JPH1152117A - ブラックマスク、カラーフィルター及び液晶ディスプレイ - Google Patents
ブラックマスク、カラーフィルター及び液晶ディスプレイInfo
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- JPH1152117A JPH1152117A JP20454897A JP20454897A JPH1152117A JP H1152117 A JPH1152117 A JP H1152117A JP 20454897 A JP20454897 A JP 20454897A JP 20454897 A JP20454897 A JP 20454897A JP H1152117 A JPH1152117 A JP H1152117A
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- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造のスループットを向上させることができ
るとともに波長依存性の低減されたブラックマスクを提
供する。 【解決手段】 本ブラックマスクは、透明基板２上に形
成され、可視光を透過させる金属酸化物又は金属酸化物
の混合物若しくは混晶からなる第１反射防止膜３と、第
１反射防止膜３上に形成され、第１反射防止膜３に使用
する金属と異なる金属の酸化物、炭化物、窒化物、酸化
窒化物、酸化炭化物、窒化炭化物、及び酸化窒化炭化物
の少なくとも１種を含む第２反射防止膜４と、第２反射
防止膜４上に形成され、可視光を遮光する遮光膜５とを
備える。
るとともに波長依存性の低減されたブラックマスクを提
供する。 【解決手段】 本ブラックマスクは、透明基板２上に形
成され、可視光を透過させる金属酸化物又は金属酸化物
の混合物若しくは混晶からなる第１反射防止膜３と、第
１反射防止膜３上に形成され、第１反射防止膜３に使用
する金属と異なる金属の酸化物、炭化物、窒化物、酸化
窒化物、酸化炭化物、窒化炭化物、及び酸化窒化炭化物
の少なくとも１種を含む第２反射防止膜４と、第２反射
防止膜４上に形成され、可視光を遮光する遮光膜５とを
備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ブラックマスク、
カラーフィルター及び液晶ディスプレイに関する。
カラーフィルター及び液晶ディスプレイに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＳＴＮ方式あるいはＴＦＴ方式のカラー
液晶ディスプレイは、液晶層に対向する位置にカラーフ
ィルターを備えている。カラーフィルターは、複数の開
口を有するブラックマスクによって分離された着色樹脂
を有しており、このブラックマスクの特性が液晶ディス
プレイの視認性を左右する。従来のブラックマスクは、
特開平８−１７９３０１号公報に記載されている。
液晶ディスプレイは、液晶層に対向する位置にカラーフ
ィルターを備えている。カラーフィルターは、複数の開
口を有するブラックマスクによって分離された着色樹脂
を有しており、このブラックマスクの特性が液晶ディス
プレイの視認性を左右する。従来のブラックマスクは、
特開平８−１７９３０１号公報に記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】液晶ディスプレイに用
いられるカラーフィルターでは、パネルの視認性を向上
させるため、その構成要素の一つであるブラックマスク
表面での光反射率、及び可視波長領域での反射率の波長
依存性を低減させる、すなわち、反射率の波長特性を十
分に小さくする（各波長における反射率の振れ幅を小さ
くする）ことが求められる。表面反射率を低減させるた
めには、クロム酸化物膜等のクロム化合物膜とクロム膜
の２層化されたブラックマスクが有効であると考えられ
る。これらのブラックマスクは、ボトム反射率は低くな
るが、表面反射率の波長依存性が大きくなる。
いられるカラーフィルターでは、パネルの視認性を向上
させるため、その構成要素の一つであるブラックマスク
表面での光反射率、及び可視波長領域での反射率の波長
依存性を低減させる、すなわち、反射率の波長特性を十
分に小さくする（各波長における反射率の振れ幅を小さ
くする）ことが求められる。表面反射率を低減させるた
めには、クロム酸化物膜等のクロム化合物膜とクロム膜
の２層化されたブラックマスクが有効であると考えられ
る。これらのブラックマスクは、ボトム反射率は低くな
るが、表面反射率の波長依存性が大きくなる。
【０００４】上記特開平８−１７９３０１号公報に記載
のブラックマスクは、Ｃｒ、Ｏ、Ｎ及びＣを含んだ第１
反射防止膜、Ｃｒ、Ｎ、Ｏ及びＣを含んだ第２反射防止
膜、及び金属クロムからなる遮光膜を有しており、この
ブラックマスク、クロム層を２層化したものと比較し
て、その表面反射率を低減させることができる。しかし
ながら、依然として表面反射率の波長依存性は大きく、
反射率も十分には低減されていない。
のブラックマスクは、Ｃｒ、Ｏ、Ｎ及びＣを含んだ第１
反射防止膜、Ｃｒ、Ｎ、Ｏ及びＣを含んだ第２反射防止
膜、及び金属クロムからなる遮光膜を有しており、この
ブラックマスク、クロム層を２層化したものと比較し
て、その表面反射率を低減させることができる。しかし
ながら、依然として表面反射率の波長依存性は大きく、
反射率も十分には低減されていない。
【０００５】反射率の波長依存性が大きい場合には、本
来黒色であるべきブラックマスクが赤み、又は青みを帯
びる。画像の高画質化のためには、更なる表面反射率及
びその波長依存性の低減が求められる。表面反射率及び
その波長依存性を低減させるためには、クロム層の層数
を増加させることが有効である。しかしながら、クロム
層の層数を増加させると、全体の層厚が増加するため、
ブラックマスクの開口を形成するために要するエッチン
グ時間が長くなり、スループットが劣化する。
来黒色であるべきブラックマスクが赤み、又は青みを帯
びる。画像の高画質化のためには、更なる表面反射率及
びその波長依存性の低減が求められる。表面反射率及び
その波長依存性を低減させるためには、クロム層の層数
を増加させることが有効である。しかしながら、クロム
層の層数を増加させると、全体の層厚が増加するため、
ブラックマスクの開口を形成するために要するエッチン
グ時間が長くなり、スループットが劣化する。
【０００６】本発明は、製造のスループットを向上させ
ることができるとともに、上記従来技術で形成されたブ
ラックマスクの特性を大きく上回り、可視領域全体で反
射率の低く、且つ、反射率の波長依存性が小さいブラッ
クマスク、鮮明な画像が得られるカラーフィルター及び
液晶ディスプレイを提供することを目的とする。
ることができるとともに、上記従来技術で形成されたブ
ラックマスクの特性を大きく上回り、可視領域全体で反
射率の低く、且つ、反射率の波長依存性が小さいブラッ
クマスク、鮮明な画像が得られるカラーフィルター及び
液晶ディスプレイを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係るブラックマ
スクは、透明基板上に形成され、可視光を透過させる金
属酸化物又は金属酸化物の混合物若しくは混晶からなる
第１反射防止膜と、第１反射防止膜上に形成され、第１
反射防止膜に使用する金属と異なる金属の酸化物、炭化
物、窒化物、酸化窒化物、酸化炭化物、窒化炭化物、及
び酸化窒化炭化物の少なくとも１種を含む第２反射防止
膜と、第２反射防止膜上に形成され、可視光を遮光する
遮光膜とを備える。透明基板に照射される可視光は第１
反射防止膜及び第２反射防止膜によってその反射率が低
減され、遮光膜によって遮光される。第１反射防止膜
は、可視光を透過させるため、これをエッチングする必
要がなく、製造のスループットを向上させることができ
る。
スクは、透明基板上に形成され、可視光を透過させる金
属酸化物又は金属酸化物の混合物若しくは混晶からなる
第１反射防止膜と、第１反射防止膜上に形成され、第１
反射防止膜に使用する金属と異なる金属の酸化物、炭化
物、窒化物、酸化窒化物、酸化炭化物、窒化炭化物、及
び酸化窒化炭化物の少なくとも１種を含む第２反射防止
膜と、第２反射防止膜上に形成され、可視光を遮光する
遮光膜とを備える。透明基板に照射される可視光は第１
反射防止膜及び第２反射防止膜によってその反射率が低
減され、遮光膜によって遮光される。第１反射防止膜
は、可視光を透過させるため、これをエッチングする必
要がなく、製造のスループットを向上させることができ
る。
【０００８】遮光膜及び第２反射防止膜に複数の開口が
形成され、開口内の第１反射防止膜が露出していること
が好ましい。なお、開口の形状は、ＳＴＮ方式又はＴＦ
