JPH1114806A - ブラックマスク及びその製造方法及びこれを用いたカラーフィルター並びに液晶ディスプレイ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 鮮明な画像を液晶ディスプレイに表示するた
めのカラーフィルター及びブラックマスクを提供する。 【解決手段】 このブラックマスクは、クロム及び酸素
のみからなる第１反射防止膜３ａと、同様にクロム及び
酸素のみからなり、その結晶性が第１反射防止膜３ａよ
りも高い第２反射防止膜３ｂと、金属クロムからなる遮
光膜５と、その結晶性が第２反射防止膜３ｂよりも高い
クロム化合物膜４と備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ブラックマスク、
カラーフィルター及び液晶ディスプレイに関する。

【０００２】

【従来の技術】ＳＴＮ方式あるいはＴＦＴ方式のカラー
液晶ディスプレイは、液晶層に対向する位置にカラーフ
ィルターを備えている。カラーフィルターは、ブラック
マスクによって分離された着色樹脂を有しており、この
ブラックマスクの特性が液晶ディスプレイの視認性を左
右する。従来のブラックマスクは、特開平８−１７９３
０１号公報に記載されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】液晶ディスプレイに用
いられるカラーフィルターでは、パネルの視認性を向上
させるため、その構成要素の一つであるブラックマスク
表面での光反射率、及び可視波長領域での反射率の波長
依存性を低減させることが求められる。表面反射率を低
減させるためには、クロム酸化物膜等のクロム化合物膜
とクロム膜の２層化されたブラックマスクが有効である
と考えられる。これらのブラックマスクは、ボトム反射
率は低くなるが、表面反射率の波長依存性が大きくな
る。

【０００４】上記特開平８−１７９３０１号公報に記載
のブラックマスクは、Ｃｒ、Ｏ、Ｎ及びＣを含んだ第１
反射防止膜、Ｃｒ、Ｎ、Ｏ及びＣを含んだ第２反射防止
膜、及び金属クロムからなる遮光膜を有しており、この
ブラックマスク、クロム層を２層化したものと比較し
て、その表面反射率を低減させることができる。しかし
ながら、依然として表面反射率の波長依存性は大きく、
反射率も十分には低減されていない。

【０００５】反射率の波長依存性が大きい場合には、本
来黒色であるべきブラックマスクが赤み、又は青みを帯
びる。画像の高画質化のためには、更なる表面反射率及
びその波長依存性の低減が求められる。

【０００６】本発明は、上記従来技術で形成されたブラ
ックマスクの特性を大きく上回り、可視領域全体で反射
率の低く、且つ、反射率の波長依存性が小さいブラック
マスク及びその製造方法、並びに鮮明な画像が得られる
カラーフィルター及び液晶ディスプレイを提供すること
を目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らが可視領域全
体で反射率の十分に低いブラックマスクを得るべく、そ
の構成元素及び組成並びに製造方法について鋭意検討し
た結果、本願発明者らは、透明基板上にクロム及び酸素
からなる所定膜を形成する第１工程と、前記所定膜上に
クロム、酸素及び窒素を含むクロム化合物膜を形成する
と同時に、その結晶性が前記所定膜の表面から所定深さ
外の結晶性と異なる層を前記所定膜の表面から所定深さ
内に形成する第２工程と、クロム化合物膜上に金属クロ
ムからなる遮光膜を形成する第３工程とを備えるブラッ
クマスクの製造方法によって製造されたブラックマスク
は、従来のブラックマスクに較べて著しく反射率及びそ
の波長依存性を低減させることが可能であることを見い
だした。

【０００８】また、第２工程は、希ガス、酸素及び窒素
を含む混合ガスを透明基板の配置されるチャンバ内に導
入する工程と、混合ガスを用いて金属クロムからなるタ
ーゲット基板を所定条件でスパッタリングすることによ
って、ターゲット基板のクロムと混合ガスを反応させて
所定膜上にクロム化合物膜を形成するとともに所定膜内
にその結晶性が所定膜と異なる層を形成する工程と、を
含むことが好ましい。

【０００９】この方法によって製造されるブラックマス
クは、所定膜の所定深さ外の領域で規定され、クロム及
び酸素からなる第１反射防止膜と、所定膜の所定深さ内
の領域で規定され、クロム及び酸素からなり、その結晶
性が第１反射防止膜よりも高い第２反射防止膜と、クロ
ム、酸素及び窒素を含み、その結晶性が第２反射防止膜
よりも高いクロム化合物膜と、金属クロムからなる遮光
膜と、備える。

【００１０】また、第１、第２反射防止膜は、原子百分
率が３０〜５０％のクロム及び原子百分率が５０〜７０
％の酸素からなり、クロム化合物膜は原子百分率が４０
〜６０％のクロム、原子百分率が１０〜３０％の酸素及
び原子百分率が２０〜４０％の窒素からなることが好ま
しい。

【００１１】また、第１反射防止膜は８Ｗ／ｃｍ²以下
のスパッタパワーで形成されることが好ましい。

【００１２】また、本発明者らが可視領域全体で反射率
の十分に低いブラックマスクを得るべく、その構成元素
及び組成並びに製造方法についてさらに検討した結果、
本願発明者らは、透明基板上にクロム及び酸素からなる
所定膜を形成する第１工程と、所定膜上にクロム、酸
素、窒素及び炭素を含むクロム化合物膜を形成すると同
時に、その結晶性が前記所定膜の表面から所定深さ外の
結晶性と異なる層を前記所定膜の表面から所定深さ内に
形成する第２工程と、クロム化合物膜上に金属クロムか
らなる遮光膜を形成する第３工程とを備えるブラックマ
スクの製造方法によって製造されたブラックマスクは、
従来のブラックマスクに較べてさらに反射率及びその波
長依存性を低減させることが可能であることを見いだし
た。

【００１３】また、この第２工程は、希ガス、酸素、窒
素及び炭素を含む混合ガスを透明基板の配置されるチャ
ンバ内に導入する工程と、混合ガスを用いて金属クロム
からなるターゲット基板を所定条件でスパッタリングす
ることによって、クロムターゲット基板のクロムと混合
ガスを反応させて所定膜上にクロム化合物膜を形成する
とともに所定膜内にその結晶性が所定膜と異なる層を形
成する工程とを含むことが好ましい。

