JP2002365639A - 液晶表示素子の配向膜製造装置及び液晶表示素子の配向膜製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板上に、その柱状構造角度が均一に形
成された配向膜を有する液晶表示素子を提供する。 【解決手段】 少なくとも２枚の基板２，４間に液晶６
を封入してなる液晶表示素子１０の配向膜製造方法にお
いて、少なくとも1枚の基板２（４）に配向膜１４とし
て酸化珪素（ＳｉＯｘ：１．０≦ｘ≦２．０）１２を形
成する際、まず、基板を搭載した基板トレー３３を第一
のロードロック室３７にて加熱を行い、次に、成膜室４
１にて加熱下で基板トレーを一方向に連続的又は間欠的
に平行移動させながら、酸化珪素を、真空蒸着法により
基板表面の法線方向から４５°ないし６０°の角度から
飛散物として照射して、基板表面に酸化珪素の配向膜１
４を形成し、しかる後、第二のロードロック室５０にて
基板トレーを冷却することにより、酸化珪素の配向膜が
形成された基板２（４）を得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プロジェクター、
プロジェクションＴＶ等の基幹部品としての液晶表示素
子に関し、特に、液晶の配向膜形成に関する液晶表示素
子の配向膜製造装置及び液晶表示素子の配向膜製造方法
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＴＦＴを用いたアクティブマトリ
ックス型液晶表示素子や、シリコンウエハー基板とガラ
ス基板を貼り合わせた液晶表示素子は、プロジェクター
やプロジェクションＴＶ、ヘッドマウントディスプレイ
等への応用が進み、その生産量はますます拡大してい
る。この液晶表示素子１０は、一般的には図６、図７に
示すように、透明導電膜１を表面に有するガラス基板２
と、画素電極（表示エリア）３を表面に有するガラス基
板またはシリコンＩＣ基板４とを、それぞれ液晶側表面
に配向膜５、５を形成した後、相対向させ、その隙間
（セルギャップ）を、液晶６とこのセルギャップを決め
るための図示しない接着剤とスペーサ７₁を混入したシ
ール接着剤７で固着し、その表面に反射防止膜８を設け
て構成している。なお、９は封止部となる液晶注入口で
ある。

【０００３】ところで、この従来の液晶表示素子１０の
配向膜５，５の形成方法の１つとしては、ポリイミド材
料等の有機ポリマーをスピンコート法又はオフセット印
刷等によりコーティングした後焼成し、その後ラビング
処理を施して形成する水平配向処理がある。

【０００４】しかしながら、このラビング処理において
は、ポリイミドの印刷からラビング後洗浄まで多数の工
程を経なければならない。また、ラビング処理によりダ
ストが発生したりする虞もある。さらに、所望の表示特
性を得るために要求される配向特性（プレチルト角制
御）を得ることが困難であるとの問題がある。

【０００５】一方、この液晶表示素子１０をプロジェク
ターやプロジェクションＴＶに応用する際には、コント
ラスト比の高い品質が求められる。そして、これを実現
するための配向膜５，５を得る他の形成方法の１つとし
ては、配向膜として酸化珪素（ＳｉＯ、ＳｉＯ₂）材料
等の金属酸化膜を、例えば、電子ビーム蒸着法により基
板表面の斜方から成膜するという方法、すなわち、傾斜
垂直配向処理を挙げることが出来る。この方法は、前記
したラビング処理が不要で、かつ、所望の配向特性が得
られやすいところから採用されている。

【０００６】具体的に説明すると、例えば、図８に示す
ような電子ビーム蒸着装置２０において、例えば、ガラ
ス基板２表面の法線方向からの角度（蒸着角）θで、こ
のガラス基板２に後述する酸化珪素１２の配向膜を形成
するものである。すなわち、図８において、ルツボ１１
内には、その内部に蒸発源である酸化珪素（ＳｉＯ₂）
１２が収容されている。そして、この酸化珪素（ＳｉＯ
₂）１２は、図示しない電子ビーム銃により電子ビーム
を照射されながら、この酸化珪素１２の蒸発物がガラス
基板２表面に斜方蒸着されるものである。

【０００７】これは、本来酸化珪素１２が構造異方性を
とりやすい性質を利用したもので、ガラス基板２表面の
斜方から蒸着（成膜）することにより、斜め方向に薄膜
構造を成長させて棒状の長い液晶分子をこれにならわせ
て配向するようにしたものである。

【０００８】図９は、ガラス基板２表面に、斜方蒸着さ
れた酸化珪素１４ａ〜１４ｎの状態及びこの酸化珪素１
４ａ〜１４ｎの上部に配向された液晶分子１５ａ〜１５
ｎの説明図である。なお、αは、プレチルト角であり、
後述する如く実用に供するためには、このプレチルト角
差が、１°以内に収まっている必要がある。このような
基本技術を応用した発明は、例えば特開平５-２５７１
４６号公報、特開平６-１８６５６３号公報、特開平７-
１５９７８８号公報に開示されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
た酸化珪素１２による配向膜形成の代表的工法である電
子ビーム蒸着法の場合、斜方からの蒸着角度θに対して
最適な条件があるため、例えば、生産量の拡大のため
に、図６、図７に示す液晶表示素子１０をガラス基板２
から複数個得るために、このガラス基板２のサイズを大
きくした場合に問題が生ずる。

【００１０】すなわち、図１０に示す如く、ガラス基板
２のサイズを変えた場合、電子ビーム蒸着装置２０内の
前記したガラス基板２の基板位置も変わらざるを得な
く、従って、その基板位置によって蒸着角度θがθａ、
θｂの如く変わってしまう。その結果、酸化珪素１４ａ
〜１４ｎの薄膜構造の角度が均一に形成されなくなるた
め、液晶分子も均一な配向状態が得られず、結果的に液
晶表示素子１０としての表示品質が面内で不均一になる
という問題が生じる。図１０は、かかる蒸着角のズレを
示す説明図である。なお、ｄは、斜方蒸着される基板の
中心部から基板端面までの距離である。

【００１１】同様の性質の問題として、酸化珪素１４ａ
〜１４ｎの薄膜構造の成長方向に対して、直角方向にガ
ラス基板２のサイズを大きくする、すなわち、前記した
生産量の拡大のためにガラス基板２のサイズを、その基
板方向と直角方向に大に形成した場合、図１１のΔψに
示すツイスト角が生じることになる。このツイスト角Δ
ψも、電子ビーム蒸着装置２０内の前記したガラス基板
２の基板位置に依存するため、液晶表示素子１０の表示
品質が面内で不均一になるという問題がある。これらを
防ぐためには、ガラス基板２の基板サイズを小さくする
か，電子ビーム蒸着装置２０の蒸着室１３を大きくする
かして蒸着源１２からガラス基板２までの距離（蒸着距
離）Ｄを稼ぐことが要求される。

【００１２】しかしながら、ガラス基板２のサイズを小
さくすると、蒸着室１３内へのガラス基板２の取り付け
作業が煩雑になるのと、このガラス基板２の取り付けの
自動化が困難になるがゆえに、ガラス基板２を１枚ずつ
処理するいわゆるバッチ式にならざるを得ない。しかし
ながら、このバッチ式で処理した場合は、ガラス基板２
等から発塵してしまい、結果として表示画像に欠陥を生
み、歩留まりを下げるという問題があった。

【００１３】更に、このようなバッチ式の装置構成は、
ガラス基板２の加熱時間、目的真空度到達までの時間、
成膜時間、基板冷却時間、真空ベント時間が連続的にか
かるため、生産工程の中で律速工程（他の工程に比し、
この工程に時間がとられてしまうため、これによって全
工程の進行が実際上支配されてしまう）となるという問
題があった。

【００１４】また蒸着室１３を大きくすることは、装置
の価格が増大すると共に成膜室内の体積が大きくなるが
ゆえの真空到達時間や加熱時間が増大し、生産性が悪く
なるという新たな問題も発生する。

【００１５】限定された蒸着室１３の中で蒸着距離Ｄを
稼ぐには、図示しない電子ビーム銃ユニットをガラス基
板２に対して水平方向にシフトさせて（例えば特開平６
-１８６５６３号公報に見られる）蒸発物（酸化珪素１
２）のガラス基板２への蒸着角方向成分を利用する方法
があるが、これも酸化珪素１２材料の場合、蒸発方向に
対して蒸発速度に大きな分布があり、シフト距離が大き
い程蒸発速度が小さくなり、生産性が落ちるという問題
がある。

【００１６】本発明は、かかる問題点を解決するために
なされたものであり、２枚の基板間に液晶を封入してな
る液晶表示素子において、仮に、基板サイズを大にした
場合であっても、少なくとも1枚の基板の表示領域に、
斜方蒸着によって薄膜構造角度を均一にされた酸化珪素
の配向膜が形成されるよう液晶表示素子の配向膜製造装
置を構成することにより、画質欠陥の問題点及び均一の
表示に関する問題点、更には生産性に関する問題点をも
同時に解決したものであり、かかる構成を有する液晶表
示素子の配向膜製造装置を提供することを目的にするも
のである。また、併せて新規な液晶表示素子の配向膜製
造方法を提供することを目的にするものである。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記した目的
を達成するためになされたものであり、請求項１に係る
発明は、少なくとも２枚の基板２，４間に液晶６を封入
してなる液晶表示素子１０の配向膜製造方法において、
前記少なくとも1枚の基板２（４）に配向膜１４として
酸化珪素（ＳｉＯｘ：１．０≦ｘ≦２．０）１２を形成
する際、まず、前記基板２を搭載した基板トレー３３を
第一のロードロック室３７にて加熱を行い、次に、成膜
室４１にて加熱下で前記基板トレー３３を一方向に連続
的又は間欠的に平行移動させながら、前記酸化珪素１２
を、真空蒸着法により前記基板表面の法線方向から４５
°ないし６０°の角度より飛散物として照射して、前記
基板表面に前記酸化珪素１２の配向膜１４を形成し、し
かる後、第二のロードロック室５０にて前記基板トレー
３３を冷却させることにより、酸化珪素１２の配向膜１
４が形成された基板２（４）を得ることを特徴とする。

【００１８】請求項２に係る発明は、少なくとも２枚の
基板２，４間に液晶６を封入してなる液晶表示素子１０
の配向膜製造装置において、配向膜製造装置の成膜室４
１内で、前記少なくとも1枚の基板２（４）に酸化珪素
（ＳｉＯｘ：１．０≦ｘ≦２．０）１２の配向膜１４を
形成するに際し、前記基板中心部から前記配向膜形成に
必要な基板周辺部までの距離をｄ、前記基板中心部から
前記配向膜形成のための蒸着源４３までの距離をＤと
し、かつ、前記基板表面中心から前記蒸着源方向と前記
基板表面の法線方向とのなす角度（蒸着角）をθとした
とき、Δθ＝ｔａｎ^-1（ｄｃｏｓθ／（Ｄ＋ｄｓｉｎ
θ））で規定される角度が ０≦Δθ≦３°となるよう
構成して液晶表示素子１０を形成することを特徴とす
る。

【００１９】請求項３に係る発明は、請求項２記載の液
晶表示素子１０の配向膜製造装置において、前記配向膜
製造装置の成膜室４１内で、電子ビーム銃ユニットを有
する蒸発源４３からの蒸発物が所定の方向に飛散するよ
うに、前記電子ビーム銃ユニットの向きを、前記配向膜
製造装置の垂直方向から３０°ないし６０°に設置して
液晶表示素子１０を形成することを特徴とする。

【００２０】請求項４に係る発明は、少なくとも２枚の
基板２，４間に液晶６を封入してなる液晶表示素子１０
の配向膜製造装置において、配向膜製造装置の成膜室４
１内で、前記少なくとも1枚の基板２（４）に酸化珪素
（ＳｉＯｘ：１．０≦ｘ≦２．０）の配向膜１４を形成
するに際し、前記基板中心部から前記配向膜形成に必要
な基板周辺部までの距離をｄ、前記基板中心から蒸着源
中心までの距離をＤ、かつ、前記配向膜製造装置の成膜
室４１内で前記基板が移動する方向に対して直角方向に
長さＬの蒸着源を有するとき、 Δψ＝ｔａｎ^-1（（ｄ−Ｌ／２）ｃｏｓθ／（Ｄ＋（ｄ
−Ｌ／２）ｓｉｎθ）） で規定される角度が０≦Δψ≦３°となるよう構成して
液晶表示素子１０を形成する請求項２又は３記載の液晶
表示素子の配向膜製造装置を提供することを特徴とす
る。

【００２１】請求項５に係る発明は、請求項２，３又は
４記載の液晶表示素子１０の配向膜製造装置において、
前記少なくとも1枚の基板２（４）に酸化珪素（ＳｉＯ
ｘ：１．０≦ｘ≦２．０）の配向膜１４を形成するに際
し、前記基板表面に、３°以上のツイスト角で飛散して
くる蒸発物の前記基板表面への暴露を遮蔽するツイスト
角補正板４６ａ〜４６ｎを設けて液晶表示素子１０を形
成することを特徴とする。

【００２２】請求項６に係る発明は、少なくとも２枚の
基板２，４間に液晶６を封入してなる液晶表示素子１０
の配向膜製造装置において、配向膜製造装置の成膜室４
１内で、前記少なくとも１枚の基板２（４）に酸化珪素
（ＳｉＯｘ：１．０≦ｘ≦２．０）の配向膜１４を形成
するに際し、前記基板中心部から前記配向膜形成に必要
な基板周辺部までの距離をｄ、前記基板中心部から前記
配向膜形成のための蒸着源４３までの距離をＤとし、か
つ、前記基板表面中心から前記蒸着源方向と前記基板表
面の法線方向とのなす角度（蒸着角）をθとしたとき、
Δθ＝ｔａｎ^-1（ｄｃｏｓθ／（Ｄ＋ｄｓｉｎθ））で
規定される角度が ０≦Δθ≦３°となるように、前記
基板を部分的に蒸発物の暴露から遮蔽する遮蔽構造物３
６を、前記基板と平行に設けると共に、前記基板表面と
前記遮蔽構造物３６との隙間を垂直方向に３ｍｍ以下に
して液晶表示素子１０を形成することを特徴とする。

【００２３】請求項７に係る発明は、請求項６記載の液
晶表示素子１０の配向膜製造装置において、前記配向膜
製造装置の成膜室４１内で、電子ビーム銃ユニットを有
する蒸発源４３からの蒸発物が所定方向に飛散するよう
に、前記電子ビーム銃ユニットの向きを、前記配向膜製
造装置の垂直方向から３０°ないし６０°に設置して液
晶表示素子１０を形成することを特徴とする。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて説明する。なお、以下に述べる実
施の形態は本発明の好適な具体例であるから、技術的に
好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲
は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載
がない限り、これらの態様に限られるものではない。

【００２５】

【実施形態１】以下、本発明になる液晶表示素子の配向
膜製造装置の好ましい実施形態１について説明する。図
１は、実施形態１に係る液晶表示素子の配向膜製造装置
を示す全体図、図２は、実施形態１になる液晶表示素子
の配向膜製造装置の要部概略図で蒸着角ズレを規制する
ための説明図、図３は、同、液晶表示素子の配向膜製造
装置の要部概略図でツイスト角ズレを規制するための説
明図、図４は、蒸着角度と液晶表示素子の画像品質との
関連性を示す図、図５は、蒸着源と基板トレーとツイス
ト角補正板との関係を示す説明図である。なお、前記し
た従来例と同一部分は同一符号を用い、その詳細な説明
は省略する。

【００２６】まず、図１の実施形態１に係る液晶表示素
子の配向膜製造装置（配向膜蒸着装置）３０を示す全体
図について説明する。３１ａは、基板カセットであり、
内部が複数個所に区切ってあり、そこに前記したガラス
基板２、シリコンＩＣ基板４等が収納されている。３３
は、オートローディング機構３２ａにより前記した基板
カセット３１ａ内に収納されているガラス基板２、シリ
コンＩＣ基板４等を引き出してそれらを搭載した基板ト
レーである。

【００２７】３６は、前記した基板トレー３３を載置し
た基板搬送台であり、この基板トレー３３をオートアン
ローディング方向に順次間欠的または連続的に平行移動
させる図示しない搬送手段を、その内部に有しているも
のである。また、後述する如く、それぞれの室内におい
て、前記した基板トレー３３が載置される基板搬送台３
６は、その上面が略同一平面状に形成されているもので
ある。

【００２８】従って、実施形態１にあっては、この基板
トレー３３は、前記した図示しない搬送手段により基板
搬送台３６上を容易に平行に移送させることができるも
のである。このように、基板トレー３３を、順次間欠的
または連続的に平行に移動させるよう構成したことによ
り、タクトタイムの短縮化が図れ、生産量の拡大に効率
的に対応できるものである。

【００２９】３７は、前記した基板トレー３３を加熱、
排気するための第一のロードロック室であり、この第一
のロードロック室３７には、前記した基板トレー３３内
のガラス基板２、シリコンＩＣ基板４を上、下より１５
０℃以上に加熱させるためのランプ３８，３９が前記し
た基板搬送台３６を挟んで配置されている。

【００３０】この基板加熱に用いるランプ３８，３９と
しては、タクトタイムの短縮化を図るためにハロゲンラ
ンプによる方法が望ましいが、昇温温度が得られるなら
ば、シースヒータ等の他の方法でも良い。４０は、排気
装置であり、これは基板２，４表面及び基板トレー３３
に吸着した水分を排気しやすいようにクライオポンプに
よる方法が望ましい。他に水分トラップ機能を併用した
ターボポンプを用いても良い。

【００３１】４１は、実施形態１の主要部をなす成膜室
であり、その内部は真空にされ、蒸発源が加熱されるこ
とにより、所定の蒸着が行われるものである。具体的に
は、その内部には前記した基板搬送台３６を挟んで上側
にシースヒーター４２が配置され、下側には、蒸着源４
３、図示しない電子ビーム銃、同じく図示しない膜厚測
定センサー等が配置されている。なお、４５は排気装置
である。

【００３２】５０は、後述する如く成膜室４１にて斜方
蒸着された基板２，４及び基板トレー３３を冷却するた
めの第ニのロードロック室であり、冷却機構５１と排気
装置５２とから構成される。この第ニのロードロック室
５０での冷却は、１５０℃以下まで行うことが望まし
い。それは、これ以上の場合、大気中に出したときに酸
化珪素の膜質が変化してしまうからである。

【００３３】３１ｂは、斜方蒸着された基板２，４を搭
載した基板トレー３４を、オートアンローディング機構
３２ｂにより収納するための基板カセットであり、前記
した基板カセット３１ａと同様、内部が複数個所に区切
ってある。

【００３４】次に、図１〜図３を参照して実施形態１を
具体的に説明する。まず、生産量の拡大のためにガラス
基板２を大にした場合につき説明する。シリコンＩＣ基
板４及びガラス基板２を搭載した基板トレー３３をロー
ドロック室３７に引き入れて基板加熱と排気を行う。基
板加熱は、前記した如くタクトタイムの短縮化のためハ
ロゲンランプ３８，３９により行うことが望ましいが、
昇温速度が得られるならばシースヒータ等の他の方法で
も良い。排気を行う排気装置４０としては、前記した如
く基板２，４表面及び基板トレー３３に吸着した水分を
排気しやすいよう、クライオポンプによる方法が望まし
いが、水分トラップ機能を併用したターボポンプを用い
ても良い。

【００３５】基板トレー３３は、第一のロードロック室
３７で所望の真空度と基板温度を得た後、成膜室４１に
移送される。ここでは、第一のロードロック室３７で加
熱された基板温度を保持するための加熱機構４２とし
て、シースヒーター加熱を用いる。基板の表面温度は、
１００℃〜３００℃に保たれる。良好な液晶表示品質の
ためには、望ましくは１５０℃以上である。なお、蒸着
距離Ｄは、１０００ｍｍ以上、蒸着角θは４５°〜６０
°が望ましい。また、後述する如く、電子ビーム銃ユニ
ットの向き（材料ルツボ開口面の法線方向の角度β）
を、装置の垂直方向から３０°〜６０°に設置する。

【００３６】このように、成膜室４１における蒸着に際
し、酸化珪素の薄膜構造角度が均一に形成されるよう、
図２の如く蒸着源４３、基板搬送台３６、基板トレー３
３等が以下の如くに構成配置されるものである。すなわ
ち、成膜室４１において、基板中心部から配向膜形成に
必要な基板周辺部までの距離をｄとし、かつ、基板中心
部から配向膜形成のための蒸着源４３までの距離をＤと
したとき、Δθ＝ｔａｎ^-1（ｄｃｏｓθ／（Ｄ＋ｄｓｉ
ｎθ））で規定される角度が０≦Δθ≦３°となるよう
に、各部材を構成配置する。

【００３７】このように各部材を構成配置することによ
って、基板上に蒸着される酸化珪素の薄膜構造角度が均
一に形成されるため、この上に配向される液晶分子も当
然の如く均一に形成されたものが得られので、液晶表示
素子としても、画質欠陥のない良好なものが得られるも
のなのである。

【００３８】この結果、すなわち蒸着角度と液晶表示素
子の画像品質との関連を示したものが図４である。この
図４より明らかな如く、蒸着角θをかかる角度範囲に設
定することによって、液晶表示画像上に起こる表示欠陥
であるディスクリネーション不良が減少し、コントラス
ト比が良好な液晶表示素子が得られるものである。

【００３９】なお、酸化珪素を有する蒸着源４３として
の前記酸化珪素の蒸着レートは、１〜１０オングストロ
ーム/秒の条件が望ましく、特に、生産性の向上のた
め、蒸着膜厚５００オングストローム以上を得るために
は、５オングストローム/秒以上のレートが望ましい。
この時の成膜室４１内の酸素分圧は、１〜５ｘ１０^-2Ｐ
aが望ましい。

【００４０】成膜中の基板トレー３３の搬送は、例え
ば、１０００ｍｍの蒸着距離においては、スリット幅を
１５０ｍｍにすることにより、蒸着角５０°に対してズ
レ角度θを±３°に保つことができる。すなわち、図２
において、蒸着角θに対して+３°進んだところの蒸着
角をθ₁、蒸着角θに対して-３°進んだところの蒸着角
をθ₂ としたとき、θ₁-θ＝Δθ（±３°）に設定し
たものである。このように設定したことによって、シリ
コンＩＣ基板４及びガラス基板２が例え１５０ｍｍサイ
ズ以上であっても、これらの基板２，４を図２に示す如
く基板トレー３３に搭載して搬送することにより、基板
全面に渡って薄膜構造角度が均一に形成された酸化珪素
の配向膜が得られるものである。

【００４１】また、前記した如く、この図２において、
蒸着源である電子ビーム銃ユニットからの蒸発物が斜め
方向に効率良く飛散ならしめるように、電子ビーム銃ユ
ニットの向き（材料ルツボ開口面の法線方向の角度β）
を、装置の垂直方向から３０°〜６０°に設置したこと
によって、斜方蒸着によって薄膜構造角度が均一に形成
された酸化珪素の配向膜が、より生産性高く得られるも
のである。

【００４２】成膜の後、基板トレー３３は冷却のために
第ニのロードロック室５０に移送される。ここでは、基
板２，４を冷却するための冷却機構５１として、窒素ガ
スの導入及び冷却プレートの基板トレー３３への密着が
行われる。酸化珪素の配向膜１４が形成された基板トレ
ー３４の装置外部への取出しは、基板温度が１５０℃以
下になってから行うことが望ましい。それは、これ以上
の場合、大気中に出したときに酸化度合いが変化してし
まうからであるのは、前述した通りである。

【００４３】次に、酸化珪素１２の柱状構造の成長方向
に対して直角方向にガラス基板２のサイズを大きくした
場合、Δψに示すツイスト角にズレが生じるが、その場
合の対応につき、図３を参照して説明する。

【００４４】前記した図２と同様、図３においては、成
膜室４１における蒸着に際し、酸化珪素の薄膜構造角度
が均一に形成されるように、蒸発源４３、基板トレー３
３等が以下の如くに構成配置されるものである。

【００４５】すなわち、成膜室４１において、基板中心
部から配向膜形成に必要な基板周辺部までの距離をｄと
し、かつ、基板中心部から配向膜形成のための蒸着源４
３までの距離をＤとし、しかも、装置の成膜室４１内で
基板が移動する方向に対して直角方向に長さLの蒸着源
４３を有するとき、 Δψ＝ｔａｎ^-1（（ｄ−L／２）ｃｏｓθ／（Ｄ＋（ｄ
−Ｌ／２）ｓｉｎθ） ）で規定される角度が０≦Δψ≦３°となるように、各
部材を構成配置する。

【００４６】このように各部材を構成配置することによ
って、基板上に蒸着される酸化珪素の薄膜構造角度が均
一に形成されるため、この上に配向される液晶分子も当
然の如く均一に形成されたものが得られので、液晶表示
素子としても、画質欠陥のない良好なものが得られるも
のなのである。

【００４７】（実施例１）具体的な液晶表示素子１０へ
の実施形態を以下に示す。まずＣＭＯＳトランジスター
により駆動電圧の供給を受ける反射画素電極３を表面に
有するシリコンＩＣ基板４と透明電極膜ＩＴＯを表面に
有するガラス基板２の各々に電子ビーム蒸着法により酸
化珪素の配向膜を形成する。この際の蒸着条件として
は、蒸着角θを５０〜５５°、基板温度を１５０〜２０
０℃、酸化珪素材料の蒸着レート５オングストローム/
秒、酸素ガス流量約２０ＳＣＣＭにて膜厚約６００〜６
５０オングストロームの酸化珪素膜を形成した。

【００４８】この後、片側の基板に、ヤクシ化成（株）
製ＳＷシリーズスペーサボールを混入させた協立化学産
業（株）製メインシール剤ＷＲシリーズを塗布して、２
枚の基板２，４をプレスして接着する。この２枚の基板
２，４間に注入される液晶６としては、ｎ型のネマチッ
ク液晶を用い垂直配向させた。これにより完成した液晶
表示素子１０の光学性能としては、最大光量に対して駆
動電圧１．５Ｖ時の光量との比をコントラスト比として
定義したとき１７０:１〜１８０:１の値を得た。この値
は、プロジェクター等の光学系装置を通した場合、１０
００:１以上のコントラスト比を得るのに十分な値であ
る。

【００４９】次に、基板サイズが大きくなることによる
発生する蒸着角のズレは、配向膜蒸着装置３０の構成
を、基板中心部から蒸着源までの距離に応じて基板が蒸
発物に暴露されるスリット幅を予め計算して決めておく
ことにより抑えることができる。その点につき図２を参
照して説明する。図２において、例えば、前記した蒸着
距離Ｄを１０００ｍｍ，蒸着角θを５０°にした場合、
ズレ角度θを±３°に抑えるには、前記した数式Δθ＝
ｔａｎ^-1（ｄｃｏｓθ／（Ｄ＋ｄｓｉｎθ））より、基
板進行方向のスリット幅を約１７３ｍｍに設定しておけ
ば良い。

【００５０】また、基板搬送方向に直角な方向について
は、蒸発物の暴露からスリットで制約することができな
いため、蒸発源１２の長さを大にしておけばツイスト角
のズレを抑えることができる。この点について、図３を
参照して説明する。例えば、前記した蒸着距離Ｄが１０
００ｍｍの場合、ツイスト角Δψを±３°に抑えるため
には、前記した数式Δψ＝ｔａｎ^-1（（ｄ−L／２）ｃ
ｏｓθ／（Ｄ＋（ｄ−Ｌ／２）ｓｉｎθ））より１７３
ｍｍの基板サイズが最大となってしまう。

【００５１】しかしながら、蒸着源４３を基板搬送方向
と直角の方向に、電子ビーム走査幅Ｌの長さ分だけ有し
ていれば、前記したスリット幅１７３ｍｍ＋Ｌの基板寸
法の範囲までは、ツイスト角Δψを±３°以内に抑える
ことができる。８インチサイズ又は２００ｍｍ相当の基
板であれば、蒸着源の長さを約２７ｍｍに設定すること
によりツイスト角Δψを±３°に抑えることができる。

【００５２】前記した如く構成した場合であっても、蒸
発物の中に、ツイスト角Δψが３°以上の成分が混ざる
可能性がある。従って、このツイスト角Δψが３°以上
の成分を遮蔽する必要性が生じる。この場合は、図５の
如くツイスト角補正板４６ａ〜４６ｎを、基板トレー３
３の前面（蒸発源）側に複数個並設することで、基板表
面に３°以上のツイスト角で飛散してくる蒸発物の基板
表面への暴露を遮蔽することが出来、また、基板表面に
おいては、全面でツイスト角を３°以下にすることがで
きるものである。

【００５３】ところで、実施形態１になる液晶表示素子
の配向膜製造装置にあっては、前記した図２の要部概略
図に示す如く、ガラス基板、シリコンＩＣ基板等を引き
出してそれらを搭載した基板トレー３３は、基板搬送台
３６に載置され、図示しない搬送手段によりオートアン
ローディング方向に順次間欠的または連続的に平行移動
されるものである。

【００５４】また図２において、Ｄは蒸着距離、θは蒸
着角であり、前記した如く蒸着距離Ｄは、例えば１００
０ｍｍ、蒸着角θは４５°〜６０°が望ましい。また、
電子ビーム銃ユニットの向き（材料ルツボ開口面の法線
方向の角度β）を装置の垂直方向から３０°〜６０°に
設置するものである。

【００５５】そして、図示しない成膜室における蒸着に
際し、酸化珪素の薄膜角度構造が均一に形成されるよ
う、図２の如く蒸着源４３、基板搬送台３６、基板トレ
ー３３等を以下の如くに構成配置している。すなわち、
基板に配向膜を形成する際、装置の成膜室内において基
板中心部から配向膜形成に必要な基板周辺部までの距離
をｄ、基板中心部から配向膜形成のための蒸着源までの
距離をＤとし、かつ、基板表面中心から蒸着源方向と基
板表面の法線方向とのなす角度（蒸着角）をθとしたと
き、Δθ＝tan^-1（ｄcosθ／（Ｄ＋ｄsinθ））で規定
される角度が０≦Δθ≦３°となるように、前記した各
構成部材を配置することにより、移動する基板を部分的
に蒸発物の暴露から遮蔽する構造を有する液晶表示素子
の配向膜製造装置を形成していたものである。これによ
り、基板面内における蒸着角のズレを解消すると共に、
表示画像面内においても良好なコントラスト比の均一性
を得ることができたものである。

【００５６】しかしながら、各構成部材は、部品精度を
所定のものとされているにも拘わらず、実際上では、多
少のバラツキがあることは否めない。その点につき図１
５、図１６を参照して説明する。ここで、図１５は、基
板トレー、基板搬送台、蒸着角との関係を示す説明図、
図１６は、設定蒸着角と廻り込み（後述）によって変化
した蒸着角との関係を示す説明図である。

【００５７】すなわち、蒸着を行うに際し、実際には図
１５、図１６に示すように、前記移動する基板トレー３
３と前記遮蔽構造物（基板搬送台３６）との隙間が必要
以上に大きい場合は、蒸発物が、後述する回折現象等に
よって遮蔽構造物である基板搬送台３６のスリット端部
３６ａから廻りこみ（点線矢印）、設定された蒸着角θ
よりも大きな角度θ₃で基板表面３３ａに飛来するた
め、基板トレー３３が図の右方向へ移動する際に（膜が
堆積して行く際に）、右端のスリット部で膜堆積が終了
するため膜表面ではθ₃の蒸着角による膜が堆積するこ
とになる。これにより、設定蒸着角θに応じた所望の画
像品質、特にコントラスト比が得られないという現象が
発生する。このことは、生産時の品質のバラツキにつな
がるものである。

【００５８】

【実施形態２】そこで、実施形態２では、前記した基板
トレー３３と遮蔽構造物３６とを蒸着方向に対して平行
に設けると共に、両者の隙間ｔを垂直方向に３ｍｍ以下
に設定して、所望の画像品質が得られる液晶表示素子を
得たものである。以下、その点につき詳述する。

【００５９】図１２は、実施形態２に係る液晶表示素子
の配向膜製造装置の要部概略図、図１３は、スリット、
基板間隙間とプレチルト角差との関係を示す説明図、図
１４は、基板トレーと基板搬送台との隙間とスリット端
部の廻り込み膜厚との関係を示す説明図である。なお、
前記した構成と同一部分は同一符号を用い、その詳細な
説明は省略する。

【００６０】まず、図１２において、移動する基板トレ
ー３３とスリットを形成する遮蔽物３６，３６との関係
について説明する。基板トレー３３に設けられている図
示しない配向膜を形成する基板に対して、蒸発源４３か
ら基板中心までの距離Ｄ、基板中心から基板周辺までの
距離ｄ（スリットは２ｄに相当）としたとき、基板トレ
ー３３が移動してスリット内で蒸着角が±３°以内（Δ
θに相当）となるような構造とすることは、前記した実
施形態１で述べた通りである。さらにここでは、それに
加えて基板表面と、この基板表面と蒸着方向に平行に設
けられスリットを構成する遮蔽物３６，３６との垂直方
向の距離（隙間）ｔを３ｍｍ以下に構成したものであ
る。

【００６１】次に、前記した基板表面と蒸着方向に平行
に設けられスリットを構成する遮蔽物３６，３６との垂
直方向の隙間を３ｍｍ以下とすることの理由を述べる。
図１３は、スリット、基板間隙間とプレチルト角差との
関係を示す説明図、図１４は、基板表面と遮蔽物との隙
間を３５ｍｍとした時に蒸着角５０°で酸化珪素材料が
飛来してくる場合のスリット端部での酸化珪素膜の相対
膜厚を、基板を静止させて実験的に求めて示したもので
ある。

【００６２】図１４、すなわち、基板表面と遮蔽物との
隙間を３５ｍｍとした時に蒸着角５０°で酸化珪素材料
が飛来してくる場合のスリット端部での酸化珪素膜の相
対膜厚を実験的に求めたところによれば、本来スリット
端部から飛来して到達すべき部位から約２０ｍｍ廻りこ
んだ部位まで酸化珪素が膜形成されていることがわか
る。この結果から、最も廻りこみの大きい２０ｍｍ場合
は、計算上から５０°の蒸着角に対して約１０°増すも
のであることがわかる。

【００６３】これらの結果は、液晶配向の所望されるプ
レチルト角を得るために望ましい蒸着角４５°〜５５°
に対してほぼ同様の結果となることが実験的にわかって
いる。つまり、４５°〜５５°の蒸着角で配向膜を形成
しても、実際には、配向膜表面には基板全面に渡って５
５°〜６５°の蒸着角で形成される部分があるのであ
る。

【００６４】前記した膜表面での廻り込み部分の膜厚に
よる配向特性（プレチルト角α）への影響は、基板を移
動しながら配向膜形成を行う場合と、基板を停止して配
向膜形成を行う場合とでそのプレチルト角に差が生じる
か否かで評価することが出来る（停止の場合は、基板の
中心部付近で評価）。そして、それを示したものが図１
３である。この図１３によれば、前記した如くスリット
と基板との隙間ｔが３５ｍｍの場合は、各々のプレチル
ト角の差が３〜５°にもなっているのに対し、ｔが２０
ｍｍの場合は１．５°〜２．５°、さらにｔが３ｍｍに
なると０．２°〜０．８°と１°以下になっていること
がわかる。

【００６５】液晶表示素子において、生産上画像コント
ラスト比に再現性が得られるのはプレチルト角のバラツ
キが１°以内に抑えられている場合であることが経験
的、統計的に分かっている。前記したプレチルト角差
は、隙間による変化であるため生産上のプレチルト角の
バラツキに相当するものである。従って、スリットと基
板との隙間を３ｍｍ以下に抑えることにより、画像品質
であるコントラスト比に変化を及ぼすプレチルト角の制
御を、蒸着角変化（廻り込みの影響）を少なくする効果
によって高精度に行うことが可能となるのである。

【００６６】（実施例２）次に具体的な液晶表示素子１
０への実施の形態を以下に示す。まずＣＭＯＳトランジ
スターにより駆動電圧の供給を受ける反射画素電極３を
表面に有するシリコンＩＣ基板４と透明電極膜ＩＴＯを
表面に有するガラス基板２の各々に電子ビーム蒸着法に
より酸化珪素の配向膜を形成する。この際の蒸着条件と
しては、蒸着角θを４５〜５５°、基板温度を１５０〜
２００℃、酸化珪素材料の蒸着レート５オングストロー
ム/秒、酸素ガス流量５０〜１００ＳＣＣＭにて膜厚約
６００〜６５０オングストロームの酸化珪素膜を形成し
た。