Ｔ方式に適用されるものであればよい。
形成され、開口内の第１反射防止膜が露出していること
が好ましい。なお、開口の形状は、ＳＴＮ方式又はＴＦ
Ｔ方式に適用されるものであればよい。
【０００９】第１反射防止膜の可視光領域での屈折率が
１．２以上４．０以下であり、消衰係数が０．２以下で
あることが好ましい。また、第２反射防止膜は、クロム
酸化物、クロム炭化物、クロム窒化物、クロム酸化窒化
物、クロム酸化炭化物、クロム窒化炭化物、及びクロム
酸化窒化炭化物の少なくとも１種を含むことが好まし
い。また、遮光膜は金属クロムを含むをことが好まし
い。
１．２以上４．０以下であり、消衰係数が０．２以下で
あることが好ましい。また、第２反射防止膜は、クロム
酸化物、クロム炭化物、クロム窒化物、クロム酸化窒化
物、クロム酸化炭化物、クロム窒化炭化物、及びクロム
酸化窒化炭化物の少なくとも１種を含むことが好まし
い。また、遮光膜は金属クロムを含むをことが好まし
い。
【００１０】本発明に係るカラーフィルターは、このよ
うなブラックマスクと、ブラックマスクの複数の開口内
に配置された着色樹脂とを備える。このカラーフィルタ
ーは、ブラックマスクが開口内に配置された着色樹脂を
分離するので、着色樹脂を透過する光を分離する。透明
基板を介してブラックマスクに照射される光の反射率及
び反射率の波長依存性は小さいため、着色樹脂を透過し
た光に対する反射光の比率を低減させることができ、着
色樹脂を透過した光の視認性を向上させることができ
る。
うなブラックマスクと、ブラックマスクの複数の開口内
に配置された着色樹脂とを備える。このカラーフィルタ
ーは、ブラックマスクが開口内に配置された着色樹脂を
分離するので、着色樹脂を透過する光を分離する。透明
基板を介してブラックマスクに照射される光の反射率及
び反射率の波長依存性は小さいため、着色樹脂を透過し
た光に対する反射光の比率を低減させることができ、着
色樹脂を透過した光の視認性を向上させることができ
る。
【００１１】また、本発明に係る液晶ディスプレイは、
このカラーフィルターを備える第１基板と、複数の電極
を備える第２基板と、第１及び第２基板間に挟持され、
電極に所定の電位を印加することにより、ブラックマス
クの複数の開口に対向する領域毎にその配向を変化させ
ることができる液晶層とを備えることを特徴とする。
このカラーフィルターを備える第１基板と、複数の電極
を備える第２基板と、第１及び第２基板間に挟持され、
電極に所定の電位を印加することにより、ブラックマス
クの複数の開口に対向する領域毎にその配向を変化させ
ることができる液晶層とを備えることを特徴とする。
【００１２】この液晶ディスプレイにおいては、電極に
所定の電位を印加することにより、液晶層のブラックマ
スクの複数の開口に対向する領域毎に配向を変化させる
ことができるため、液晶層に入力される光の光量をブラ
ックマスクの開口毎に制御することができる。ブラック
マスクの開口内には、着色樹脂が配置されているので、
上記領域毎に着色樹脂に対応した波長成分の光を発する
ことができる。この液晶ディスプレイのカラ−フィルタ
は、着色樹脂を透過した光の視認性を向上させることが
できため、この液晶ディスプレイに鮮明な画像を表示す
ることができる。
所定の電位を印加することにより、液晶層のブラックマ
スクの複数の開口に対向する領域毎に配向を変化させる
ことができるため、液晶層に入力される光の光量をブラ
ックマスクの開口毎に制御することができる。ブラック
マスクの開口内には、着色樹脂が配置されているので、
上記領域毎に着色樹脂に対応した波長成分の光を発する
ことができる。この液晶ディスプレイのカラ−フィルタ
は、着色樹脂を透過した光の視認性を向上させることが
できため、この液晶ディスプレイに鮮明な画像を表示す
ることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に係る
ブラックマスクについて、ブラックマスクを有するカラ
ーフィルターを用いて説明する。なお、同一要素には同
一符号を用いるものとし、重複する説明は省略する。
ブラックマスクについて、ブラックマスクを有するカラ
ーフィルターを用いて説明する。なお、同一要素には同
一符号を用いるものとし、重複する説明は省略する。
【００１４】図１は、このカラーフィルター１を示す斜
視図であり、ブラックマスクＢＭを備える。カラーフィ
ルター１は、透明ガラス基板２と、透明ガラス基板２上
に順次堆積された第１反射膜防止膜３、第２反射防止膜
４及び遮光膜５からなるブラックマスクＢＭ（ブラック
マトリクス）と、ブラックマスクＢＭ上に形成されたオ
ーバーコート層６と、オーバーコート層６上に形成され
た透明電極７とを備える。さらに、透明ガラス基板２の
裏面側には、偏光板８が取付けられている。
視図であり、ブラックマスクＢＭを備える。カラーフィ
ルター１は、透明ガラス基板２と、透明ガラス基板２上
に順次堆積された第１反射膜防止膜３、第２反射防止膜
４及び遮光膜５からなるブラックマスクＢＭ（ブラック
マトリクス）と、ブラックマスクＢＭ上に形成されたオ
ーバーコート層６と、オーバーコート層６上に形成され
た透明電極７とを備える。さらに、透明ガラス基板２の
裏面側には、偏光板８が取付けられている。
【００１５】第１反射防止膜３は、可視光領域において
透明であり、金属酸化物からなり、Ｃｒ、Ａｌ、Ｍｇ、
Ｓｎ、Ｌａ、Ｓｉ、Ｉｎ、Ｎｄ、Ｓｂ、Ｚｒ、Ｓｅ、Ｔ
ｉ、Ｂｉ、Ｔａ、Ｍｏ及びＧｅ等の金属の少なくとも１
種と酸素との化合物を用いることができる。第１反射防
止膜３の好適な材料としては、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ｔａ
2Ｏ5、ＴｉＯ2等を用いることができる。また、第１反
射防止膜３の材料として、これらの 金属を含む金属酸
化物の混合物若しくは混晶を用いることもできる。すな
わち、第１反射防止膜３は、可視光に対して透明であっ
て反射防止機能を有するものであれば、他の物質の混入
を妨げるものではなく、金属酸化物又は金属酸化物の混
合物若しくは混晶を用いることができる。さらに、第１
反射防止膜３の材料として、透明導電膜であるＩＴＯ
（インジウムスズ酸化物）を用いてもよい。
透明であり、金属酸化物からなり、Ｃｒ、Ａｌ、Ｍｇ、
Ｓｎ、Ｌａ、Ｓｉ、Ｉｎ、Ｎｄ、Ｓｂ、Ｚｒ、Ｓｅ、Ｔ
ｉ、Ｂｉ、Ｔａ、Ｍｏ及びＧｅ等の金属の少なくとも１
種と酸素との化合物を用いることができる。第１反射防
止膜３の好適な材料としては、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ｔａ
2Ｏ5、ＴｉＯ2等を用いることができる。また、第１反
射防止膜３の材料として、これらの 金属を含む金属酸
化物の混合物若しくは混晶を用いることもできる。すな
わち、第１反射防止膜３は、可視光に対して透明であっ
て反射防止機能を有するものであれば、他の物質の混入
を妨げるものではなく、金属酸化物又は金属酸化物の混
合物若しくは混晶を用いることができる。さらに、第１
反射防止膜３の材料として、透明導電膜であるＩＴＯ
（インジウムスズ酸化物）を用いてもよい。
【００１６】反射防止の観点から第１反射防止膜の可視
光領域の屈折率は、１．２以上、４．０以下、消衰係数
は０．２以下であることが好ましく、さらに好ましくは
屈折率が１．５以上、３．０以下、消衰係数が０．１以
下であることが好ましい。第１反射防止膜３の膜厚は、
第２反射防止膜４との屈折率差を考慮して決定され、好
ましくは１０〜２００ｎｍであり、さらに好ましくは２
０〜７０ｎｍである。
光領域の屈折率は、１．２以上、４．０以下、消衰係数
は０．２以下であることが好ましく、さらに好ましくは
屈折率が１．５以上、３．０以下、消衰係数が０．１以
下であることが好ましい。第１反射防止膜３の膜厚は、
第２反射防止膜４との屈折率差を考慮して決定され、好
ましくは１０〜２００ｎｍであり、さらに好ましくは２
０〜７０ｎｍである。
【００１７】第２反射防止膜４の材料は、第１反射防止
膜に使用する金属と異なる金属の酸化物、炭化物、窒化
物、酸化窒化物、酸化炭化物、窒化炭化物、及び酸化窒
化炭化物の少なくとも１種を含むものであり、可視光領
域の光の吸収するものであればよいが、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔ
ｉ、Ｍｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｇｅ等の金属のいず
れか１種の金属と、酸素、炭素又は窒素の化合物、又は
該金属と、酸素、炭素及び窒素のいずれか２種以上を含
む複合混合化合物を用いることができる。第２反射防止
膜４の好適な材料としては、Ｃｒ2Ｏ3、ＣｒＯ2、Ｃｒ
