JPS6314423A - 半導体薄膜の製造装置 - Google Patents
半導体薄膜の製造装置Info
- Publication number
- JPS6314423A JPS6314423A JP61159024A JP15902486A JPS6314423A JP S6314423 A JPS6314423 A JP S6314423A JP 61159024 A JP61159024 A JP 61159024A JP 15902486 A JP15902486 A JP 15902486A JP S6314423 A JPS6314423 A JP S6314423A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor thin
- electrodes
- thin film
- substrate
- heater panels
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 14
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、非晶質シリコン薄膜等の半導体薄膜を、特に
可とう性を有する長尺基板上に堆積する際に用いられる
製造装置に関するものである。
可とう性を有する長尺基板上に堆積する際に用いられる
製造装置に関するものである。
従来の技術
従来、この種のステンレス鋼薄板またはポリイミド樹脂
フィルム等の可とう性を有する長尺基板上にプラズマグ
ロー放電分解法により半導体薄膜を形成する手段として
は、第２図に示すような手段を用いていた。すなわち、
長尺基板６を収納する第１の真空槽１から送シ出された
基板は、第１゜第２．第３の反応槽２，３．４において
、半導体薄膜を堆積された後、第２の真空槽５で再びロ
ール状に巻き取られる。第１．第２．第３の反応槽２．
３．４には、基板を加熱するヒーターパネル８ａ 、ｓ
ｂ 、８ｃとＲＦ電極９ａ 、９ｂ 、９ｃが具備され
ている。そして各反応槽内には、目的に応じて同一もし
くは異なる半導体原料ガスが供給されるようになってお
り、基板がステンレス鋼薄板のように導電性を有する基
板の場合には、ＲＦ電極９ａ 、９ｂ 、９ｃとアース
電位にある長尺基板６との間でプラズマグロー放電を生
じさせ、半導体原料ガスを分解させて、基板上に堆積さ
せるものである。
フィルム等の可とう性を有する長尺基板上にプラズマグ
ロー放電分解法により半導体薄膜を形成する手段として
は、第２図に示すような手段を用いていた。すなわち、
長尺基板６を収納する第１の真空槽１から送シ出された
基板は、第１゜第２．第３の反応槽２，３．４において
、半導体薄膜を堆積された後、第２の真空槽５で再びロ
ール状に巻き取られる。第１．第２．第３の反応槽２．
３．４には、基板を加熱するヒーターパネル８ａ 、ｓ
ｂ 、８ｃとＲＦ電極９ａ 、９ｂ 、９ｃが具備され
ている。そして各反応槽内には、目的に応じて同一もし
くは異なる半導体原料ガスが供給されるようになってお
り、基板がステンレス鋼薄板のように導電性を有する基
板の場合には、ＲＦ電極９ａ 、９ｂ 、９ｃとアース
電位にある長尺基板６との間でプラズマグロー放電を生
じさせ、半導体原料ガスを分解させて、基板上に堆積さ
せるものである。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の形成手段においては、可とう性を有す
る長尺基板６が、ヒーターパネル８ａ。
る長尺基板６が、ヒーターパネル８ａ。
ａｂ、ｓｃによる加熱のために熱的に歪曲しやすく、ま
た、槽内において数メートルに及ぶ長尺基板に十分な張
シをもたせることが困難なため、基板の自重によりたわ
みが生じやすく、アース電極に相当する長尺基板６とＲ
Ｆ電極との距離である電極間距離を放電領域に渡って一
定間隔に保持することが難しく、プラズマの状態も不均
一なものとなシやすかった。したがって、堆積された半
導体薄膜も、膜厚、膜質のバラツキが大きく、製品の歩
留りを低下させていた。
た、槽内において数メートルに及ぶ長尺基板に十分な張
シをもたせることが困難なため、基板の自重によりたわ
みが生じやすく、アース電極に相当する長尺基板６とＲ
Ｆ電極との距離である電極間距離を放電領域に渡って一
定間隔に保持することが難しく、プラズマの状態も不均
一なものとなシやすかった。したがって、堆積された半
導体薄膜も、膜厚、膜質のバラツキが大きく、製品の歩
留りを低下させていた。
本発明はこのような問題点を解決するもので、前記電極
間距離を一定間隔に保持できるようにし、膜厚、膜質の
均一な半導体薄膜の形成が可能な製造装置を提供するも
のである。
間距離を一定間隔に保持できるようにし、膜厚、膜質の
均一な半導体薄膜の形成が可能な製造装置を提供するも
のである。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決する本発明は、前記ヒーターパネルと
前記ＲＦ電極は、その間隔を一定に保持したままそれぞ
れ対応した円弧状の曲面を有する構造とし、前記可とう
性を有する長尺基板を前記ヒーターパネルの曲面に密着
させた状態に保ち、半導体薄膜を、この基板上に形成す
るものである。
前記ＲＦ電極は、その間隔を一定に保持したままそれぞ
れ対応した円弧状の曲面を有する構造とし、前記可とう
性を有する長尺基板を前記ヒーターパネルの曲面に密着
させた状態に保ち、半導体薄膜を、この基板上に形成す
るものである。
作 用
この構成によると、可とぅ性を有する長尺基板は、適度
な張りをもった状態で、ヒーターパネルの曲面に密着し
