CN111655898A - 用于蒸发源材料的蒸发器、材料沉积源、沉积装置及其方法 - Google Patents
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Abstract
本发明描述了一种用于蒸发源材料(105)的蒸发器(100)。蒸发器包括坩埚(110)和第一加热器(121),所述坩埚具有用于接收源材料(105)的内部容积(101),所述第一加热器用于加热源材料(105)。在坩埚(110)的顶壁(111)处提供第一加热器(121)。此外,描述了一种蒸发源材料的方法。所述方法包括提供坩埚(110),所述坩埚具有用于接收源材料的内部容积(101);和通过使用在坩埚(110)的顶壁(111)处提供的第一加热器(121)加热源材料来蒸发源材料。
Description
技术领域
本公开内容的实施方式涉及用于在基板上、特别是在柔性基板上沉积一或多个层的沉积装置。特别地,本公开内容的实施方式涉及例如对于薄膜太阳能电池生产、柔性显示器生产或薄膜电池生产的,用于利用一或多个层涂布基板的装置和方法。更特别地,本公开内容的实施方式涉及用于在卷对卷(roll-to-roll;R2R)工艺中涂布柔性基板的装置和方法。具体而言,本公开内容的实施方式涉及在用于蒸发将沉积在基板上的材料的所述沉积装置中使用的蒸发器。
背景技术
柔性基板的处理、诸如塑料膜或塑料箔的处理在包装行业、半导体行业和其他行业中有高度需求。处理可由如下步骤组成:用诸如金属、半导体和电介质材料之类的材料涂布柔性基板,蚀刻和用于相应应用的在基板上进行的其他处理动作。执行此任务的系统通常包括涂布鼓、例如是圆柱形辊子,所述涂布鼓耦接至具有用于运输基板的辊子组件的处理系统,并且在所述涂布鼓上涂布基板的至少一部分。
例如,诸如化学气相沉积(CVD)工艺或物理气相沉积(PVD)工艺的涂布工艺、特别是溅射工艺可用于沉积薄层至柔性基板上。卷对卷沉积装置应理解为,从存储卷轴上解开了相当长度的柔性基板,诸如一公里或更长的柔性基板,并用一叠薄层涂布,然后在卷绕卷轴上重绕。特别地,对柔性触控面板元件、柔性显示器,和柔性光伏模块的增加的需求产生了用于在R2R涂布机中沉积适当层的不断增加的需求。因此,存在对于改进的薄膜涂布装置和方法以供各种应用的的持续需求。特别地,要沉积的材料的蒸发在为各种要蒸发的材料提供最佳蒸发条件方面仍然带来一些挑战。
鉴于上文,提供一种蒸发器、沉积源、沉积装置和方法,所述蒸发器、沉积源、沉积装置和方法与传统蒸发器、沉积源、沉积装置和方法相比有所改进。
发明内容
鉴于上文,提供了如独立权利要求所述的用于蒸发源材料的蒸发器、用于在基板上沉积材料的材料沉积源、用于沉积材料至基板上的沉积装置、蒸发源材料的方法,和在基板上沉积蒸发材料的方法。另外的方面、优点和特征是从从属权利要求书、实施方式和附图中显而易见。
根据本公开内容的一方面,提供一种用于蒸发源材料的蒸发器。蒸发器包括坩埚,所述坩埚具有用于接收源材料的内部容积。此外,蒸发器包括用于加热源材料的第一加热器。在坩埚的顶壁处提供第一加热器。
根据本公开内容的另一方面,提供一种用于在基板上沉积材料的材料沉积源。根据本文所述的实施方式,材料沉积源包括用于蒸发源材料的蒸发器。此外,材料沉积源包括连接至蒸发器的分配组件。分配组件被配置用于将蒸发的源材料引导至基板。
根据本公开内容的另一方面,提供一种用于将材料沉积至基板上的沉积装置。根据本文所述的实施方式,沉积装置包括真空沉积腔室和材料沉积源,所述材料沉积源具有连接至蒸发器的分配组件。材料沉积源的至少分配组件布置在真空沉积腔室内。
根据本公开内容的另一方面,提供一种蒸发源材料的方法。所述方法包括提供包括坩埚的蒸发器,所述坩埚具有用于接收源材料的内部容积。此外,所述方法包括通过使用在坩埚的顶壁处提供的第一加热器加热源材料来蒸发源材料。
根据本公开内容的又一方面,提供一种在基板上沉积蒸发材料的方法。根据本文所述的实施方式,方法包括进行蒸发源材料的方法。此外,方法包括将蒸发的源材料从坩埚引导至具有多个出口的分配组件,并且通过多个出口将蒸发的源材料引导至基板。
实施方式还针对用于执行所公开方法的装置,并且包括用于执行每一所述方法方面的装置部件。这些方法方面可通过硬件部件,通过适当软件编程的计算机,通过所述两者的任一组合或以任何其他方式执行。此外,根据本公开内容的实施方式还针对用于操作所述装置的方法。用于操作所述装置的方法包括用于执行装置的每一功能的方法方面。