Ｏ3、Ｃｒ5Ｏ12、Ｃｒ2Ｏ5又はＣｒＯ5等のクロム酸化
物、ＣｒＮ又はＣｒＮ2等のクロム窒化物、Ｃｒ3Ｃ2等
のクロム炭化物、クロム酸化窒化物、クロム酸化炭化
物、クロム窒化炭化 物、又はクロム酸化窒化炭化物で
あり、これらの混合物又は化合物を用いることもでき
る。
膜に使用する金属と異なる金属の酸化物、炭化物、窒化
物、酸化窒化物、酸化炭化物、窒化炭化物、及び酸化窒
化炭化物の少なくとも１種を含むものであり、可視光領
域の光の吸収するものであればよいが、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔ
ｉ、Ｍｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｇｅ等の金属のいず
れか１種の金属と、酸素、炭素又は窒素の化合物、又は
該金属と、酸素、炭素及び窒素のいずれか２種以上を含
む複合混合化合物を用いることができる。第２反射防止
膜４の好適な材料としては、Ｃｒ2Ｏ3、ＣｒＯ2、Ｃｒ
Ｏ3、Ｃｒ5Ｏ12、Ｃｒ2Ｏ5又はＣｒＯ5等のクロム酸化
物、ＣｒＮ又はＣｒＮ2等のクロム窒化物、Ｃｒ3Ｃ2等
のクロム炭化物、クロム酸化窒化物、クロム酸化炭化
物、クロム窒化炭化 物、又はクロム酸化窒化炭化物で
あり、これらの混合物又は化合物を用いることもでき
る。
【００１８】反射防止の観点から第２反射防止膜４の可
視光領域の屈折率は、第１反射防止膜３の屈折率よりも
大きい方が好ましく、消衰係数は第１反射防止膜３の消
衰係数よりも大きい方が好ましい。このような反射防止
の観点から、第２反射防止膜４の可視光領域の屈折率は
１．５以上、４．０以下、消衰係数は０．２以上３．０
以下であることが好ましく、さらに好ましくは屈折率が
２．０以上、３．５以下、消衰係数が０．５以上２．０
以下であることが好ましい。
視光領域の屈折率は、第１反射防止膜３の屈折率よりも
大きい方が好ましく、消衰係数は第１反射防止膜３の消
衰係数よりも大きい方が好ましい。このような反射防止
の観点から、第２反射防止膜４の可視光領域の屈折率は
１．５以上、４．０以下、消衰係数は０．２以上３．０
以下であることが好ましく、さらに好ましくは屈折率が
２．０以上、３．５以下、消衰係数が０．５以上２．０
以下であることが好ましい。
【００１９】第２反射防止膜４の膜厚は、第１反射防止
膜３との屈折率差を考慮して決定され、好ましくは１０
〜２００ｎｍであり、さらに好ましくは３０〜５０ｎｍ
である。
膜３との屈折率差を考慮して決定され、好ましくは１０
〜２００ｎｍであり、さらに好ましくは３０〜５０ｎｍ
である。
【００２０】遮光膜５の材料は、可視光を遮光するもの
であればよく、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎ
ｉ、Ｆｅ、Ｇｅ、Ａｌ及びＭｇ等の金属を含むものを用
いることができ、金属クロム又はその合金であることが
好ましい。遮光膜５の膜厚は、可視光を遮光すれば特に
制限はないが、遮光の性能及び製造のスループットの観
点から、２０〜５００ｎｍが好ましく、より好ましくは
５０〜３００ｎｍであり、さらに好ましくは５０〜１５
０ｎｍである。
であればよく、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎ
ｉ、Ｆｅ、Ｇｅ、Ａｌ及びＭｇ等の金属を含むものを用
いることができ、金属クロム又はその合金であることが
好ましい。遮光膜５の膜厚は、可視光を遮光すれば特に
制限はないが、遮光の性能及び製造のスループットの観
点から、２０〜５００ｎｍが好ましく、より好ましくは
５０〜３００ｎｍであり、さらに好ましくは５０〜１５
０ｎｍである。
【００２１】上述の第１反射防止膜３、第２反射防止膜
４及び遮光膜５の３層構造を有するブラックマスクＢＭ
は、従来の２層構造を有するブラックマスクＢＭと比較
して、その反射率及び反射率の波長依存性を低減するこ
とができる。
４及び遮光膜５の３層構造を有するブラックマスクＢＭ
は、従来の２層構造を有するブラックマスクＢＭと比較
して、その反射率及び反射率の波長依存性を低減するこ
とができる。
【００２２】図２は、図１に示したカラーフィルター１
のＸ−Ｘ矢印断面図である。ブラックマスクＢＭは複数
の開口を有している。ブラックマスクＢＭの開口は、遮
光膜５及び第２反射防止膜４の一部分を第１反射防止膜
３の表面までエッチングすることによって形成されてお
り、したがって、遮光膜５及び第２反射防止膜４には複
数の開口が形成され、開口内の第１反射防止膜の表面は
露出している。また、ブラックマスクＢＭの隣接する３
つの開口内には、それぞれ異なった色の樹脂が光学フィ
ルタとして充填されている。すなわち、着色樹脂Ｒは、
赤色に着色された樹脂であって、フォトレジストに赤色
の顔料を含有させて硬化させたものであり、着色樹脂Ｇ
は、緑色に着色された樹脂であって、フォトレジストに
緑色の顔料を含有させて硬化させたものであり、着色樹
脂Ｂは、青色に着色された樹脂であって、フォトレジス
トに青色の顔料を含有させて硬化させたものである。こ
のカラーフィルター１は、ブラックマスクＢＭが開口内
に配置された着色樹脂Ｒ，Ｇ，Ｂを分離するので、着色
樹脂Ｒ，Ｇ，Ｂを透過する光を分離する。
のＸ−Ｘ矢印断面図である。ブラックマスクＢＭは複数
の開口を有している。ブラックマスクＢＭの開口は、遮
光膜５及び第２反射防止膜４の一部分を第１反射防止膜
３の表面までエッチングすることによって形成されてお
り、したがって、遮光膜５及び第２反射防止膜４には複
数の開口が形成され、開口内の第１反射防止膜の表面は
露出している。また、ブラックマスクＢＭの隣接する３
つの開口内には、それぞれ異なった色の樹脂が光学フィ
ルタとして充填されている。すなわち、着色樹脂Ｒは、
赤色に着色された樹脂であって、フォトレジストに赤色
の顔料を含有させて硬化させたものであり、着色樹脂Ｇ
は、緑色に着色された樹脂であって、フォトレジストに
緑色の顔料を含有させて硬化させたものであり、着色樹
脂Ｂは、青色に着色された樹脂であって、フォトレジス
トに青色の顔料を含有させて硬化させたものである。こ
のカラーフィルター１は、ブラックマスクＢＭが開口内
に配置された着色樹脂Ｒ，Ｇ，Ｂを分離するので、着色
樹脂Ｒ，Ｇ，Ｂを透過する光を分離する。
【００２３】次に、上記実施形態に係るカラーフィルタ
ー１の製造方法について説明する。本カラーフィルター
１を製造するためには、まず、可視光に対して透明な透
明ガラス基板２を用意し、透明基板２の表面上に、第１
反射防止膜３、第２反射防止膜４及び遮光膜５を順次堆
積する。
ー１の製造方法について説明する。本カラーフィルター
１を製造するためには、まず、可視光に対して透明な透
明ガラス基板２を用意し、透明基板２の表面上に、第１
反射防止膜３、第２反射防止膜４及び遮光膜５を順次堆
積する。
【００２４】第１反射防止膜３は、反応性スパッタリン
グ法を用いて形成される。すなわち、透明基板２を図示
しないチャンバ内に配置した後、透明基板２に対向する
位置にターゲットとして、金属又は合金を配置する。次
に、チャンバ内を第１の圧力Ｐ1以下に減圧した後、不
活性ガス（希ガス）としてのアルゴンガスをチャンバ内
に導入し、さらに、ターゲットの金属（Ａｌ、Ｍｇ、Ｓ
ｎ、Ｌａ、Ｓｉ、Ｉｎ、Ｎｄ、Ｓｂ、Ｚｒ、Ｓｅ、Ｔ
ｉ、Ｂｉ、Ｔａ、Ｍｏ及びＧｅ）と化合させるための酸
素ガスをチャンバ内に導入し、チャンバ内の圧力を第２
の圧力Ｐ2に保持する。さらに、透明基板２の温度を測
定しながら、基板２の温度を第１の温度Ｔ1に保持しつ
つ、第１のスパッタパワーＷ1をチャンバ内の雰囲気に
加え、アルゴンプラズマを発生させてターゲット基板に
照射し、ターゲット基板の金属をスパッタリングし、ス
パッタされた金属原子又は分子とチャンバ内に導入され
た酸素との反応によって、透明基板２上に第１反射防止
膜３を形成する。
グ法を用いて形成される。すなわち、透明基板２を図示
しないチャンバ内に配置した後、透明基板２に対向する
位置にターゲットとして、金属又は合金を配置する。次
に、チャンバ内を第１の圧力Ｐ1以下に減圧した後、不
活性ガス（希ガス）としてのアルゴンガスをチャンバ内
に導入し、さらに、ターゲットの金属（Ａｌ、Ｍｇ、Ｓ
ｎ、Ｌａ、Ｓｉ、Ｉｎ、Ｎｄ、Ｓｂ、Ｚｒ、Ｓｅ、Ｔ
ｉ、Ｂｉ、Ｔａ、Ｍｏ及びＧｅ）と化合させるための酸
素ガスをチャンバ内に導入し、チャンバ内の圧力を第２
の圧力Ｐ2に保持する。さらに、透明基板２の温度を測
定しながら、基板２の温度を第１の温度Ｔ1に保持しつ
つ、第１のスパッタパワーＷ1をチャンバ内の雰囲気に
加え、アルゴンプラズマを発生させてターゲット基板に
照射し、ターゲット基板の金属をスパッタリングし、ス
パッタされた金属原子又は分子とチャンバ内に導入され
た酸素との反応によって、透明基板２上に第１反射防止
