JPS6330397B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6330397B2 JPS6330397B2 JP57066986A JP6698682A JPS6330397B2 JP S6330397 B2 JPS6330397 B2 JP S6330397B2 JP 57066986 A JP57066986 A JP 57066986A JP 6698682 A JP6698682 A JP 6698682A JP S6330397 B2 JPS6330397 B2 JP S6330397B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- holder
- film
- thermal conductivity
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は融点の低い材料からなる基板への膜作
成方法に関する。
成方法に関する。
［従来の技術］
真空中において、例えばプラスチツクの様な融
点の低い基板に、例えば坩堝中の材料に電子ビー
ム等を照射して該材料を蒸発させて膜状に付着さ
せたり、該蒸気状のものをイオン化し該基板方向
に加速して膜状に付着させたりする場合、前記坩
堝からの輻射熱やイオンボンバードの効果により
基板表面や基板自体が昇温して変形してしまう。
そこで一般に、基板のホルダとしてアルミニウム
の如き比熱の大きな材料を使い、基板の熱をホル
ダ側へ逃す様にしている。しかし、基板とホルダ
の互いに接触する面を十分に滑らかに仕上げるこ
とは難しく、該接触面間に所々隙間が出来る。従
つて、基板からホルダへの熱の伝導が悪く、十分
な効果が上げられない。この点を解決する為に、
前記接触面に真空グリースを塗り互いの接触面同
志の密着度を高め、熱の伝導を良くすることが考
えられるが、基板がグリースで汚れ、その処理が
大へんである。更に基板ホルダを水冷する様な対
策も考えられる。しかし、水冷しても該接触面間
に隙間があれば、その効果は半減してしまう。
又、坩堝と基板との距離を大きくして前記輻射熱
の影響を小さくする事も考えられるが、該距離を
大きくすると、成膜速度が低下し、膜形成時間が
長くなり、又、一般に膜質が低下する。
点の低い基板に、例えば坩堝中の材料に電子ビー
ム等を照射して該材料を蒸発させて膜状に付着さ
せたり、該蒸気状のものをイオン化し該基板方向
に加速して膜状に付着させたりする場合、前記坩
堝からの輻射熱やイオンボンバードの効果により
基板表面や基板自体が昇温して変形してしまう。
そこで一般に、基板のホルダとしてアルミニウム
の如き比熱の大きな材料を使い、基板の熱をホル
ダ側へ逃す様にしている。しかし、基板とホルダ
の互いに接触する面を十分に滑らかに仕上げるこ
とは難しく、該接触面間に所々隙間が出来る。従
つて、基板からホルダへの熱の伝導が悪く、十分
な効果が上げられない。この点を解決する為に、
前記接触面に真空グリースを塗り互いの接触面同
志の密着度を高め、熱の伝導を良くすることが考
えられるが、基板がグリースで汚れ、その処理が
大へんである。更に基板ホルダを水冷する様な対
策も考えられる。しかし、水冷しても該接触面間
に隙間があれば、その効果は半減してしまう。
又、坩堝と基板との距離を大きくして前記輻射熱
の影響を小さくする事も考えられるが、該距離を
大きくすると、成膜速度が低下し、膜形成時間が
長くなり、又、一般に膜質が低下する。
そこで、基板ホルダと基板との間に、熱伝導性
が良く且つ弾力性のあるサーマルラバ、例えばシ
リコンゴムシートを薄く（例えば0.1mm〜0.5mm）
したものを介在させる事により、基板とホルダの
間に隙間が出来ない様にし、基板に達した坩堝か
らの輻射熱を速やかにホルダへ逃す事により基板
の温度上昇を防止している。
が良く且つ弾力性のあるサーマルラバ、例えばシ
リコンゴムシートを薄く（例えば0.1mm〜0.5mm）
したものを介在させる事により、基板とホルダの
間に隙間が出来ない様にし、基板に達した坩堝か
らの輻射熱を速やかにホルダへ逃す事により基板
の温度上昇を防止している。
［発明が解決しようとする問題点］
しかし乍ら、シリコンゴムの如きサーマルラバ
自体は熱伝導が悪いので、通常、サーマルラバ中
にボロンナイトライドの如き熱伝導性の高い物質
の粉末を混入させている。該混入により、サーマ
ルラバは熱伝導性は向上するが、同時に、サーマ
ルラバは堅く、しかも、表面がでこぼこした状態