附图说明
以上简要概述本公开内容的上述详述特征可以被详细理解的方式、以及对公开内容的更特定描述,可通过参照实施方式来获得。附图涉及本公开内容的实施方式并且在下文中描述:
图1示出根据本文所述的实施方式的用于蒸发源材料的蒸发器的示意图;
图2和图3示出根据本文所述的进一步实施方式的用于蒸发源材料的蒸发器的示意图;
图4示出根据本文所述的实施方式的用于蒸发源材料的蒸发器的示意图;根据本文所述的实施方式,所述蒸发器包括用于将蒸发器连接至分配组件的连接管。
图5和图6示出根据本文所述的进一步实施方式的用于蒸发源材料的蒸发器的示意图;
图7示出根据本文所述的实施方式的用于在基板上沉积材料的材料沉积源的示意图;
图8示出根据本文所述的实施方式的用于将材料沉积至基板上的沉积装置的示意图;
图9示出用于图解根据本文所述的实施方式的蒸发源材料的方法的流程图;和
图10示出用于图解根据本文所述的实施方式的在基板上沉积蒸发材料的方法的流程图。
具体实施方式
现将详细参考本公开内容的各种实施方式,所述实施方式的一或多个实例在附图中示出。在附图的以下说明中,相同的附图标号指代相同的部件。仅描述了关于单个实施方式的差异。每一实例是作为对本公开内容的说明的方式来提供并且不意味着作为对本公开内容的限制。此外,作为一个实施方式的一部分说明或描述的特征可用于其他实施方式或与其他实施方式结合使用,以产生更进一步实施方式。所述描述旨在包括此类修改和变化。
示例性参看图1,描述了根据本公开内容的用于蒸发源材料105的蒸发器100。根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式,蒸发器100包括坩埚110,所述坩埚具有用于接收源材料105的内部容积101。通常,内壁101对应于限制在坩埚的顶壁111、侧壁112和底壁之内的空间。特别地,如图1中所示,顶壁111与底壁113相对。换句话说,顶壁111通常面向底壁113。侧壁112将底壁与顶壁连接。因此,如图1中示例性示出,源材料105通常与底壁113和侧壁112的至少一部分接触,特别地,与侧壁的下部接触。此外,蒸发器100包括用于加热源材料105的第一加热器121。如图1中示例性示出,在坩埚110的顶壁111处提供第一加热器121。特别地,第一加热器121可提供在开口115周围,所述开口为来自内部容积101的蒸发材料提供通道。例如,第一加热器121可提供在坩埚110的顶壁111的外表面上。尽管未明确示出,但是第一加热器121可替代地提供在坩埚110的顶壁111中。
因此,与传统蒸发器相比,如本文所述的蒸发器的实施方式得到了改进。特别地,如本文所述的蒸发器的实施方式具有以下优点:为了蒸发源材料,仅源材料的一部分被加热至源材料的蒸发或升华温度。更具体地,如本文所述的装置的实施方式提供了将热量施加在源材料的固态/气态界面处的可能性。在附图中,源材料105的固态/气态界面示例性地由箭头源自其的虚线所指示。源自所述虚线的箭头表示蒸发的源材料。
因此,有利地,在操作期间,仅在坩埚中提供的全部量的源材料的上部被加热,这对于避免敏感(sensitive)源材料的降解是有益的。此外,实质上仅对源材料的固态/气态界面提供热量具有以下效果:蒸发源材料所需的能量更少。因此,有利地,与传统蒸发器相比,如本文所述的蒸发器的实施方式更加有效且可以更低的成本操作。此外,从顶部加热源材料对于控制蒸发速率可能是有利的。
在更详细地描述本公开内容的各种进一步实施方式之前,解释了关于本文中使用的某些术语的一些方面。
在本公开内容中,“用于蒸发源材料的蒸发器”可被理解为一种被配置用于通过利用加热器加热源材料来蒸发源材料的蒸发器。例如,“源材料”可以是具有在约100℃与约600℃之间的蒸发温度的材料。特别地,“源材料”可以是有机材料,例如用于有机发光二极管(organic light emitting diode;OLED)生产的有机材料。
在本公开内容中,“坩埚”可理解为具有用于将通过加热坩埚而被蒸发的材料的容器的装置。因此,“坩埚”可理解为一种源材料容器,所述容器可被加热以通过源材料的蒸发和升华中的至少一种将源材料蒸发成气体。容器可具有用于接收待蒸发的源材料的内部容积,源材料,例如有机材料。例如,坩埚的内部容积可在100cm3与3000cm3之间,特别地在700cm3和1700cm3之间,更特别地为1200cm3。通常,坩埚的内部容积是由高度H、宽度(W)和长度(L)的乘积提供,如图5中示例性地示出。
