JP2001076887A - 透明導電膜の形成方法及びこれを用いた有機ｅｌ装置の製造方法 - Google Patents

透明導電膜の形成方法及びこれを用いた有機ｅｌ装置の製造方法

Info

Publication number
JP2001076887A
JP2001076887A JP2000107613A JP2000107613A JP2001076887A JP 2001076887 A JP2001076887 A JP 2001076887A JP 2000107613 A JP2000107613 A JP 2000107613A JP 2000107613 A JP2000107613 A JP 2000107613A JP 2001076887 A JP2001076887 A JP 2001076887A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive film
transparent conductive
organic
sputtering
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000107613A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3865358B2 (ja
Inventor
Akira Ishibashi
暁 石橋
Toshio Negishi
敏夫 根岸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ulvac Inc
Original Assignee
Ulvac Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ulvac Inc filed Critical Ulvac Inc
Priority to JP2000107613A priority Critical patent/JP3865358B2/ja
Publication of JP2001076887A publication Critical patent/JP2001076887A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3865358B2 publication Critical patent/JP3865358B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】表面が平坦で所望の仕事関数値の有機ＥＬ装置
用透明導電膜を形成しうる技術を提供する。 【解決手段】真空中でスパッタリング法により成膜対象
物の表面に透明導電膜を形成する有機ＥＬ装置用透明導
電膜の形成方法であって、非加熱下において所定量の酸
素を含む物質を導入してスパッタリングを行う。スパッ
タリングの後に、所定の温度で所定時間アニールを行う
ようにすれば、透明導電膜の抵抗値をより小さくするこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばＩＴＯ等の
透明導電膜の形成方法に関し、特に有機ＥＬ装置のアノ
ード電極に好適な透明導電膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、フルカラーフラットパネルディス
プレイ用の素子として、有機ＥＬ装置が注目されてい
る。有機ＥＬ装置は、蛍光性有機化合物を電気的に励起
して発光させる自発光型素子で、高輝度、高視野角、面
発光、薄型で多色発光が可能であり、しかも数Ｖという
低電圧の直流印加で発光する全固体素子で、かつ低温に
おいてもその特性の変化が少ないという特徴を有してい
る。
【０００３】図５は、一般的な有機ＥＬ装置の構成を示
すものである。図５に示すように、この有機ＥＬ装置１
００は、例えばガラス基板１０１上に形成された透明導
電膜（アノード電極）１０２の上に、それぞれ有機材料
からなる正孔注入輸送層１０３及び発光層１０４が形成
され、さらに、その上にカソード電極１０５が形成され
ている。そして、アノード電極１０２とカソード電極１
０５との間に約８Ｖ程度の低電圧を印加するように構成
されている。
【０００４】従来、有機ＥＬ装置の透明導電膜として
は、電気抵抗の低い金属であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ
Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）からなる膜が多く用いられてい
る。従来、このような透明導電膜は、ＩＴＯ等の成膜材
料を用い、基板を加熱しながらスパッタリングを行うこ
とにより形成している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、有機ＥＬ装
置のアノード電極用の透明導電膜としては、低抵抗であ
ることに加え、表面が平坦で、しかも、仕事関数値の大
きな（５．２ｅＶ程度）ものであることが望まれる。
【０００６】しかしながら、上述した方法によって得ら
れた透明導電膜は、仕事関数の値が上記５．２ｅＶに達
しない（小さい）。このため、従来は、透明導電膜に対
して２００℃より高い温度で熱処理を行うことによって
所望の仕事関数値の透明導電膜を得るようにしている。
【０００７】しかし、このような従来例にあっては、基
板を加熱しながら透明導電膜を形成する際に透明導電膜
の表面が粗くなってしまうという問題があった。
【０００８】本発明は、このような従来の技術の課題を
解決するためになされたもので、表面が平坦で所望の仕
事関数値の有機ＥＬ装置用透明導電膜を形成しうる方法
を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
になされた請求項１記載の発明は、真空中でスパッタリ
ング法により成膜対象物の表面に透明導電膜を形成する
有機ＥＬ装置用透明導電膜の形成方法であって、非加熱
下において所定量の酸素を含む物質を導入してスパッタ
リングを行うことを特徴とする。
【００１０】請求項１記載の発明の場合、非加熱下にお
いて所定量の酸素を含む物質を導入してスパッタリング
を行うことによって、有機薄膜に対する電気的整合性
（約５．２ｅＶ）を満足しうる所望の仕事関数の透明導
電膜が得られる。
【００１１】その結果、本発明によれば、従来技術のよ
うな高温の熱処理を行う必要がなくなることから、表面
が平坦で有機ＥＬ装置に最適の仕事関数を有する透明導
電膜を少ない工程数で容易に得ることができる。
【００１２】また、請求項２記載の発明のように、請求
項１記載の発明において、スパッタリングの後に、所定
の温度で所定時間アニールを行うようにすれば、透明導
電膜の抵抗値をより小さくすることが可能になる。
【００１３】さらに、請求項３記載の発明のように、請
求項１又は２のいずれか１項記載の発明において、スパ
ッタリングによって形成する透明導電膜がＩＴＯ膜であ
る場合に、特に低抵抗の透明導電膜が得られる。
【００１４】さらにまた、請求項４記載の発明のよう
に、基体上に請求項１乃至請求項３記載の方法によって
透明導電膜からなるアノード電極を形成する工程を含む
ようにすれば、表面が平坦で最適の仕事関数のアノード
電極を有する有機ＥＬ装置を得ることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る有機ＥＬ装置
の実施の形態をその製造方法とともに詳細に説明する。
図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明の有機ＥＬ装置の製造方
法の第１の実施の形態を示す工程図、図２（ａ）〜
（ｅ）は、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法の第２の実
施の形態を示す工程図である。
【００１６】本実施の形態においては、まず、図１
（ａ）に示すように、例えばガラス基板１０からなる透
明な基板（成膜対象物）１０を用意する。そして、この
基板１０を大気に曝さずにスパッタリング室（図示せ
ず）内に搬入し、図１（ｂ）に示すように、基板１０の
表面にスパッタリング法によりアノード電極として例え