となる。その為、基板やホルダに対する密着度が
低下すると同時にヒビ割れし易くなる。その結
果、基板の熱をホルダに充分逃す事が出来ない。
又、この様なサーマルラバは値段が高く、ヒビ割
れの度に取替えると、コストが著しく高くなる。
自体は熱伝導が悪いので、通常、サーマルラバ中
にボロンナイトライドの如き熱伝導性の高い物質
の粉末を混入させている。該混入により、サーマ
ルラバは熱伝導性は向上するが、同時に、サーマ
ルラバは堅く、しかも、表面がでこぼこした状態
となる。その為、基板やホルダに対する密着度が
低下すると同時にヒビ割れし易くなる。その結
果、基板の熱をホルダに充分逃す事が出来ない。
又、この様なサーマルラバは値段が高く、ヒビ割
れの度に取替えると、コストが著しく高くなる。
［問題点を解決するための手段］
本発明はこの様な点に鑑みてなされたもので、
被排気室中において、蒸発物質又は該蒸発物質を
イオン化したものを基板ホルダに保持された基板
に膜状に付着させる様になした方法において、前
記基板を、熱伝導性が良く且つ弾力性のある真空
グリース又は繊維状の金属部材を介在させた、熱
伝導性の良い薄状の金属を介して基板ホルダに保
持させ、該基板に該物質を膜状に付着させるよう
にした新規な膜作成方法を提供するものである。
被排気室中において、蒸発物質又は該蒸発物質を
イオン化したものを基板ホルダに保持された基板
に膜状に付着させる様になした方法において、前
記基板を、熱伝導性が良く且つ弾力性のある真空
グリース又は繊維状の金属部材を介在させた、熱
伝導性の良い薄状の金属を介して基板ホルダに保
持させ、該基板に該物質を膜状に付着させるよう
にした新規な膜作成方法を提供するものである。
［実施例］
第１図は本発明を実施するための膜作成装置の
一例である。図中１は被排気室（いわゆるベルジ
ヤ）で、外部の排気装置（図示せず）に繋がつた
排気口２から排気される。３は蒸発すべき材料４
が収容された坩堝である。５は電子銃で、該電子
銃からの電子ビームは偏向器６によつて前記坩堝
３内の材料４へ向けられる。７は比熱の大きな金
属、例えばアルミニウム製の基板ホルダである。
８は熱伝導性が良く且つ弾力性のある真空グリー
スと、熱伝導性の良い薄状の金属例えば、アルミ
ホイルから成る熱伝導パツキン、９はプラスチツ
クの如き融点の低い基板、１０は該基板をホルダ
に取り付ける為のネジである。上記熱伝導パツキ
ン８は、第２図に示す様に、基板ホルダ７の表面
に真空グリース１１を薄く（例えば、0.05mm〜
0.2mm）塗り、その上に厚さ0.01mm〜0.05mm程度の
アルミホイル１２を皺の出来ない様に張り、そし
て、その上に基板９を置いて、ネジ等で該基板を
前記ホルダ７へ取り付けたものである。この様な
熱伝導パツキンにおいて、真空グリース１１で弾
力性と熱伝導の効果、アルミホイル１２でグリー
ス１１をまとめて基板の汚れを防ぐ効果と熱伝導
の効果を夫々出している。
一例である。図中１は被排気室（いわゆるベルジ
ヤ）で、外部の排気装置（図示せず）に繋がつた
排気口２から排気される。３は蒸発すべき材料４
が収容された坩堝である。５は電子銃で、該電子
銃からの電子ビームは偏向器６によつて前記坩堝
３内の材料４へ向けられる。７は比熱の大きな金
属、例えばアルミニウム製の基板ホルダである。
８は熱伝導性が良く且つ弾力性のある真空グリー
スと、熱伝導性の良い薄状の金属例えば、アルミ
ホイルから成る熱伝導パツキン、９はプラスチツ
クの如き融点の低い基板、１０は該基板をホルダ
に取り付ける為のネジである。上記熱伝導パツキ
ン８は、第２図に示す様に、基板ホルダ７の表面
に真空グリース１１を薄く（例えば、0.05mm〜
0.2mm）塗り、その上に厚さ0.01mm〜0.05mm程度の
アルミホイル１２を皺の出来ない様に張り、そし
て、その上に基板９を置いて、ネジ等で該基板を
前記ホルダ７へ取り付けたものである。この様な
熱伝導パツキンにおいて、真空グリース１１で弾
力性と熱伝導の効果、アルミホイル１２でグリー
ス１１をまとめて基板の汚れを防ぐ効果と熱伝導
の効果を夫々出している。
斯くの如き装置において、被排気室１内を適宜
に排気し、電子銃５からのビームを坩堝３内の材
料４へ照射する。該ビームの照射により蒸発した
粒子は基板９の表面に膜状に付着する。この時、
熱伝導パツキン８は弾力性があることから、前記
基板９との間及びホルダ７との間に寸分の隙間も
出来ず、結局基板９とホルダとの対向面間に全く
隙間は出来ない。しかも、該パツキンは熱伝導性
が良いので、前記坩堝３からの輻射熱が前記基板
９に達しても、該熱は該基板に留まることなく、