在本公开内容中,“用于加热源材料的加热器”可理解为一种加热单元或加热设备,所述加热单元或加热设备被配置以加热源材料,特别地将源材料蒸发成气态源材料。在通过如本文所述的加热器加热源材料之后,坩埚的内部容积中提供的源材料被加热直至源材料蒸发的温度。例如,将蒸发的材料最初可能是粉末的形式。粉末形式的源材料通常是导热差的材料。结果,通常要花费长时间来完全加热源材料的整个容积,并且系统对于任何施加的温度变化(即,用于调整蒸发速率的温度变化)响应很慢。通过提供如本文描述的蒸发器,即,具有在坩埚的顶壁处提供的第一加热器,对温度变化的响应时间可降低。
如图1中示例性示出,根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式,坩埚110的顶壁111包括开口115,所述开口为来自坩埚的内部容积101的蒸发材料提供通道。尽管未明确示出,根据另一实现方式,为来自坩埚的内部容积的蒸发材料提供通道的开口可在坩埚110的侧壁112中提供,特别地在坩埚侧壁的上部中提供。
示例性参看图2,根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式,蒸发器100进一步包括在坩埚110的侧壁112处提供的第二加热器122。
例如,第二加热器122可提供在坩埚110的侧壁112的外表面上。尽管未明确示出,但是第二加热器122可替代地在坩埚110的侧壁112中提供。特别地,第二加热器122可通过在相对侧壁处提供的两个单独的第二加热器提供,如在图2中示例性示出。尽管未明确示出,应将理解,第二加热器可通过四个单独的第二加热器提供,每一第二加热器可提供在坩埚的四个侧壁中的一个侧壁处。图5示出具有四个侧壁的坩埚的等距示意图,所述四个侧壁将坩埚的底壁113与顶壁111连接。因此,一或多个第二加热器,特别是两个或四个第二加热器,可提供在坩埚的侧壁的相应外表面上。或者,一或多个第二加热器,特别是两个或四个第二加热器,可提供在坩埚的相应侧壁中。因此,提供如本文所述的一或多个第二加热器可有益于产生源材料的均匀蒸发。
示例性参看图3,根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式,蒸发器100进一步包括在坩埚110的底壁113处提供的第三加热器123。例如,第三加热器123可提供在坩埚110的底壁113的外表面上。尽管未明确示出,但是第三加热器123可替代地在坩埚110的底壁113中提供。提供如本文所述的第三加热器可有益于改进源材料的蒸发。例如,通过第三加热器预加热源材料可能是有益的,以使得可以降低由第一加热器施加的用于蒸发源材料的热能。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式,蒸发器100进一步包括连接管130,如在图4中示例性示出。特别地,连接管的第一端131可具有第一定向并且连接至坩埚的开口115。此外,连接管130的第二端132通常具有第二定向,所述第二定向与第一定向不同。换句话说,连接管130可包括弯头(bending)133。例如,连接管130的第一端131的第一定向可具有垂直±20°,特别地垂直±5°。例如,连接管130的第二端132的第二定向可具有水平±20°,特别地水平±5°。在图4中,垂直方向是通过箭头V指示,并且水平方向是通过箭头H指示。
因此,应将理解,连接管130被配置用于将蒸发材料从坩埚引导至分配组件210,如参考图7更详细地描述。在本公开内容中,“连接管”可被理解为被配置用于在如本文所述的坩埚和分配组件之间提供流体连通的管或软管。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式,坩埚的内部容积101具有高度H、宽度W和长度L,长度L大于高度H,如在图5中示例性示出。特别地,内部容积的高度H与内部容积的长度的比率H/L是0.8或更低、特别地0.7或更低,更特别地0.6或更低。提供H/L≤0.8的比率,可以增加在顶壁111处暴露于由第一加热器121提供的热量的源材料的表面。因此,源材料的固态/气态界面可增加,这样可有益于改善蒸发条件。