ばＩＴＯからなる厚さ１５０ｎｍ程度の透明導電膜１１
を形成する。
【００１７】本実施の形態の場合は、基板１０を加熱せ
ずにスパッタリングを行う。これにより、アモルファス
状態の透明導電膜１１ａが得られる。
【００１８】また、本実施の形態においては、スパッタ
リング室内の圧力を０．３〜１．０Ｐａとすることが好
ましい。
【００１９】本実施の形態にあっては、スパッタリング
の際に、スパッタリングガスとしてアルゴン（Ａｒ）
を、反応性ガスとして酸素(Ｏ2）を含むガスをスパッタ
リング室内に導入する。
【００２０】その際、表面形態の観点から、アルゴン及
び酸素からなるガスに、さらに適量の水（Ｈ2Ｏ）又は
水素（Ｈ2）を添加することが好ましい。
【００２１】好ましい酸素及び水又は水素の添加量は、
後述するアニールの有無によって異なり、この点につい
ては後に詳述する。
【００２２】その後、図１（ｃ）（ｄ）に示すように、
透明導電膜１１が形成された基板１０を、大気に曝さず
に有機蒸着装置（図示せず）内に搬入し、有機薄膜１
２、１３を積層させることにより、本発明の有機ＥＬパ
ネル（有機ＥＬ装置）１Ａが得られる。
【００２３】さらに、有機薄膜１３の表面に、Ｌｉ等か
らなる電子注入層と、ＡｌＬｉ等からなる金属薄膜（図
示せず）を形成し、フォトリソグラフィ法等によって所
定のパターニングを行い、パターニングされた金属薄膜
をカソード電極とする。そして、このような構成におい
て、アノード電極とカソード電極との間に電圧を印加す
ると、アノード電極とカソード電極の交差部分の有機薄
膜１２、１３中に電流が流れ、その部分を発光させるこ
とができる。
【００２４】ところで、本発明においては、図２（ａ）
〜（ｅ）に示すように、アモルファス状態の透明導電膜
１１ａに対して所定のアニールを行い、その後、上述し
た有機薄膜１２、１３を形成することもできる。
【００２５】すなわち、アモルファス状態の透明導電膜
１１ａが形成された基板１０を、例えば真空状態のアニ
ール室（図示せず）内に搬入し、温度２００〜２５０℃
で所定時間アニールを行う。これにより、図１（ｃ）に
示すように、結晶化した透明導電膜１１が得られる。そ
して、上述した実施の形態と同様の工程によって透明導
電膜１の表面に有機薄膜１２、１３を積層させることに
より、図２（ｅ）に示す有機ＥＬパネル１Ｂが得られ
る。
【００２６】図３（ａ）（ｂ）は、アニール時間と透明
導電膜（ＩＴＯ膜）１１の比抵抗との関係を示すグラフ
で、図３（ａ）は、真空中でアニールを行った場合を示
すもの、図３（ｂ）は、大気中でアニールを行った場合
を示すものである。
【００２７】本発明の場合、アニールは真空中又は大気
中のいずれの雰囲気でも行うことができ、いずれの雰囲
気においても、アニールの時間に応じて透明導電膜１１
の比抵抗が小さくなる。
【００２８】しかし、図３（ａ）（ｂ）から理解される
ように、大気中でのアニールの場合は比抵抗の値が約２
×１０-4Ω・ｃｍまで低下するのに３０分以上必要であ
るのに対し、真空中でのアニールの場合は５分以下の短
時間で比抵抗の値が約２×１０-4Ω・ｃｍまで低下す
る。
【００２９】したがって、本発明の場合、真空中でアニ
ールを行えば、プロセス時間を短縮することができ、生
産効率を向上させることができる。
【００３０】図４は、本実施の形態においてスパッタリ
ングの際に導入する酸素(Ｏ2）の量と透明導電膜（ＩＴ
Ｏ膜）の比抵抗との関係を示すグラフである。
【００３１】図４に示すように、本発明においては、ア
ニールした透明導電膜１１の方が、アニールしない透明
導電膜１１より比抵抗の最小値を小さくすることができ
る。この場合、透明導電膜１１の比抵抗が最小となる酸
素の導入量は、アニールしない透明導電膜１１と、アニ
ールした透明導電膜１１とで異なっている。
【００３２】アニールしない透明導電膜１１において、
透明導電膜１１の低抵抗化のためには、約０．６sccmの
酸素を導入することが好ましい。
【００３３】一方、アニールした透明導電膜１１におい
て、透明導電膜１１の低抵抗化のためには、約０．２sc
cmの酸素を導入することが好ましい。
【００３４】本実施の形態においては、非加熱で形成し
たＩＴＯ膜はアモルファスであるため、アニールを行っ
た後であっても膜の表面は平坦である。この場合、スパ
ッタリングガスに適量の水又は水素を添加することによ
り、ａｓ ｄｅｐｏでより安定なアモルファス膜が得ら
れ、より平坦なＩＴＯ膜が得られるようになる。
【００３５】以上述べたように本実施の形態によれば、
非加熱下において所定量の酸素を含むガスを導入してス
パッタリングを行うことによって、所望の仕事関数の透
明導電膜１１が得られる。
【００３６】その結果、本実施の形態によれば、従来技
術のような高温の熱処理を行う必要がなくなることか
ら、表面が平坦で有機ＥＬ装置に最適の仕事関数を有す
る透明導電膜１１を容易に得ることができる。
【００３７】特に、図１（ａ）〜（ｄ）に示す実施の形
態のようにアニールを行わない場合には、少ない工程数
で有機ＥＬ装置１Ａが得られ、生産効率の向上に寄与す
ることができる。
【００３８】なお、この実施の形態の有機ＥＬ装置１Ａ
は、透明導電膜１１ａの抵抗値がやや高いが、画素構成
が単純マトリクス型のものであれば十分に実用可能であ
る。
【００３９】一方、図２（ａ）〜（ｅ）に示す実施の形
態のように、スパッタリングの後に、所定の温度で所定
時間アニールを行うようにすれば、透明導電膜１１の抵
抗値をより小さくすることができる。
【００４０】なお、この実施の形態の有機ＥＬ装置１Ｂ
は、画素構成がアクティブマトリクス型のものに好適で
ある。
【００４１】このように、本実施の形態によれば、表面
が平坦で最適の仕事関数のアノード電極を有する種々の
有機ＥＬ装置１を得ることができる。
【００４２】なお、本発明は上述した実施の形態に限ら
れることなく、種々の変更を行うことができる。例え
ば、上述の実施の形態の場合は透明導電膜としてＩＴＯ
を用いた場合を例にとって説明したが、本発明はこれに
限られず、例えば、他のあらゆる酸化物透明導電膜（Ｉ
ｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｃｄなどをベースとし、Ｓｎ、Ａｌ、
Ｚｎ、Ｓｂといった微量の添加物を一種類又は数種類組
み合わせたもの）に本発明を適用することも可能であ
る。
【００４３】また、本発明は有機ＥＬ装置のみならず、
他の透明導電膜を用いる素子や装置に適用することがで
きる。ただし、上記実施の形態のような有機ＥＬ装置に
適用した場合に最も有効であることはもちろんである。
【００４４】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、表面
が平坦で最適の仕事関数を有する透明導電膜を少ない工
程数で容易に得ることができ、これにより最適のアノー
ド電極を有する種々の有機ＥＬ装置を得ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｄ）：本発明の有機ＥＬ装置の製造
方法の第１の実施の形態を示す工程図
【図２】（ａ）〜（ｅ）：本発明の有機ＥＬ装置の製造
方法の第２の実施の形態を示す工程図
【図３】（ａ）：アニール時間と透明導電膜（ＩＴＯ
膜）の比抵抗との関係を示すグラフ（真空中でアニール
を行った場合） （ｂ）：アニール時間と透明導電膜（ＩＴＯ膜）の比抵
抗との関係を示すグラフ（大気中でアニールを行った場
合）
【図４】本実施の形態においてスパッタリングの際に導
入する酸素(Ｏ2）の量と透明導電膜（ＩＴＯ膜）の比抵
抗との関係を示すグラフ
【図５】一般的な有機ＥＬ装置の構成を示す断面図
【符号の説明】
１（１Ａ、１Ｂ）……有機ＥＬパネル（有機ＥＬ装置）
１０……基板（成膜対象物） １１……透明導電膜
１２、１３……有機薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ Ｆターム(参考） 3K007 AB18 CA01 CB01 FA03 4K029 BA45 BA50 BC09 BD00 BD01 CA05 GA01 5F103 AA08 DD25 DD30 LL01 LL20 NN06 PP03 RR01