ているため、加熱による歪曲や、たわみが生じにくくな
り、基板とＲＦ電極との電極間距離は、放電領域全体に
わたって正確に、かつ一定に保たれることになる。
な張りをもった状態で、ヒーターパネルの曲面に密着し
ているため、加熱による歪曲や、たわみが生じにくくな
り、基板とＲＦ電極との電極間距離は、放電領域全体に
わたって正確に、かつ一定に保たれることになる。
実施例
以下、本発明の一実施例を図面にもとづいて説明する。
第１図において、１０はロール状の長尺基板１５を収納
している真空槽であシ、１１．１２．１３はそれぞれ基
板上に、グロー放電分解法にょシ半導体薄膜を形成する
反応槽である。反応槽１１゜１２．１３内には、ＲＦ電
極１７ａ、１７ｂ、１７ｃと基板加熱用のヒーターパネ
ル１６ａ、１６ｂ、１６ｃとがあり、両者の距離は一定
に保たれたまま、それぞれ対応した円弧状の曲面を有す
る構造となっている。ＲＦ電極１７ａ、１７ｂ、１７ｃ
には、マツチング回路１９ａ、１９ｂ、１９ｃとＲＦ電
源２０ａ、２０ｂ。
している真空槽であシ、１１．１２．１３はそれぞれ基
板上に、グロー放電分解法にょシ半導体薄膜を形成する
反応槽である。反応槽１１゜１２．１３内には、ＲＦ電
極１７ａ、１７ｂ、１７ｃと基板加熱用のヒーターパネ
ル１６ａ、１６ｂ、１６ｃとがあり、両者の距離は一定
に保たれたまま、それぞれ対応した円弧状の曲面を有す
る構造となっている。ＲＦ電極１７ａ、１７ｂ、１７ｃ
には、マツチング回路１９ａ、１９ｂ、１９ｃとＲＦ電
源２０ａ、２０ｂ。
２０Ｃが接続されている。また、図示していないが、反
応槽１１．１２．１３には、半導体原料ガスの導入口と
排気口とがあり、ガス圧を数Ｔｏｒｒに保つことができ
るようになっている。反応槽１１．１２．１３に送られ
てきた可とり性を有する長尺基板１５は、支持ローラー
１８ａ〜１８ｈを支点として、ヒーターパネル１６ａ、
１６ｂ、１６ｃに密着状態で下方を通過する構造となっ
ている。
応槽１１．１２．１３には、半導体原料ガスの導入口と
排気口とがあり、ガス圧を数Ｔｏｒｒに保つことができ
るようになっている。反応槽１１．１２．１３に送られ
てきた可とり性を有する長尺基板１５は、支持ローラー
１８ａ〜１８ｈを支点として、ヒーターパネル１６ａ、
１６ｂ、１６ｃに密着状態で下方を通過する構造となっ
ている。
反応槽１１．１２．１３において、長尺基板１５がステ
ンレス鋼薄板のような導電性の場合は、基板自身がアー
ス電極となシ、また長尺基板１６が樹脂フィルムのよう
な絶縁性の場合には、ヒーターパネル１６ａ、ｊａｂ、
１６ｃがアース電極となって、ＲＦ電極１７ａ、１７ｂ
、１７ｃとの間にグロー放電を生じ、半導体原料ガスを
プラズマ分解して、連続的に基板上に半導体薄膜を形成
させることになる。
ンレス鋼薄板のような導電性の場合は、基板自身がアー
ス電極となシ、また長尺基板１６が樹脂フィルムのよう
な絶縁性の場合には、ヒーターパネル１６ａ、ｊａｂ、
１６ｃがアース電極となって、ＲＦ電極１７ａ、１７ｂ
、１７ｃとの間にグロー放電を生じ、半導体原料ガスを
プラズマ分解して、連続的に基板上に半導体薄膜を形成
させることになる。
最後の真空槽１４においては、膜形成の終了した長尺基
板１５が、再びロール状に巻きとられる。
板１５が、再びロール状に巻きとられる。
本実施例では、半導体薄膜が形成される反応槽は１１．
１２．１３の３つの反応槽としたが、目的に応じて、反
応槽の数は増減可能である。さて、以上のような半導体
薄膜の製造方法においては、可とり性を有する長尺の基
板は、ヒーターパネル１６ａ、１６ｂ、１６ｃが曲面構
造をもつため、従来の平面構造のものよシも支持ローラ
ー１８ａ〜１８ｈを支点として、適度の張りを持った状
態で、ヒーターパネル１６ａ、１６ｂ、１８ｃの全域に
密着しているため、加熱による歪曲が生じにくく、また
、長尺基板１５の自重によるたわみが生じることもない
。したがって、半導体薄膜形成の重要な条件の１つであ
る電極間距離は、あらかじめ設定しておいた、ヒーター
パネル１６ａ、１８ｂ、１６ｃとＲＦ電極１７ａ、１７
ｂ、１７ｃとの距離に保持できるから、電極間距離の局
所的なバラツキは全く生じなくなる。しかも次のような
効果も奏する。
１２．１３の３つの反応槽としたが、目的に応じて、反
応槽の数は増減可能である。さて、以上のような半導体
薄膜の製造方法においては、可とり性を有する長尺の基
板は、ヒーターパネル１６ａ、１６ｂ、１６ｃが曲面構
造をもつため、従来の平面構造のものよシも支持ローラ
ー１８ａ〜１８ｈを支点として、適度の張りを持った状
態で、ヒーターパネル１６ａ、１６ｂ、１８ｃの全域に
密着しているため、加熱による歪曲が生じにくく、また
、長尺基板１５の自重によるたわみが生じることもない
。したがって、半導体薄膜形成の重要な条件の１つであ
る電極間距離は、あらかじめ設定しておいた、ヒーター
パネル１６ａ、１８ｂ、１６ｃとＲＦ電極１７ａ、１７
ｂ、１７ｃとの距離に保持できるから、電極間距離の局
所的なバラツキは全く生じなくなる。しかも次のような
効果も奏する。
すなわち本発明では、長尺基板がヒーターパネル１６ａ
、１６ｂ、１６ｃに密着しているため、従来に比べてか
なり低温のヒータ一温度でも、従来と同様の基板の加熱
効果が得られることである。したがって加熱に要する電
気代の節約にもつながる。
、１６ｂ、１６ｃに密着しているため、従来に比べてか
なり低温のヒータ一温度でも、従来と同様の基板の加熱
効果が得られることである。したがって加熱に要する電
気代の節約にもつながる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、可とう性を有する長尺基
