透過率８０
％以上の膜を得ようとすれば、曲ｌｌ１ＩＣ１及びＣ２
の方法では電力最適領域は１５０〜２００Ｗと狭いのに
対し、曲ｌ１ＩＤ１及び口２の本発明の方法では１００
〜４５０Ｗと電力最適範囲を非常に広くとれ、生産性に
優れたものとなり、また得られた蒸着＠（ｘＴｏｌｊ）
の膜特性も良好である。
次に、本発明の方法を適用した具体例を説明する。
（１）、インジウムを蒸発源とした場合法の条件で蒸着
を行なった。
を行なった。
加熱方式：抵抗加熱
背面電極電圧（Ｖｓ）ニーＩＫＶ
ＩＯ意波流量 ４０ ｃｃ／ｗｉｍ
ムｒ流量：２０＠ｅ／ｍｉｎ
蒸着速度： Ｉ Ｘ ／ ｓｅｅ
蒸着膜厚：３５０Ｘ
基板温度（Ｔｓ）：１５０℃
放電電力（ＲＦ）： ２００Ｗａｔｔ
得られた膜特性は、シート抵抗ＩＫΩ／口、光透過率８
３％であった。
３％であった。
（２）、スズを蒸発源とした場合
加熱方式：抵抗加熱
Ｖａ！−ＩＫＶ
Ｏ−流量：６０ｅｅ／ｗｉｍ
Ａｒ流量＝２０ｅｅ／ｍ１ｎ
蒸着速度： Ｉ Ａ ／ ｓｅｅ
蒸着膜厚：３００Ａ
’ｒｓ！１５０℃
放電電力（ＲＰ’）：４００Ｗａｔｔ
得られた膜特性は、シート抵抗２にΩ／口、光透過率８
５襲であった。
５襲であった。
（３）、インジウム及びスズを夫々蒸発源とした場合加
熱方式、Ｖｓ％ＴＩ＝上記と同じ ０２流量：５０ｅｅ／ｍ１ｍ Ａｒ流量：２０ｅｃ／ｗｉｎ 蒸着速度＝ Ｉｎ ＩＸ／ｓ＠ｅ ８ｎ０．１λ／ ｌ＠ｅ 蒸ｆｒ膜厚 ３５０〜４００Ａ 放電電力（ＤＣ）”３００Ｗａｔｔ 得られた膜特性は、シート抵抗８００Ω／口、光透過率
８４％であった。
熱方式、Ｖｓ％ＴＩ＝上記と同じ ０２流量：５０ｅｅ／ｍ１ｍ Ａｒ流量：２０ｅｃ／ｗｉｎ 蒸着速度＝ Ｉｎ ＩＸ／ｓ＠ｅ ８ｎ０．１λ／ ｌ＠ｅ 蒸ｆｒ膜厚 ３５０〜４００Ａ 放電電力（ＤＣ）”３００Ｗａｔｔ 得られた膜特性は、シート抵抗８００Ω／口、光透過率
８４％であった。
（４）、酸化インジウムと酸化スズとの混合物（ペレッ
ト）を蒸発源とした場合 加熱方式：電子銃加熱 Ｖｉ ニーＩＫＶ、Ｔｇ ：１５０℃ ０２流量： ４０ ｅｅ ／ ｍｉｔ＋Ａｒ流量＝２９
ｅｃ／ｍｉｎ 蒸着速度：２入／−・Ｃ 蒸着膜厚！３５０Ａ 放電電力（ＲＦ）：３００Ｗａｔｔ 率８３≦であった。
ト）を蒸発源とした場合 加熱方式：電子銃加熱 Ｖｉ ニーＩＫＶ、Ｔｇ ：１５０℃ ０２流量： ４０ ｅｅ ／ ｍｉｔ＋Ａｒ流量＝２９
ｅｃ／ｍｉｎ 蒸着速度：２入／−・Ｃ 蒸着膜厚！３５０Ａ 放電電力（ＲＦ）：３００Ｗａｔｔ 率８３≦であった。
以上１本発明を例示したが、上述した例は本発明の技術
的思想に基いて更に変形が可能であることが理解されよ
う。
的思想に基いて更に変形が可能であることが理解されよ
う。
図面は本発明を例示するものであって、ｌＩ１図は真空
蒸着装置の概略断面図、１１１２−は基板温度による蒸
着膜のシート抵抗及び光透過率の変化を比較して示すグ
ラフ、第３図は放電電力による蒸着膜のシート抵抗及び
光透過率の変化を示すグラフ である。 なお、図面に用いられている符号において、３・・・・
被蒸着基板 ６・・拳・蒸発源 ７・・・・放電管 ９ｅ・・・ヒーター である。 ′！Ｊ１図 基板１度Ｃ″Ｃ） 第３図 方父電電力（県４）
蒸着装置の概略断面図、１１１２−は基板温度による蒸
着膜のシート抵抗及び光透過率の変化を比較して示すグ
ラフ、第３図は放電電力による蒸着膜のシート抵抗及び
光透過率の変化を示すグラフ である。 なお、図面に用いられている符号において、３・・・・
被蒸着基板 ６・・拳・蒸発源 ７・・・・放電管 ９ｅ・・・ヒーター である。 ′！Ｊ１図 基板１度Ｃ″Ｃ） 第３図 方父電電力（県４）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、イオン化又は活性化された酸化性ガスと、イオン化
又は活性化された不活性ガスとの双方の存在下で蒸発物
質を加鵬、蒸発せしめ、基体上に蒸着させることを特徴
とする蒸着方法。 ２、酸化性ガスとして酸素ガスを使用し、不活性ガスと
して周期表０族元索からなる希ガス又は反応性に乏しい
ガスを特徴する特許請求の範囲の第１項に記載した方法
。 ３、蒸発物質としてインジウム、スズ及びこれらの酸化
物からなる群より選ばれた少なくとも一種を用い、基体
上に透明導電膜を特徴する特許鯖夫々イオン化又は活性
化する、特許請求の範囲の第１項〜第５項項のいずれか
１項に記載した方法。 ５３ 放電電力を５００１Ｆａｔｔ以下としたとき、
酸化性ガスと不活性ガスとを酸化性ガス：不活性ガス＝
２：１〜３：１の流量比で供給する、特許請求の範囲の
ＩＩ４項に記載した方法。 ６、蒸着時の基体の温度を２００℃以下とする、特許請
求の範囲の第１項〜第５項のいずれか１項に記載した方
法。 ７、基体にθ〜−１０ＫＶの直流電圧又は０〜５ＫＶの
交流電圧を特徴する特許請求の範囲の第１項〜第６項の
いずれか１項に記載した方法８、蒸発物質および基体を
収容した真空槽の外部に放電装置を特徴する特許請求の
範囲の第４項〜第７項のいずれか１項に記載した方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21316381A JPS58113373A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | 蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21316381A JPS58113373A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | 蒸着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58113373A true JPS58113373A (ja) | 1983-07-06 |
