JPS6354069B2 - - Google Patents
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- JPS6354069B2 JPS6354069B2 JP59237248A JP23724884A JPS6354069B2 JP S6354069 B2 JPS6354069 B2 JP S6354069B2 JP 59237248 A JP59237248 A JP 59237248A JP 23724884 A JP23724884 A JP 23724884A JP S6354069 B2 JPS6354069 B2 JP S6354069B2
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- Japan
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- thin film
- film material
- evaporation source
- material evaporation
- vacuum container
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- Expired
Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
Landscapes
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Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 発明の目的
（産業上の利用分野）
この発明は、発光膜形成装置に関する。特にそ
の蒸発源の改良に関する。
の蒸発源の改良に関する。
（従来の技術）
現在、電子衝撃型蒸着装置としては、電場偏向
型や磁場偏向型の装置が知られているが、いずれ
も、電子を薄膜材料の一部分に集中してぶつけて
加熱、蒸発させ、薄膜形成するものである。そし
て低蒸気圧材料、蒸発源からの不純物の混入等の
点で、従来の抵抗加熱型蒸着装置に比して優れて
いるため、半導体工業等で広く利用されている。
型や磁場偏向型の装置が知られているが、いずれ
も、電子を薄膜材料の一部分に集中してぶつけて
加熱、蒸発させ、薄膜形成するものである。そし
て低蒸気圧材料、蒸発源からの不純物の混入等の
点で、従来の抵抗加熱型蒸着装置に比して優れて
いるため、半導体工業等で広く利用されている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、現在用いられている電子衝撃型
蒸着装置は、電子ビームを直径数mm以下に集束し
ており、更に加速電圧も高いので、かなり多くの
薄膜材料をイオン化してしまう。特に薄膜材料が
化合物や混合物である場合、イオン化により、蒸
発源上で化学反応が生じてしまい、もとの薄膜材
料の組成のままの薄膜を蒸着することが困難にな
るという問題点がある。たとえば、式A1-xBxC
（式中、Ａ、Ｂは周期律表における族元素、Ｃ
は族元素、ｘは０＜ｘ＜１）なる薄膜を蒸着し
ようとする場合、電子衝撃型蒸着装置における通
常の電子ビーム照射により上記A1-xBxCなる薄
膜材料は、加熱され、分解し、イオン化されて化
合物AC、BCが生成される。ここでACの蒸気圧
に比べてBCの蒸気圧が低い場合は、BCはほとん
ど付着面に達することができず、その結果A1-x
BxCの薄膜は得られにくいという問題が生じる。
蒸着装置は、電子ビームを直径数mm以下に集束し
ており、更に加速電圧も高いので、かなり多くの
薄膜材料をイオン化してしまう。特に薄膜材料が
化合物や混合物である場合、イオン化により、蒸
発源上で化学反応が生じてしまい、もとの薄膜材
料の組成のままの薄膜を蒸着することが困難にな
るという問題点がある。たとえば、式A1-xBxC
（式中、Ａ、Ｂは周期律表における族元素、Ｃ
は族元素、ｘは０＜ｘ＜１）なる薄膜を蒸着し
ようとする場合、電子衝撃型蒸着装置における通
常の電子ビーム照射により上記A1-xBxCなる薄
膜材料は、加熱され、分解し、イオン化されて化
合物AC、BCが生成される。ここでACの蒸気圧
に比べてBCの蒸気圧が低い場合は、BCはほとん
ど付着面に達することができず、その結果A1-x
BxCの薄膜は得られにくいという問題が生じる。
(ロ) 発明の構成
真空容器中に、電子銃、薄膜材料蒸発源及び付
着面を備えてなる電子衝撃型蒸着装置からなり、
この薄膜材料蒸発源を、下式： Zn1-xMnxS （式中、ｘは０＜ｘ＜１である） で表わされる硫化亜鉛系化合物の蒸発源で構成
し、かつ上記真空容器と薄膜材料蒸発源の間に所
定の電位差を発生させる電位差設定手段を、薄膜
材料蒸発源に電気的に接続したことを特徴とする
発光膜形成装置である。
着面を備えてなる電子衝撃型蒸着装置からなり、
