JPS5818671A - 真空蒸着方法 - Google Patents
真空蒸着方法Info
- Publication number
- JPS5818671A JPS5818671A JP11731781A JP11731781A JPS5818671A JP S5818671 A JPS5818671 A JP S5818671A JP 11731781 A JP11731781 A JP 11731781A JP 11731781 A JP11731781 A JP 11731781A JP S5818671 A JPS5818671 A JP S5818671A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- deposited
- substrate
- vapor deposition
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は１例えば蒸着セレンからなる感光層を有する電
子写真用感光体の端部のように蒸着層に黴着されない箇
所を形成するために基体表面を蒸着マスクによ〕被覆し
て行う真空蒸着方法に関する・ 感光層材料としてセレンまたはその合金を用いた電子写
真用感光体紘１例えば通常アル１＝ウムからなる円筒状
基体を回転軸に取付け ＩＩ着槽内會真空排気した後、
８ｅ筐たは８ｅ合金を収善し九蒸発源を加熱して基体表
面に蒸着して製作する。
子写真用感光体の端部のように蒸着層に黴着されない箇
所を形成するために基体表面を蒸着マスクによ〕被覆し
て行う真空蒸着方法に関する・ 感光層材料としてセレンまたはその合金を用いた電子写
真用感光体紘１例えば通常アル１＝ウムからなる円筒状
基体を回転軸に取付け ＩＩ着槽内會真空排気した後、
８ｅ筐たは８ｅ合金を収善し九蒸発源を加熱して基体表
面に蒸着して製作する。
しかしながら蒸着層の端部ははがれやすく、複写機ある
いはプリンタなどへの取付けあるいは使用時に感光層の
端部がはがれ、それが原因で感光特性が劣化するのを防
ぐために基体の一部分に蒸着層の付着しない箇所をつく
り、その箇所において感光体の支持を行うなどの方法が
とられている・第１凶はこのような蒸着層の付着を防ぐ
丸めの方式を示し、蒸着槽１の内部には回転支持軸２に
蒸着マスク３と共に取り付けられ喪アルミニウムからな
る円筒状基体４と、その下方の支持台５の上に位置する
ボート６が配置されている。蒸着槽ｌの内部ｔ−１ｘ
１６ Ｔｏｒｒ まで感圧した後、加熱ヒータ７に
通電して放射熱によシボ−トロに収容されたセレンまた
はセレン合金８を蒸発させる。
いはプリンタなどへの取付けあるいは使用時に感光層の
端部がはがれ、それが原因で感光特性が劣化するのを防
ぐために基体の一部分に蒸着層の付着しない箇所をつく
り、その箇所において感光体の支持を行うなどの方法が
とられている・第１凶はこのような蒸着層の付着を防ぐ
丸めの方式を示し、蒸着槽１の内部には回転支持軸２に
蒸着マスク３と共に取り付けられ喪アルミニウムからな
る円筒状基体４と、その下方の支持台５の上に位置する
ボート６が配置されている。蒸着槽ｌの内部ｔ−１ｘ
１６ Ｔｏｒｒ まで感圧した後、加熱ヒータ７に
通電して放射熱によシボ−トロに収容されたセレンまた
はセレン合金８を蒸発させる。
この場合、蒸発源と基体間の距離りは通常１５〜３０ａ
ｗ＋である。しかし蒸発源の蒸着材料８のうち。
ｗ＋である。しかし蒸発源の蒸着材料８のうち。
蒸着層として基体４に付着する量は２０〜４０％であり
、この比率を大きくするために基体４と蒸発源の蒸着材
料８との距離を縮めることが望まれる、しかしこれを縮
めるとヒータ７の放射熱が基体４にも大きく影響する０
％に蒸着マスク３に鉄あるいはステンレス鋼のようなア
ルミニウムにくらぺて比熱および比重の大きい材料を用
ｉると。
、この比率を大きくするために基体４と蒸発源の蒸着材
料８との距離を縮めることが望まれる、しかしこれを縮
めるとヒータ７の放射熱が基体４にも大きく影響する０
％に蒸着マスク３に鉄あるいはステンレス鋼のようなア
ルミニウムにくらぺて比熱および比重の大きい材料を用
ｉると。
放射熱による吸熱効果が大きくなるため、１１１着マス
ク３に侵われた基体４の箇所は、他の場所にくらぺて温
度が高くな夛、その近傍の蒸着層の結晶化をひき起し、
感光！性を変化させる處がめる。