因此,坩埚可以是细长的坩埚,所述坩埚被配置用于提供设置在坩埚中的源材料的较大的顶表面。如参考图3示例性地描述,蒸发器可包括三个单独的加热器,以允许独立加热来自顶部、侧部和底部的源材料。特别地,通过提供顶部加热器,即如本文所述的第一加热器,源材料的顶部表面积可被直接加热具有以下优点,即源材料的整个容积不必具有用于发生蒸发的相同温度。因为,如本文所述的蒸发器的实施方式提供了较好的蒸发工艺控制,因为可以实现对所施加温度变化的更快的响应时间。此外,应注意,通过使用对于坩埚的顶部、侧部和底部的独立的加热器,大部分源材料可保持在比顶表面更低的温度下,这有益于减慢材料降解的速率。
示例性参看图6,根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式,蒸发器100进一步包括控制器160。控制器160被配置用于向第一加热器121提供第一控制信号S1。此外,控制器160可被配置用于向第二加热器122提供第二控制信号S2。例如,第二控制信号S2可与第一控制信号S1不同。特别地,第一控制信号S1通常控制第一加热器121的加热并且第二控制信号S2控制第二加热器122的加热。更具体地,第一控制信号S1可触发以加热第一加热器121至第一温度,且第二控制信号S2可触发以加热第二加热器122至第二温度。典型地,第一温度与第二温度不同。特别地,第一温度可高于第二温度。因此,通过提供具有如本文所述的控制器的蒸发器,提供一种可利用其根据所使用的源材料控制和调整蒸发源材料的蒸发器。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式,控制器160可被配置用于向第三加热器123提供第三控制信号S3。例如,第三控制信号S3可与第一控制信号S1和/或第二控制信号S2不同。
特别地,第三控制信号S3通常控制第三加热器123的加热。更具体地,第三控制信号S3可触发以加热第三加热器123至第三温度。通常,第一温度与第一温度和/或第二温度不同。例如,第三温度可低于第一温度和/或第二温度。例如,通过如本文所述的控制器控制第三加热器123的加热可有益于提供源材料的预加热。源材料的预加热可有益于最佳化蒸发条件,特别地有利于敏感源材料。例如,预加热源材料可有益于降低由第一加热器施加的用于源材料的蒸发的热能。
示例性参看图7,描述了根据本公开内容的用于在基板201上沉积材料的材料沉积源200。根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式,材料沉积源200包括根据本文所述的实施方式的用于蒸发源材料105的蒸发器100。此外,材料沉积源200包括连接至蒸发器100的分配组件210。例如,分配组件210可经由如本文所述的连接管130连接至蒸发器100。通常,分配组件210被配置用于将蒸发的源材料引导至基板201。
在本公开内容中,“材料沉积源”可理解为被配置用于提供将沉积在基板上的材料源的装置或组件。特别地,“材料沉积源”可理解为具有蒸发器的装置或组件,所述蒸发器包括被配置以蒸发将沉积的材料的坩埚。此外,本公开内容的“材料沉积源”通常包括“分配组件”,所述“分配组件”被配置用于引导气态蒸发的源材料至将涂布的基板。
在本公开内容中,“分配组件”可理解为被配置用于将蒸发材料从分配组件提供至基板的组件,所述蒸发材料特别是蒸发材料的羽流。例如,分配组件可包括可以是细长立方体的分配管。例如,如本文所述的分配管可提供具有多个出口205的线性源。通常,多个出口205布置成沿着分配组件的长度,如在图7中示例性示出。
因此,分配组件可以是例如具有多个开口(或细长狭缝)安置在其中的线性分配喷头。如本文所理解的喷头可具有外壳、中空空间或管,其中蒸发材料可例如从蒸发坩埚被提供或引导至基板。根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式,分配管的长度可至少对应于将涂布的基板的宽度。特别地,分配管的长度可长于将涂布的基板的宽度,至少长10%或甚至20%。例如,分配管的长度可以是1.3m或超过1.3m,例如2.5m或超过2.5m。因此,可提供在基板的边缘处的均匀沉积。根据替代配置,分配组件可包括可沿着水平方向布置的一或多个点源。
例如,分配组件可被配置以提供线性源,例如基本上在如图7中所示的水平方向H上延伸的线性源,如在图7中示出。在本公开内容中,术语“基本上在水平方向上”将被理解为允许与水平方向偏差10°,特别地5°或低于5°。
