JP3513177B2 - 液晶装置の製造方法 - Google Patents
液晶装置の製造方法Info
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- JP3513177B2 JP3513177B2 JP09208793A JP9208793A JP3513177B2 JP 3513177 B2 JP3513177 B2 JP 3513177B2 JP 09208793 A JP09208793 A JP 09208793A JP 9208793 A JP9208793 A JP 9208793A JP 3513177 B2 JP3513177 B2 JP 3513177B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般的には、液晶装置
の製造方法に係り、詳しくは透明基板上に塗布型の樹脂
膜を形成し、その後無機薄膜を形成する場合の処理に関
する。
の製造方法に係り、詳しくは透明基板上に塗布型の樹脂
膜を形成し、その後無機薄膜を形成する場合の処理に関
する。
【０００２】
【従来の技術】まず、一般的な液晶装置の構造につい
て、図５に沿って簡単に説明する。
て、図５に沿って簡単に説明する。
【０００３】液晶装置は、相対向する一対のガラス基板
（透明基板）１０，１０を有しており、下側のガラス基
板１０上にはカラーフィルタ２０が形成されている。そ
して、このカラーフィルタ２０上、及び上側のガラス基
板１０上には帯状の透明電極（無機薄膜）１１，１１が
形成されており、さらにこれらの透明電極１１，１１は
ショート防止用の絶縁体膜１２，１２によって被覆され
ている。また、これらの絶縁体膜１２，１２は配向制御
膜１３，１３にて被覆されており、かかる配向制御膜１
３，１３にはラビング処理によって配向規制力が付与さ
れている。このように、配向制御膜１３等が積層された
ガラス基板１０，１０の間隙は、その間に挿入されたビ
ーズスペーサ１４によって規定されるようになってお
り、さらにその間隙には強誘電性液晶１６が注入されて
いる。
（透明基板）１０，１０を有しており、下側のガラス基
板１０上にはカラーフィルタ２０が形成されている。そ
して、このカラーフィルタ２０上、及び上側のガラス基
板１０上には帯状の透明電極（無機薄膜）１１，１１が
形成されており、さらにこれらの透明電極１１，１１は
ショート防止用の絶縁体膜１２，１２によって被覆され
ている。また、これらの絶縁体膜１２，１２は配向制御
膜１３，１３にて被覆されており、かかる配向制御膜１
３，１３にはラビング処理によって配向規制力が付与さ
れている。このように、配向制御膜１３等が積層された
ガラス基板１０，１０の間隙は、その間に挿入されたビ
ーズスペーサ１４によって規定されるようになってお
り、さらにその間隙には強誘電性液晶１６が注入されて
いる。
【０００４】ところで、上述したカラーフィルタ２０
は、一般的には塗布型の樹脂膜であり、ガラス基板１０
上に溶液を塗布した後、フォトリソグラフィ等の技術を
用いてパターニングし、加熱硬化することにより形成さ
れている（樹脂膜形成工程）。なお、この樹脂膜は通常
は有機物であり、その溶液には、該溶液の塗布特性を向
上させるために溶剤等が混入されている。そして、その
溶剤成分は、塗布後の加熱工程（上述）によってある程
度発散されるようになっている。
は、一般的には塗布型の樹脂膜であり、ガラス基板１０
上に溶液を塗布した後、フォトリソグラフィ等の技術を
用いてパターニングし、加熱硬化することにより形成さ
れている（樹脂膜形成工程）。なお、この樹脂膜は通常
は有機物であり、その溶液には、該溶液の塗布特性を向
上させるために溶剤等が混入されている。そして、その
溶剤成分は、塗布後の加熱工程（上述）によってある程
度発散されるようになっている。
【０００５】一方、このカラーフィルタ２０上に被着さ
れる透明電極１１は、真空成膜工程等によって形成され
る。この真空成膜工程においては、カラーフィルタ２０
が形成されたガラス基板１０を真空状態に保持した後に
成膜ガスを導入し、スパッタ法等の成膜法によって透明
電極の薄膜を被着させる。なお、該透明電極の薄膜は、
カラーフィルタ２０と同様のパターニングによって、所