ク３に侵われた基体４の箇所は、他の場所にくらぺて温
度が高くな夛、その近傍の蒸着層の結晶化をひき起し、
感光！性を変化させる處がめる。
本発明はこれに対して被蒸着基体を蒸発源に近づけても
隣接する蒸着層の特性に蒸着マスクが悪影響を及ぼさな
いような真空蒸着方法を提供することｔ目的とする。
隣接する蒸着層の特性に蒸着マスクが悪影響を及ぼさな
いような真空蒸着方法を提供することｔ目的とする。
この目的は、被蒸着基体をその端部に隣接する熱嵐導性
材料からなる均熱体とともに支持し、基体Ｏ端部と均熱
体とを蒸着マスクによシ共通に被覆して蒸着を行うこと
によって達成される。被蒸着基体がアルミニウムまたは
その合金からなり、蒸着マスクが鉄またはその合金から
なる時は均熱体がアルミニクＡ１またはその合金から作
られ、蒸着マスクが均熱体を嶺う面積の部分の一以下の
面積で被蒸着基体を覆うことが望ましい。
材料からなる均熱体とともに支持し、基体Ｏ端部と均熱
体とを蒸着マスクによシ共通に被覆して蒸着を行うこと
によって達成される。被蒸着基体がアルミニウムまたは
その合金からなり、蒸着マスクが鉄またはその合金から
なる時は均熱体がアルミニクＡ１またはその合金から作
られ、蒸着マスクが均熱体を嶺う面積の部分の一以下の
面積で被蒸着基体を覆うことが望ましい。
以下、図と実験結果を引用して本発明について説明する
。蒸発源を省略して示した第２図において、第１図と共
通の部分には同一の符号が付されている。第１図との相
違点は均熱りング９を用い九点である。蒸着マスクは、
蒸着層を設けない基体４の端部と基体に接して゛回転軸
に取９付けられた均熱す／グ９を同時に被覆している。
。蒸発源を省略して示した第２図において、第１図と共
通の部分には同一の符号が付されている。第１図との相
違点は均熱りング９を用い九点である。蒸着マスクは、
蒸着層を設けない基体４の端部と基体に接して゛回転軸
に取９付けられた均熱す／グ９を同時に被覆している。
本発明の効果を明らかにする実験として、蒸発源と基板
の間の距離を従来より短い１０１とし、第３図に示すよ
うに蒸着マスク３に覆われる均熱リング９の長さＡを基
体４の覆われる長さＢに対して変化し。
の間の距離を従来より短い１０１とし、第３図に示すよ
うに蒸着マスク３に覆われる均熱リング９の長さＡを基
体４の覆われる長さＢに対して変化し。
その都度の基体中央Ｐの温度Ｘ℃および蒸着層の厚さＸ
μｍ と蒸着層の端から１０ｍｍの箇所Ｑの温度ＹＣお
よび蒸着層の厚さｙμｍとの差を測定した。円筒状基体
４および均熱リング９の材料はアルミニウム、蒸着マス
ク３の材料は鉄である。糊定結果を第４図に示す。これ
より基体４の非蒸着面積に比して、＊接して蒸着マスク
で覆われる均熱リングの面積が大きくなるに伴なって蒸
着マスクの温度上昇の影響が弱くなシ、蒸着層の均一度
が向上することがわかる。この実験例ではＡ／Ｂが２以
上、すなわち、蒸着マスク３が基体４＠：覆う面積の倍
以上の面積の均熱リング９を覆うことが有効である。こ
れは鉄材の熱吸収がアルン材の約２倍であることによる
。
μｍ と蒸着層の端から１０ｍｍの箇所Ｑの温度ＹＣお
よび蒸着層の厚さｙμｍとの差を測定した。円筒状基体
４および均熱リング９の材料はアルミニウム、蒸着マス
ク３の材料は鉄である。糊定結果を第４図に示す。これ
より基体４の非蒸着面積に比して、＊接して蒸着マスク
で覆われる均熱リングの面積が大きくなるに伴なって蒸
着マスクの温度上昇の影響が弱くなシ、蒸着層の均一度
が向上することがわかる。この実験例ではＡ／Ｂが２以
上、すなわち、蒸着マスク３が基体４＠：覆う面積の倍
以上の面積の均熱リング９を覆うことが有効である。こ
れは鉄材の熱吸収がアルン材の約２倍であることによる
。
以上述べたように１本発明は基体上の所定の区域に蒸着
層が被着しないように設ける蒸着マスク、の影畳による
蒸着層や部分的な温度上昇を避けるために、基体に熱良
導性の均熱体ｔ−接触させ、マスクの熱をできるだけ基
体の支持体へ逃がすようにしてするもので６６、．４１
に電子写真用感光体の感光層の蒸着のＩＩＫ遍用して均
一な特性を有する感光層の生成に対して極めて有効であ
る。
層が被着しないように設ける蒸着マスク、の影畳による
蒸着層や部分的な温度上昇を避けるために、基体に熱良
導性の均熱体ｔ−接触させ、マスクの熱をできるだけ基