膜３を形成する。
【００２５】ここで、第１の圧力Ｐ1は、１．５Ｐａ以
下であり、より好ましくは０．１Ｐａ以下である。第２
の圧力Ｐ2は、０．１Ｐａ〜２．０Ｐａであるが、 好ま
しくは０．１Ｐａ〜１．０Ｐａである。なお、第１の温
度Ｔ1は、室温（約 ２０℃）〜５００℃であり、好まし
くは室温〜３５０℃であり、より好ましくは室温〜１５
０℃である。また、第１反射防止膜３の形成時に投入す
る第１のスパッタパワーＷ1は、０．５Ｗ／ｃｍ2以上〜
２０Ｗ／ｃｍ2以下であるが、好まし くは１Ｗ／ｃｍ2
以上〜１５Ｗ／ｃｍ2以下である。この際のスパッリン
グの速度、時間に特に制限はないが、目的とする膜厚を
得る時間として１０秒以上１時間以内が例示され、２０
秒以上３０分以内が好ましい。
下であり、より好ましくは０．１Ｐａ以下である。第２
の圧力Ｐ2は、０．１Ｐａ〜２．０Ｐａであるが、 好ま
しくは０．１Ｐａ〜１．０Ｐａである。なお、第１の温
度Ｔ1は、室温（約 ２０℃）〜５００℃であり、好まし
くは室温〜３５０℃であり、より好ましくは室温〜１５
０℃である。また、第１反射防止膜３の形成時に投入す
る第１のスパッタパワーＷ1は、０．５Ｗ／ｃｍ2以上〜
２０Ｗ／ｃｍ2以下であるが、好まし くは１Ｗ／ｃｍ2
以上〜１５Ｗ／ｃｍ2以下である。この際のスパッリン
グの速度、時間に特に制限はないが、目的とする膜厚を
得る時間として１０秒以上１時間以内が例示され、２０
秒以上３０分以内が好ましい。
【００２６】なお、第１反射防止膜３は、金属酸化物か
らなるターゲットをアルゴン等の不活性ガスを用いてス
パッタリングすることにより形成してもよく、また、第
１反射防止膜３は、上記のようなスパッタリング法の
他、ＣＶＤ（化学的気相成長）法や蒸着法を用いて形成
してもよい。
らなるターゲットをアルゴン等の不活性ガスを用いてス
パッタリングすることにより形成してもよく、また、第
１反射防止膜３は、上記のようなスパッタリング法の
他、ＣＶＤ（化学的気相成長）法や蒸着法を用いて形成
してもよい。
【００２７】第２反射防止膜４も反応性スパッタリング
法を用いて形成される。すなわち、第２反射防止膜４
は、第１反射防止膜３の形成後、基板２をチャンバから
取り出すことなく、チャンバ内の圧力が第３の圧力Ｐ3
以下になるまでチャンバ内の気体を排気した後、チャン
バ内にアルゴンガス、窒素ガス及び酸素ガスからなる混
合ガスを導入するか、又はアルゴンガス、窒素ガス、酸
素ガス及び二酸化炭素ガスからなる混合ガスを導入する
かして、チャンバ内の圧力を第４の圧力Ｐ4にする。次
に、基板２の温度を第２の温度Ｔ2に保持しつつ、第２
のスパッタパワーＷ2をチャンバ内の雰囲気に加え、ア
ルゴンプラズマを発生させてターゲット基板に照射し、
ターゲット基板の金属（Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｗ、
Ｍｏ、Ｎｉ、Ｆｅ又はＧｅ）をスパッタリングし、スパ
ッタされた金属原子又は分子とチャンバ内に導入された
窒素、酸素及び炭素との反応によって、反射防止膜３上
に第２反射防止膜４を形成する。
法を用いて形成される。すなわち、第２反射防止膜４
は、第１反射防止膜３の形成後、基板２をチャンバから
取り出すことなく、チャンバ内の圧力が第３の圧力Ｐ3
以下になるまでチャンバ内の気体を排気した後、チャン
バ内にアルゴンガス、窒素ガス及び酸素ガスからなる混
合ガスを導入するか、又はアルゴンガス、窒素ガス、酸
素ガス及び二酸化炭素ガスからなる混合ガスを導入する
かして、チャンバ内の圧力を第４の圧力Ｐ4にする。次
に、基板２の温度を第２の温度Ｔ2に保持しつつ、第２
のスパッタパワーＷ2をチャンバ内の雰囲気に加え、ア
ルゴンプラズマを発生させてターゲット基板に照射し、
ターゲット基板の金属（Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｗ、
Ｍｏ、Ｎｉ、Ｆｅ又はＧｅ）をスパッタリングし、スパ
ッタされた金属原子又は分子とチャンバ内に導入された
窒素、酸素及び炭素との反応によって、反射防止膜３上
に第２反射防止膜４を形成する。
【００２８】ここで、第３の圧力Ｐ3は、１．５Ｐａ以
下であり、より好ましくは０．１Ｐａ以下である。第４
の圧力Ｐ4は、０．１Ｐａ〜２．０Ｐａであるが、 好ま
しくは０．１Ｐａ〜１．０Ｐａである。なお、第２の温
度Ｔ2は、室温（約 ２０℃）〜５００℃であり、好まし
くは室温〜３５０℃であり、より好ましくは室温〜１５
０℃である。また、第２反射防止膜４の形成時に投入す
る第２のスパッタパワーＷ2は、０．５Ｗ／ｃｍ2以上２
０Ｗ／ｃｍ2以下であるが、好ましく は、１Ｗ／ｃｍ2
以上１５Ｗ／ｃｍ2以下である。この際のスパッリング
の速度、時間に特に制限はないが、目的とする膜厚を得
る時間として１０秒以上１時間以内が例示され、２０秒
以上３０分以内が好ましい。なお、第２反射防止膜４
は、上記のようなスパッタリング法の他、ＣＶＤ法や蒸
着法を用いて形成してもよい。
下であり、より好ましくは０．１Ｐａ以下である。第４
の圧力Ｐ4は、０．１Ｐａ〜２．０Ｐａであるが、 好ま
しくは０．１Ｐａ〜１．０Ｐａである。なお、第２の温
度Ｔ2は、室温（約 ２０℃）〜５００℃であり、好まし
くは室温〜３５０℃であり、より好ましくは室温〜１５
０℃である。また、第２反射防止膜４の形成時に投入す
る第２のスパッタパワーＷ2は、０．５Ｗ／ｃｍ2以上２
０Ｗ／ｃｍ2以下であるが、好ましく は、１Ｗ／ｃｍ2
以上１５Ｗ／ｃｍ2以下である。この際のスパッリング
の速度、時間に特に制限はないが、目的とする膜厚を得
る時間として１０秒以上１時間以内が例示され、２０秒
以上３０分以内が好ましい。なお、第２反射防止膜４
は、上記のようなスパッタリング法の他、ＣＶＤ法や蒸
着法を用いて形成してもよい。
【００２９】遮光膜５は、第２反射防止膜４の形成後、
チャンバ内の圧力が第５の圧力Ｐ5以下になるまでチャ
ンバ内の気体を排気した後、チャンバ内にアルゴンガス
を、チャンバ内の圧力が第６の圧力Ｐ6になるまで導入
する。次に、基板２の温度を第３の温度Ｔ3に保持しつ
つ、第３のスパッタパワーＷ3をチャンバ内の雰囲気に
加え、アルゴンプラズマを発生させてターゲット基板に
照射し、ターゲット基板の金属（Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍ
ｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｇｅ、Ａｌ及びＭｇ）をス
パッタリングし、スパッタされた金属原子又は分子を第
２反射防止膜４上に堆積することによって、遮光膜５を
形成する。
チャンバ内の圧力が第５の圧力Ｐ5以下になるまでチャ
ンバ内の気体を排気した後、チャンバ内にアルゴンガス
を、チャンバ内の圧力が第６の圧力Ｐ6になるまで導入
する。次に、基板２の温度を第３の温度Ｔ3に保持しつ
つ、第３のスパッタパワーＷ3をチャンバ内の雰囲気に
加え、アルゴンプラズマを発生させてターゲット基板に
照射し、ターゲット基板の金属（Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍ
ｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｇｅ、Ａｌ及びＭｇ）をス
パッタリングし、スパッタされた金属原子又は分子を第
２反射防止膜４上に堆積することによって、遮光膜５を
形成する。
【００３０】ここで、第５の圧力Ｐ5は、１．５Ｐａ以
下であり、より好ましくは０．１Ｐａ以下である。第６
の圧力Ｐ6は、０．１Ｐａ〜２．０Ｐａであるが、好ま
しくは０．１Ｐａ〜１．０Ｐａである。なお、第３の温
度Ｔ3は、室温（約 ２０℃）〜５００℃であり、好まし
くは室温〜３５０℃であり、より好ましくは室温〜１５
０℃である。また、遮光膜５の形成時に投入する第３の
スパッタパワーＷ3は、０．５Ｗ／ｃｍ2以上２０Ｗ／ｃ
ｍ2以下であるが、好ましくは、１Ｗ ／ｃｍ2以上１５
Ｗ／ｃｍ2以下である。この際のスパッリングの速度、
時間に特に制限はないが、目的とする膜厚を得る時間と
して１０秒以上１時間以内が例示され、２０秒以上３０
分以内が好ましい。なお、遮光膜５は、上記のようなス
パッタリング法の他、ＣＶＤ法や蒸着法を用いて形成し
てもよい。
下であり、より好ましくは０．１Ｐａ以下である。第６
の圧力Ｐ6は、０．１Ｐａ〜２．０Ｐａであるが、好ま
しくは０．１Ｐａ〜１．０Ｐａである。なお、第３の温
度Ｔ3は、室温（約 ２０℃）〜５００℃であり、好まし
くは室温〜３５０℃であり、より好ましくは室温〜１５
０℃である。また、遮光膜５の形成時に投入する第３の
スパッタパワーＷ3は、０．５Ｗ／ｃｍ2以上２０Ｗ／ｃ
ｍ2以下であるが、好ましくは、１Ｗ ／ｃｍ2以上１５