【００１４】この方法によって製造されるブラックマス
クは、所定膜の所定深さ外の領域で規定され、クロム及
び酸素からなる第１反射防止膜と、所定膜の所定深さ内
の領域で規定され、クロム及び酸素からなり、その結晶
性が第１反射防止膜よりも高い第２反射防止膜と、クロ
ム、酸素、窒素及び炭素を含み、その結晶性が第２反射
防止膜よりも高いクロム化合物膜と、金属クロムからな
る遮光膜を備える。

【００１５】この第１、第２反射防止膜は、原子百分率
が３０〜５０％のクロム及び原子百分率が５０〜７０％
の酸素からなり、クロム化合物膜は原子百分率が４０〜
６０％のクロム、原子百分率が１０〜３０％の酸素、原
子百分率が２０〜４０％の窒素及び原子百分率が０．１
〜１０％の炭素からなることが好ましい。

【００１６】また、第１反射防止膜は８Ｗ／ｃｍ²以下
のスパッタパワーで形成されることが好ましい。

【００１７】本発明に係るカラーフィルターは、このよ
うなブラックマスクと、ブラックマスクがその上に形成
された透明基板と、ブラックマスクの複数の開口内に配
置された着色樹脂とを備える。このカラーフィルター
は、ブラックマスクが開口内に配置された着色樹脂を分
離するので、着色樹脂を透過する光を分離する。透明基
板を介してブラックマスクに照射される光の反射率及び
反射率の波長依存性は小さいため、着色樹脂を透過した
光に対する反射光の比率を低減させることができ、着色
樹脂を透過した光の視認性を向上させることができる。

【００１８】また、本発明に係る液晶ディスプレイは、
このカラーフィルターを備える第１基板と、複数の電極
を備える第２基板と、第１及び第２基板間に挟持され、
電極に所定の電位を印加することにより、ブラックマス
クの複数の開口に対向する領域毎にその配向を変化させ
ることができる液晶層とを備えることを特徴とする。

【００１９】この液晶ディスプレイにおいては、電極に
所定の電位を印加することにより、液晶層の液晶層のブ
ラックマスクの複数の開口に対向する領域毎に配向を変
化させることができるため、液晶層に入力される光の光
量をブラックマスクの開口毎に制御することができる。
ブラックマスクの開口内には、着色樹脂が配置されてい
るので、上記領域毎に着色樹脂に対応した波長成分の光
を発することができる。この液晶ディスプレイのカラ−
フィルタは、着色樹脂を透過した光の視認性を向上させ
ることができため、この液晶ディスプレイに鮮明な画像
を表示することができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に係わ
るブラックマスクについて、ブラックマスクを有するカ
ラーフィルターを用いて説明する。なお、同一要素には
同一符号を用いるものとし、重複する説明は省略する。

【００２１】（第１の実施形態）図１は、このカラーフ
ィルター１を示す斜視図であり、ブラックマスクＢＭを
備える。まず、第１の実施形態に係るブラックマスクＢ
Ｍについて説明する。カラーフィルター１は、透明ガラ
ス基板２と、透明ガラス基板２上に順次堆積された第１
反射膜防止膜３ａ、第２反射防止膜３ｂ、クロム化合物
膜４及び遮光膜５からなるブラックマスクＢＭ（ブラッ
クマトリクス）と、ブラックマスクＢＭ上に形成された
オーバーコート層６と、オーバーコート層６上に形成さ
れた透明電極７とを備える。さらに、透明ガラス基板２
の裏面側には、偏光板８が取付けられている。

【００２２】第１反射防止膜３ａは、原子百分率が３０
〜５０％のクロム及び原子百分率が５０〜７０％の酸素
のみからなる。すなわち、第１反射防止膜３は、Ｃｒ₂
Ｏ₃、ＣｒＯ₂、ＣｒＯ₃、Ｃｒ₅Ｏ₁₂、Ｃｒ₂Ｏ₅又はＣｒ
Ｏ₅等の酸化クロムのみからなる。

【００２３】第２反射防止膜３ｂも、原子百分率が３０
〜５０％のクロム及び原子百分率が５０〜７０％の酸素
のみからなる。すなわち、第２反射防止膜３ｂも、Ｃｒ
₂Ｏ₃、ＣｒＯ₂、ＣｒＯ₃、Ｃｒ₅Ｏ₁₂、Ｃｒ₂Ｏ₅又 はＣ
ｒＯ₅等のクロム酸化物からなる。但し、その結晶性は
第１反射防止膜３ａよりも高い。なお、結晶性は微小領
域電子線回折像等によって確認できる。ここで、第１及
び第２反射防止膜３ａ，３ｂの膜厚の合計は、反射光を
低減するためには、１０〜２００ｎｍであることが好ま
しく、反射光及びその波長依存性を低減させる観点から
は２０〜７０ｎｍであることが好ましい。また、第２反
射防止膜３ｂの膜厚は、１０〜５０ｎｍであって、第１
反射防止膜３ａの膜厚は１０〜５０ｎｍであることが好
ましい。

【００２４】クロム化合物膜４は、原子百分率が４０〜
６０％のクロム、原子百分率が１０〜３０％の酸素及び
原子百分率が２０〜４０％の窒素からなる。すなわち、
クロム化合物膜４も、Ｃｒ₂Ｏ₃、ＣｒＯ₂、ＣｒＯ₃、Ｃ
ｒ₅Ｏ₁₂、Ｃｒ₂Ｏ₅又はＣｒＯ₅等のクロム酸化物と、Ｃ
ｒＮ又はＣｒＮ₂等のクロム窒化物との混合物又は化合
物からなる。なお、クロム化合物膜４の結晶性は第２反
射防止膜３ｂの結晶性よりも高い。クロム化合物膜４の
膜厚は、反射光を低減するためには、１０〜２００ｎｍ
であることが好ましく、反射光及びその波長依存性を低
減させる観点からは２０〜７０ｎｍであることが好まし
い。

【００２５】遮光膜５は、金属クロムからなり、２０〜
５００ｎｍの厚みを有するが、遮光の性能の観点から
は、５０〜３００ｎｍが好ましく、遮光の性能及び製造
のスループットの観点からは、５０〜１５０ｎｍが好ま
しい。なお、上記の膜３ａ，３ｂ，４，５は、その光学
特性に影響を与えない程度に多少の不純物を含んでいて
もよい。また、透明電極７はＩＴＯ（Indium-Tin-Oxid
e）からなる。