この薄膜材料蒸発源を、下式： Zn1-xMnxS （式中、ｘは０＜ｘ＜１である） で表わされる硫化亜鉛系化合物の蒸発源で構成
し、かつ上記真空容器と薄膜材料蒸発源の間に所
定の電位差を発生させる電位差設定手段を、薄膜
材料蒸発源に電気的に接続したことを特徴とする
発光膜形成装置である。
（実施例）
以下、図と共に本発明を詳説するが、これによ
つてこの発明は限定されるものではない。
つてこの発明は限定されるものではない。
第１図にこの発明の発光膜形成装置に用いる電
子衝撃型蒸着装置１を示す。図において、電子衝
撃型蒸着装置１は、略つり鐘状の金属製真空容器
２をその本体とし、かかる真空容器２は、その底
部３の一部に設けられた排気口４から真空ポンプ
（図示省略）で、10-4〜10-7Torrの真空に保たれ
ている。
子衝撃型蒸着装置１を示す。図において、電子衝
撃型蒸着装置１は、略つり鐘状の金属製真空容器
２をその本体とし、かかる真空容器２は、その底
部３の一部に設けられた排気口４から真空ポンプ
（図示省略）で、10-4〜10-7Torrの真空に保たれ
ている。
一方、底部３のほぼ中央に、薄膜材料蒸発源５
が設けられている。この薄膜材料蒸発源５上に薄
膜材料が載置され、その薄膜材料蒸発源５付近に
設けられた電子銃６からの電子ビームをマグネツ
ト等の電子ビーム偏向用手段７により磁場を使つ
て曲げ、薄膜材料の一部に当たるようにしてい
る。
が設けられている。この薄膜材料蒸発源５上に薄
膜材料が載置され、その薄膜材料蒸発源５付近に
設けられた電子銃６からの電子ビームをマグネツ
ト等の電子ビーム偏向用手段７により磁場を使つ
て曲げ、薄膜材料の一部に当たるようにしてい
る。
なお、本発明の電子衝撃型蒸着装置１は、前記
薄膜材料蒸発源５に直流可変電圧電源８のマイナ
ス側が接続されている。
薄膜材料蒸発源５に直流可変電圧電源８のマイナ
ス側が接続されている。
また電子ビームの照射された薄膜材料は蒸発
し、真空容器２上方に設置されている付着面９に
蒸着される。
し、真空容器２上方に設置されている付着面９に
蒸着される。
かかる付着面９は通常、適当な基板支持体１０
に係止されており、更に支持棒１１で真空容器２
上部に設置されている。なお前記基板支持体１０
に直流可変電圧電源１２のプラス側が接続されて
いる。
に係止されており、更に支持棒１１で真空容器２
上部に設置されている。なお前記基板支持体１０
に直流可変電圧電源１２のプラス側が接続されて
いる。
このように構成された電子衝撃型蒸着装置１を
この発明の発光膜形成装置として用い、式Zn1-x
MnxS（式中、ｘは０＜ｘ＜１である）からなる
薄膜材料で薄膜の蒸着を行なつた。以下、その工
程を具体的に説明する。
この発明の発光膜形成装置として用い、式Zn1-x
MnxS（式中、ｘは０＜ｘ＜１である）からなる
薄膜材料で薄膜の蒸着を行なつた。以下、その工
程を具体的に説明する。
たとえば、Zn1-xMnxSは薄膜エレクトリツク
ルミネツセンス発光層としての重要な材料で、特
に式中のｘ値の制御は、素子特性、とりわけ発光
輝度に関係するため、特に重要である。
ルミネツセンス発光層としての重要な材料で、特
に式中のｘ値の制御は、素子特性、とりわけ発光
輝度に関係するため、特に重要である。
かような薄膜材料を、前記薄膜材料蒸発源５内
に入れ、電力量１〜10000Wの電子ビームを照射
する。このとき、Zn1-xMnxSは加熱、分解され
て化合物ZnS、MnSを生じる。しかも更に電子ビ
ームが照射されるため、化合物ZnS、MnSが負イ
オン化される。ここで化合物ZnSに比べて化合物
MnSの蒸気圧が低いため、化合物MnSがほとん
ど付着面９に到達しない。しかしながら本発明の
発光膜形成装置では、薄膜材料蒸発源５と真空容
器２に１〜1000Vの電位差が生じるよう、直流可
変電圧電源８から薄膜材料蒸発源５に印加してい
るため、薄膜材料蒸発源５が負に帯電しているた
め、主原料であるZnSの分解及びイオン化によつ
て生じた化学的に活性な硫黄イオンは、蒸発源か
ら急速に離れる。このため薄膜材料表面でMnS
の形成は、ほとんど生じず、有効にMnが付着面
に到達し得る。したがつて所望のZn1-xMnxSの
薄膜を得ることができた。
に入れ、電力量１〜10000Wの電子ビームを照射
する。このとき、Zn1-xMnxSは加熱、分解され
て化合物ZnS、MnSを生じる。しかも更に電子ビ
ームが照射されるため、化合物ZnS、MnSが負イ
オン化される。ここで化合物ZnSに比べて化合物
MnSの蒸気圧が低いため、化合物MnSがほとん
ど付着面９に到達しない。しかしながら本発明の
発光膜形成装置では、薄膜材料蒸発源５と真空容
器２に１〜1000Vの電位差が生じるよう、直流可
変電圧電源８から薄膜材料蒸発源５に印加してい
るため、薄膜材料蒸発源５が負に帯電しているた
め、主原料であるZnSの分解及びイオン化によつ
て生じた化学的に活性な硫黄イオンは、蒸発源か
ら急速に離れる。このため薄膜材料表面でMnS