Ｗ／ｃｍ2以下である。この際のスパッリングの速度、
時間に特に制限はないが、目的とする膜厚を得る時間と
して１０秒以上１時間以内が例示され、２０秒以上３０
分以内が好ましい。なお、遮光膜５は、上記のようなス
パッタリング法の他、ＣＶＤ法や蒸着法を用いて形成し
てもよい。
【００３１】次に、ポジ型のフォトレジストを遮光膜５
の露出表面上に塗布し、プリーベーク後、フォトレジス
トに複数の開口を有するパターンを光照射し、フォトレ
ジストを感光させた後、フォトレジストの感光領域を有
機溶剤を用いて溶解することにより現像し、ポストベー
クを行うことにより、複数の開口を有するフォトレジス
ト層を遮光膜５上に形成する。
の露出表面上に塗布し、プリーベーク後、フォトレジス
トに複数の開口を有するパターンを光照射し、フォトレ
ジストを感光させた後、フォトレジストの感光領域を有
機溶剤を用いて溶解することにより現像し、ポストベー
クを行うことにより、複数の開口を有するフォトレジス
ト層を遮光膜５上に形成する。
【００３２】さらに、フォトレジスト層をマスクとし
て、所定のエッチング液をフォトレジスト層の開口直下
の遮光膜５、第２反射防止膜４に接触させて、これらの
接触領域をエッチングし、エッチングの終了後、フォト
レジスト層を有機溶剤を用いて遮光膜５上から除去し、
複数の開口を有するブラックマスクＢＭを形成する。な
お、遮光膜５及び第２反射防止膜４を選択的にエッチン
グするエッチング液を用いれば、第１反射防止膜３の表
面でエッチングを自動的に停止させることができる。こ
のように第１反射防止膜３は、可視光を透過させるた
め、エッチングの必要がなく、したがって、製造のスル
ープットを向上させることができる。
て、所定のエッチング液をフォトレジスト層の開口直下
の遮光膜５、第２反射防止膜４に接触させて、これらの
接触領域をエッチングし、エッチングの終了後、フォト
レジスト層を有機溶剤を用いて遮光膜５上から除去し、
複数の開口を有するブラックマスクＢＭを形成する。な
お、遮光膜５及び第２反射防止膜４を選択的にエッチン
グするエッチング液を用いれば、第１反射防止膜３の表
面でエッチングを自動的に停止させることができる。こ
のように第１反射防止膜３は、可視光を透過させるた
め、エッチングの必要がなく、したがって、製造のスル
ープットを向上させることができる。
【００３３】次に、赤色の顔料を含むことにより、赤色
に着色されたネガ型のフォトレジストを、基板２の上方
に配置されたディスペンサからブラックマスクＢＭ上に
供給し、ブラックマスクＢＭの全ての開口内に充填す
る。
に着色されたネガ型のフォトレジストを、基板２の上方
に配置されたディスペンサからブラックマスクＢＭ上に
供給し、ブラックマスクＢＭの全ての開口内に充填す
る。
【００３４】しかる後、赤色フォトレジストの塗布され
た基板２をプリベークし、均一な厚みを有する赤色フォ
トレジスト層を形成する。なお、プリベークの前に、赤
色フォトレジスト層の厚みが均一になるように、基板２
を、その厚み方向を回転軸として回転させてもよい。
た基板２をプリベークし、均一な厚みを有する赤色フォ
トレジスト層を形成する。なお、プリベークの前に、赤
色フォトレジスト層の厚みが均一になるように、基板２
を、その厚み方向を回転軸として回転させてもよい。
【００３５】次に、ブラックマスクＢＭのマトリクス状
の配置された開口の行方向及び列方向に対して３つおき
であって、対角方向に対して隣接する開口領域上のみに
赤色フォトレジストが残留するように露光し、非感光領
域の赤色フォトレジストを有機溶剤を用いて除去した
後、ベーキングを行い、ブラックマスクＢＭの所定の開
口内に赤色の樹脂Ｒを形成する。
の配置された開口の行方向及び列方向に対して３つおき
であって、対角方向に対して隣接する開口領域上のみに
赤色フォトレジストが残留するように露光し、非感光領
域の赤色フォトレジストを有機溶剤を用いて除去した
後、ベーキングを行い、ブラックマスクＢＭの所定の開
口内に赤色の樹脂Ｒを形成する。
【００３６】さらに、赤色のフォトレジストに代えて、
緑色に着色されたフォトレジスト及び青色に着色された
フォトレジストを用い、赤色の樹脂Ｒの形成工程と同様
の方法を用いて、ブラックマスクＢＭの所定の開口内に
緑色の樹脂Ｇ及び青色の樹脂Ｂを形成する。各着色樹脂
Ｒ，Ｇ，Ｂは、ブラックマスクＢＭの開口の行方向及び
列方向に対して３つおきであって、対角方向に対して隣
接するように配置されている。
緑色に着色されたフォトレジスト及び青色に着色された
フォトレジストを用い、赤色の樹脂Ｒの形成工程と同様
の方法を用いて、ブラックマスクＢＭの所定の開口内に
緑色の樹脂Ｇ及び青色の樹脂Ｂを形成する。各着色樹脂
Ｒ，Ｇ，Ｂは、ブラックマスクＢＭの開口の行方向及び
列方向に対して３つおきであって、対角方向に対して隣
接するように配置されている。
【００３７】次に、着色樹脂Ｒ，Ｇ，Ｂ上に、その表面
が均一になるようにオーバーコート層６を堆積し、さら
に、オーバーコート層６上に透明電極７を堆積し、最後
に透明基板２の裏面側に偏光板８を取付けて、図１に示
したカラーフィルター１が完成する。
が均一になるようにオーバーコート層６を堆積し、さら
に、オーバーコート層６上に透明電極７を堆積し、最後
に透明基板２の裏面側に偏光板８を取付けて、図１に示
したカラーフィルター１が完成する。
【００３８】次に、上記カラーフィルター１を用いた液
晶ディスプレイについて説明する。
晶ディスプレイについて説明する。
【００３９】図３は、この液晶ディスプレイ１００を示
す斜視図である。図４は、図３に示した液晶ディスプレ
イ１００のＹ−Ｙ矢印断面図である。本液晶ディスプレ
イ１００は、カラーフィルター１と、カラーフィルター
１の透明電極７に貼りつけられたＴＦＴ（薄膜トランジ
スタ）基板２０と、ＴＦＴ基板２０をカラーフィルター
１とともに挟む位置に固定されたバックライト２６とを
備える。
す斜視図である。図４は、図３に示した液晶ディスプレ
イ１００のＹ−Ｙ矢印断面図である。本液晶ディスプレ
イ１００は、カラーフィルター１と、カラーフィルター
１の透明電極７に貼りつけられたＴＦＴ（薄膜トランジ
スタ）基板２０と、ＴＦＴ基板２０をカラーフィルター
１とともに挟む位置に固定されたバックライト２６とを
備える。
【００４０】ＴＦＴ基板２０は、カラーフィルター１の
表面外周部を囲む遮光性樹脂からなる外枠２１、外枠２
１内に充填されたネマティック液晶からなる液晶層２
２、液晶層２２のブラックマスクＢＭ開口部に対応する
領域毎に設けられた複数の画素電極２３、画素電極２３
がその上に形成された透明ガラス基板２４及び透明ガラ
ス基板２４の露出表面に形成された偏光板２５を備え
る。
表面外周部を囲む遮光性樹脂からなる外枠２１、外枠２
１内に充填されたネマティック液晶からなる液晶層２
２、液晶層２２のブラックマスクＢＭ開口部に対応する
領域毎に設けられた複数の画素電極２３、画素電極２３
がその上に形成された透明ガラス基板２４及び透明ガラ
ス基板２４の露出表面に形成された偏光板２５を備え
る。
【００４１】偏光板又は偏光膜８及び２５の偏光方位は
直交しており、ポリイミド等の有機材料から構成され
る。複数の画素電極２３は、ＴＦＴ基板２０のガラス基
板２４上に形成された複数の薄膜トランジスタにそれぞ
れ接続されており、特定の画素電極２３に所定の電位を
与えると、特定の画素電極２３と透明電極７との間に所
定電圧が印加され、電圧に応じて形成される電界によっ
て、液晶層２２の特定の画素電極２３に対応する領域の
配向が変化する。
直交しており、ポリイミド等の有機材料から構成され
る。複数の画素電極２３は、ＴＦＴ基板２０のガラス基
板２４上に形成された複数の薄膜トランジスタにそれぞ
れ接続されており、特定の画素電極２３に所定の電位を
与えると、特定の画素電極２３と透明電極７との間に所
定電圧が印加され、電圧に応じて形成される電界によっ
て、液晶層２２の特定の画素電極２３に対応する領域の
配向が変化する。
【００４２】バックライト２６から出射した白色光ＬＴ
１のうちの特定方向の偏光成分が、偏光板又は偏光膜２
５を通過することによって、液晶層２２に入射する。入
射した偏光は、画素電極２３毎に分割され、液晶層２２
の配向量に応じて偏光方位が変化する。画素電極２３毎
に分割された光は、カラーフィルター１の着色樹脂Ｒ，
Ｇ，Ｂにそれぞれ入射し、これを透過する。カラーフィ
ルター１の出射面側には、偏光板又は偏光膜８が設けら
れているため、液晶層２２の配向量に応じて偏光板又は
偏光膜８を透過する光の光量が変化する。液晶層２２の
配向量は、画素電極２３に与えられる電位に比例するの
で、画素電極２３に与える電位を制御することによっ
て、出射光ＬＴ２の光量を制御することができる。
１のうちの特定方向の偏光成分が、偏光板又は偏光膜２