【００２６】上述の第１反射防止膜３ａ、第２反射防止
膜３ｂ、クロム化合物膜４及び遮光膜５の４層構造を有
するブラックマスクＢＭは、従来の３層構造を有するブ
ラックマスクＢＭと比較して、その反射率及び反射率の
波長依存性を低減することができる。

【００２７】特に、クロム化合物膜４がクロム、酸素及
び窒素を含有する場合において、第１反射防止膜３ａ及
び第２反射防止膜３ｂが、クロム及び酸素以外の元素、
例えば、窒素又は炭素を含む場合には、これらの膜全体
としての表面反射率の波長依存性が大きくなるが、本ブ
ラックマスクＢＭは、クロム化合物膜４が上記の元素を
含む場合において、上記第１反射防止膜３ａ及び第２反
射防止膜３ｂがクロム及び酸素のみを含むため、その反
射率及び反射率の波長依存性をさらに低減することがで
きる。

【００２８】本実施形態における第１反射防止膜３ａの
クロム及び酸素の含有量は、それぞれ、クロムの原子百
分率が３０〜５０％、酸素の原子百分率が５０〜７０％
であり、より好ましくは、クロムの原子百分率が３０〜
４５％、酸素の原子百分率が５５〜７０％である。この
範囲外の場合は、反射率の最低値が大きくなり、その波
長依存性も大きくなる。

【００２９】第２反射防止膜３ｂにおけるクロム及び酸
素の含有量は、それぞれ、クロムの原子百分率が３０〜
５０％、酸素の原子百分率が５０〜７０％であり、より
好ましくは、クロムの原子百分率が３０〜４５％、酸素
の原子百分率が５５〜７０％である。この範囲外の場合
は、反射率の最低値が大きくなり、その波長依存性も大
きくなる。

【００３０】本実施形態の第２反射防止膜３ｂの結晶性
は、第１反射防止膜３ａの結晶性よりも高くなってい
る。第２反射防止膜３ｂはクロム化合物膜４を形成する
際に、何らかのエネルギーがアモルファス状態に近い第
１反射防止膜３ａに加えられ、その結晶性が高くなるこ
とによって形成されているものと考えられる。これら第
１反射防止膜３ａと第２反射防止膜３ｂとの界面近傍に
おいては結晶性が連続的に変化しているものと考えら
れ、本実施形態の方法によって製造されるブラックマス
クＢＭは他の方法によって得られるものよりもその反射
防止効果が大きい。

【００３１】本実施形態のクロム化合物膜４におけるク
ロム、酸素及び窒素の含有量は、それぞれ、クロムの原
子百分率が４０〜６０％、酸素の原子百分率が１０〜３
０％、窒素の原子百分率が２０〜４０％であり、より好
ましくは、クロムの原子百分率が４５〜５５％、酸素の
原子百分率が１５〜２５％、窒素の原子百分率が２５〜
３５％である。クロム化合物膜４の組成は第２反射防止
膜３ｂの組成と同一の理由から略同様に設定されるが、
クロム化合物膜４ではその結晶性を第２反射防止膜３ｂ
の結晶性よりも高く設定し、その屈折率を上昇させる。
また、各構成元素を上記範囲内に設定することにより、
ブラックマスクＢＭ全体として反射率及び反射率波長依
存性を従来よりも低減させることができる。

【００３２】図２は、図１に示したカラーフィルター１
のＸ−Ｘ矢印断面図である。ブラックマスクＢＭは複数
の開口を有しており、隣接する３つの開口内には、それ
ぞれ異なった色の樹脂が光学フィルタとして充填されて
いる。すなわち、着色樹脂Ｒは、赤色に着色された樹脂
であって、フォトレジストに赤色の顔料を含有させて硬
化させたものであり、着色樹脂Ｇは、緑色に着色された
樹脂であって、フォトレジストに緑色の顔料を含有させ
て硬化させたものであり、着色樹脂Ｂは、青色に着色さ
れた樹脂であって、フォトレジストに青色の顔料を含有
させて硬化させたものである。

【００３３】このカラーフィルター１は、ブラックマス
クＢＭが開口内に配置された着色樹脂Ｒ，Ｇ，Ｂを分離
するので、着色樹脂Ｒ，Ｇ，Ｂを透過する光を分離す
る。透明基板２を介してブラックマスクＢＭに照射され
る光の反射率及び反射率の波長依存性は、第１及びクロ
ム化合物膜３，４が共に、Ｃｒ、Ｎ、Ｏ及びＣを含んだ
ものよりも小さく、着色樹脂Ｒ，Ｇ，Ｂを透過した光に
対する反射光の比率を低減させることができ、着色樹脂
Ｒ，Ｇ，Ｂを透過した光の視認性を向上させることがで
きる。

【００３４】次に、上記第１の実施形態に係るカラーフ
ィルター１の製造方法について説明する。図３乃至図９
は、カラーフィルター１の製造方法を説明するための説
明図である。本カラーフィルター１を製造するために
は、まず、図３に示すように、可視光に対して透明な透
明ガラス基板２を用意し、透明基板２の表面上に、反射
防止膜（所定膜）３、クロム化合物膜４及び遮光膜５を
順次堆積する。

【００３５】反射防止膜３は、反応性スパッタリング法
を用いて形成される。すなわち、透明基板２を図示しな
いチャンバ内に配置した後、透明基板２に対向する位置
にターゲットとして、クロム金属からなるクロム基板を
配置する。次に、チャンバ内を第１の圧力Ｐ１以下に減
圧した後、不活性ガス（希ガス）としてのアルゴンガス
をチャンバ内に導入し、さらに、クロムと化合させるた
めの酸素ガスをチャンバ内に導入し、チャンバ内の圧力
を第２の圧力Ｐ２に保持する。さらに、透明基板２の温
度を測定しながら、基板２の温度を第１の温度Ｔ１に保
持しつつ、第１のスパッタパワーＷ１をチャンバ内の雰
囲気に加え、アルゴンプラズマを発生させてターゲット
基板に照射し、基板のクロムをスパッタリングし、スパ
ッタされたクロム原子又は分子とチャンバ内に導入され
た酸素との反応によって、透明基板２上に反射防止膜３
を形成する。