速やかに前記パツキン８を通つて前記ホルダ７へ
逃げていく。従つて、前記基板９は変形する程の
温度に上昇することがない。
に排気し、電子銃５からのビームを坩堝３内の材
料４へ照射する。該ビームの照射により蒸発した
粒子は基板９の表面に膜状に付着する。この時、
熱伝導パツキン８は弾力性があることから、前記
基板９との間及びホルダ７との間に寸分の隙間も
出来ず、結局基板９とホルダとの対向面間に全く
隙間は出来ない。しかも、該パツキンは熱伝導性
が良いので、前記坩堝３からの輻射熱が前記基板
９に達しても、該熱は該基板に留まることなく、
速やかに前記パツキン８を通つて前記ホルダ７へ
逃げていく。従つて、前記基板９は変形する程の
温度に上昇することがない。
前記熱伝導パツキンの別の例として、第３図ａ
に示す様に、プラスチツクレンズの如き曲面を有
する低融点基板１３に膜を作成する場合には、基
板ホルダ７の表面に熱伝導パツキンとしてアルミ
ホイル１４に包まれた綿状の金属繊維、例えばア
ルミ繊維１５を配置し、その上に基板１３を置い
て固定するようにしてもよい。前記アルミ繊維１
５は軟らかく、弾力性があり、且つ熱を良く伝え
るので、曲面を有する低融点基板１３は該アルミ
ホイルに包まれたアルミ繊維を介して基板ホルダ
７に密着し、基板に達した熱は速やかに該アルミ
繊維及びアルミホイルを介してホルダ７へ逃げて
いく。又、第３図ｂに示す様に、基板ホルダ１６
内に水冷の為の水を流す様にし、その水圧によつ
て伸縮する構造のもの（例ベローズ）を該ホルダ
の一部に設けて、アルミホイル１４に包まれたア
ルミ繊維１５を基板に強く押しつけるようにする
ことにより、該アルミ繊維１５の弾力性の低下を
補う様にしてもよい。
に示す様に、プラスチツクレンズの如き曲面を有
する低融点基板１３に膜を作成する場合には、基
板ホルダ７の表面に熱伝導パツキンとしてアルミ
ホイル１４に包まれた綿状の金属繊維、例えばア
ルミ繊維１５を配置し、その上に基板１３を置い
て固定するようにしてもよい。前記アルミ繊維１
５は軟らかく、弾力性があり、且つ熱を良く伝え
るので、曲面を有する低融点基板１３は該アルミ
ホイルに包まれたアルミ繊維を介して基板ホルダ
７に密着し、基板に達した熱は速やかに該アルミ
繊維及びアルミホイルを介してホルダ７へ逃げて
いく。又、第３図ｂに示す様に、基板ホルダ１６
内に水冷の為の水を流す様にし、その水圧によつ
て伸縮する構造のもの（例ベローズ）を該ホルダ
の一部に設けて、アルミホイル１４に包まれたア
ルミ繊維１５を基板に強く押しつけるようにする
ことにより、該アルミ繊維１５の弾力性の低下を
補う様にしてもよい。
尚、前記第２図に示した実施例において、基板
ホルダを水冷するようになしてもよい。
ホルダを水冷するようになしてもよい。
又、前記実施例では真空蒸着を例に取つて説明
したが、坩堝内の材料を蒸発させ、該蒸発粒子を
イオン化させ、該イオンを基板に膜状に付着させ
る様にしたイオンプレーテングにも有効である。
この場合、坩堝からの輻射熱の外にイオンボンバ
ードによる基板への影響に対し有効となる。
したが、坩堝内の材料を蒸発させ、該蒸発粒子を
イオン化させ、該イオンを基板に膜状に付着させ
る様にしたイオンプレーテングにも有効である。
この場合、坩堝からの輻射熱の外にイオンボンバ
ードによる基板への影響に対し有効となる。
［発明の効果］
本発明によれば、基板を、熱伝導性が良く且つ
弾力性のある真空グリース又は繊維状の金属部材
を介在させた、熱伝導性の良い薄状の金属を介し
て基板ホルダに保持させる様に成しているが、こ
の薄状の金属を使用しているため、真空グリース
又は繊維状の金属部材を介在させる際にこれらを
ひとまとめにして扱い易くすると共に、真空グリ
ースによる基板の汚れを防ぐ事が出来る。更に、
前記従来のサーマルラバの様に表面がでこぼこす
る事が無いので、基板やホルダに対する密着度が
向上すると同時に従来のサーマルラバの様にヒビ
割れ等の発生が全く無くなる。その為、熱伝導性
の低下が無いので、基板の熱をホルダに充分逃す
事ができ、熱に弱い基板が温度上昇によつて変形
することを防ぐことが出来る。又、本発明の様な
熱伝導パツキンは著しく安価で、前記従来のサー
マルラバの様にヒビ割れによる交換の必要が無い
ので、コスト的に有利である。
弾力性のある真空グリース又は繊維状の金属部材
を介在させた、熱伝導性の良い薄状の金属を介し
て基板ホルダに保持させる様に成しているが、こ
の薄状の金属を使用しているため、真空グリース
又は繊維状の金属部材を介在させる際にこれらを