体の支持体へ逃がすようにしてするもので６６、．４１
に電子写真用感光体の感光層の蒸着のＩＩＫ遍用して均
一な特性を有する感光層の生成に対して極めて有効であ
る。
第１園線従来の電子写真用感光体の蒸着方法の一例を示
す断面図、第２＠線本発明による蒸着方法の一実施例の
要部を示す断面図、第３図は本発明の効果ｔｉｊｉらか
にする実験に対する説明園、第４ｓＩＩｉそＯ実験結果
を示す線園である。 ５− １・・・蒸着槽、２・・・回転支持軸、３・・・蒸着マ
スク。 ４・・・基体、９・・・均熱体。 ６−
す断面図、第２＠線本発明による蒸着方法の一実施例の
要部を示す断面図、第３図は本発明の効果ｔｉｊｉらか
にする実験に対する説明園、第４ｓＩＩｉそＯ実験結果
を示す線園である。 ５− １・・・蒸着槽、２・・・回転支持軸、３・・・蒸着マ
スク。 ４・・・基体、９・・・均熱体。 ６−
Claims (1)
- ｌ）被蒸着基体の端部に蒸着層を設けない危めに咳端部
の基本表面を蒸着マスクによシ被覆して蒸着す為方法に
おいて、被蒸着基体を前記端部に隣接する熱嵐導性材料
からなる均熱体とともに支持し、基体の前記端部と前記
均熱体とを蒸着マスクにより共通に被覆することを特徴
とする真空蒸着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11731781A JPS5818671A (ja) | 1981-07-27 | 1981-07-27 | 真空蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11731781A JPS5818671A (ja) | 1981-07-27 | 1981-07-27 | 真空蒸着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5818671A true JPS5818671A (ja) | 1983-02-03 |
Family
ID=14708754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11731781A Pending JPS5818671A (ja) | 1981-07-27 | 1981-07-27 | 真空蒸着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5818671A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60200963A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-11 | Hitachi Ltd | 薄膜形成装置 |
| EP1777320A2 (en) * | 2005-10-21 | 2007-04-25 | Samsung SDI Co., Ltd. | Apparatus and method for depositing thin films |
-
1981
- 1981-07-27 JP JP11731781A patent/JPS5818671A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60200963A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-11 | Hitachi Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPH0565586B2 (ja) * | 1984-03-23 | 1993-09-20 | Hitachi Ltd | |
| EP1777320A2 (en) * | 2005-10-21 | 2007-04-25 | Samsung SDI Co., Ltd. | Apparatus and method for depositing thin films |
| EP1777320A3 (en) * | 2005-10-21 | 2007-07-04 | Samsung SDI Co., Ltd. | Apparatus and method for depositing thin films |
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