【００３６】ここで、第１の圧力Ｐ１は、１．５Ｐａ以
下であり、より好ましくは０．１Ｐａ以下である。第２
の圧力Ｐ２は、０．１Ｐａ〜１．５Ｐａであるが、好ま
しくは０．３Ｐａ〜１．０Ｐａである。なお、第１の温
度Ｔ１は、５〜１５０℃であり、より好ましくは室温
（約２０°Ｃ）〜１００℃である。また、反射防止膜３
の形成時に投入する第１のスパッタパワーＷ１は、０．
５〜８Ｗ／ｃｍ²であるが、好ましくは１〜７Ｗ／ｃｍ²
である。このスパッタパワーよりも大きいスパッタパワ
ーで反射防止膜３を成膜した場合には、反射防止膜３内
に第１反射防止膜３ａ及び第２反射防止膜３ｂが形成さ
れなくなる。この際のスパッリングの速度、時間 に特
に制限はないが、目的とする膜厚を得る時間として１０
秒以上１時間以内が例示され、２０秒以上３０分以内が
好ましく、１分以上２０分以内がより好ましい。

【００３７】クロム化合物膜４も反応性スパッタリング
法を用いて形成される。すなわち、クロム化合物膜４
は、反射防止膜３の形成後、基板２をチャンバから取り
出すことなく、チャンバ内の圧力が第３の圧力Ｐ３以下
になるまでチャンバ内の気体を排気した後、チャンバ内
にアルゴンガス、窒素ガスおよび酸素ガスの混合ガス
を、チャンバ内の圧力が第４の圧力Ｐ４になるまで導入
する。次に、基板２の温度を第２の温度Ｔ２に保持しつ
つ、第２のスパッタパワーＷ２をチャンバ内の雰囲気に
加え、アルゴンプラズマを発生させてターゲット基板に
照射し、基板のクロムをスパッタリングし、スパッタさ
れたクロム原子又は分子とチャンバ内に導入された窒素
及び酸素との反応によって、反射防止膜３上にクロム化
合物膜４を形成する。

【００３８】ここで、スパッタリングによってターゲッ
ト基板のクロムと混合ガスが反応するため、反射防止膜
３上にクロム化合物膜４が形成されると同時に、反射防
止膜３の所定深さ外の領域に酸素及びクロムからなる第
１反射防止膜３ａが形成され、反射防止膜３の所定深さ
内の領域に酸素及びクロムからなり、その結晶性が第１
反射防止膜３ａよりも高い第２反射防止膜３ｂが形成さ
れる。なお、第２反射防止膜３ｂの結晶性はクロム化合
物膜の結晶性よりも小さい。

【００３９】ここで、第３の圧力Ｐ３は、１．５Ｐａ以
下であり、より好ましくは０．１Ｐａ以下である。第４
の圧力Ｐ４は、０．１Ｐａ〜１．５Ｐａであるが、好ま
しくは０．３Ｐａ〜１．０Ｐａである。なお、第２の温
度Ｔ２は、５〜１５０℃であり、好ましくは室温（２０
°Ｃ）〜１００℃である。また、クロム化合物膜４の形
成時に投入する第２のスパッタパワーＷ２は、０．５〜
１５Ｗ／ｃｍ²であるが、好ましくは１〜１２Ｗ／ｃｍ²
である。この際のスパッリングの速度、時間に 特に制
限はないが、目的とする膜厚を得る時間として１０秒以
上１時間以内が例示され、２０秒以上３０分以内が好ま
しく、１分以上２０分以内がより好ましい。

【００４０】遮光膜５は、クロム化合物膜４の形成後、
基板２をチャンバから取り出すことなく、チャンバ内の
圧力が第５の圧力Ｐ５以下になるまでチャンバ内の気体
を排気した後、チャンバ内にアルゴンガスを、チャンバ
内の圧力が第６の圧力Ｐ６になるまで導入する。次に、
基板２の温度を第３の温度Ｔ３に保持しつつ、第３のス
パッタパワーＷ３をチャンバ内の雰囲気に加え、アルゴ
ンプラズマを発生させてターゲット基板に照射し、基板
のクロムをスパッタリングし、スパッタされたクロム原
子又は分子をクロム化合物膜４上に堆積することによっ
て、遮光膜５を形成する。

【００４１】ここで、第５の圧力Ｐ５は、１．５Ｐａ以
下であり、より好ましくは０．１Ｐａ以下である。第６
の圧力Ｐ６は、０．１Ｐａ〜１．５Ｐａであるが、好ま
しくは０．３Ｐａ〜１．０Ｐａである。なお、第３の温
度Ｔ３は、５〜１５０℃であり、より好ましくは室温〜
１００℃である。また、遮光膜５の形成時に投入する第
３のスパッタパワーＷ３は、０．５〜１５Ｗ／ｃｍ²で
あるが、好ましくは１〜１２Ｗ／ｃｍ²である。この際
のスパッリングの速度、時間に特に制限はないが、目的
とする膜厚を得る時間として１０秒以上１時間以内が例
示され、２０秒以上３０分以内が好ましく、１分以上２
０分以内がより好ましい。

【００４２】なお、上記反射防止膜３及び遮光膜５の製
造方法として、ＣＶＤ法又は蒸着法を用いてもよい。

【００４３】次に、図４に示すように、ポジ型のフォト
レジストを遮光膜５の露出表面上に塗布した後、プリベ
ークを行い、フォトレジストに複数の開口を有するパタ
ーンを光照射し、フォトレジストを感光させた後、フォ
トレジストの感光領域を有機溶剤を用いて溶解すること
により現像し、ベーキングを行い、複数の開口を有する
フォトレジスト層ＰＲ１を遮光膜５上に形成する。

【００４４】さらに、図５に示すように、フォトレジス
ト層ＰＲ１をマスクとして、所定のエッチング液を遮光
膜５、クロム化合物膜４及び第１反射防止膜のフォトレ
ジスト層ＰＲ１の開口直下の領域に接触させて、これら
の領域をエッチングし、エッチングの終了後、フォトレ
ジスト層ＰＲ１を有機溶剤を用いて遮光膜５上から除去
し、複数の開口を有するブラックマスクＢＭを形成す
る。このエッチング液としては、硝酸第２セリウムアン
モニウムを主成分としたエッチング液を用いることがで
きる。

【００４５】次に、図６に示すように、赤色の顔料を含
むことにより、赤色に着色されたネガ型のフォトレジス
トＰＲ２を、基板２の上方に配置されたディスペンサＤ
ＰからブラックマスクＢＭ上に供給し、ブラックマスク
ＢＭの全ての開口内に充填する。