板上にグロー放電分解法により、半導体薄膜を形成する
際に、ヒーターパネルとＲＦ電極は、その間隔を一定に
保持したまま対応した円弧状の曲面を有する構造とし、
前記基板を前記ヒーターパネルの曲面に密着させた状態
で成膜を行うことにより、常に一定間隔の電極、間距離
でグロー放電を生成させることが可能となり、膜厚、膜
質の均一な半導体薄膜を形成することができる。
板上にグロー放電分解法により、半導体薄膜を形成する
際に、ヒーターパネルとＲＦ電極は、その間隔を一定に
保持したまま対応した円弧状の曲面を有する構造とし、
前記基板を前記ヒーターパネルの曲面に密着させた状態
で成膜を行うことにより、常に一定間隔の電極、間距離
でグロー放電を生成させることが可能となり、膜厚、膜
質の均一な半導体薄膜を形成することができる。
第１図は本発明の実施例の半導体薄膜の形成に用いられ
る装置の概略図、第２図は従来の半導体薄膜の形成に用
いられる装置の概略図である。 １５ ・・長尺基板、１６ａ〜１６ｃ・・・・・ヒータ
ーパネル、１７ ａ 〜１７ Ｃ−−＝ＲＦ電極、１８
ａ〜１８ｈ・−・・支持ローラー。
る装置の概略図、第２図は従来の半導体薄膜の形成に用
いられる装置の概略図である。 １５ ・・長尺基板、１６ａ〜１６ｃ・・・・・ヒータ
ーパネル、１７ ａ 〜１７ Ｃ−−＝ＲＦ電極、１８
ａ〜１８ｈ・−・・支持ローラー。
Claims (1)
- ヒーターパネルとＲＦ電極を有する反応槽内で、可とう
性を有する長尺基板上にプラズマグロー放電分解法によ
り、半導体薄膜を形成する装置であって、前記ヒーター
パネルと前記ＲＦ電極は、その間隔を一定に保持し、か
つそれぞれ対応した円弧状の曲面を有することを特徴と
する半導体薄膜の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61159024A JPS6314423A (ja) | 1986-07-07 | 1986-07-07 | 半導体薄膜の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61159024A JPS6314423A (ja) | 1986-07-07 | 1986-07-07 | 半導体薄膜の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6314423A true JPS6314423A (ja) | 1988-01-21 |
Family
ID=15684586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61159024A Pending JPS6314423A (ja) | 1986-07-07 | 1986-07-07 | 半導体薄膜の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6314423A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05293451A (ja) * | 1992-04-21 | 1993-11-09 | Kyushu Sumitoku Denshi Kk | 連続超音波洗浄装置 |
| JP2001223375A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-08-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 可撓性基板の搬送装置及び成膜装置 |
| JP2010111948A (ja) * | 2009-12-25 | 2010-05-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 成膜装置、太陽電池及び太陽電池の作製方法 |
| JP2010174288A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-12 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 薄膜製造装置 |
-
1986
- 1986-07-07 JP JP61159024A patent/JPS6314423A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05293451A (ja) * | 1992-04-21 | 1993-11-09 | Kyushu Sumitoku Denshi Kk | 連続超音波洗浄装置 |
| JP2001223375A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-08-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 可撓性基板の搬送装置及び成膜装置 |
| JP2010174288A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-12 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 薄膜製造装置 |
| JP2010111948A (ja) * | 2009-12-25 | 2010-05-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 成膜装置、太陽電池及び太陽電池の作製方法 |
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