定形状の透明電極１１として形成される。また、カラー
フィルタの保護膜（塗布型の樹脂膜）は、上記樹脂膜形
成工程と同様の方法によって形成され、画素電極の絶縁
膜等の透明膜（無機膜）は、上記真空成膜工程と同様の
方法によって形成される。
れる透明電極１１は、真空成膜工程等によって形成され
る。この真空成膜工程においては、カラーフィルタ２０
が形成されたガラス基板１０を真空状態に保持した後に
成膜ガスを導入し、スパッタ法等の成膜法によって透明
電極の薄膜を被着させる。なお、該透明電極の薄膜は、
カラーフィルタ２０と同様のパターニングによって、所
定形状の透明電極１１として形成される。また、カラー
フィルタの保護膜（塗布型の樹脂膜）は、上記樹脂膜形
成工程と同様の方法によって形成され、画素電極の絶縁
膜等の透明膜（無機膜）は、上記真空成膜工程と同様の
方法によって形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記カラー
フィルタ２０の溶剤成分を樹脂膜形成工程における加熱
だけで完全に発散させることは困難であり、加熱硬化さ
れた後のカラーフィルタ２０にも溶剤成分が僅かながら
残留していた。
フィルタ２０の溶剤成分を樹脂膜形成工程における加熱
だけで完全に発散させることは困難であり、加熱硬化さ
れた後のカラーフィルタ２０にも溶剤成分が僅かながら
残留していた。
【０００７】また、透明電極１１を形成する真空成膜工
程等においてはガラス基板１０を加熱することが多く、
さらにスパッタ法等の成膜法においては成膜の際にガラ
ス基板１０の温度（以下、“基板温度”とする）が上昇
する。したがって、該加熱に伴って、既に形成されてい
るカラーフィルタ２０から溶剤成分（水分、水素、酸素
等）が発散されて、例えば真空装置内に不純ガスとして
放出され、この放出された不純ガスが、成膜ガスと共に
ガラス基板１０上に再被着されることがあった。そし
て、成膜ガスの被着により形成された透明電極１１は、
不純ガスの成分を含むことになるため、その抵抗値が適
正値よりも増加してしまったり、また該電極１１の透過
率が低くなったりするという問題があった。なお、これ
らの問題は、透明電極１１だけではなく、カラーフィル
タの保護膜や画素電極の絶縁膜等の透明膜を形成する場
合にも生じていた。
程等においてはガラス基板１０を加熱することが多く、
さらにスパッタ法等の成膜法においては成膜の際にガラ
ス基板１０の温度（以下、“基板温度”とする）が上昇
する。したがって、該加熱に伴って、既に形成されてい
るカラーフィルタ２０から溶剤成分（水分、水素、酸素
等）が発散されて、例えば真空装置内に不純ガスとして
放出され、この放出された不純ガスが、成膜ガスと共に
ガラス基板１０上に再被着されることがあった。そし
て、成膜ガスの被着により形成された透明電極１１は、
不純ガスの成分を含むことになるため、その抵抗値が適
正値よりも増加してしまったり、また該電極１１の透過
率が低くなったりするという問題があった。なお、これ
らの問題は、透明電極１１だけではなく、カラーフィル
タの保護膜や画素電極の絶縁膜等の透明膜を形成する場
合にも生じていた。
【０００８】そこで、本発明は、塗布型の樹脂膜の溶剤
成分を十分に発散させることにより、該溶剤成分を含有
せず品質劣化のない無機薄膜を得られる、液晶装置の製
造方法を提供することを目的とする。
成分を十分に発散させることにより、該溶剤成分を含有
せず品質劣化のない無機薄膜を得られる、液晶装置の製
造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述事情に鑑
みなされたものであって、透明基板上に塗布型の樹脂膜
を形成する樹脂膜形成工程と、該樹脂膜が形成された透
明基板を真空状態に保持して無機薄膜を形成する真空成
膜工程と、を備え、前記樹脂膜を形成した後に前記無機
薄膜を形成する液晶装置の製造方法において、前記樹脂
膜が形成された透明基板を、前記真空成膜工程にて前記
無機薄膜を形成する前に、該真空成膜工程における透明
基板の温度よりも高い温度に保持し、かつ該真空成膜工
程における真空度よりも高真空度に保持する真空熱処理
工程を備えてなる。
みなされたものであって、透明基板上に塗布型の樹脂膜
を形成する樹脂膜形成工程と、該樹脂膜が形成された透