の形成は、ほとんど生じず、有効にMnが付着面
に到達し得る。したがつて所望のZn1-xMnxSの
薄膜を得ることができた。
(ハ) 発明の効果
この発明の発光膜形成装置においては、薄膜材
料蒸発源に電位差設定手段を電気的に接続してい
るので、真空容器と薄膜材料蒸発源の間に所定の
電位差を発生させることができ、それによつて、
化合物や混合物などのイオン化しやすい組成を有
する薄膜材料を、その組成のまま薄膜として蒸着
することができ、またそれが非常に容易に達成で
きる優れたものである。また、薄膜材料蒸発源に
交流電圧を印加すれば、正、負イオンを有効に利
用するため、均一な蒸着もできるという副次的な
効果も有している。
料蒸発源に電位差設定手段を電気的に接続してい
るので、真空容器と薄膜材料蒸発源の間に所定の
電位差を発生させることができ、それによつて、
化合物や混合物などのイオン化しやすい組成を有
する薄膜材料を、その組成のまま薄膜として蒸着
することができ、またそれが非常に容易に達成で
きる優れたものである。また、薄膜材料蒸発源に
交流電圧を印加すれば、正、負イオンを有効に利
用するため、均一な蒸着もできるという副次的な
効果も有している。
第１図は、この発明に係る電子衝撃型蒸着装置
の一実施例を示す縦断面図である。 １…電子衝撃型蒸着装置、２…真空容器、５…
薄膜材料蒸発源、６…電子銃、８…直流可変電圧
電源、９…付着面。
の一実施例を示す縦断面図である。 １…電子衝撃型蒸着装置、２…真空容器、５…
薄膜材料蒸発源、６…電子銃、８…直流可変電圧
電源、９…付着面。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 真空容器中に、電子銃、薄膜材料蒸発源及び
付着面を備えてなる電子衝撃型蒸着装置からな
り、この薄膜材料蒸発源を、下式： Zn1-xMnxＳ （式中、ｘは０＜ｘ＜１である） で表わされる硫化亜鉛系化合物の蒸発源で構成
し、かつ上記真空容器と薄膜材料蒸発源の間に所
定の電位差を発生させる電位差設定手段を、薄膜
材料蒸発源に電気的に接続したことを特徴とする
発光膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23724884A JPS61117272A (ja) | 1984-11-09 | 1984-11-09 | 発光膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23724884A JPS61117272A (ja) | 1984-11-09 | 1984-11-09 | 発光膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61117272A JPS61117272A (ja) | 1986-06-04 |
| JPS6354069B2 true JPS6354069B2 (ja) | 1988-10-26 |
Family
ID=17012592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23724884A Granted JPS61117272A (ja) | 1984-11-09 | 1984-11-09 | 発光膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61117272A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8178794B2 (en) | 2007-09-26 | 2012-05-15 | Nok Corporation | Sealing structure |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5751263A (en) * | 1980-09-11 | 1982-03-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Vacuum vapor depositing device |
-
1984
- 1984-11-09 JP JP23724884A patent/JPS61117272A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5751263A (en) * | 1980-09-11 | 1982-03-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Vacuum vapor depositing device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61117272A (ja) | 1986-06-04 |
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