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】真空中でスパッタリング法により成膜対象
    物の表面に透明導電膜を形成する有機ＥＬ装置用透明導
    電膜の形成方法であって、 非加熱下において所定量の酸素を含む物質を導入してス
    パッタリングを行うことを特徴とする有機ＥＬ装置用透
    明導電膜の形成方法。
  2. 【請求項２】スパッタリングの後に、所定の温度で所定
    時間アニールを行うことを特徴とする請求項１記載の有
    機ＥＬ装置用透明導電膜の形成方法。
  3. 【請求項３】スパッタリングによって形成する透明導電
    膜がＩＴＯ膜であることを特徴とする請求項１又は２の
    いずれか１項記載の有機ＥＬ装置用透明導電膜の形成方
    法。
  4. 【請求項４】基体上に請求項１乃至請求項３記載の方法
    によって透明導電膜からなるアノード電極を形成する工
    程を含むことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
JP2000107613A 1999-07-08 2000-04-10 有機ｅｌ装置の製造方法 Expired - Fee Related JP3865358B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000107613A JP3865358B2 (ja) 1999-07-08 2000-04-10 有機ｅｌ装置の製造方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19383199 1999-07-08
JP11-193831 1999-07-08
JP2000107613A JP3865358B2 (ja) 1999-07-08 2000-04-10 有機ｅｌ装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001076887A true JP2001076887A (ja) 2001-03-23
JP3865358B2 JP3865358B2 (ja) 2007-01-10

