JPS61117272A - 発光膜形成装置 - Google Patents

発光膜形成装置

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JPS61117272A
JPS61117272A JP23724884A JP23724884A JPS61117272A JP S61117272 A JPS61117272 A JP S61117272A JP 23724884 A JP23724884 A JP 23724884A JP 23724884 A JP23724884 A JP 23724884A JP S61117272 A JPS61117272 A JP S61117272A
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JP
Japan
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thin film
film material
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vessel
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JP23724884A
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JPS6354069B2 (ja
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Koji Taniguchi
浩司 谷口
Takashi Ogura
隆 小倉
Koichi Tanaka
康一 田中
Masaru Yoshida
勝 吉田
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/32Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)発明の目的 (産業上の利用分野) この発明は、電子衝撃型蒸着装置に関する。特にその蒸
発源の改良に関する。
(従来の技術) 現在、電子(h撃型蒸着装置としては、電場偏向型や磁
場偏向型の装置が知られているが、いずれも、電子を薄
膜材料の一部分に集中してぶつけて加熱、蒸発させ、薄
膜形成するものである。そして低蒸気圧材料、蒸発源か
らの不純物の混入等の点で、従来の抵抗加熱型蒸着装置
に比して優れているため、半導体工業等で広く利用され
ている。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、現在用いられている電子衝撃型蒸着装置
は、電子ビームを直径数n以下に集束しており、更に加
速電圧も高いので、かなり多くの薄膜材料をイオン化し
てしまう。特に薄膜材料が化合物や混合物である場合、
イオン化により、蒸発源上で化学反応が生じてしまい、
もとの薄膜材料の組成のままの薄膜を蒸着することが困
難になるという問題点がある。たとえば、式As−xB
XC(式中、A、 Bは周期律表における■族元素、C
は■族元素、XはQ<x<l)なる薄膜を蒸着しようと
する場合、電子衝撃型蒸着装置における通常の電子ビー
ム照射により上記Al−XBXCなる薄膜材料は、加熱
され、分解し、イオン化されて化合物AC,BCが生成
される。ここでACの蒸気圧に比べてBCの蒸気圧が低
い場合は、BCはほとんど付着面に達することができず
、その結果AI−、<BxCの薄膜は得られにくいとい
う問題が生じる。
(ロ)発明の構成 この発明は、真空容器中に、電子銃、薄膜材料蒸発源及
び付着面を備えてなる電子衝撃型蒸着装置において、真
空容器と薄膜材料蒸発源の間に所定の電位差を発生させ
る電位差設定手段を、薄膜材料蒸発源に電気的に接続す
ることを特徴とする電子衝撃型蒸着装置である。
(実施例) 以下、図と共に本発明を詳説するが、これによってこの
発明は限定されるものではない。
第1図に本発明の電子衝撃型蒸着装置(1)を示す。
図において、電子衝撃型蒸着装置(1)は、略つり鐘状
の金属製真空容器(2)をその本体とし、かがる真空容
器(2)は、その底部(3)の一部に設けられた排気口
(4)から真空ポンプ(図示省略)で、1o−4〜1o
−2Torrの真空に保たれている。
一方、底部(3)のほぼ中央に、WI#膜材料蒸発源(
5)が設けられている。この薄膜材料蒸発源(5)上に
薄膜材料が載置され、その薄膜材料蒸発源(5)付近に
設けられた電子銃(6)からの電子ビームをマグネット
等の電子ビーム偏向用手段(7)により磁場を使って曲
げ、薄膜材料の一部に当たるようにしている。
なお、本発明の電子衝撃型蒸着装置(11は、前記薄膜
材料蒸発源(5)に直流可変電圧電源(8)のマイナス
側が接続されている6 また電子ビームの照射された薄膜材料は蒸発し、真空容
器(2)上方に設置されている付着面(9)に蒸着され
る。
かかる付着面(9)は通常、適当な基板支持体αのに係
止されており、更に支持棒(11)で真空容器(2)上
部に設置されている。なお前記基板支持体αΦに直流可
変電圧電源(12)のプラス側が接続されている。
