JPS6152359A - サ−マルシ−ルドの金属蒸着膜形成方法 - Google Patents

サ−マルシ−ルドの金属蒸着膜形成方法

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Publication number
JPS6152359A
JPS6152359A JP17128384A JP17128384A JPS6152359A JP S6152359 A JPS6152359 A JP S6152359A JP 17128384 A JP17128384 A JP 17128384A JP 17128384 A JP17128384 A JP 17128384A JP S6152359 A JPS6152359 A JP S6152359A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
thermal shield
transparent polymer
vapor
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP17128384A
Other languages
English (en)
Inventor
Haruhisa Fujii
藤井 治久
Masao Etsuchu
昌夫 越中
Giichi Shibuya
義一 渋谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS6152359A publication Critical patent/JPS6152359A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/221Ion beam deposition

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明はサーマルシールドの金属蒸着膜形成方法、特
に、人工衛星の熱制御を行うサーマルシールドの金属蒸
着膜形成方法に関するものである。
〔従来技術〕
第1図は従来のサーマルシールドを示す概略構成図であ
り、図において、(1)は13〜130μm程度の厚さ
のフルオロエチレン−ゾロピレン共重合体フィルム(以
下、フィルムと略記する)、(2)はフィルム(1)上
に蒸着された厚さ数100OAの銀薄膜層、(3)は銀
薄膜層(2)の酸化を防ぐために該銀薄膜層上に蒸着さ
れた厚さ数100OAのインコネル合金薄膜層である。
従来のサーマルシールドは、真空蒸着法によりフィルム
(1)上にまず銀薄膜層(2)を形成し、その後、銀薄
膜層(2)上にインコネル合金薄膜層を形成していた。
ところが、上記のような真空蒸着法で形成した銀薄膜層
(2)およびインコネル合金薄膜層(3)はフィルム(
1)への付着力が比較的弱いため、例えば人工衛星への
サーマルシールド取付は作業中に金属蒸着膜層(2)、
(3)が剥れたり傷がついたりするという欠点があった
。また、人工衛星が宇宙の軌道に投入された場合、フィ
ルム(1)が宇宙側に露出した状態で使用されるため、
宇宙プラズマにより帯電し、時には放電が生じ、そのエ
ネルギにより金属蒸着面が剥離し易〜・と〜・う欠点も
あった。
〔発明の概要〕
この発明はかかる欠点を改善するためKなされたもので
、蒸着すべき金属を蒸発させてクラスタ化し、これをイ
オン化して蒸着させることにより、透明高分子フィルム
に対して付着力の強い金属蒸着膜を形成できるサーマル
シールドの金属蒸着膜形成方法を提案するものである。
〔発明の実施例〕
第2図はこの発明の金属蒸着膜形成方法を実施する装置
の概要を示すものであり、(4)は真空容器で、その内
部にはフィルム(1)が矢示方向に移動可能に設けられ
ている。(5)は真空容器(4)の内部を10゛6和嶋
度の高真空にするだめの真空排気装置、(6)は真空排
気装置(5)の開閉弁、(力、(8)は上面に小さなノ
ズル穴(7a)、(8a)をあけたるつぼで、上記真空
容器(4)内に設置され【いる。(9)はるつぼ(力内
に入れられた銀の塊、Q0)はるつぼ(8)内に入れら
れたインコネル合金の塊、(11)、Q3はるつぼ(7
)、(8)を加熱して、内部の金属の塊(9)、αeを
蒸発させるための電子衝撃用フィラメントである。
(1■、側はるつぼ(7)、 (8)からクラスタ状に
放出された蒸発金属をイオン化するための電子放出フィ
ラメント、Q9、(IF5は電子放出フィラメント(1
31,α力から放出される電子流を制御するためのグリ
シP1αη、(18)はシールドである。そして、上記
符号α4、Q9、aη、Q41. (IF5. (is
を付シタ部分ティオン化部a1、翰を構成している。(
2の、(社)はイオン化部によりイオン化されたクラス
タ状の蒸発金属を静電的に加速するための加速電極、(
ハ)、(財)はシャッタである。
上記のよ5に構成された装置において、電子衡撃用フィ
ラメント(L3)、α滲から放出された電子によりるつ
ぼ(力、(8)を加熱する。この加熱によって、るつぼ