ひとまとめにして扱い易くすると共に、真空グリ
ースによる基板の汚れを防ぐ事が出来る。更に、
前記従来のサーマルラバの様に表面がでこぼこす
る事が無いので、基板やホルダに対する密着度が
向上すると同時に従来のサーマルラバの様にヒビ
割れ等の発生が全く無くなる。その為、熱伝導性
の低下が無いので、基板の熱をホルダに充分逃す
事ができ、熱に弱い基板が温度上昇によつて変形
することを防ぐことが出来る。又、本発明の様な
熱伝導パツキンは著しく安価で、前記従来のサー
マルラバの様にヒビ割れによる交換の必要が無い
ので、コスト的に有利である。
第１図は本発明を実施するための膜作成装置を
示す図、第２図及び第３図ａ，ｂは熱伝導パツキ
ンの他の例を示したものである。 １：被排気室、３：坩堝、４：蒸発すべき材
料、７：基板ホルダ、８：熱伝導パツキン、９：
基板、１１：真空グリース、１２：アルミホイ
ル。
示す図、第２図及び第３図ａ，ｂは熱伝導パツキ
ンの他の例を示したものである。 １：被排気室、３：坩堝、４：蒸発すべき材
料、７：基板ホルダ、８：熱伝導パツキン、９：
基板、１１：真空グリース、１２：アルミホイ
ル。
Claims (1)
- １ 被排気室中において、蒸発物質又は該蒸発物
質をイオン化したものを基板ホルダに保持された
基板に膜状に付着させる様になした方法におい
て、前記基板を、熱伝導性が良く且つ弾力性のあ
る真空グリース又は繊維状の金属部材を介在させ
た、熱伝導性の良い薄状の金属を介して基板ホル
ダに保持させ、該基板に該物質を膜状に付着させ
るようにしたことを特徴とする膜作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6698682A JPS58185766A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | 膜作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6698682A JPS58185766A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | 膜作成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58185766A JPS58185766A (ja) | 1983-10-29 |
| JPS6330397B2 true JPS6330397B2 (ja) | 1988-06-17 |
Family
ID=13331842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6698682A Granted JPS58185766A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | 膜作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58185766A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60200963A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-11 | Hitachi Ltd | 薄膜形成装置 |
| JP4589346B2 (ja) * | 1999-07-14 | 2010-12-01 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びパネルの製造方法と製造装置 |
| JP2003089867A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Toppan Printing Co Ltd | 蒸着薄膜の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6031081Y2 (ja) * | 1978-09-12 | 1985-09-18 | 日本真空技術株式会社 | バツクプレ−ト装置 |
-
1982
- 1982-04-21 JP JP6698682A patent/JPS58185766A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58185766A (ja) | 1983-10-29 |
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