Family

ID=26508125

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000107613A Expired - Fee Related JP3865358B2 (ja) 1999-07-08 2000-04-10 有機ｅｌ装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3865358B2 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030064604A (ko) * 2002-01-16 2003-08-02 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 투명 도전성 필름과 그 제조방법 및 그것을 사용한일렉트로루미네센스 발광소자
JP2005228739A (ja) * 2004-01-16 2005-08-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置の作製方法
KR100513612B1 (ko) * 2001-06-29 2005-09-09 산요덴키가부시키가이샤 인듐 주석 산화막의 제조 방법
WO2010004937A1 (ja) * 2008-07-09 2010-01-14 株式会社アルバック タッチパネルの製造方法及び成膜装置
WO2011045911A1 (ja) * 2009-10-15 2011-04-21 パナソニック株式会社 表示パネル装置及びその製造方法
CN105803409A (zh) * 2016-03-23 2016-07-27 华灿光电股份有限公司 一种制备透明导电膜的方法
JP2018195462A (ja) * 2017-05-17 2018-12-06 学校法人東京工芸大学 有機ｅｌ素子の上部電極膜のスパッタ法による製造方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103276357B (zh) * 2013-04-18 2015-02-18 青岛科技大学 一种提高铜表面功函数的生产工艺
CN106011760B (zh) 2015-03-26 2018-06-22 株式会社思可林集团 溅镀装置及溅镀方法