内部の鉄塊(9)およびインコネル合金塊QOIを蒸発
させ、るつは(7)、(8)のノズル穴(7a ) 、
(8a)から10−’To++程度の高真空側に放出さ
せてクラスタ化し、このクラスタをイオン化部を通過さ
せてイオン化し、このイオン化したクラスタを加速電極
(2J)、四により加速してフィルム(1)上に蒸着さ
せる。
この場合、シャッタ(ハ)、(至)は例えばるつぼ(力
、(8)の加熱開始に関連して開かれる。
フィルム(1)は不図示のフィルム移動機構によって矢
示方向に徐々に移動させることができるので、まず、フ
ィルム(1)には銀蒸着層(2)が形成され、次にイン
コネル合金層(3)が形成されるので、フィルム(1)
の片面には2層の金属蒸着層(2)、(3)が形成され
ることになる。
なお、上記実施例では、透明高分子フィルム(1)がフ
ルオロエチレン−プロピレン共重合体で、金属蒸着膜が
銀およびインコネル合金の2層構造のものを示したが、
透明高分子フィルムがポリイミドやポリエチレンテレフ
タレータの場合は、アルミニウムまたは金の単一蒸着膜
でよく、この場合は、使用するるつぼは1個だけでよ〜
・。また、透明高分子フィルム(1)の代りに溶融石英
板であっても上記実施例と同様の効果を奏することがで
きる。
〔発明の効果〕
この発明は以上説明したとおり、蒸発させた金属をクラ
スタ化し、かつ、イオン化して透明高分子フィルムに蒸
着させるので、付着力の強℃・金属蒸着膜が得られ信頼
性の高(・サーマルシールドが作製できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はサーマルシールドの概略構成図、第2図はこの
発明によるサーマルシールドの金属蒸着膜形成方法を実
施する装置の概略図である。 図において、(1)は透明高分子フィルム、(2)は銀
薄膜層、(3)はインコネル合金薄膜層である。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。 代理人 弁理士  大 岩 増 雄 (外2名) 第1図 第2図 手続補正書 (自発) 口召和 6へ 6月20日 2、発明の名称 サーマルシールドの金属蒸着膜形成方法3、補正をする
者 代表者片山仁へ部 5、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)真空容器内にるつぼを設け、このるつぼを加熱し
    て該るつぼ内部の金属を真空中に蒸発させてクラスタ化
    し、このクラスタをイオン化して前記真空容器内に設け
    た透明高分子フィルムに蒸着させることを特徴とするサ
    ーマルシールドの金属蒸着膜形成方法。
  2. (2)透明高分子フィルムがフルオロエチレン−プロピ
    レン共重合体、蒸着金属が銀およびインコネル合金であ
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のサーマ
    ルシールドの金属蒸着膜形成方法。
  3. (3)透明高分子フィルムがポリイミド、蒸着金属がア
    ルミニウムまたは金であることを特徴とする特許請求の
    範囲第1項記載のサーマルシールドの金属蒸着膜形成方
    法。
  4. (4)透明高分子フィルムがポリエチレンテレフタレー
    ト、蒸着金属がアルミニウムであることを特徴とする特
    許請求の範囲第1項記載のサーマルシールドの金属蒸着
    膜形成方法。
  5. (5)透明高分子フィルムの代りに溶融石英板を用いる
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のサーマル
    シールドの金属蒸着膜形成方法。
JP17128384A 1984-08-17 1984-08-17 サ−マルシ−ルドの金属蒸着膜形成方法 Pending JPS6152359A (ja)

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JP (1) JPS6152359A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02101159A (ja) * 1988-10-06 1990-04-12 Mitsubishi Electric Corp 薄膜形成装置
JP2012100205A (ja) * 2010-11-05 2012-05-24 Ihi Aerospace Co Ltd 送信アンテナ

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02101159A (ja) * 1988-10-06 1990-04-12 Mitsubishi Electric Corp 薄膜形成装置
JP2012100205A (ja) * 2010-11-05 2012-05-24 Ihi Aerospace Co Ltd 送信アンテナ

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