【００４６】しかる後、図７に示すように、フォトレジ
ストＰＲ２の塗布された基板２をプリベークし、均一な
厚みを有するフォトレジスト層ＰＲ２を形成する。な
お、プリベークの前に、フォトレジスト層ＰＲ２の厚み
が均一になるように、基板２を、その厚み方向を回転軸
として回転させてもよい。

【００４７】次に、図８に示すように、ブラックマスク
ＢＭのマトリクス状の配置された開口の行方向及び列方
向に対して３つおきであって、対角方向に対して隣接す
る開口領域上のみにフォトレジストＰＲ２が残留するよ
うに、図７に示したフォトレジスト層ＰＲ２を露光し、
非感光領域のフォトレジストＰＲ２を有機溶剤を用いて
除去した後、ベーキングを行い、ブラックマスクＢＭの
所定の開口内に赤色の樹脂Ｒを形成する。

【００４８】さらに、赤色のフォトレジストＰＲ２に代
えて、緑色に着色されたフォトレジスト及び青色に着色
されたフォトレジストを用い、赤色の樹脂Ｒの形成工程
と同様の方法を用いて、図９に示すように、ブラックマ
スクＢＭの所定の開口内に緑色の樹脂Ｇ及び青色の樹脂
Ｂを形成する。各着色樹脂Ｒ，Ｇ，Ｂは、ブラックマス
クＢＭの開口の行方向及び列方向に対して３つおきであ
って、対角方向に対して隣接するように配置されてい
る。

【００４９】次に、着色樹脂Ｒ，Ｇ，Ｂ上に、その表面
が均一になるようにオーバーコート層６を堆積し、さら
に、オーバーコート層６上に透明電極７を堆積し、最後
に透明基板２の裏面側に偏光板８を取付けて、図１に示
したカラーフィルター１が完成する。

【００５０】（第２の実施形態）次に、第２の実施形態
に係るブラックマスクＢＭについて説明する。このブラ
ックマスクＢＭは、第１の実施形態に係るブラックマス
クＢＭと同様の構造を有し、第１反射防止膜３ａ、第２
反射防止膜３ｂ、クロム化合物膜４及び遮光膜５を備え
る。第１反射防止膜３ａ、第２反射防止膜３ｂ及び遮光
膜５の組成は第１の実施形態のものと同一であるが、本
実施形態のクロム化合物膜４は、第１の実施形態のクロ
ム化合物膜４が原子百分率として０．１〜１０％の炭素
を含有したものである。なお、第１の実施例と同様に、
クロム化合物膜４の結晶性は第２反射防止膜３ｂの結晶
性よりも高く、第２反射防止膜３ｂの結晶性は第１反射
防止膜３ａの結晶性よりも高い。また、本実施形態の各
膜３〜５の厚み及びその好適範囲は第１の実施形態に係
るブラックマスクＢＭのそれと同じである。このように
炭素を微量に添加することにより、ブラックマスクＢＭ
の反射率の波長依存性及び最低反射率を第１の実施形態
のものよりも低下させることができるとともに、エッチ
ング時に精度の高いパターニングを行うことができる。

【００５１】この第２の実施形態に係るブラックマスク
ＢＭ及びこれを用いたカラーフィルター１の製造方法
は、第１の実施形態に係るブラックマスクＢＭの製造方
法と比較して、第１の実施形態に係るブラックマスクＢ
Ｍのクロム化合物膜４の形成時においてチャンバ内導入
されるアルゴンガス、窒素ガスおよび酸素ガスの混合ガ
スの代わりに、アルゴンガス、窒素ガス及び二酸化炭素
ガスの混合ガスを用いる点のみが異なり、他の工程は同
一である。

【００５２】すなわち、本実施形態のブラックマスクの
製造方法は、透明基板上にクロム及び酸素からなる所定
膜を形成する第１工程と、上記反応性スパッタリング法
を用いて所定膜３上にクロム、酸素、窒素及び炭素を含
むクロム化合物膜４を形成するとともに、所定膜３内に
その結晶性が異なる層を形成する第２工程と、クロム化
合物膜４上に金属クロムからなる遮光膜５を形成する第
３工程とを備える。

【００５３】次に、上記カラーフィルター１を用いた液
晶ディスプレイについて説明する。

【００５４】図１０は、この液晶ディスプレイ１００を
示す斜視図である。図１１は、図１０に示した液晶ディ
スプレイ１００のＹ−Ｙ矢印断面図である。本液晶ディ
スプレイ１００は、カラーフィルター１と、カラーフィ
ルター１の透明電極７に貼りつけられたＴＦＴ（薄膜ト
ランジスタ）基板２０と、ＴＦＴ基板２０をカラーフィ
ルター１とともに挟む位置に固定されたバックライト２
６とを備える。

【００５５】ＴＦＴ基板２０は、カラーフィルター１の
表面外周部を囲む遮光性樹脂からなる外枠２１、外枠２
１内に充填されたネマティック液晶からなる液晶層２
２、液晶層２２のブラックマスクＢＭ開口部に対応する
領域毎に設けられた複数の画素電極２３、画素電極２３
がその上に形成された透明ガラス基板２４及び透明ガラ
ス基板２４の露出表面に形成された偏光板２５を備え
る。

【００５６】偏光板又は偏光膜８及び２５の偏光方位は
直交しており、ポリイミド等の有機材料から構成され
る。複数の画素電極２３は、ＴＦＴ基板２０のガラス基
板２４上に形成された複数の薄膜トランジスタにそれぞ
れ接続されており、特定の画素電極２３に所定の電位を
与えると、特定の画素電極２３と透明電極７との間に所
定電圧が印加され、電圧に応じて形成される電界によっ
て、液晶層２２の特定の画素電極２３に対応する領域の
配向が変化する。

【００５７】バックライト２６から出射した白色光ＬＴ
１のうちの特定方向の偏光成分が、偏光板又は偏光膜２
５を通過することによって、液晶層２２に入射する。入
射した偏光は、画素電極２３毎に分割され、液晶層２２
の配向量に応じて偏光方位が変化する。画素電極２３毎
に分割された光は、カラーフィルター１の着色樹脂Ｒ，
Ｇ，Ｂにそれぞれ入射し、これを透過する。カラーフィ
ルター１の出射面側には、偏光板又は偏光膜８が設けら
れているため、液晶層２２の配向量に応じて偏光板又は
偏光膜８を透過する光の光量が変化する。液晶層２２の
配向量は、画素電極２３に与えられる電位に比例するの
で、画素電極２３に与える電位を制御することによっ
て、出射光ＬＴ２の光量を制御することができる。