このように構成された電子衝撃型蒸着装置(1)を用い
、式Zn1−xMnxs(式中、XはQ<x<1である
)からなる薄膜材料で薄膜の蒸着を行なった。以下、そ
の工程を具体的に説明する。
たとえば、Zn、−XMnxSは薄膜エレクトリックル
ミネッセンス発光層としての重要な材料で、特に式中の
X値の制御は、素子特性、とりわけ発光輝度に関係する
ため、特に重要である。
かような薄膜材料を、前記薄膜材料蒸発源(5)内に入
れ、電力1tl〜1oooowの電子ビームを照射する
。このとき、Znt−xMnxSは加熱、分解されて化
合物ZnS、MnSを生じる。しかも更に電子ビームが
照射されるため、化合物ZnS、MnSが負イオン化さ
れる。ここで化合物ZnSに比べて化合物MnSの蒸気
圧が低いため、化合物M n Sがほとんど付着面(9
)に到達しない。しかしながら本発明の電子衝撃型蒸着
装置(1)では、薄膜材料蒸発源(5)と真空容器(2
)に“1〜100OVの電位差が生じるよう、直流可変
電圧電源(8)から薄膜材料蒸発源(5)に印加してい
るため、薄膜材料蒸発源(5)が負に帯電しているため
、主原料であるZnSの分解及びイオン化によって生じ
た化学的に活性な硫黄イオンは、蒸発源から急速に離れ
る。
このため薄膜材料表面でMnSの形成は、はとんど生じ
ず、有効にMnが付着面に到達し得る。したがって所望
のZn1−xMnxSの薄膜を得ることができた。
(ハ)発明の効果 この発明は、電子衝撃型蒸着装置において、薄膜材料蒸
発源に電位差設定手段を電気的に接続しているので、真
空容器と薄膜材料蒸発源の間に所定の電位差を発生させ
ことができ、それによって、化合物や混合物などのイオ
ン化しやすい組成を有する薄膜材料を、その組成のまま
薄膜として蒸着することができる優れたものである。ま
た、薄膜材料蒸発源に交流電圧を印加すれば、正、負イ
オンを有効に利用するため、均一な蒸着もできるという
副次的な効果も有している。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明に係る電子衝撃型蒸着装置の一実施
例を示す縦断面図である。 (1)・−電子衝撃型蒸着装置、(2)・−・真空容器
、(5)・−薄膜材料蒸発源、(6)・−電子銃、(8
)・・−直流可変電圧電源、((IL−・付着面。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、真空容器中に、電子銃、薄膜材料蒸発源及び付着面
    を備えてなる電子衝撃型蒸着装置において、真空容器と
    薄膜材料蒸発源の間に所定の電位差を発生させる電位差
    設定手段を、薄膜材料蒸発源に電気的に接続することを
    特徴とする電子衝撃型蒸着装置。
JP23724884A 1984-11-09 1984-11-09 発光膜形成装置 Granted JPS61117272A (ja)

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JP23724884A JPS61117272A (ja) 1984-11-09 1984-11-09 発光膜形成装置

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JP23724884A JPS61117272A (ja) 1984-11-09 1984-11-09 発光膜形成装置

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JPS61117272A true JPS61117272A (ja) 1986-06-04
JPS6354069B2 JPS6354069B2 (ja) 1988-10-26

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ID=17012592

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8178794B2 (en) 2007-09-26 2012-05-15 Nok Corporation Sealing structure

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5751263A (en) * 1980-09-11 1982-03-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd Vacuum vapor depositing device

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US8178794B2 (en) 2007-09-26 2012-05-15 Nok Corporation Sealing structure

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JPS6354069B2 (ja) 1988-10-26

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