【００６７】この後、片側の基板にヤクシ化成（株）製
ＳＷシリーズスペーサボールを混入させた協立化学産業
（株）製メインシール剤ＷＲシリーズを塗布して、２枚
の基板２，４をプレスして接着する。この２枚の基板
２，４間に注入される液晶６としては、ｎ型のネマチッ
ク液晶を用い垂直配向させた。これにより完成した液晶
表示素子１０の光学性能としては、最大光量に対して駆
動電圧１．５Ｖ時の光量との比をコントラスト比として
定義したとき５０:１〜１００:１の値を得た。この値
は、プロジェクター等の光学系装置を通した場合、１０
００:１以上のコントラスト比を得るのに十分な値であ
る。

【００６８】これは、従来蒸着角４５〜５５°の場合に
基板表面と遮蔽物との隙間が３０ｍｍ以上で得られた結
果と比べると、コントラスト比で良好な再現性をえるも
のであった。

【００６９】

【発明の効果】請求項１に係る発明は、前記した工程
で、所定の酸化珪素の配向膜が形成された基板を得るよ
うにしたものであるから、タクトタイムの短縮化が図
れ、生産量の拡大に効率的に対応できる画質欠陥のない
良好な液晶表示素子が得られるものである。

【００７０】請求項２に係る発明は、前記した如くに構
成したことにより、基板上に蒸着される配向膜は、その
薄膜構造角度が均一に形成されるので、この上に形成さ
れる液晶分子も均一に形成され、従って、画質欠陥のな
い良好な液晶表示素子が得られるものである。

【００７１】請求項３に係る発明は、請求項２記載の液
晶表示素子の配向膜製造装置において、前記配向膜製造
装置の成膜室内で、電子ビーム銃ユニットを有する蒸発
源からの蒸発物が所定の方向に飛散するように、前記電
子ビーム銃ユニットの向きを、前記配向膜製造装置の垂
直方向から３０°ないし６０°に設置したことにより、
タクトタイムの短縮化が図れ、生産量の拡大に効率的に
対応できる画質欠陥のない良好な液晶表示素子が得られ
るものである。

【００７２】請求項４に係る発明は、前記した如くに構
成したことにより、基板上に蒸着される配向膜は、その
薄膜構造角度が均一に形成されるので、この上に形成さ
れる液晶分子も均一に形成され、画質欠陥のない良好な
液晶表示素子が得られるものである。

【００７３】請求項５に係る発明は、請求項２，３又は
４記載の液晶表示素子の配向膜製造装置において、前記
少なくとも1枚の基板に酸化珪素（ＳｉＯｘ：１．０≦
ｘ≦２．０）の配向膜を形成するに際し、前記基板表面
に、３°以上のツイスト角で飛散してくる蒸発物の前記
基板表面への暴露を遮蔽するツイスト角補正板を設けた
ことにより、基板上に蒸着される配向膜は、その薄膜構
造角度が均一に形成されるので、この上に形成される液
晶分子も均一に形成されるので、画質欠陥のない良好な
液晶表示素子が得られるものである。

【００７４】請求項６に係る発明は、前記した如くに構
成したことにより、基板上に蒸着される配向膜は、その
薄膜構造角度が均一に形成され、かつ生産時に設定蒸着
角度が再現良く形成されるので、この上に形成される液
晶分子も均一に形成され、かつ、画面上においてコント
ラスト比の均一性及び液晶表示素子間や個々の膜形成工
程間での再現性が良好な液晶表示素子が得られるもので
ある。

【００７５】請求項７に係る発明は、請求項６記載の液
晶表示素子の配向膜製造装置において、前記配向膜製造
装置の成膜室内で、電子ビーム銃ユニットを有する蒸発
源からの蒸発物が所定方向に飛散するように、前記電子
ビーム銃ユニットの向きを、前記配向膜製造装置の垂直
方向から３０°ないし６０°に設置したことことによ
り、タクトタイムの短縮化が図れ、生産量の拡大に効率
的に対応できる画質欠陥のない良好な液晶表示素子が得
られるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態１に係る液晶表示素子の配向
膜製造装置の一実施例を示す全体図である。

【図２】図１になる液晶表示素子の配向膜製造装置の要
部概略図で、蒸着角ズレを規制するための説明図であ
る。

【図３】図１になる液晶表示素子の配向膜製造装置の要
部概略図で、ツイスト角を規制するための説明図であ
る。

【図４】蒸着角度と液晶表示素子の画像品質との関連性
を示す図である。

【図５】蒸着源と基板トレーとツイスト角補正板との関
係を示す説明図である。

【図６】一般的な液晶表示素子の構成部品を示す分解斜
視図である。

【図７】一般的な液晶表示素子の構成説明図である。

【図８】従来の液晶表示素子の配向膜製造装置を構成す
る蒸着装置の説明図である。

【図９】図９の蒸着装置で得られた液晶分子の拡大説明
図である。

【図１０】従来の液晶表示素子の製造装置における蒸着
角ズレを示す説明図である。

【図１１】従来の液晶表示素子の製造装置におけるツイ
スト角を示す説明図である。

【図１２】本発明の実施形態２に係る液晶表示素子の配
向膜製造装置の要部概略図である。

【図１３】スリット、基板間隙間とプレチルト角差との
関係を示す説明図である。

【図１４】基板トレーと基板搬送台との隙間とスリット
端部の廻り込み膜厚との関係を示す説明図である。

【図１５】基板トレー、基板搬送台、蒸着角との関係を
示す説明図である。

【図１６】設定蒸着角と廻り込みによって変化した蒸着
角との関係を示す説明図である。

【符号の説明】

１ 透明導電膜 ２ ガラス基板 ３ 画素電極 ４ シリコンＩＣ基板 ５ 配向膜 ６ 液晶 ７ シール接着剤 ８ 反射防止膜 ９ 液晶注入 １０ 液晶表示素子 １１ るつぼ １２ 蒸発源 １３ 蒸着室 １４ａ〜１４ｎ 酸化珪素 １５ａ〜１５ｎ 配向した液晶分子 ２０ 蒸着装置 ３０ 配向膜蒸着装置 ３１ａ、３１ｂ 基板カセット ３２ａ、３２ｂ オートローディング機構 ３３ 基板トレー ３３ａ 基板表面 ３４ 成膜済み基板搭載トレー ３６ 基板搬送台 ３６ａ スリット端部 ３７ 第一のロードロック室 ３８、３９ ランプ ４０、４５ 排気装置 ４１ 成膜室 ４２ シースヒータ ４３ 蒸着源 ４６ａ〜４６ｎ ツイスト角補正板 ５０ 第ニのロードロック室 ５１ 冷却機構 ５２ 排気装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 茂田 正信 神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番 地 日本ビクター株式会社内 (72)発明者 中西 達司 神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番 地 日本ビクター株式会社内 (72)発明者 諸星 孝 神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番 地 日本ビクター株式会社内 (72)発明者 細谷 武司 神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番 地 日本ビクター株式会社内 (72)発明者 尊田 正美 神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番 地 日本ビクター株式会社内 (72)発明者 片山 統康 神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番 地 日本ビクター株式会社内 Ｆターム(参考） 2H090 HB03Y HC18 MB06 4K029 AA06 AA09 BA46 CA02 DB21