明基板を真空状態に保持して無機薄膜を形成する真空成
膜工程と、を備え、前記樹脂膜を形成した後に前記無機
薄膜を形成する液晶装置の製造方法において、前記樹脂
膜が形成された透明基板を、前記真空成膜工程にて前記
無機薄膜を形成する前に、該真空成膜工程における透明
基板の温度よりも高い温度に保持し、かつ該真空成膜工
程における真空度よりも高真空度に保持する真空熱処理
工程を備えてなる。
【００１０】この場合、前記真空熱処理工程を、排気口
が形成された真空熱処理室で行うことにより、前記樹脂
膜の溶剤成分を不純ガスとして前記真空熱処理室外部に
発散せしめると共に、前記透明基板を、前記真空熱処理
工程及び前記真空成膜工程にて処理する間、大気に触れ
させない、ようにすると好ましい。特に、前記真空成膜
工程は、排気口が形成された真空成膜室で行われ、前記
真空熱処理室と前記真空成膜室とは開閉可能なゲートバ
ルブにより仕切られるように配置されることに基き、前
記透明基板を、前記真空熱処理工程及び前記真空成膜工
程にて処理する間、大気に触れさせない、ようにすると
良い。
が形成された真空熱処理室で行うことにより、前記樹脂
膜の溶剤成分を不純ガスとして前記真空熱処理室外部に
発散せしめると共に、前記透明基板を、前記真空熱処理
工程及び前記真空成膜工程にて処理する間、大気に触れ
させない、ようにすると好ましい。特に、前記真空成膜
工程は、排気口が形成された真空成膜室で行われ、前記
真空熱処理室と前記真空成膜室とは開閉可能なゲートバ
ルブにより仕切られるように配置されることに基き、前
記透明基板を、前記真空熱処理工程及び前記真空成膜工
程にて処理する間、大気に触れさせない、ようにすると
良い。
【００１１】また、前記塗布型の樹脂膜が、ポリイミ
ド、ポリアミド、アクリル、ゼラチン或はこれらを主成
分とする高分子膜である、ようにしてもよい。
ド、ポリアミド、アクリル、ゼラチン或はこれらを主成
分とする高分子膜である、ようにしてもよい。
【００１２】さらに、前記塗布型の樹脂膜が、カラーフ
ィルタ又はカラーフィルタの保護膜である、ようにして
もよい。
ィルタ又はカラーフィルタの保護膜である、ようにして
もよい。
【００１３】またさらに、前記無機薄膜が、ＩＴＯ又は
ＳｎＯ2 等の透明電極である、ようにしてもよい。
ＳｎＯ2 等の透明電極である、ようにしてもよい。
【００１４】また一方、前記無機薄膜が、ＴａＯX 、Ｍ
ｏＯX 、ＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ等
の絶縁膜である、ようにしてもよい。
ｏＯX 、ＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ等
の絶縁膜である、ようにしてもよい。
【００１５】さらに一方、前記無機薄膜がＡｌ、Ｃｒ、
Ｃｕ、Ｍｏ、Ｎｉあるいはそれらの合金等の金属電極で
ある、ようにしてもよい。
Ｃｕ、Ｍｏ、Ｎｉあるいはそれらの合金等の金属電極で
ある、ようにしてもよい。
【００１６】
【作用】以上構成に基づき、樹脂膜形成工程においては
液晶装置の透明基板上に塗布型の樹脂膜が形成される。
そして、真空熱処理工程において、前記樹脂膜形成工程
にて樹脂膜が形成された透明基板は、前記真空成膜工程
における透明基板の温度よりも高い温度に保持され、か
つ前記真空成膜工程における真空度よりも高真空度に保
持される。したがって、前記樹脂膜形成後に該樹脂膜中
に残留していた溶剤成分は外部に発散され、該樹脂膜中
には溶剤成分はほとんど残らない。さらに、真空成膜工
程においては該樹脂膜が形成された透明基板が真空状態
に保持されて無機薄膜が形成される。このとき、前記樹
脂膜中には溶剤成分はほとんど残っていないため、無機
薄膜形成時に透明基板が加熱されても、前記樹脂膜中か
らは溶剤成分がほとんど発散せず、したがって溶剤成分
が前記無機薄膜中に溶け込むこともない。
液晶装置の透明基板上に塗布型の樹脂膜が形成される。
そして、真空熱処理工程において、前記樹脂膜形成工程
にて樹脂膜が形成された透明基板は、前記真空成膜工程
における透明基板の温度よりも高い温度に保持され、か
つ前記真空成膜工程における真空度よりも高真空度に保
持される。したがって、前記樹脂膜形成後に該樹脂膜中
