JP2018195462A - 有機el素子の上部電極膜のスパッタ法による製造方法 - Google Patents
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本実施例にかかる有機EL素子の製造方法は、対向ターゲット式低ダメージスパッタ装置を使用する。この装置を用いたスパッタ成膜では成膜時のベース基板温度上昇は5℃以下であるため、スパッタリングによる上部電極膜の成膜時にハロゲンランプ等でベース基板表面側から赤外線を照射し加熱する。この成膜時の赤外線照射・加熱により、真空蒸着法と比べ遜色ない低電圧で発光可能な有機EL素子の作製が可能である。
本実施例の有機EL素子の製造方法は、準備ステップとスパッタステップの後に、真空中にてベース上の積層膜を加熱するアニールステップをさらに有する。アニールステップを付加することにより、真空蒸着法と同等の発光特性を持つ素子の作製が可能である。
0103 ベース基板
0106 加熱装置
Claims (2)
- 有機EL素子の上部電極膜のスパッタ法による製造方法であって、
上部電極膜形成前に基板ホルダーに保持されたベース基板上に陽極膜と、バッファー層と、p形正孔輸送層と、n形有機半導体層と、前記n形有機半導体層上に積層されたLiF層とを準備する準備ステップと、
前記ベースを保持する基板温度を40℃以上であって90℃以下に加熱しながら電極膜材料を対向ターゲットとして配置し、対抗空間側面に配置したベース基板上の積層膜に電極材料をスパッタするスパッタステップと、
を有する有機EL素子の上部電極膜のスパッタ法による製造方法。 - 有機EL素子の上部電極膜のスパッタ法による製造方法であって、
上部電極膜形成前に基板ホルダーに保持されたベース基板上に陽極膜と、バッファー層と、p形正孔輸送層と、n形有機半導体層と、前記n形有機半導体層上に積層されたLiF層とを準備する準備ステップと、
電極膜材料をベース基板上の積層膜に電極材料をスパッタするスパッタステップと、
スパッタステップの終了後に真空中にてベース基板上の積層膜をアニールするアニールステップと、を有する有機EL素子の上部電極膜のスパッタ法による製造方法。
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