５を通過することによって、液晶層２２に入射する。入
射した偏光は、画素電極２３毎に分割され、液晶層２２
の配向量に応じて偏光方位が変化する。画素電極２３毎
に分割された光は、カラーフィルター１の着色樹脂Ｒ，
Ｇ，Ｂにそれぞれ入射し、これを透過する。カラーフィ
ルター１の出射面側には、偏光板又は偏光膜８が設けら
れているため、液晶層２２の配向量に応じて偏光板又は
偏光膜８を透過する光の光量が変化する。液晶層２２の
配向量は、画素電極２３に与えられる電位に比例するの
で、画素電極２３に与える電位を制御することによっ
て、出射光ＬＴ２の光量を制御することができる。
【００４３】以上、説明したように、上記実施の実施形
態に係るカラーフィルター１は、ブラックマスクＢＭ
と、ブラックマスクＢＭがその上に形成された透明基板
２と、ブラックマスクＢＭの複数の開口内に配置された
着色樹脂Ｒ，Ｇ，Ｂとを備える。このカラーフィルター
１は、ブラックマスクＢＭが開口内に配置された着色樹
脂Ｒ，Ｇ，Ｂを分離するので、着色樹脂Ｒ，Ｇ，Ｂを透
過する光を分離する。透明基板２を介してブラックマス
クＢＭに照射される光の反射率及び反射率の波長依存性
は小さくため、着色樹脂Ｒ，Ｇ，Ｂを透過した光ＬＴ２
に対する反射光の比率を低減させることができ、着色樹
脂Ｒ，Ｇ，Ｂを透過した光の視認性を向上させることが
できる。
態に係るカラーフィルター１は、ブラックマスクＢＭ
と、ブラックマスクＢＭがその上に形成された透明基板
２と、ブラックマスクＢＭの複数の開口内に配置された
着色樹脂Ｒ，Ｇ，Ｂとを備える。このカラーフィルター
１は、ブラックマスクＢＭが開口内に配置された着色樹
脂Ｒ，Ｇ，Ｂを分離するので、着色樹脂Ｒ，Ｇ，Ｂを透
過する光を分離する。透明基板２を介してブラックマス
クＢＭに照射される光の反射率及び反射率の波長依存性
は小さくため、着色樹脂Ｒ，Ｇ，Ｂを透過した光ＬＴ２
に対する反射光の比率を低減させることができ、着色樹
脂Ｒ，Ｇ，Ｂを透過した光の視認性を向上させることが
できる。
【００４４】また、上記実施の形態に係る液晶ディスプ
レイ１００は、カラーフィルター１と、カラーフィルタ
ー１に対向する位置に設けられた液晶層２２と、所定の
電位を印加することにより、液晶層２２のブラックマス
クＢＭの複数の開口に対向する領域毎に液晶層の配向を
変化させることができる位置に設けられた複数の電極２
３とを備える。この液晶ディスプレイ１００において
は、電極２３に所定の電位を印加することにより、液晶
層２２のブラックマスクＢＭの複数の開口に対向する領
域毎にその配向を変化させることができるため、液晶層
２２に入力される光ＬＴ１の光量をブラックマスクＢＭ
の開口毎に制御することができる。ブラックマスクＢＭ
の開口内には、着色樹脂Ｒ，Ｇ，Ｂが配置されているの
で、上記領域毎に着色樹脂Ｒ，Ｇ，Ｂに対応した波長成
分の光を出射することができる。この液晶ディスプレイ
１００のカラ−フィルタ１は、着色樹脂Ｒ，Ｇ，Ｂを透
過した光の視認性を向上させることができため、この液
晶ディスプレイ１００に鮮明な画像を表示することがで
きる。
レイ１００は、カラーフィルター１と、カラーフィルタ
ー１に対向する位置に設けられた液晶層２２と、所定の
電位を印加することにより、液晶層２２のブラックマス
クＢＭの複数の開口に対向する領域毎に液晶層の配向を
変化させることができる位置に設けられた複数の電極２
３とを備える。この液晶ディスプレイ１００において
は、電極２３に所定の電位を印加することにより、液晶
層２２のブラックマスクＢＭの複数の開口に対向する領
域毎にその配向を変化させることができるため、液晶層
２２に入力される光ＬＴ１の光量をブラックマスクＢＭ
の開口毎に制御することができる。ブラックマスクＢＭ
の開口内には、着色樹脂Ｒ，Ｇ，Ｂが配置されているの
で、上記領域毎に着色樹脂Ｒ，Ｇ，Ｂに対応した波長成
分の光を出射することができる。この液晶ディスプレイ
１００のカラ−フィルタ１は、着色樹脂Ｒ，Ｇ，Ｂを透
過した光の視認性を向上させることができため、この液
晶ディスプレイ１００に鮮明な画像を表示することがで
きる。
【００４５】
【実施例】上記実施の形態に係るブラックマスクＢＭ及
び比較例となるブラックマスクを製造し、その反射率及
び反射率の波長依存性について測定した。
び比較例となるブラックマスクを製造し、その反射率及
び反射率の波長依存性について測定した。
【００４６】（第１実施例）上記実施の形態のブラック
マスクＢＭを以下の第１実施例に係る方法を用いて製造
した。まず、ガラス基板２を、スパッタリング装置のチ
ャンバ内に装着し、チャンバ内を１．０×１０-4Ｐａま
で排気した後、チャンバ内にアルゴンガス及び酸素ガス
の混合ガスをチャンバ内の圧力が０．４Ｐａになるまで
導入した。なお、アルゴンガス及び酸素ガスの流量パー
セント比、Ａｒ：Ｏ2は２：１である。さらに、スパッ
タパワーを２Ｗ／ｃｍ2にして、タンタル金属をターゲ
ットとして反応性スパッタリングを行い、酸化タンタル
膜からなる膜厚４８ｎｍの第１反射防止膜３を基板２上
に形成した。
マスクＢＭを以下の第１実施例に係る方法を用いて製造
した。まず、ガラス基板２を、スパッタリング装置のチ
ャンバ内に装着し、チャンバ内を１．０×１０-4Ｐａま
で排気した後、チャンバ内にアルゴンガス及び酸素ガス
の混合ガスをチャンバ内の圧力が０．４Ｐａになるまで
導入した。なお、アルゴンガス及び酸素ガスの流量パー
セント比、Ａｒ：Ｏ2は２：１である。さらに、スパッ
タパワーを２Ｗ／ｃｍ2にして、タンタル金属をターゲ
ットとして反応性スパッタリングを行い、酸化タンタル
膜からなる膜厚４８ｎｍの第１反射防止膜３を基板２上
に形成した。
【００４７】次に、チャンバ内の圧力が１．０×１０-4
Ｐａになるまでチャンバ内の雰囲気を排気した後、アル
ゴンガス、窒素ガス及び酸素ガスの混合ガスを、チャン
バ内の圧力が０．４Ｐａになるまでチャンバ内に導入し
た。アルゴンガス、窒素ガス及び酸素ガスの流量パーセ
ント比、Ａｒ：Ｎ2：Ｏ2は４０：２０：１である。しか
る後、スパッタパワーを３Ｗ／ｃｍ2に設定し、クロム
金属をターゲットとして反応性スパッタリングを行い、
クロム酸化物及びクロム窒化物からなる膜厚４４ｎｍの
第２反射防止膜４を第１反射防止膜３上に形成した。
Ｐａになるまでチャンバ内の雰囲気を排気した後、アル
ゴンガス、窒素ガス及び酸素ガスの混合ガスを、チャン
バ内の圧力が０．４Ｐａになるまでチャンバ内に導入し
た。アルゴンガス、窒素ガス及び酸素ガスの流量パーセ
ント比、Ａｒ：Ｎ2：Ｏ2は４０：２０：１である。しか
る後、スパッタパワーを３Ｗ／ｃｍ2に設定し、クロム
金属をターゲットとして反応性スパッタリングを行い、
クロム酸化物及びクロム窒化物からなる膜厚４４ｎｍの
第２反射防止膜４を第１反射防止膜３上に形成した。
【００４８】次に、チャンバ内の圧力が１．０×１０-4
Ｐａになるまでチャンバ内の雰囲気を排気した後、アル
ゴンガスを、チャンバ内の圧力が０．１Ｐａになるまで
チャンバ内に導入した。しかる後、スパッタパワーを５
Ｗ／ｃｍ2に設定し、クロム金属をターゲットとしてス
パッタリングを行い、クロム金属からなる膜厚１００ｎ
ｍの遮光膜５を第２反射防止膜４上に形成した。なお、
上記膜３〜５の形成時の基板２の温度は、すべて室温で
ある。
Ｐａになるまでチャンバ内の雰囲気を排気した後、アル
ゴンガスを、チャンバ内の圧力が０．１Ｐａになるまで
チャンバ内に導入した。しかる後、スパッタパワーを５
Ｗ／ｃｍ2に設定し、クロム金属をターゲットとしてス
パッタリングを行い、クロム金属からなる膜厚１００ｎ
ｍの遮光膜５を第２反射防止膜４上に形成した。なお、
上記膜３〜５の形成時の基板２の温度は、すべて室温で
ある。
【００４９】（第２実施例）上記実施の形態のブラック
マスクＢＭを以下の第２実施例に係る方法を用いて製造
した。まず、ガラス基板２を、スパッタリング装置のチ
ャンバ内に装着し、チャンバ内を１．０×１０-4Ｐａま
で排気した後、チャンバ内にアルゴンガス及び酸素ガス
の混合ガスをチャンバ内の圧力が０．４Ｐａになるまで
導入した。なお、アルゴンガス及び酸素ガスの流量パー
セント比、Ａｒ：Ｏ2は２：１である。さらに、スパッ
タパワーを５Ｗ／ｃｍ2にして、チタン金属をターゲッ
トとして反応性スパッタリングを行い、酸化チタン膜か
らなる膜厚３６ｎｍの第１反射防止膜３を基板２上に形
成した。
マスクＢＭを以下の第２実施例に係る方法を用いて製造
した。まず、ガラス基板２を、スパッタリング装置のチ
ャンバ内に装着し、チャンバ内を１．０×１０-4Ｐａま
で排気した後、チャンバ内にアルゴンガス及び酸素ガス
の混合ガスをチャンバ内の圧力が０．４Ｐａになるまで
導入した。なお、アルゴンガス及び酸素ガスの流量パー
セント比、Ａｒ：Ｏ2は２：１である。さらに、スパッ