に残留していた溶剤成分は外部に発散され、該樹脂膜中
には溶剤成分はほとんど残らない。さらに、真空成膜工
程においては該樹脂膜が形成された透明基板が真空状態
に保持されて無機薄膜が形成される。このとき、前記樹
脂膜中には溶剤成分はほとんど残っていないため、無機
薄膜形成時に透明基板が加熱されても、前記樹脂膜中か
らは溶剤成分がほとんど発散せず、したがって溶剤成分
が前記無機薄膜中に溶け込むこともない。
【００１７】
【実施例】以下、図面に沿って、本発明の実施例につい
て説明する。
て説明する。
【００１８】まず、図１に沿って、本実施例に用いる成
膜装置について説明する。なお、本装置によって製造さ
れる液晶装置は従来技術に既述したものとほぼ同様の構
造であるため、必要に応じて図５に示した符号を付すだ
けに止め、該構造についての詳細説明は省略する。
膜装置について説明する。なお、本装置によって製造さ
れる液晶装置は従来技術に既述したものとほぼ同様の構
造であるため、必要に応じて図５に示した符号を付すだ
けに止め、該構造についての詳細説明は省略する。
【００１９】かかる成膜装置は、透明電極（例えば、Ｉ
ＴＯ膜）形成用として用いられるものであり、真空熱処
理工程（詳細は後述）を行う真空熱処理室１と、真空成
膜工程（上述）を行う真空成膜室５と、を備えている。
このうちの真空成膜室５にはガス導入口６及び排気口７
が形成されており、真空成膜室５内に成膜ガスを取り入
れるようになっている。また、真空成膜室５内には基板
加熱ヒータ８が配置されており、基板温度を所定温度に
維持するようになっている。さらに、真空成膜室５内に
は、スパッタ用ターゲット９に直流電圧を印加できるよ
うな直流電源Ｐが配置され、スパッタ法で成膜できるよ
うになっている。一方、真空熱処理室１内にも基板加熱
ヒータ２が配置されており、ガラス基板１０を加熱して
基板温度を所定温度に維持するようになっている。さら
に、真空熱処理室１には排気口３が形成されており、真
空熱処理室１内の排気を行って真空状態にすると共に、
加熱に伴いカラーフィルタ２０から発散せしめられた溶
剤成分（不純ガス）を完全に排気させて該真空熱処理室
１内には残留させないようになっている。なお、これら
の真空成膜室５と真空熱処理室１との間にはゲートバル
ブ４が配置されており、ゲートバルブ４は開閉自在に構
成されている。そして、かかるゲートバルブ４を開けた
状態では真空熱処理室１と真空成膜室５とが連通し、真
空熱処理室１のガラス基板１０を真空成膜室５まで大気
に触れさせることなく移動できるようになっている。
ＴＯ膜）形成用として用いられるものであり、真空熱処
理工程（詳細は後述）を行う真空熱処理室１と、真空成
膜工程（上述）を行う真空成膜室５と、を備えている。
このうちの真空成膜室５にはガス導入口６及び排気口７
が形成されており、真空成膜室５内に成膜ガスを取り入
れるようになっている。また、真空成膜室５内には基板
加熱ヒータ８が配置されており、基板温度を所定温度に
維持するようになっている。さらに、真空成膜室５内に
は、スパッタ用ターゲット９に直流電圧を印加できるよ
うな直流電源Ｐが配置され、スパッタ法で成膜できるよ
うになっている。一方、真空熱処理室１内にも基板加熱
ヒータ２が配置されており、ガラス基板１０を加熱して
基板温度を所定温度に維持するようになっている。さら
に、真空熱処理室１には排気口３が形成されており、真
空熱処理室１内の排気を行って真空状態にすると共に、
加熱に伴いカラーフィルタ２０から発散せしめられた溶
剤成分（不純ガス）を完全に排気させて該真空熱処理室
１内には残留させないようになっている。なお、これら
の真空成膜室５と真空熱処理室１との間にはゲートバル
ブ４が配置されており、ゲートバルブ４は開閉自在に構
成されている。そして、かかるゲートバルブ４を開けた
状態では真空熱処理室１と真空成膜室５とが連通し、真
空熱処理室１のガラス基板１０を真空成膜室５まで大気
に触れさせることなく移動できるようになっている。
【００２０】ついで、本実施例の作用について説明す
る。
る。
【００２１】本実施例においては、カラーフィルタ２０
を形成したガラス基板１０を真空熱処理室１内に設置し
（不図示）、基板加熱ヒータ２に通電してガラス基板１
０を所定温度（後述）に加熱する。すると、既に形成さ