因此,如在图7中由虚线箭头示例性指示,关于如本文所述的材料沉积源200的实施方式被配置用于将蒸发的源材料从蒸发器100通过分配组件引导至基板201。如图7中示出,蒸发的源材料通过分配组件的多个出口205离开分配组件。例如,分配组件的一或多个出口、例如是分配管的一或多个出口可以是沿着分配组件的纵轴布置的喷嘴。例如,分配组件的纵轴可以是基本上水平的,如图7中示例性示出。
在本公开内容中,术语“基板”可包括诸如网或箔的柔性基板。然而,本公开内容不限于此,并且术语“基板”也可包括实质上非柔性基板,例如晶片、透明晶体的切片,或玻璃板,透明晶体诸如蓝宝石或类似物。术语“实质上非柔性”被理解为与“柔性”相区别。具体而言,实质上非柔性基板可具有某些程度的柔性,例如,厚度为0.5mm或低于0.5mm的玻璃板,其中实质上非柔性基板的柔性与柔性基板相比较小。
根据本文所述的实施方式,基板可由适用于材料沉积的任何材料制成。例如,基板可由选自以下材料组成的群组的材料制成:玻璃(例如碱石灰玻璃、硼硅酸盐玻璃等)、金属、聚合物、陶瓷、化合物材料、碳纤维材料或者可由沉积工艺涂布的任何其他材料或材料组合。特别地,“柔性基板”可理解为可弯曲的基板。特别地,如本文中所提及的柔性基板可理解为适合于在蒸发装置中、特别是在反应性蒸发装置中被涂布的基板。例如,柔性基板可以是预涂布纸,可生物降解的薄膜(诸如PLA),或者箔或网,例如,由以下材料制成或含有以下材料的箔或网:塑料和聚合物(诸如聚丙烯,PET基板,由OPP、BOPP、CPP、PE、LDPE、HDPE、OPA、PET制成的或含有OPP、BOPP、CPP、PE、LDPE、HDPE、OPA、PET的基板)。
示例性参看图8,描述了根据本公开内容的用于将材料沉积至基板201上的沉积装置300。根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式,沉积装置300包括根据本文所述的实施方式的真空沉积腔室310和材料沉积源200。因此,如图8中示例性示出,材料沉积源200的至少分配组件210布置在真空沉积腔室310内。经由连接管130连接至分配组件210的蒸发器100可布置在真空沉积腔室310的外部。
在本公开内容中,“真空沉积腔室”可理解为被配置用于真空沉积的腔室。在技术真空的意义上,如本文所使用的术语“真空”可理解为具有小于例如10mbar的真空压力。典型地,在如本文所述的真空腔室中的压力可在约10-5mbar和与10-8之间,更典型地在10- 5mbar和10-7mbar之间,且甚至更典型地在约10-6mbar和约10-7mbar之间。根据一些实施方式,真空腔室中的压力可被视为在真空腔室内的蒸发材料的部分压力或总压力(当仅蒸发材料作为将沉积在真空腔室中的组分存在时,所述两种压力可大致相同)。在一些实施方式中,真空腔室中的总压力可在约10-4mbar至约10-7mbar的范围中,尤其在除了蒸发材料之外的第二组分存在于真空腔室中的情况下(诸如气体或类似物)。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式,沉积装置300可以是卷对卷沉积装置,如在图8中示例性示出。因此,基板可以是柔性基板。此外,沉积装置可具有被配置用于运输柔性基板的至少一个辊子。特别地,沉积装置300可包括第一卷筒腔室311、布置在第一卷筒腔室311下游的真空沉积腔室310,和布置在真空沉积腔室310下游的第二卷筒腔室312。第一卷筒腔室311通常容纳其上卷绕有柔性基板的存储卷筒313,并且第二卷筒腔室312通常容纳用于在沉积之后将经涂布的柔性基板卷绕于其上的卷绕卷筒314。此外,可提供包括多个辊子的辊子组件315用于沿着基板运输路径从存储卷筒313运输基板通过真空沉积腔室310至卷绕卷筒314。
如本文使用的术语“在……下游”可指代各个腔室或各个部件相对于沿着基板输送路径的另一腔室或部件的位置。例如,在操作期间,基板经由辊子组件315沿着基板输送路径从第一卷筒腔室311引导通过真空沉积腔室310且随后引导至第二卷筒腔室312。因此,真空沉积腔室310布置在第一卷筒腔室311的下游,并且第二卷筒腔室312布置在真空沉积腔室310的下游。
尽管未明确示出,应将理解,根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式,可提供一或多个另外的真空沉积腔室。例如,可在第一卷筒腔室311和真空沉积腔室310之间提供一或多个另外的真空沉积腔室。另外地或替代地,可在真空沉积腔室312和第二卷筒腔室312之间提供一或多个另外的真空沉积腔室。