タパワーを５Ｗ／ｃｍ2にして、チタン金属をターゲッ
トとして反応性スパッタリングを行い、酸化チタン膜か
らなる膜厚３６ｎｍの第１反射防止膜３を基板２上に形
成した。
【００５０】次に、チャンバ内の圧力が１．０×１０-4
Ｐａになるまでチャンバ内の雰囲気を排気した後、アル
ゴンガス、窒素ガス及び酸素ガスの混合ガスを、チャン
バ内の圧力が０．４Ｐａになるまでチャンバ内に導入し
た。アルゴンガス、窒素ガス及び酸素ガスの流量パーセ
ント比、Ａｒ：Ｎ2：Ｏ2は４０：２０：１である。しか
る後、スパッタパワーを３Ｗ／ｃｍ2に設定し、クロム
金属をターゲットとして反応性スパッタリングを行い、
クロム酸化物及びクロム窒化物からなる膜厚４６ｎｍの
第２反射防止膜４を第１反射防止膜３上に形成した。
Ｐａになるまでチャンバ内の雰囲気を排気した後、アル
ゴンガス、窒素ガス及び酸素ガスの混合ガスを、チャン
バ内の圧力が０．４Ｐａになるまでチャンバ内に導入し
た。アルゴンガス、窒素ガス及び酸素ガスの流量パーセ
ント比、Ａｒ：Ｎ2：Ｏ2は４０：２０：１である。しか
る後、スパッタパワーを３Ｗ／ｃｍ2に設定し、クロム
金属をターゲットとして反応性スパッタリングを行い、
クロム酸化物及びクロム窒化物からなる膜厚４６ｎｍの
第２反射防止膜４を第１反射防止膜３上に形成した。
【００５１】次に、チャンバ内の圧力が１．０×１０-4
Ｐａになるまでチャンバ内の雰囲気を排気した後、アル
ゴンガスを、チャンバ内の圧力が０．１Ｐａになるまで
チャンバ内に導入した。しかる後、スパッタパワーを５
Ｗ／ｃｍ2に設定し、クロム金属をターゲットとしてス
パッタリングを行い、クロム金属からなる膜厚１００ｎ
ｍの遮光膜５を第２反射防止膜４上に形成した。上記膜
３〜５の形成時の基板２の温度は、すべて室温である。
なお、第１及び第２実施例に係る第１反射防止膜３の屈
折率を溝尻光学工業所ＤＨＡ−ＯＬＸ型自動エリプソメ
ータを用いて測定したところ、第１実施例の第１反射防
止膜３の屈折率は２．０、消衰係数は０であり、第２実
施例の第１反射防止膜３の屈折率は２．３、消衰係数は
０であった。
Ｐａになるまでチャンバ内の雰囲気を排気した後、アル
ゴンガスを、チャンバ内の圧力が０．１Ｐａになるまで
チャンバ内に導入した。しかる後、スパッタパワーを５
Ｗ／ｃｍ2に設定し、クロム金属をターゲットとしてス
パッタリングを行い、クロム金属からなる膜厚１００ｎ
ｍの遮光膜５を第２反射防止膜４上に形成した。上記膜
３〜５の形成時の基板２の温度は、すべて室温である。
なお、第１及び第２実施例に係る第１反射防止膜３の屈
折率を溝尻光学工業所ＤＨＡ−ＯＬＸ型自動エリプソメ
ータを用いて測定したところ、第１実施例の第１反射防
止膜３の屈折率は２．０、消衰係数は０であり、第２実
施例の第１反射防止膜３の屈折率は２．３、消衰係数は
０であった。
【００５２】（比較例）比較例に係るブラックマスクＢ
Ｍは、以下の方法により製造した。まず、ガラス基板２
を、スパッタリング装置のチャンバ内に装着し、チャン
バ内を１．０×１０-4Ｐａまで排気した後、チャンバ内
にアルゴンガス、窒素ガス及び酸素ガスの混合ガスをチ
ャンバ内の圧力が０．４Ｐａになるまで導入した。な
お、アルゴンガス、窒素ガス及び酸素ガスの流量パーセ
ント比、Ａｒ：Ｎ2：Ｏ2は４０：２０：１である。さら
に、スパッタパワーを２Ｗ／ｃｍ2にして、クロム金属
をターゲットとして反応性スパッタリングを行い、クロ
ム酸化物及びクロム窒化物からなる膜厚４０ｎｍの第２
反射防止膜４を基板２上に直接形成した。
Ｍは、以下の方法により製造した。まず、ガラス基板２
を、スパッタリング装置のチャンバ内に装着し、チャン
バ内を１．０×１０-4Ｐａまで排気した後、チャンバ内
にアルゴンガス、窒素ガス及び酸素ガスの混合ガスをチ
ャンバ内の圧力が０．４Ｐａになるまで導入した。な
お、アルゴンガス、窒素ガス及び酸素ガスの流量パーセ
ント比、Ａｒ：Ｎ2：Ｏ2は４０：２０：１である。さら
に、スパッタパワーを２Ｗ／ｃｍ2にして、クロム金属
をターゲットとして反応性スパッタリングを行い、クロ
ム酸化物及びクロム窒化物からなる膜厚４０ｎｍの第２
反射防止膜４を基板２上に直接形成した。
【００５３】次に、チャンバ内の圧力が１．０×１０-4
Ｐａになるまでチャンバ内の雰囲気を排気した後、アル
ゴンガスを、チャンバ内の圧力が０．１Ｐａになるまで
チャンバ内に導入した。しかる後、スパッタパワーを５
Ｗ／ｃｍ2に設定し、クロム金属をターゲットとしてス
パッタリングを行い、クロム金属からなる膜厚１２０ｎ
ｍの遮光膜５を第２反射防止膜４上に形成した。なお、
上記膜３〜５の形成時の基板２の温度は、すべて室温で
ある。
Ｐａになるまでチャンバ内の雰囲気を排気した後、アル
ゴンガスを、チャンバ内の圧力が０．１Ｐａになるまで
チャンバ内に導入した。しかる後、スパッタパワーを５
Ｗ／ｃｍ2に設定し、クロム金属をターゲットとしてス
パッタリングを行い、クロム金属からなる膜厚１２０ｎ
ｍの遮光膜５を第２反射防止膜４上に形成した。なお、
上記膜３〜５の形成時の基板２の温度は、すべて室温で
ある。
【００５４】（評価方法及び結果）第１実施例、第２実
施例及び比較例に係るブラックマスクＢＭの形成された
透明基板２を用意し、透明基板２側から入射光を照射し
て、ブラックマスクＢＭからの光の反射率を測定した。
この反射率は、ガラス基板２側よりミノルタＣＭ−２０
０２分光測色計を用いて測定した。
施例及び比較例に係るブラックマスクＢＭの形成された
透明基板２を用意し、透明基板２側から入射光を照射し
て、ブラックマスクＢＭからの光の反射率を測定した。
この反射率は、ガラス基板２側よりミノルタＣＭ−２０
０２分光測色計を用いて測定した。
【００５５】図５は、このようにして測定した入射光の
波長（ｎｍ）と反射率（％）との関係を示すグラフであ
る。第１実施例に係るブラックマスクＢＭを透明基板２
上に形成した場合、その反射率（Ｅ１）の波長依存性
は、波長４００〜７００ｎｍの可視領域に渡って、比較
例の反射率（Ｐ１）の波長依存性よりも低い。さらに、
第２実施例に係るブラックマスクＢＭを透明基板２上に
形成した場合、その反射率（Ｅ２）は、波長４００〜７
００ｎｍの可視領域に渡って、第１実施例のそれよりも
低く、また、その波長依存性もさらに低減されている。
特に、第１実施例のブラックマスクＢＭの波長５００ｎ
ｍ及び６００ｎｍにおける反射率は７％以下であり、第
２実施例のブラックマスクＢＭの波長５００ｎｍ及び６
００ｎｍにおける反射率は６％以下である。
波長（ｎｍ）と反射率（％）との関係を示すグラフであ
る。第１実施例に係るブラックマスクＢＭを透明基板２
上に形成した場合、その反射率（Ｅ１）の波長依存性
は、波長４００〜７００ｎｍの可視領域に渡って、比較
例の反射率（Ｐ１）の波長依存性よりも低い。さらに、
第２実施例に係るブラックマスクＢＭを透明基板２上に
形成した場合、その反射率（Ｅ２）は、波長４００〜７
００ｎｍの可視領域に渡って、第１実施例のそれよりも
低く、また、その波長依存性もさらに低減されている。
特に、第１実施例のブラックマスクＢＭの波長５００ｎ
ｍ及び６００ｎｍにおける反射率は７％以下であり、第
２実施例のブラックマスクＢＭの波長５００ｎｍ及び６
００ｎｍにおける反射率は６％以下である。
【００５６】なお、上記実施例に係るブラックマスクＢ
Ｍについて、クロム膜用のエッチング液を用いて、ブラ
ックマスクパターンを形成した場合、微細で良好なエッ
ジ形状を得ることができる。さらに、この上に赤色のレ
ジストを塗布後、露光、現像を行って赤色画素の形成を
行い、青、緑の画素を作製し、さらに、この上に、ＩＴ
Ｏ電極を成膜したのち、配向膜の作製、ラビング、スペ
ーサーの散布、ラビングした配向膜を表面に有する対向
電極基板の接着、液晶の注入、封止、偏光膜の接着等の
一連の操作を行うことにより製造された液晶ディスプレ
イは、従来の液晶ディスプレイよりも、低反射で、コン
トラスト等の表示性能が優るものである。
Ｍについて、クロム膜用のエッチング液を用いて、ブラ
ックマスクパターンを形成した場合、微細で良好なエッ
ジ形状を得ることができる。さらに、この上に赤色のレ
ジストを塗布後、露光、現像を行って赤色画素の形成を
行い、青、緑の画素を作製し、さらに、この上に、ＩＴ
Ｏ電極を成膜したのち、配向膜の作製、ラビング、スペ
ーサーの散布、ラビングした配向膜を表面に有する対向
電極基板の接着、液晶の注入、封止、偏光膜の接着等の
一連の操作を行うことにより製造された液晶ディスプレ
イは、従来の液晶ディスプレイよりも、低反射で、コン
トラスト等の表示性能が優るものである。
【００５７】
【発明の効果】本発明によれば、製造のスループットを
向上させることができるとともに、上記従来技術で形成
されたブラックマスクの特性を大きく上回り、可視領域