れているカラーフィルタ２０からは、残留していた溶剤
成分（水分、水素、酸素等）が不純ガスとして発散され
て真空熱処理室１内に放出される。そして、かかる不純
ガスは排気口３から完全に排気される。したがって、カ
ラーフィルタ２０中及び真空熱処理室１内には溶剤成分
は残留しないこととなる。
を形成したガラス基板１０を真空熱処理室１内に設置し
（不図示）、基板加熱ヒータ２に通電してガラス基板１
０を所定温度（後述）に加熱する。すると、既に形成さ
れているカラーフィルタ２０からは、残留していた溶剤
成分（水分、水素、酸素等）が不純ガスとして発散され
て真空熱処理室１内に放出される。そして、かかる不純
ガスは排気口３から完全に排気される。したがって、カ
ラーフィルタ２０中及び真空熱処理室１内には溶剤成分
は残留しないこととなる。
【００２２】その後、ゲートバルブ４を開け、ガラス基
板１０を真空成膜室５に大気に触れさせることなく移動
する（その移動は、不図示の搬送装置等によって行
う）。そして、ゲートバルブ４を閉じた後真空成膜室５
内を所定の真空度に保ち、基板加熱ヒータ８に通電して
ガラス基板１０を所定温度（後述）に再加熱する。その
後、成膜ガスをガス導入口６より導入し、直流電圧を印
加し、直流放電をたて、スパッタ法によりガラス基板１
０上にＩＴＯ膜（被覆膜）を成膜する。
板１０を真空成膜室５に大気に触れさせることなく移動
する（その移動は、不図示の搬送装置等によって行
う）。そして、ゲートバルブ４を閉じた後真空成膜室５
内を所定の真空度に保ち、基板加熱ヒータ８に通電して
ガラス基板１０を所定温度（後述）に再加熱する。その
後、成膜ガスをガス導入口６より導入し、直流電圧を印
加し、直流放電をたて、スパッタ法によりガラス基板１
０上にＩＴＯ膜（被覆膜）を成膜する。
【００２３】ところで、上述したようにカラーフィルタ
２０中には溶剤成分はほとんど残留していないため、真
空成膜工程にてカラーフィルタ２０がヒータ８により加
熱されても、該カラーフィルタ２０からは不純ガスが発
生しない。また、真空熱処理室１内の不純ガスは既に排
気口３から排気されているため、ゲートバルブ４を開け
ても真空成膜室５内に不純ガスが侵入することもない。
したがって、真空成膜工程において成膜ガスをガス導入
口６より導入すると、真空成膜室５内は純粋な成膜ガス
のみが充満し、スパッタ法により膜をガラス基板１０上
に形成する。ガラス基板１０上には該成膜ガスのみが被
着される。その結果、不純ガスの混入のない、純粋なＩ
ＴＯ膜が形成される。なお、このＩＴＯ膜は、パターニ
ングによって所望の形状をもつ透明電極１１に成形され
る。
２０中には溶剤成分はほとんど残留していないため、真
空成膜工程にてカラーフィルタ２０がヒータ８により加
熱されても、該カラーフィルタ２０からは不純ガスが発
生しない。また、真空熱処理室１内の不純ガスは既に排
気口３から排気されているため、ゲートバルブ４を開け
ても真空成膜室５内に不純ガスが侵入することもない。
したがって、真空成膜工程において成膜ガスをガス導入
口６より導入すると、真空成膜室５内は純粋な成膜ガス
のみが充満し、スパッタ法により膜をガラス基板１０上
に形成する。ガラス基板１０上には該成膜ガスのみが被
着される。その結果、不純ガスの混入のない、純粋なＩ
ＴＯ膜が形成される。なお、このＩＴＯ膜は、パターニ
ングによって所望の形状をもつ透明電極１１に成形され
る。
【００２４】本発明者は、本実施例の効果を実験により
確かめた。以下、その実験結果について説明する。
確かめた。以下、その実験結果について説明する。
【００２５】まず、本発明者は、真空熱処理室１におけ
る基板温度を１６０℃及び２００℃とし、その温度でカ
ラーフィルタ２０の形成されたガラス基板１０を２分間
保持した。また、その時の真空度は０．５Ｐとし、真空
成膜工程における真空度よりも高いものとした。さら
に、真空成膜室５においては基板温度を１８０℃とし
た。そして、これらの条件の下で形成されたＩＴＯ膜
（真空熱処理室１における基板温度は、１６０℃及び２
００℃の２種類）について、可視光域での透過率の変化
を測定した。その測定結果を図２に示す。図より、可視
光の波長の如何にかかわらず、真空熱処理室１における
基板温度を２００℃とした方が１６０℃とした場合に比