【００５８】以上、説明したように、上記実施の実施形
態に係るカラーフィルター１は、ブラックマスクＢＭ
と、ブラックマスクＢＭがその上に形成された透明基板
２と、ブラックマスクＢＭの複数の開口内に配置された
着色樹脂Ｒ，Ｇ，Ｂとを備える。このカラーフィルター
１は、ブラックマスクＢＭが開口内に配置された着色樹
脂Ｒ，Ｇ，Ｂを分離するので、着色樹脂Ｒ，Ｇ，Ｂを透
過する光を分離する。透明基板２を介してブラックマス
クＢＭに照射される光の反射率及び反射率の波長依存性
は小さくため、着色樹脂Ｒ，Ｇ，Ｂを透過した光ＬＴ２
に対する反射光の比率を低減させることができ、着色樹
脂Ｒ，Ｇ，Ｂを透過した光の視認性を向上させることが
できる。

【００５９】また、上記実施の形態に係る液晶ディスプ
レイ１００は、カラーフィルター１と、カラーフィルタ
ー１に対向する位置に設けられた液晶層２２と、所定の
電位を印加することにより、液晶層２２のブラックマス
クＢＭの複数の開口に対向する領域毎に液晶層の配向を
変化させることができる位置に設けられた複数の電極２
３と、を備える。この液晶ディスプレイ１００において
は、電極２３に所定の電位を印加することにより、液晶
層２２のブラックマスクＢＭの複数の開口に対向する領
域毎にその配向を変化させることができるため、液晶層
２２に入力される光ＬＴ１の光量をブラックマスクＢＭ
の開口毎に制御することができる。ブラックマスクＢＭ
の開口内には、着色樹脂Ｒ，Ｇ，Ｂが配置されているの
で、上記領域毎に着色樹脂Ｒ，Ｇ，Ｂに対応した波長成
分の光を出射することができる。この液晶ディスプレイ
１００のカラ−フィルタ１は、着色樹脂Ｒ，Ｇ，Ｂを透
過した光の視認性を向上させることができため、この液
晶ディスプレイ１００に鮮明な画像を表示することがで
きる。

【００６０】

【実施例】上記第１及び第２の実施形態に係るブラック
マスクＢＭ及び比較例となるブラックマスクを製造し、
その反射率及び反射率の波長依存性について測定した。

【００６１】（実施例１）第１の実施形態に係るブラッ
クマスクＢＭは、以下の方法により製造した。まず、ガ
ラス基板２を、スパッタリング装置のチャンバ内に装着
し、チャンバ内を１．０×１０^-4Ｐａまで排気した後、
チャンバ内にアルゴンガス及び酸素ガスの混合ガスをチ
ャンバ内の圧力が０．４Ｐａになるまで導入した。さら
に、スパッタパワーを２．２Ｗ／ｃｍ²にして、クロム
金属をターゲットとしてをスパッタリングを行い、膜厚
６０ｎｍの反射防止膜３を基板２上に形成した。

【００６２】次に、チャンバ内の圧力が１．０×１０^-4
Ｐａになるまでチャンバ内の雰囲気を排気した後、アル
ゴンガス、窒素ガス及び酸素ガスの混合ガスを、チャン
バ内の圧力が０．２Ｐａまでチャンバ内に導入した。し
かる後、スパッタパワーを４．４Ｗ／ｃｍ²に設定し、
クロム金属をターゲットとしてスパッタリングを行い、
反射防止膜３の所定深さ内の領域に第２反射防止膜３ｂ
を形成して、所定深さ外の領域に第１反射防止膜３ａを
残留させるとともに、第２反射防止膜３ｂ上に膜厚４０
ｎｍのクロム化合物膜４を形成した。

【００６３】次に、チャンバ内の圧力が１．０×１０^-4
Ｐａになるまでチャンバ内の雰囲気を排気した後、アル
ゴンガスを、チャンバ内の圧力が０．１Ｐａになるまで
チャンバ内に導入した。しかる後、スパッタパワーを５
Ｗ／ｃｍ²に設定し、クロム金属をターゲットとしてス
パッタリングを行い、クロム金属からなる膜厚１００ｎ
ｍの遮光膜５をクロム化合物膜４上に形成した。なお、
上記膜３〜５の形成時の基板２の温度は、すべて室温で
ある。

【００６４】このようにして作製した第１反射防止膜３
ａ、第２反射防止膜３ｂの元素組成比は、原子百分率と
してクロムが３５％、酸素が６５％の膜であった。ま
た、クロム化合物膜４の元素組成比は、原子百分率とし
てクロムが約５０％、窒素が約３０％、酸素が約２０％
の膜であった。さらに、微小領域電子線回折の結果から
第１反射防止膜３ａは、ほぼアモルファス状態であり、
その結晶性は第２反射防止膜３ｂ、クロム化合物膜４の
順に高くなっていた。

【００６５】（実施例２）第２の実施形態に係るブラッ
クマスクＢＭは、以下の方法により製造した。まず、ガ
ラス基板２を、スパッタリング装置のチャンバ内に装着
し、チャンバ内を１．０×１０^-4Ｐａまで排気した後、
チャンバ内にアルゴンガス及び酸素ガスの混合ガスをチ
ャンバ内の圧力が０．４Ｐａになるまで導入した。さら
に、スパッタパワーを２．２Ｗ／ｃｍ²にして、クロム
金属をターゲットとしてをスパッタリングを行い、膜厚
６０ｎｍの反射防止膜３を基板２上に形成した。

【００６６】次に、チャンバ内の圧力が１．０×１０^-4
Ｐａになるまでチャンバ内の雰囲気を排気した後、アル
ゴンガス、窒素ガス及び二酸化炭素ガスの混合ガスを、
チャンバ内の圧力が０．２Ｐａまでチャンバ内に導入し
た。しかる後、スパッタパワーを４．４Ｗ／ｃｍ²に設
定し、クロム金属をターゲットとしてスパッタリングを
行い、反射防止膜３の所定深さ内の領域に第２反射防止
膜３ｂを形成して、所定深さ外の領域に第１反射防止膜
３ａを残留させるとともに、第２反射防止膜３ｂ上に膜
厚４０ｎｍのクロム化合物膜４を形成した。