Family
ID=16634602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21316381A Pending JPS58113373A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | 蒸着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58113373A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63454A (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-05 | Konica Corp | 透明導電性フイルムの製造方法 |
| JPH0222457A (ja) * | 1988-07-11 | 1990-01-25 | Shinko Seiki Co Ltd | Ｉｔｏ透明導電薄膜の成膜装置 |
| JP2003520296A (ja) * | 1999-12-30 | 2003-07-02 | ジェンヴァック エアロスペース コーポレーション | 透明インジウム錫酸化物の電子ビーム蒸着方法 |
-
1981
- 1981-12-28 JP JP21316381A patent/JPS58113373A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63454A (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-05 | Konica Corp | 透明導電性フイルムの製造方法 |
| JPH0222457A (ja) * | 1988-07-11 | 1990-01-25 | Shinko Seiki Co Ltd | Ｉｔｏ透明導電薄膜の成膜装置 |
| JP2003520296A (ja) * | 1999-12-30 | 2003-07-02 | ジェンヴァック エアロスペース コーポレーション | 透明インジウム錫酸化物の電子ビーム蒸着方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4931158A (en) | Deposition of films onto large area substrates using modified reactive magnetron sputtering | |
| US4170662A (en) | Plasma plating | |
| JPH0475314B2 (ja) | ||
| WO2004055233A1 (ja) | 透明導電膜及びその成膜方法 | |
| KR100336621B1 (ko) | 고분자 기판 위의 인듐산화물 또는 인듐주석산화물 박막증착 방법 | |
| WO2004065656A1 (ja) | Ｉｔｏ薄膜、その成膜方法、透明導電性フィルム及びタッチパネル | |
| US4428810A (en) | Method and apparatus for depositing conducting oxide on a substrate | |
| CN103436849A (zh) | 一种氧化物薄膜的溅射方法 | |
| CN100432284C (zh) | 电子束蒸发低温制备锡掺杂氧化铟ito薄膜的方法 | |
| JPS58113373A (ja) | 蒸着方法 | |
| Karim et al. | Deposition of tin-doped indium oxide films by a modified reactive magnetron sputtering process | |
| JP2000273617A (ja) | 透明導電膜の製造方法 | |
| CN107805787B (zh) | 一种脉冲直流溅射波形调控半导体薄膜成分的方法 | |
| JP2945968B2 (ja) | 透明導電性薄膜の形成方法 | |
| JPS6224505A (ja) | 光透過性導電膜の形成方法 | |
| JP5243459B2 (ja) | 透明導電膜の形成方法 | |
| KR930005825B1 (ko) | 고분자 투명도전성 필름제조방법 | |
| JPS61292817A (ja) | 透明電導性金属酸化物膜の形成方法 | |
| JPS6021223B2 (ja) | 透明電導性プラスチツクの製造方法 | |
| JPH0273963A (ja) | 低温基体への薄膜形成方法 | |
| JPH03183760A (ja) | 酸化物透明導電膜の製造方法 | |
| EP1367653A1 (en) | Method for preparing transparent and conducting sheets on polymers | |
| JP2000226653A (ja) | 酸化マンガン薄膜の製造方法、及び該酸化マンガン薄膜を用いたリチウム電池 | |
| JPS63243261A (ja) | 低抵抗透明導電膜の製造方法 | |
| JPH0542763B2 (ja) |