べ透過率に優れていることが分かる。波長が４００ｎｍ
や６００ｎｍの場合には、特に優れていることが分か
る。さらに、本発明者は、真空熱処理室１における基板
温度を２０〜２００℃に変化させて成膜し、波長が一定
（５００ｎｍ）の可視光を照射して、その透過率を求め
た（図３）。この図より、基板温度が高い方が透過率も
高くなることが分かる。
る基板温度を１６０℃及び２００℃とし、その温度でカ
ラーフィルタ２０の形成されたガラス基板１０を２分間
保持した。また、その時の真空度は０．５Ｐとし、真空
成膜工程における真空度よりも高いものとした。さら
に、真空成膜室５においては基板温度を１８０℃とし
た。そして、これらの条件の下で形成されたＩＴＯ膜
（真空熱処理室１における基板温度は、１６０℃及び２
００℃の２種類）について、可視光域での透過率の変化
を測定した。その測定結果を図２に示す。図より、可視
光の波長の如何にかかわらず、真空熱処理室１における
基板温度を２００℃とした方が１６０℃とした場合に比
べ透過率に優れていることが分かる。波長が４００ｎｍ
や６００ｎｍの場合には、特に優れていることが分か
る。さらに、本発明者は、真空熱処理室１における基板
温度を２０〜２００℃に変化させて成膜し、波長が一定
（５００ｎｍ）の可視光を照射して、その透過率を求め
た（図３）。この図より、基板温度が高い方が透過率も
高くなることが分かる。
【００２６】またさらに、本発明者は、真空熱処理室１
における基板温度を２０〜２００℃に変化させて成膜
し、それぞれについて抵抗値を測定した（図４）。この
図より、基板温度が高い程抵抗値が低くなり、例えば２
００℃で処理した場合には１６０℃で処理した場合より
もさらに２割程低くなっていることが分かる。
における基板温度を２０〜２００℃に変化させて成膜
し、それぞれについて抵抗値を測定した（図４）。この
図より、基板温度が高い程抵抗値が低くなり、例えば２
００℃で処理した場合には１６０℃で処理した場合より
もさらに２割程低くなっていることが分かる。
【００２７】以上から、真空熱処理室１における基板温
度を高くした場合（例えば、２００℃とし、真空成膜室
５における基板温度１８０℃よりも高くした場合）に
は、成膜されたＩＴＯ膜の透過率は高くなり、抵抗値は
低くなることが分かる。特に、真空熱処理室１内の不純
ガス（溶剤成分）を排気口３から完全に排気すると共
に、ガラス基板１０を真空熱処理室１から真空成膜室５
まで移動する際に、ガラス基板１０を大気に触れさせな
いようにすることにより、その効果が顕著になる。
度を高くした場合（例えば、２００℃とし、真空成膜室
５における基板温度１８０℃よりも高くした場合）に
は、成膜されたＩＴＯ膜の透過率は高くなり、抵抗値は
低くなることが分かる。特に、真空熱処理室１内の不純
ガス（溶剤成分）を排気口３から完全に排気すると共
に、ガラス基板１０を真空熱処理室１から真空成膜室５
まで移動する際に、ガラス基板１０を大気に触れさせな
いようにすることにより、その効果が顕著になる。
【００２８】なお、前記塗布型の樹脂膜としてはポリイ
ミド、ポリアミド、アクリル、ゼラチン、或はこれらを
主成分とする高分子膜がある。
ミド、ポリアミド、アクリル、ゼラチン、或はこれらを
主成分とする高分子膜がある。
【００２９】また、上述実施例はカラーフィルタを形成
する場合に適用したが、もちろんこれに限るものではな
く、塗布型の樹脂膜としてカラーフィルタの保護膜を形
成する場合に適用してもよい。
する場合に適用したが、もちろんこれに限るものではな
く、塗布型の樹脂膜としてカラーフィルタの保護膜を形
成する場合に適用してもよい。
【００３０】さらに、上述実施例は透明電極１１として
ＩＴＯを形成する場合に適用したが、もちろんこれに限
るものではなく、ＳｎＯ2 等の透明電極を形成する場合
に適用するようにしてもよい。また、これら透明電極１
１の代わりに、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｎｉ等の金属
電極や、ＴａＯｘ、ＭｏＯｘ、ＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4、
ＡｌＮ等の無機薄膜（絶縁膜）を形成する際に、本実施
例を適用してもよい。