【００６７】次に、チャンバ内の圧力が１．０×１０^-4
Ｐａになるまでチャンバ内の雰囲気を排気した後、アル
ゴンガスを、チャンバ内の圧力が０．１Ｐａになるまで
チャンバ内に導入した。しかる後、スパッタパワーを５
Ｗ／ｃｍ²に設定し、クロム金属をターゲットとしてス
パッタリングを行い、クロム金属からなる膜厚１００ｎ
ｍの遮光膜５をクロム化合物膜４上に形成した。なお、
上記膜３〜５の形成時の基板２の温度は、すべて室温で
ある。

【００６８】なお、本実施例の方法で作製されたブラッ
クマスクＢＭの断面透過型電子顕微鏡写真（断面ＴＥＭ
写真）を図１３に示す。

【００６９】このようにして作製した第１反射防止膜３
ａ、第２反射防止膜３ｂの元素組成比は、原子百分率と
してクロムが３５％、酸素が６５％の膜であった。ま
た、クロム化合物膜４の元素組成比は、原子百分率とし
てクロムが約４５％、窒素が約３０％、酸素が約２０
％、炭素が約５％の膜であった。さらに、微小領域電子
線回折の結果から第１反射防止膜３ａは、ほぼアモルフ
ァス状態であり、その結晶性は第２反射防止膜３ｂ、ク
ロム化合物膜４の順に高くなっていた。

【００７０】（比較例）比較例に係るブラックマスクＢ
Ｍは、以下の方法により製造した。まず、ガラス基板２
を、スパッタリング装置のチャンバ内に装着し、チャン
バ内を１．０×１０^-4Ｐａまで排気した後、チャンバ内
に酸素ガス、窒素ガス及び二酸化炭素ガスの混合ガスを
チャンバ内の圧力が０．４Ｐａになるまで導入した。さ
らに、スパッタパワーを１０Ｗ／ｃｍ²にして、クロム
金属をターゲットとしてをスパッタリングを行い、膜厚
６０ｎｍの反射防止膜３を基板２上に形成した。

【００７１】次に、チャンバ内の圧力が１．０×１０^-4
Ｐａになるまでチャンバ内の雰囲気を排気した後、アル
ゴンガス、窒素ガス、酸素ガス及び二酸化炭素ガスの混
合ガスを、チャンバ内の圧力が０．４Ｐａまでチャンバ
内に導入した。しかる後、スパッタパワーを４．４Ｗ／
ｃｍ²に設定し、クロム金属をターゲットとしてスパッ
タリングを行い、膜厚４０ｎｍのクロム化合物膜４を反
射防止膜３上に形成した。

【００７２】次に、チャンバ内の圧力が１．０×１０^-4
Ｐａになるまでチャンバ内の雰囲気を排気した後、アル
ゴンガスを、チャンバ内の圧力が０．１Ｐａになるまで
チャンバ内に導入した。しかる後、スパッタパワーを５
Ｗ／ｃｍ²に設定し、クロム金属をターゲットとしてス
パッタリングを行い、クロム金属からなる膜厚１００ｎ
ｍの遮光膜５をクロム化合物膜４上に形成した。なお、
上記膜３〜５の形成時の基板２の温度は、すべて室温で
ある。このようにして作製した第１反射防止膜３の元素
組成比は、原子百分率としてクロムが約４３％、酸素が
約４３％、窒素が約１０％、炭素が約４％の膜であり、
クロム化合物膜４の元素組成比は、原子百分率としてク
ロムが約４８％、窒素が約４３％、酸素が約５％、炭素
が約４％の膜であった。また、本比較例の方法で作製さ
れたブラックマスクＢＭの断面透過型電子顕微鏡写真
（断面ＴＥＭ写真）の結果からは、本実施例で確認され
たように反射防止膜３内に第１反射防止膜３ａ、第２反
射防止膜３ｂは形成されていなかった。

【００７３】（評価方法及び結果）実施例１、実施例２
及び比較例に係るブラックマスクＢＭの形成された透明
基板２を用意し、透明基板２側から入射光を照射して、
ブラックマスクＢＭからの光の反射率を測定した。この
反射率は、ガラス基板２側よりミノルタＣＭ−２００２
分光測色計を用いて測定した。

【００７４】図１２は、このようにして測定した入射光
の波長（ｎｍ）と反射率（％）との関係を示すグラフで
ある。実施例１に係るブラックマスクＢＭを透明基板２
上に形成した場合、その反射率は、波長４００〜７００
ｎｍの可視領域に渡って、比較例のそれよりも低く、ま
た、その波長依存性も低減されている。さらに、実施例
２に係るブラックマスクＢＭを透明基板２上に形成した
場合、その反射率は、波長４００〜７００ｎｍの可視領
域に渡って、実施例１のそれよりも低く、また、その波
長依存性も低減されている。特に、実施例１及び２のブ
ラックマスクＢＭの波長５００ｎｍ及び６００ｎｍにお
ける反射率は、共に５％以下である。

【００７５】なお、上記実施例に係るブラックマスクＢ
Ｍについて、クロム膜用のエッチング液を用いて、ブラ
ックマスクパターンを形成した場合、微細で良好なエッ
ジ形状を得ることができた。さらに、この上に赤色のレ
ジストを塗布後、露光、現像を行って赤色画素の形成を
行い、青、緑の画素を作製し、さらに、この上に、ＩＴ
Ｏ電極を成膜したのち、配向膜の作製、ラビング、スペ
ーサーの散布、ラビングした配向膜を表面に有する対向
電極基板の接着、液晶の注入、封止、偏光膜の接着等の
一連の操作を行うことにより製造された液晶ディスプレ
イは、従来の液晶ディスプレイよりも、低反射で、コン
トラスト等の表示性能が優るものである。

【００７６】

【発明の効果】本発明によれば、上記従来技術で形成さ
れたブラックマスクの特性を大きく上回り、可視領域全
体で反射率の低く、且つ、反射率の波長依存性が小さい
ブラックマスク、並びに鮮明が画像が得られるカラーフ
ィルター及び液晶ディスプレイを提供することが可能で
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】カラーフィルターの斜視図。