全体で反射率の低く、且つ、反射率の波長依存性が小さ
いブラックマスク、鮮明な画像が得られるカラーフィル
ター及び液晶ディスプレイを提供することができる。
向上させることができるとともに、上記従来技術で形成
されたブラックマスクの特性を大きく上回り、可視領域
全体で反射率の低く、且つ、反射率の波長依存性が小さ
いブラックマスク、鮮明な画像が得られるカラーフィル
ター及び液晶ディスプレイを提供することができる。
【図１】カラーフィルターの斜視図。
【図２】図１に示したカラーフィルターのＸ−Ｘ矢印断
面図。
面図。
【図３】液晶ディスプレイの斜視図。
【図４】図３に示した液晶ディスプレイのＹ−Ｙ矢印断
面図。
面図。
【図５】入射光の波長（ｎｍ）と反射率（％）との関係
を示すグラフ。
を示すグラフ。
３…第１反射防止膜、４…第２反射防止膜、遮光膜５、
ＢＭ…ブラックマスク、１…カラーフィルター、１００
…液晶ディスプレイ。
ＢＭ…ブラックマスク、１…カラーフィルター、１００
…液晶ディスプレイ。
Claims (7)
- 【請求項１】 ブラックマスクにおいて、透明基板上に
形成され、可視光を透過させる金属酸化物又は金属酸化
物の混合物若しくは混晶からなる第１反射防止膜と、前
記第１反射防止膜上に形成され、前記第１反射防止膜に
使用する金属と異なる金属の酸化物、炭化物、窒化物、
酸化窒化物、酸化炭化物、窒化炭化物、及び酸化窒化炭
化物の少なくとも１種を含む第２反射防止膜と、前記第
２反射防止膜上に形成され、可視光を遮光する遮光膜
と、を備えることを特徴とするブラックマスク。 - 【請求項２】 前記遮光膜及び前記第２反射防止膜にエ
ッチングにより複数の開口が形成され、前記開口内の前
記第１反射防止膜が露出していることを特徴とする請求
項１に記載のブラックマスク。 - 【請求項３】 前記第１反射防止膜の可視光領域での屈
折率が１．２以上４．０以下であり、消衰係数が０．２
以下であることを特徴とする請求項１に記載のブラック
マスク。 - 【請求項４】 前記第２反射防止膜が、クロム酸化物、
クロム炭化物、クロム窒化物、クロム酸化窒化物、クロ
ム酸化炭化物、クロム窒化炭化物、及びクロム酸化窒化
炭化物の少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項
１に記載のブラックマスク。 - 【請求項５】 前記遮光膜が金属クロムを含むをことを
特徴とする請求項１に記載のブラックマスク。 - 【請求項６】 請求項２に記載のブラックマスクと、前
記ブラックマスクの前記複数の開口内に配置された着色
樹脂と、を備えることを特徴とするカラーフィルター。 - 【請求項７】 請求項６に記載のカラーフィルターを備
える第１基板と、複数の電極を備える第２基板と、前記
第１及び第２基板間に挟持され、前記電極に所定の電位
を印加することにより、前記ブラックマスクの複数の開
口に対向する領域毎にその配向を変化させることができ
る液晶層と、を備えることを特徴とする液晶ディスプレ
イ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20454897A JPH1152117A (ja) | 1997-07-30 | 1997-07-30 | ブラックマスク、カラーフィルター及び液晶ディスプレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20454897A JPH1152117A (ja) | 1997-07-30 | 1997-07-30 | ブラックマスク、カラーフィルター及び液晶ディスプレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1152117A true JPH1152117A (ja) | 1999-02-26 |
Family
ID=16492339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20454897A Pending JPH1152117A (ja) | 1997-07-30 | 1997-07-30 | ブラックマスク、カラーフィルター及び液晶ディスプレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1152117A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008009397A (ja) * | 2006-06-02 | 2008-01-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2011186437A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-09-22 | Canon Inc | 光学素子用の遮光膜および光学素子 |
| US8436965B2 (en) | 2006-06-02 | 2013-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2016502592A (ja) * | 2012-10-23 | 2016-01-28 | ヘレーウス ドイチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテルハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフトＨｅｒａｅｕｓ Ｄｅｕｔｓｃｈｌａｎｄ ＧｍｂＨ＆Ｃｏ．ＫＧ | 光を吸収する層系及びその製造並びにそのために適したスパッタターゲット |
| JP2016075736A (ja) * | 2014-10-03 | 2016-05-12 | 大日本印刷株式会社 | カラーフィルタおよび表示装置 |
| JP2016191090A (ja) * | 2015-03-30 | 2016-11-10 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリングターゲット材、その製造方法、及び光学機能膜 |
-
1997
- 1997-07-30 JP JP20454897A patent/JPH1152117A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008009397A (ja) * | 2006-06-02 | 2008-01-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| US8436965B2 (en) | 2006-06-02 | 2013-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR101394096B1 (ko) * | 2006-06-02 | 2014-05-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| JP2011186437A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-09-22 | Canon Inc | 光学素子用の遮光膜および光学素子 |
| US8958155B2 (en) | 2010-02-12 | 2015-02-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-shielding film for optical element and optical element having light-shielding film |
| JP2016502592A (ja) * | 2012-10-23 | 2016-01-28 | ヘレーウス ドイチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテルハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフトＨｅｒａｅｕｓ Ｄｅｕｔｓｃｈｌａｎｄ ＧｍｂＨ＆Ｃｏ．ＫＧ | 光を吸収する層系及びその製造並びにそのために適したスパッタターゲット |
| JP2016075736A (ja) * | 2014-10-03 | 2016-05-12 | 大日本印刷株式会社 | カラーフィルタおよび表示装置 |
| JP2016191090A (ja) * | 2015-03-30 | 2016-11-10 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリングターゲット材、その製造方法、及び光学機能膜 |
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