ＩＴＯを形成する場合に適用したが、もちろんこれに限
るものではなく、ＳｎＯ2 等の透明電極を形成する場合
に適用するようにしてもよい。また、これら透明電極１
１の代わりに、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｎｉ等の金属
電極や、ＴａＯｘ、ＭｏＯｘ、ＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4、
ＡｌＮ等の無機薄膜（絶縁膜）を形成する際に、本実施
例を適用してもよい。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、真空熱処理工程に
おいて、樹脂膜が形成された透明基板は高真空中・高温
度中に保持されて、樹脂膜中の溶剤成分は発散され、該
溶剤成分は樹脂膜中にはほとんど残留していない状態と
なる。したがって、その後の真空成膜工程にて透明基板
が再加熱されても、前記樹脂膜中から溶剤成分がほとん
ど発散せず、その結果無機薄膜中には溶剤成分がほとん
ど含まれない。したがって、該無機薄膜は、その抵抗値
や透過率が減少することもなく、品質も一定に維持され
る。これにより、信頼性に富み、かつ高品質な液晶装置
を製造することができる。
おいて、樹脂膜が形成された透明基板は高真空中・高温
度中に保持されて、樹脂膜中の溶剤成分は発散され、該
溶剤成分は樹脂膜中にはほとんど残留していない状態と
なる。したがって、その後の真空成膜工程にて透明基板
が再加熱されても、前記樹脂膜中から溶剤成分がほとん
ど発散せず、その結果無機薄膜中には溶剤成分がほとん
ど含まれない。したがって、該無機薄膜は、その抵抗値
や透過率が減少することもなく、品質も一定に維持され
る。これにより、信頼性に富み、かつ高品質な液晶装置
を製造することができる。
【図１】真空熱処理工程及び真空成膜工程を行う成膜装
置の構造を示す模式図。
置の構造を示す模式図。
【図２】真空熱処理工程の処理温度を１６０℃・２００
℃として形成した２種類の透明電極について、可視光の
波長を種々変化させてそれらの透過率を測定した場合に
おける測定結果を示す図。
℃として形成した２種類の透明電極について、可視光の
波長を種々変化させてそれらの透過率を測定した場合に
おける測定結果を示す図。
【図３】真空熱処理工程の処理温度を２０〜２００℃の
範囲に変化させて形成した透明電極の透過率を、可視光
の波長を一定（５００ｎｍ）として測定した場合におけ
る測定結果を示す図。
範囲に変化させて形成した透明電極の透過率を、可視光
の波長を一定（５００ｎｍ）として測定した場合におけ
る測定結果を示す図。
【図４】真空熱処理工程の処理温度を２０〜２００℃の
範囲に変化させて透明電極を形成した場合における、該
透明電極の抵抗値と前記処理温度との関係を示す図。
範囲に変化させて透明電極を形成した場合における、該
透明電極の抵抗値と前記処理温度との関係を示す図。
【図５】液晶装置の一般的構造を示す断面図。
１０ 透明基板（ガラス基板）
１１ 無機薄膜（ＩＴＯの透明電極）
２０ 塗布型の樹脂膜（カラーフィルタ）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 榎本 隆
東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ
ヤノン株式会社内
(56)参考文献 特開 平３−35215（ＪＰ，Ａ)
特開 昭54−23557（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02F 1/13 - 1/141
Claims (8)
- 【請求項１】 透明基板上に塗布型の樹脂膜を形成する
樹脂膜形成工程と、該樹脂膜が形成された透明基板を真
空状態に保持して無機薄膜を形成する真空成膜工程と、
を備え、前記樹脂膜を形成した後に前記無機薄膜を形成
する液晶装置の製造方法において、 前記樹脂膜が形成された透明基板を、前記真空成膜工程
にて前記無機薄膜を形成する前に、該真空成膜工程にお
ける透明基板の温度よりも高い温度に保持し、かつ該真
空成膜工程における真空度よりも高真空度に保持する真
空熱処理工程を備えてなる、 液晶装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記真空熱処理工程を、排気口が形成さ