示例性参看图9中所示的流程图,描述了根据本公开内容的蒸发源材料的方法400。方法400包括提供(方块410)包括坩埚110的蒸发器100,所述坩埚具有用于接收源材料的内部容积101。特别地,蒸发器100是根据本文所述的实施方式的蒸发器。此外,方法400包括通过使用在坩埚110的顶壁111处提供的第一加热器121加热源材料来蒸发(方块420)源材料。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式,蒸发源材料的方法400包括使用如本文所述的第二加热器122和/或第三加热器123加热源材料。特别地,蒸发源材料的方法400可包括通过使用控制器160控制第一加热器121和/或第二加热器122和/或第三加热器123的加热,如例如参考图6所描述。
示例性参看图10中所示的流程图,描述了根据本公开内容的在基板上沉积蒸发材料的方法500。根据本文所述的实施方式,方法500包括进行(方块510)蒸发源材料的方法400。另外,方法包括500将蒸发的源材料从坩埚引导(方块520)至具有多个出口的分配组件中。此外,方法500包括通过多个出口将蒸发的源材料引导(方块530)至基板。
鉴于本文所述的实施方式,应将理解,相对于现有技术,改进了蒸发器的实施方式、沉积源的实施方式、装置的实施方式和方法的实施方式。特别地,本公开内容的实施方式具有以下优点:源材料的蒸发可被控制和调整以使得可根据所使用的源材料来最佳化源材料的蒸发。更具体地,本公开内容的实施方式有益地提供避免敏感源材料的降解的可能性,因为源材料的加热可选择性地应用于源材料的固态/气态界面。因此,有利地,与现有技术相比,本公开内容的实施方式更加有效且可以更低的成本操作。
虽然前述内容针对实施方式,但是在不背离基本范围的情况下可设计其他和进一步实施方式,并且所述范围是由随附的权利要求书确定。
Claims (15)
1.一种用于蒸发源材料(105)的蒸发器,包括:
-坩埚(110),具有用于接收所述源材料(105)的内部容积(101);和
-第一加热器(121),用于加热所述源材料(105),所述第一加热器(121)被提供在所述坩埚(110)的顶壁(111)处。
2.如权利要求1所述的蒸发器(100),进一步包括第二加热器(122),所述第二加热器被提供在所述坩埚(110)的侧壁(112)处。
3.如权利要求1或2所述的蒸发器(100),进一步包括第三加热器(123),所述第三加热器被提供在所述坩埚(110)的底壁(113)处。
4.如权利要求1至3中任一项所述的蒸发器(100),所述顶壁(111)包括开口(115),所述开口为来自所述内部容积(101)的蒸发材料提供通道。
5.如权利要求4所述的蒸发器(100),进一步包括连接管(130),其中所述连接管的第一端(131)具有第一定向且连接至所述开口(115),且其中所述连接管(130)的第二端(132)具有与所述第一定向不同的第二定向。
6.如权利要求5所述的蒸发器(100),所述第一定向是垂直±20°,特别地垂直±5°;并且所述第二定向是水平±20°,特别地水平±5°。
7.如权利要求1至6中任一项所述的蒸发器(100),所述内部容积(101)具有高度(H)、宽度(W)和长度(L),所述长度(L)大于所述高度(H)。
8.如权利要求7所述的蒸发器(100),其中高度与长度的比率(H/L)是0.8或更低,特别地0.7或更低。
9.如权利要求2至8中任一项所述的蒸发器(100),进一步包括控制器(160),所述控制器被配置用于提供第一控制信号(S1)至所述第一加热器(121)并且用于提供第二控制信号(S2)至所述第二加热器(122),所述第二控制信号(S2)与所述第一控制信号(S1)不同。
10.如权利要求3至8和9中任一项所述的蒸发器(100),所述控制器被配置用于提供第三控制信号(S3)至所述第三加热器(123),所述第三控制信号(S3)与所述第一控制信号(S1)不同。
11.一种用于在基板(201)上沉积材料的材料沉积源(200),包括:
-如权利要求1至10中任一项所述的用于蒸发源材料(105)的蒸发器(100);和
-分配组件(210),连接至所述蒸发器(100),所述分配组件(210)被配置用于引导蒸发的源材料至所述基板。
12.一种用于沉积材料至基板(201)上的沉积装置(300),包括:
-真空沉积腔室(310);和
-如权利要求11所述的材料沉积源(200),其中至少所述分配组件(210)布置在所述真空沉积腔室(310)内。
13.如权利要求12所述的沉积装置(300),其中所述沉积装置是卷对卷沉积装置,并且其中所述基板是柔性基板,所述沉积装置具有用于运输所述柔性基板的至少一个辊子。
14.一种蒸发源材料的方法(400),所述方法包括:
-提供包括坩埚(110)的蒸发器(100),所述坩埚具有用于接收所述源材料的内部容积(101);和
-通过使用在所述坩埚(110)的顶壁(111)处提供的第一加热器(121)加热所述源材料来蒸发所述源材料。
15.一种在基板上沉积蒸发材料的方法(500),所述方法包括:
-进行如权利要求14所述的蒸发源材料的方法(400);
-将蒸发的源材料从所述坩埚引导至具有多个出口的分配组件中,和
-通过所述多个出口将所述蒸发的源材料引导至所述基板。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112626465A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-04-09 | 尚越光电科技股份有限公司 | 一种cigs共蒸法的硒源外置式结构 |
WO2022175704A1 (en) * | 2021-02-16 | 2022-08-25 | Applied Materials, Inc. | Crucible, evaporation source, evaporation method, evaporation system, and method of manufacturing a device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220124148A (ko) * | 2020-01-07 | 2022-09-13 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 증발 방법, 증발 장치, 및 증발 소스 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1495284A (zh) * | 2002-09-03 | 2004-05-12 | 三星日本电气移动显示株式会社 | 有机薄膜形成设备用加热坩埚 |
KR100758694B1 (ko) * | 2006-05-24 | 2007-09-13 | 세메스 주식회사 | 유기발광소자 박막 제작을 위한 선형증발원 |
KR100862340B1 (ko) * | 2007-08-16 | 2008-10-13 | 세메스 주식회사 | 유기 발광 소자 박막 제작을 위한 선형 증발원 |
CN102268642A (zh) * | 2011-07-22 | 2011-12-07 | 上海奕瑞光电子科技有限公司 | 电阻加热式蒸发源 |
KR20160035364A (ko) * | 2014-09-23 | 2016-03-31 | 주식회사 선익시스템 | 증발원 및 이를 포함하는 증착장치 |
KR101622912B1 (ko) * | 2014-12-18 | 2016-05-23 | 주식회사 선익시스템 | 도가니의 위치조절을 통해 물질의 열 충격을 최소화한 박막 증착장치 |
CN105603365A (zh) * | 2016-01-29 | 2016-05-25 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 真空蒸镀加热装置 |
CN106244995A (zh) * | 2016-09-21 | 2016-12-21 | 铜陵市铜创电子科技有限公司 | 一种设有新型蒸镀坩埚的金属化薄膜真空镀膜装置 |
CN106319453A (zh) * | 2016-09-30 | 2017-01-11 | 铜陵市超越电子有限公司 | 一种真空镀膜机的送丝机构 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04236769A (ja) * | 1991-01-17 | 1992-08-25 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置 |
JP2010159448A (ja) * | 2009-01-07 | 2010-07-22 | Canon Inc | 成膜装置及び成膜方法 |