【図２】図１に示したカラーフィルターのＸ−Ｘ矢印断
面図。

【図３】カラーフィルターの製造工程を説明するための
説明図。

【図４】カラーフィルターの製造工程を説明するための
説明図。

【図５】カラーフィルターの製造工程を説明するための
説明図。

【図６】カラーフィルターの製造工程を説明するための
説明図。

【図７】カラーフィルターの製造工程を説明するための
説明図。

【図８】カラーフィルターの製造工程を説明するための
説明図。

【図９】カラーフィルターの製造工程を説明するための
説明図。

【図１０】液晶ディスプレイの斜視図。

【図１１】図１０に示した液晶ディスプレイのＹ−Ｙ矢
印断面図。

【図１２】入射光の波長（ｎｍ）と反射率（％）との関
係を示すグラフ。

【図１３】ブラックマスクの顕微鏡写真。

【符号の説明】

３ａ…第１反射防止膜、３ｂ…第２反射防止膜、４…ク
ロム化合物膜、遮光膜５、ＢＭ…ブラックマスク、１…
カラーフィルター、１００…液晶ディスプレイ。

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ブラックマスクの製造方法において、 透明基板上にクロム及び酸素からなる所定膜を形成する
   第１工程と、 前記所定膜上にクロム、酸素及び窒素を含むクロム化合
   物膜を形成すると同時に、その結晶性が前記所定膜の表
   面から所定深さ外の結晶性と異なる層を前記所定膜の表
   面から所定深さ内に形成する第２工程と、 前記クロム化合物膜上に金属クロムからなる遮光膜を形
   成する第３工程と、を備えることを特徴とするブラック
   マスクの製造方法。
2. 【請求項２】 前記第２工程は、 希ガス、酸素及び窒素を含む混合ガスを前記透明基板の
   配置されるチャンバ内に導入する工程と、 前記混合ガスを用いて金属クロムからなるターゲット基
   板を所定条件でスパッタリングすることによって、前記
   ターゲット基板のクロムと前記混合ガスを反応させて前
   記所定膜上に前記クロム化合物膜を形成するとともに前
   記所定膜内にその結晶性が前記所定膜と異なる層を形成
   する工程と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の
   ブラックマスクの製造方法。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の方法によって製造され
   るブラックマスクにおいて、 前記所定膜の前記所定深さ外の領域で規定され、クロム
   及び酸素からなる第１反射防止膜と、 前記所定膜の前記所定深さ内の領域で規定され、クロム
   及び酸素からなり、その結晶性が前記第１反射防止膜よ
   りも高い第２反射防止膜と、 クロム、酸素及び窒素を含み、その結晶性が前記第２反
   射防止膜よりも高い前記クロム化合物膜と、 金属クロムからなる前記遮光膜と、備えるブラックマス
   ク。
4. 【請求項４】 前記第１、第２反射防止膜は原子百分率
   が３０〜５０％のクロム及び原子百分率が５０〜７０％
   の酸素からなり、 前記クロム化合物膜は原子百分率が４０〜６０％のクロ
   ム、原子百分率が１０〜３０％の酸素、原子百分率が２
   ０〜４０％の窒素からなることを特徴とする請求項３に
   記載のブラックマスク。
5. 【請求項５】 前記第１反射防止膜は８Ｗ／ｃｍ²以下
   のスパッタパワーで形成されることを特徴とする請求項
   ３又は４に記載のブラックマスク。
6. 【請求項６】 ブラックマスクの製造方法において、 透明基板上にクロム及び酸素からなる所定膜を形成する
   第１工程と、 前記所定膜上にクロム、酸素、窒素及び炭素を含むクロ
   ム化合物膜を形成すると同時に、その結晶性が前記所定
   膜の表面から所定深さ外の結晶性と異なる層を前記所定
   膜の表面から所定深さ内に形成する第２工程と、 前記クロム化合物膜上に金属クロムからなる遮光膜を形
   成する第３工程と、を備えることを特徴とするブラック
   マスクの製造方法。
7. 【請求項７】 前記第２工程は、 希ガス、酸素、窒素及び炭素を含む混合ガスを前記透明
   基板の配置されるチャンバ内に導入する工程と、 前記混合ガスを用いて金属クロムからなるターゲット基
   板を所定条件でスパッタリングすることによって、前記
   クロムターゲット基板のクロムと前記混合ガスを反応さ
   せて前記所定膜上に前記クロム化合物膜を形成するとと
   もに前記所定膜内にその結晶性が前記所定膜と異なる層
   を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項６に
   記載のブラックマスクの製造方法。
8. 【請求項８】 請求項６に記載の方法によって製造され
   るブラックマスクにおいて、 前記所定膜の前記所定深さ外の領域で規定され、クロム
   及び酸素からなる第１反射防止膜と、 前記所定膜の前記所定深さ内の領域で規定され、クロム
   及び酸素からなり、その結晶性が前記第１反射防止膜よ
   りも高い第２反射防止膜と、 クロム、酸素、窒素及び炭素を含み、その結晶性が前記
   第２反射防止膜よりも高い前記クロム化合物膜と、 金属クロムからなる前記遮光膜と、備えるブラックマス
   ク。
9. 【請求項９】 前記第１、第２反射防止膜は原子百分率
   が３０〜５０％のクロム及び原子百分率が５０〜７０％
   の酸素からなり、前記クロム化合物膜は原子百分率が４
   ０〜６０％のクロム、原子百分率が１０〜３０％の酸
   素、原子百分率が２０〜４０％の窒素及び原子百分率が
   ０．１〜１０％の炭素からなることを特徴とする請求項
   ８に記載のブラックマスク。
10. 【請求項１０】 前記第１反射防止膜は８Ｗ／ｃｍ²以
    下のスパッタパワーで形成されることを特徴とする請求
    項８又は９に記載のブラックマスク。
11. 【請求項１１】 請求項３、４、５、８，９及び１０の
    いずれか１項に記載のブラックマスクと、 前記ブラックマスクがその上に形成された前記透明基板
    と、 前記ブラックマスクの複数の開口内に配置された着色樹
    脂と、を備えることを特徴とするカラーフィルター。
12. 【請求項１２】 請求項１１に記載のカラーフィルター
    を備える第１基板と、 複数の電極を備える第２基板と、 前記第１及び第２基板間に挟持され、前記電極に所定の
    電位を印加することにより、前記ブラックマスクの複数
    の開口に対向する領域毎にその配向を変化させることが
    できる液晶層と、を備えることを特徴とする液晶ディス
    プレイ。