れた真空熱処理室で行うことにより、前記樹脂膜の溶剤
成分を不純ガスとして前記真空熱処理室外部に発散せし
めると共に、 前記透明基板を、前記真空熱処理工程及び前記真空成膜
工程にて処理する間、大気に触れさせない、 ことを特徴とする請求項１記載の液晶装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記真空成膜工程は、排気口が形成され
た真空成膜室で行われ、 前記真空熱処理室と前記真空成膜室とは開閉可能なゲー
トバルブにより仕切られるように配置されることに基
き、前記透明基板を、前記真空熱処理工程及び前記真空
成膜工程にて処理する間、大気に触れさせない、 ことを特徴とする請求項２に記載の液晶装置の製造方
法。 - 【請求項４】 前記塗布型の樹脂膜が、ポリイミド、ポ
リアミド、アクリル、ゼラチン或はこれらを主成分とす
る高分子膜である、 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液晶装置の製造
方法。 - 【請求項５】 前記塗布型の樹脂膜が、カラーフィルタ
又はカラーフィルタの保護膜である、 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液晶装置の製造
方法。 - 【請求項６】 前記無機薄膜が、ＩＴＯ又はＳｎＯ２等
の透明電極である、 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液晶装置の製造
方法。 - 【請求項７】 前記無機薄膜が、ＴａＯＸ、ＭｏＯＸ、
ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ等の絶縁膜
である、 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液晶装置の製造
方法。 - 【請求項８】 前記無機薄膜が、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍ
ｏ、Ｎｉあるいはそれらの合金から成る金属電極であ
る、 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液晶装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09208793A JP3513177B2 (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | 液晶装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09208793A JP3513177B2 (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | 液晶装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06281924A JPH06281924A (ja) | 1994-10-07 |
| JP3513177B2 true JP3513177B2 (ja) | 2004-03-31 |
Family
ID=14044665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09208793A Expired - Fee Related JP3513177B2 (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | 液晶装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3513177B2 (ja) |
-
1993
- 1993-03-26 JP JP09208793A patent/JP3513177B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06281924A (ja) | 1994-10-07 |
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