CN104762601A (zh) * | 2015-04-30 | 2015-07-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种蒸发源、蒸镀装置、蒸镀方法 |
US10982319B2 (en) * | 2015-08-21 | 2021-04-20 | Flisom Ag | Homogeneous linear evaporation source |
-
2018
- 2018-01-23 EP EP18701455.0A patent/EP3743539A1/en active Pending
- 2018-01-23 CN CN201880087606.XA patent/CN111655898A/zh active Pending
- 2018-01-23 WO PCT/EP2018/051540 patent/WO2019145014A1/en unknown
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1495284A (zh) * | 2002-09-03 | 2004-05-12 | 三星日本电气移动显示株式会社 | 有机薄膜形成设备用加热坩埚 |
KR100758694B1 (ko) * | 2006-05-24 | 2007-09-13 | 세메스 주식회사 | 유기발광소자 박막 제작을 위한 선형증발원 |
KR100862340B1 (ko) * | 2007-08-16 | 2008-10-13 | 세메스 주식회사 | 유기 발광 소자 박막 제작을 위한 선형 증발원 |
CN102268642A (zh) * | 2011-07-22 | 2011-12-07 | 上海奕瑞光电子科技有限公司 | 电阻加热式蒸发源 |
KR20160035364A (ko) * | 2014-09-23 | 2016-03-31 | 주식회사 선익시스템 | 증발원 및 이를 포함하는 증착장치 |
KR101622912B1 (ko) * | 2014-12-18 | 2016-05-23 | 주식회사 선익시스템 | 도가니의 위치조절을 통해 물질의 열 충격을 최소화한 박막 증착장치 |
CN105603365A (zh) * | 2016-01-29 | 2016-05-25 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 真空蒸镀加热装置 |
CN106244995A (zh) * | 2016-09-21 | 2016-12-21 | 铜陵市铜创电子科技有限公司 | 一种设有新型蒸镀坩埚的金属化薄膜真空镀膜装置 |
CN106319453A (zh) * | 2016-09-30 | 2017-01-11 | 铜陵市超越电子有限公司 | 一种真空镀膜机的送丝机构 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
张耀明等: "《玻璃纤维与矿物棉全书》", 31 March 2001 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112626465A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-04-09 | 尚越光电科技股份有限公司 | 一种cigs共蒸法的硒源外置式结构 |
WO2022175704A1 (en) * | 2021-02-16 | 2022-08-25 | Applied Materials, Inc. | Crucible, evaporation source, evaporation method, evaporation system, and method of manufacturing a device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3743539A1 (en) | 2020-12-02 |
WO2019145014A1 (en) | 2019-08-01 |
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