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】少なくとも２枚の基板間に液晶を封入して
   なる液晶表示素子の配向膜製造方法において、 前記少なくとも1枚の基板に配向膜として酸化珪素（Ｓ
   ｉＯｘ：１．０≦ｘ≦２．０）を形成する際、 まず、前記基板を搭載した基板トレーを第一のロードロ
   ック室にて加熱を行い、 次に、成膜室にて加熱下で前記基板トレーを一方向に連
   続的又は間欠的に平行移動させながら、 前記酸化珪素を、真空蒸着法により前記基板表面の法線
   方向から４５°ないし６０°の角度より飛散物として照
   射して、前記基板表面に前記酸化珪素の配向膜を形成
   し、 しかる後、第二のロードロック室にて前記基板トレーを
   冷却させることにより、 酸化珪素の配向膜が形成された基板を得ることを特徴と
   する液晶表示素子の配向膜製造方法。
2. 【請求項２】少なくとも２枚の基板間に液晶を封入して
   なる液晶表示素子の配向膜製造装置において、 配向膜製造装置の成膜室内で、前記少なくとも1枚の基
   板に酸化珪素（ＳｉＯｘ：１．０≦ｘ≦２．０）の配向
   膜を形成するに際し、 前記基板中心部から前記配向膜形成に必要な基板周辺部
   までの距離をｄ、 前記基板中心部から前記配向膜形成のための蒸着源まで
   の距離をＤとし、 かつ、前記基板表面中心から前記蒸着源方向と前記基板
   表面の法線方向とのなす角度（蒸着角）をθとしたと
   き、 Δθ＝ｔａｎ^-1（ｄｃｏｓθ／（Ｄ＋ｄｓｉｎθ））で
   規定される角度が ０≦Δθ≦３°となるよう構成して
   液晶表示素子を形成することを特徴とする液晶表示素子
   の配向膜製造装置。
3. 【請求項３】請求項２記載の液晶表示素子の配向膜製造
   装置において、 前記配向膜製造装置の成膜室内で、電子ビーム銃ユニッ
   トを有する蒸発源からの蒸発物が所定の方向に飛散する
   ように、 前記電子ビーム銃ユニットの向きを、前記配向膜製造装
   置の垂直方向から３０°ないし６０°に設置して液晶表
   示素子を形成することを特徴とする液晶表示素子の配向
   膜製造装置。
4. 【請求項４】少なくとも２枚の基板間に液晶を封入して
   なる液晶表示素子の配向膜製造装置において、 配向膜製造装置の成膜室内で、前記少なくとも1枚の基
   板に酸化珪素（ＳｉＯｘ：１．０≦ｘ≦２．０）の配向
   膜を形成するに際し、 前記基板中心部から前記配向膜形成に必要な基板周辺部
   までの距離をｄ、 前記基板中心から蒸着源中心までの距離をＤ、 かつ、前記配向膜製造装置の成膜室内で前記基板が移動
   する方向に対して直角方向に長さＬの蒸着源を有すると
   き、 Δψ＝ｔａｎ^-1（（ｄ−Ｌ／２）ｃｏｓθ／（Ｄ＋（ｄ
   −Ｌ／２）ｓｉｎθ））で規定される角度が０≦Δψ≦
   ３°となるよう構成して液晶表示素子を形成することを
   特徴とする請求項２又は３記載の液晶表示素子の配向膜
   製造装置。
5. 【請求項５】請求項２，３又は４記載の液晶表示素子の
   配向膜製造装置において、 前記少なくとも1枚の基板に酸化珪素（ＳｉＯｘ：１．
   ０≦ｘ≦２．０）の配向膜を形成するに際し、 前記基板表面に、３°以上のツイスト角で飛散してくる
   蒸発物の前記基板表面への暴露を遮蔽するツイスト角補
   正板を設けて液晶表示素子を形成することを特徴とする
   液晶表示素子の配向膜製造装置。
6. 【請求項６】少なくとも２枚の基板間に液晶を封入して
   なる液晶表示素子の配向膜製造装置において、 配向膜製造装置の成膜室内で、前記少なくとも１枚の基
   板に酸化珪素（ＳｉＯｘ：１．０≦ｘ≦２．０）の配向
   膜を形成するに際し、 前記基板中心部から前記配向膜形成に必要な基板周辺部
   までの距離をｄ、 前記基板中心部から前記配向膜形成のための蒸着源まで
   の距離をＤとし、 かつ、前記基板表面中心から前記蒸着源方向と前記基板
   表面の法線方向とのなす角度（蒸着角）をθとしたと
   き、 Δθ＝ｔａｎ^-1（ｄｃｏｓθ／（Ｄ＋ｄｓｉｎθ））で
   規定される角度が ０≦Δθ≦３°となるように、 前記基板を部分的に蒸発物の暴露から遮蔽する遮蔽構造
   物を、前記基板と平行に設けると共に、 前記基板表面と前記遮蔽構造物との隙間を垂直方向に３
   ｍｍ以下にして液晶表示素子を形成することを特徴とす
   る液晶表示素子の配向膜製造装置。
7. 【請求項７】請求項６記載の液晶表示素子の配向膜製造
   装置において、 前記配向膜製造装置の成膜室内で、電子ビーム銃ユニッ
   トを有する蒸発源からの蒸発物が所定方向に飛散するよ
   うに、 前記電子ビーム銃ユニットの向きを、前記配向膜製造装
   置の垂直方向から３０°ないし６０°に設置して液晶表
   示素子を形成することを特徴とする液晶表示素子の配向
   膜製造装置。