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100513612B1 (ko) * 2001-06-29 2005-09-09 산요덴키가부시키가이샤 인듐 주석 산화막의 제조 방법
KR20030064604A (ko) * 2002-01-16 2003-08-02 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 투명 도전성 필름과 그 제조방법 및 그것을 사용한일렉트로루미네센스 발광소자
JP2005228739A (ja) * 2004-01-16 2005-08-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置の作製方法
KR101226726B1 (ko) * 2008-07-09 2013-01-25 가부시키가이샤 아루박 터치 패널의 제조 방법 및 성막 장치
JPWO2010004937A1 (ja) * 2008-07-09 2012-01-05 株式会社アルバック タッチパネルの製造方法及び成膜装置
WO2010004937A1 (ja) * 2008-07-09 2010-01-14 株式会社アルバック タッチパネルの製造方法及び成膜装置
WO2011045911A1 (ja) * 2009-10-15 2011-04-21 パナソニック株式会社 表示パネル装置及びその製造方法
JPWO2011045911A1 (ja) * 2009-10-15 2013-03-04 パナソニック株式会社 表示パネル装置及びその製造方法
US8952609B2 (en) 2009-10-15 2015-02-10 Panasonic Corporation Display panel apparatus and method of fabricating display panel apparatus
JP5690280B2 (ja) * 2009-10-15 2015-03-25 パナソニック株式会社 表示パネル装置及びその製造方法
US9093659B2 (en) 2009-10-15 2015-07-28 Joled Inc. Display panel apparatus and method of fabricating display panel apparatus
CN105803409A (zh) * 2016-03-23 2016-07-27 华灿光电股份有限公司 一种制备透明导电膜的方法
JP2018195462A (ja) * 2017-05-17 2018-12-06 学校法人東京工芸大学 有機ｅｌ素子の上部電極膜のスパッタ法による製造方法
JP7110528B2 (ja) 2017-05-17 2022-08-02 学校法人東京工芸大学 有機ｅｌ素子の上部電極膜のスパッタ法による製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3865358B2 (ja) 2007-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI284931B (en) Method for making an indium-tin oxide film
JP3428152B2 (ja) 有機ｅｌ素子の製造方法
US20090220680A1 (en) Oled device with short reduction
JPH0414794A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2002208479A (ja) 有機ｌｅｄ素子用中間抵抗膜付基板および有機ｌｅｄ素子
JP2002246185A (ja) 有機エレクトロルミネセンス素子
JP3865358B2 (ja) 有機ｅｌ装置の製造方法
JP2001338771A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JPH06176870A (ja) 有機薄膜発光素子
JP3359073B2 (ja) 有機薄膜ｅｌ素子
US20190044091A1 (en) Organic electroluminescence panel and method for manufacturing the same
WO2019237479A1 (zh) 一种电极及其制备方法和有机电致发光器件
JP4310843B2 (ja) 有機電界発光素子の製造方法
JPH1161398A (ja) 電極の製造方法および電極
US20040195966A1 (en) Method of providing a layer including a metal or silicon or germanium and oxygen on a surface
JP2002083693A (ja) 透明導電膜付き基板及び該透明導電膜付き基板を使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
CN1322600C (zh) 光学元件及其制造方法
JP2000208253A (ja) 有機ｅｌ素子およびその製造方法
JPH05315078A (ja) 有機薄膜発光素子
JP3040597B2 (ja) 有機電界発光素子の製造方法
WO2018193822A1 (ja) 電子デバイスおよびその製造方法
US9484546B2 (en) OLED with compact contact design and self-aligned insulators
JP4817609B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び表示装置の製造方法
TWI303467B (en) Serially-connected organic light emitting device and method of manufacturing the same
JP2003168565A (ja) 有機ｅｌ素子

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20051020

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20051101

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051226

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20051226

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060111

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060502

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20060703

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060703

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060926

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20061002

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3865358

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091013

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121013

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121013

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141013

Year of fee payment: 8

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees