JPS6152359A - サ−マルシ−ルドの金属蒸着膜形成方法 - Google Patents
サ−マルシ−ルドの金属蒸着膜形成方法Info
- Publication number
- JPS6152359A JPS6152359A JP17128384A JP17128384A JPS6152359A JP S6152359 A JPS6152359 A JP S6152359A JP 17128384 A JP17128384 A JP 17128384A JP 17128384 A JP17128384 A JP 17128384A JP S6152359 A JPS6152359 A JP S6152359A
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- JP
- Japan
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- film
- thermal shield
- transparent polymer
- vapor
- metal
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- Pending
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/221—Ion beam deposition
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明はサーマルシールドの金属蒸着膜形成方法、特
に、人工衛星の熱制御を行うサーマルシールドの金属蒸
着膜形成方法に関するものである。
に、人工衛星の熱制御を行うサーマルシールドの金属蒸
着膜形成方法に関するものである。
第１図は従来のサーマルシールドを示す概略構成図であ
り、図において、（１）は１３〜１３０μｍ程度の厚さ
のフルオロエチレン−ゾロピレン共重合体フィルム（以
下、フィルムと略記する）、（２）はフィルム（１）上
に蒸着された厚さ数１００ＯＡの銀薄膜層、（３）は銀
薄膜層（２）の酸化を防ぐために該銀薄膜層上に蒸着さ
れた厚さ数１００ＯＡのインコネル合金薄膜層である。
り、図において、（１）は１３〜１３０μｍ程度の厚さ
のフルオロエチレン−ゾロピレン共重合体フィルム（以
下、フィルムと略記する）、（２）はフィルム（１）上
に蒸着された厚さ数１００ＯＡの銀薄膜層、（３）は銀
薄膜層（２）の酸化を防ぐために該銀薄膜層上に蒸着さ
れた厚さ数１００ＯＡのインコネル合金薄膜層である。
従来のサーマルシールドは、真空蒸着法によりフィルム
（１）上にまず銀薄膜層（２）を形成し、その後、銀薄
膜層（２）上にインコネル合金薄膜層を形成していた。
（１）上にまず銀薄膜層（２）を形成し、その後、銀薄
膜層（２）上にインコネル合金薄膜層を形成していた。
ところが、上記のような真空蒸着法で形成した銀薄膜層
（２）およびインコネル合金薄膜層（３）はフィルム（
１）への付着力が比較的弱いため、例えば人工衛星への
サーマルシールド取付は作業中に金属蒸着膜層（２）、
（３）が剥れたり傷がついたりするという欠点があった
。また、人工衛星が宇宙の軌道に投入された場合、フィ
ルム（１）が宇宙側に露出した状態で使用されるため、
宇宙プラズマにより帯電し、時には放電が生じ、そのエ
ネルギにより金属蒸着面が剥離し易〜・と〜・う欠点も
あった。
（２）およびインコネル合金薄膜層（３）はフィルム（
１）への付着力が比較的弱いため、例えば人工衛星への
サーマルシールド取付は作業中に金属蒸着膜層（２）、
（３）が剥れたり傷がついたりするという欠点があった
。また、人工衛星が宇宙の軌道に投入された場合、フィ
ルム（１）が宇宙側に露出した状態で使用されるため、
宇宙プラズマにより帯電し、時には放電が生じ、そのエ
ネルギにより金属蒸着面が剥離し易〜・と〜・う欠点も
あった。
この発明はかかる欠点を改善するためＫなされたもので
、蒸着すべき金属を蒸発させてクラスタ化し、これをイ
オン化して蒸着させることにより、透明高分子フィルム
に対して付着力の強い金属蒸着膜を形成できるサーマル
シールドの金属蒸着膜形成方法を提案するものである。
、蒸着すべき金属を蒸発させてクラスタ化し、これをイ
オン化して蒸着させることにより、透明高分子フィルム
に対して付着力の強い金属蒸着膜を形成できるサーマル
シールドの金属蒸着膜形成方法を提案するものである。
第２図はこの発明の金属蒸着膜形成方法を実施する装置
の概要を示すものであり、（４）は真空容器で、その内
部にはフィルム（１）が矢示方向に移動可能に設けられ
ている。（５）は真空容器（４）の内部を１０゛６和嶋
度の高真空にするだめの真空排気装置、（６）は真空排
気装置（５）の開閉弁、（力、（８）は上面に小さなノ
ズル穴（７ａ）、（８ａ）をあけたるつぼで、上記真空
容器（４）内に設置され【いる。（９）はるつぼ（力内
に入れられた銀の塊、Ｑ０）はるつぼ（８）内に入れら
れたインコネル合金の塊、（１１）、Ｑ３はるつぼ（７
）、（８）を加熱して、内部の金属の塊（９）、αｅを
蒸発させるための電子衝撃用フィラメントである。
の概要を示すものであり、（４）は真空容器で、その内
部にはフィルム（１）が矢示方向に移動可能に設けられ
ている。（５）は真空容器（４）の内部を１０゛６和嶋
度の高真空にするだめの真空排気装置、（６）は真空排
気装置（５）の開閉弁、（力、（８）は上面に小さなノ
ズル穴（７ａ）、（８ａ）をあけたるつぼで、上記真空
容器（４）内に設置され【いる。（９）はるつぼ（力内
に入れられた銀の塊、Ｑ０）はるつぼ（８）内に入れら
れたインコネル合金の塊、（１１）、Ｑ３はるつぼ（７
）、（８）を加熱して、内部の金属の塊（９）、αｅを
蒸発させるための電子衝撃用フィラメントである。
（１■、側はるつぼ（７）、 （８）からクラスタ状に
放出された蒸発金属をイオン化するための電子放出フィ
ラメント、Ｑ９、（ＩＦ５は電子放出フィラメント（１
３１，α力から放出される電子流を制御するためのグリ
シＰ１αη、（１８）はシールドである。そして、上記
符号α４、Ｑ９、ａη、Ｑ４１． （ＩＦ５． （ｉｓ
を付シタ部分ティオン化部ａ１、翰を構成している。（
２の、（社）はイオン化部によりイオン化されたクラス
タ状の蒸発金属を静電的に加速するための加速電極、（
ハ）、（財）はシャッタである。
放出された蒸発金属をイオン化するための電子放出フィ
ラメント、Ｑ９、（ＩＦ５は電子放出フィラメント（１
３１，α力から放出される電子流を制御するためのグリ
シＰ１αη、（１８）はシールドである。そして、上記
符号α４、Ｑ９、ａη、Ｑ４１． （ＩＦ５． （ｉｓ
を付シタ部分ティオン化部ａ１、翰を構成している。（
２の、（社）はイオン化部によりイオン化されたクラス
タ状の蒸発金属を静電的に加速するための加速電極、（
ハ）、（財）はシャッタである。
上記のよ５に構成された装置において、電子衡撃用フィ
ラメント（Ｌ３）、α滲から放出された電子によりるつ
ぼ（力、（８）を加熱する。この加熱によって、るつぼ
内部の鉄塊（９）およびインコネル合金塊ＱＯＩを蒸発
させ、るつは（７）、（８）のノズル穴（７ａ ） 、
（８ａ）から１０−’Ｔｏ＋＋程度の高真空側に放出さ
せてクラスタ化し、このクラスタをイオン化部を通過さ
せてイオン化し、このイオン化したクラスタを加速電極
（２Ｊ）、四により加速してフィルム（１）上に蒸着さ
せる。
ラメント（Ｌ３）、α滲から放出された電子によりるつ
ぼ（力、（８）を加熱する。この加熱によって、るつぼ
内部の鉄塊（９）およびインコネル合金塊ＱＯＩを蒸発
させ、るつは（７）、（８）のノズル穴（７ａ ） 、
（８ａ）から１０−’Ｔｏ＋＋程度の高真空側に放出さ
せてクラスタ化し、このクラスタをイオン化部を通過さ
せてイオン化し、このイオン化したクラスタを加速電極
（２Ｊ）、四により加速してフィルム（１）上に蒸着さ
せる。
この場合、シャッタ（ハ）、（至）は例えばるつぼ（力
、（８）の加熱開始に関連して開かれる。
、（８）の加熱開始に関連して開かれる。
フィルム（１）は不図示のフィルム移動機構によって矢
示方向に徐々に移動させることができるので、まず、フ
ィルム（１）には銀蒸着層（２）が形成され、次にイン
コネル合金層（３）が形成されるので、フィルム（１）
の片面には２層の金属蒸着層（２）、（３）が形成され
ることになる。
示方向に徐々に移動させることができるので、まず、フ
ィルム（１）には銀蒸着層（２）が形成され、次にイン
コネル合金層（３）が形成されるので、フィルム（１）
の片面には２層の金属蒸着層（２）、（３）が形成され
ることになる。
なお、上記実施例では、透明高分子フィルム（１）がフ
ルオロエチレン−プロピレン共重合体で、金属蒸着膜が
銀およびインコネル合金の２層構造のものを示したが、
透明高分子フィルムがポリイミドやポリエチレンテレフ
タレータの場合は、アルミニウムまたは金の単一蒸着膜
でよく、この場合は、使用するるつぼは１個だけでよ〜
・。また、透明高分子フィルム（１）の代りに溶融石英
板であっても上記実施例と同様の効果を奏することがで
きる。
ルオロエチレン−プロピレン共重合体で、金属蒸着膜が
銀およびインコネル合金の２層構造のものを示したが、
透明高分子フィルムがポリイミドやポリエチレンテレフ
タレータの場合は、アルミニウムまたは金の単一蒸着膜
でよく、この場合は、使用するるつぼは１個だけでよ〜
・。また、透明高分子フィルム（１）の代りに溶融石英
板であっても上記実施例と同様の効果を奏することがで
きる。
この発明は以上説明したとおり、蒸発させた金属をクラ
スタ化し、かつ、イオン化して透明高分子フィルムに蒸
着させるので、付着力の強℃・金属蒸着膜が得られ信頼
性の高（・サーマルシールドが作製できる効果がある。
スタ化し、かつ、イオン化して透明高分子フィルムに蒸
着させるので、付着力の強℃・金属蒸着膜が得られ信頼
性の高（・サーマルシールドが作製できる効果がある。
第１図はサーマルシールドの概略構成図、第２図はこの
発明によるサーマルシールドの金属蒸着膜形成方法を実
施する装置の概略図である。 図において、（１）は透明高分子フィルム、（２）は銀
薄膜層、（３）はインコネル合金薄膜層である。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。 代理人 弁理士 大 岩 増 雄 （外２名） 第１図 第２図 手続補正書 （自発） 口召和 ６へ ６月２０日 ２、発明の名称 サーマルシールドの金属蒸着膜形成方法３、補正をする
者 代表者片山仁へ部 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄。
発明によるサーマルシールドの金属蒸着膜形成方法を実
施する装置の概略図である。 図において、（１）は透明高分子フィルム、（２）は銀
薄膜層、（３）はインコネル合金薄膜層である。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。 代理人 弁理士 大 岩 増 雄 （外２名） 第１図 第２図 手続補正書 （自発） 口召和 ６へ ６月２０日 ２、発明の名称 サーマルシールドの金属蒸着膜形成方法３、補正をする
者 代表者片山仁へ部 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄。
Claims (5)
- （１）真空容器内にるつぼを設け、このるつぼを加熱し
て該るつぼ内部の金属を真空中に蒸発させてクラスタ化
し、このクラスタをイオン化して前記真空容器内に設け
た透明高分子フィルムに蒸着させることを特徴とするサ
ーマルシールドの金属蒸着膜形成方法。 - （２）透明高分子フィルムがフルオロエチレン−プロピ
レン共重合体、蒸着金属が銀およびインコネル合金であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のサーマ
ルシールドの金属蒸着膜形成方法。 - （３）透明高分子フィルムがポリイミド、蒸着金属がア
ルミニウムまたは金であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のサーマルシールドの金属蒸着膜形成方
法。 - （４）透明高分子フィルムがポリエチレンテレフタレー
ト、蒸着金属がアルミニウムであることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のサーマルシールドの金属蒸着
膜形成方法。 - （５）透明高分子フィルムの代りに溶融石英板を用いる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のサーマル
シールドの金属蒸着膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17128384A JPS6152359A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | サ−マルシ−ルドの金属蒸着膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17128384A JPS6152359A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | サ−マルシ−ルドの金属蒸着膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6152359A true JPS6152359A (ja) | 1986-03-15 |
Family
ID=15920449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17128384A Pending JPS6152359A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | サ−マルシ−ルドの金属蒸着膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6152359A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02101159A (ja) * | 1988-10-06 | 1990-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成装置 |
| JP2012100205A (ja) * | 2010-11-05 | 2012-05-24 | Ihi Aerospace Co Ltd | 送信アンテナ |
-
1984
- 1984-08-17 JP JP17128384A patent/JPS6152359A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02101159A (ja) * | 1988-10-06 | 1990-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成装置 |
| JP2012100205A (ja) * | 2010-11-05 | 2012-05-24 | Ihi Aerospace Co Ltd | 送信アンテナ |
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