JPS63261368A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は電子複写機等に適用される感光体に関し、特に
表面位として２層構成の反射防止被膜層もつ感光体に関
する。

（従来の技術） 電子複写機等に適用される感光体表面での表面反射率は
、例えばセレン系光導電体層を有する感光体の場合、第
４図に示すように４００〜６７０ｎｍの波長域において
略３０％であることが知られている。即ち、セレン系感
光体においては、入射光の３０％が有効光として寄与せ
ず光量損失を生じることになる。又セレン系感光体は、
一般に低硬度のセレン系光導電体層が露呈していると、
クリーニング等の処理を受ける際、光導電体層表面は直
接摺擦されるために、その一部が削り取られたり、ギズ
が表面に発生したりし易い。

従来より、感光体の光導電体層を反射防止被膜層で覆う
ことが提案されている。例えば、特開昭５４−８６３４
１号公報には、アモルファスシリコンを主体とする光導
電体層をもつ感光体表面を１１１１１からなる表面波Ｉ
ＦＨ層で覆い、反射防止層と保１ｇ！層としての機能を
もたせた技術が開示されている。

（発明が解決しようとする問題点） 上記した特開昭５４−８６３４１号公報記載の電子写真
感光体の場合、表面被Ｎ層は単層からなるＩごめ必要と
される静電特性、耐湿性、耐摩耗性、クリーニング性等
を同時に満足する表面波ｆＩ層を形成するためには高度
な技術及び生産設備等を必要とし、製造コストの低減や
生産性の向上が難しいという問題を有している。

本発明は、上記した問題点に鑑み案出されたちので、熱
膨張係数がアルミニウムに近い程度に高いセレン系感光
体において光の利用効率を一大巾に高め、静電特性に優
れ、熱による表面のひび割れ等の発生を防止することが
出来かつ表面硬度が十分高い反射防止膜を表面被覆層と
して設けた感光体を提供することを目的とするものであ
る。

（問題点を解決するための手段） 本発明の感光体は、支持体と、セレン系光導電体層と、
２層構成の反射防止被膜層とからなる事を特徴とするも
のである。

（作用） 本発明の感光体では、支持体と該支ｊ、ｖ体上に形成さ
れたセレン系光導電体層とからなる基本構成体の表面に
、スパッタリング、真空蒸着、イオンブレーティング’
ＲＰ　Ｖ　Ｄ法により第１の無機物質を被着させ第１層
目の反射防止被膜層を形成する。

次いで、第２の無機物質を該第１層目の被膜層上に形成
し第２層目の反射防止被膜層を形成する。

こうして、２層の反射防止被膜層によって反射防止に加
えて保護膜としての役目を兼ねさせる。

（効果） 本発明の感光体によれば、感光体の感光位を形成するセ
レン系光導電体層の表面に２層構成の反射防止被膜層が
形成される。そして、これら反射防止被膜層の高硬度物
質からなる各層の構成物質が相捕的に作用して、セレン
系光導電体層の熱膨張係数の高いことに基づくマイナス
而を十分打消し熱によるひび割れ現象などを完全に防止
するとともに、静電特性に侵れた感光体を安価に製造可
能である。又表面硬度が十分高く、かつ光導電体層と反
射防止被膜層間の密着性がよいため高硬度でありながら
剥離等の問題を生じることがなく表面保護層としての機
能も兼ねそなえた反射防止膜が容易に１ｑられる。

この反射防止膜を被着したセレン系感光体は、複写機と
して必要な波長域である４８０〜６２０ｎｍの領域での
反射率は大幅に減少し、従来の感光体に比べ光の利用効
率が約２５％高くなり、クリーニング工程での被膜の削
れなども十分防止でき、その実用的効果は極めて大であ
る。

（実施例） 以下、本発明の１実施例を図面に基づいて説明する。

本発明の感光体１は第１図に示すように支持体２と、こ
の支持体２上に形成された。セレン化ヒ素（ＡＳ２８Ｃ
！３）光導電体層３と、アルミナ（Ａ１２０３）膜４及
び法化珪素（ＳｉＣ）膜５の２層構成の反射防止膜１！
！ｆ４６とを基本構成とする。

次に上記反射防止被膜層６の形成について説明する。

反射防止被膜層６の形成はスパッタリング、真空蒸着、
イオンブレーティング等各種のＰＶＤ法を利用できるが
、この実施例では１例としてイオンブレーティングによ
る被膜生成を用いた場合について説明する。被着物質と
してはモース硬度９のアルミナ（Ａｌ２Ｏ２＞とモース
硬度９．５の炭化珪素（ＳｉＣ）を用いこれらを重ねて
２層構造とした。

イオンプレーディング装置の全体構成を第２図に示す。

セレン化ヒ素（ＡＳｒＳｅ３）光導電体Ｗ！Ｉ３を表面
層として有する円筒状の感光体１を真空容器７内の上部
の試料取付軸８に取り付ける。

試料取付軸８は接地された電圧源９により制御され図示
の矢印方向へ回転するモータ１０によって回転駆動され
る。この試料取付軸８が被膜生成中回転することにより
感光体１の全面に均一に被膜月利が被着する。最初に、
真空容器７内の下部に設けられ、接地された蒸発源であ
る銅ルツボ１１ヘアルミナ（ＡｌｘＯ３）を装填する。

装填されたアルミナ（Ａ１２ｏ３）は銅ルツボ１１の近
傍に設けた電子銃１２により高温に加熱されて発熱する
。この時発生した熱電子が銅ルツボ１１の近傍に設けた
モリブデン製のイオン化電極１３（接地された電圧源１
４によって正電圧が印加されている）に突入する際、蒸
発粒子と衝突してこの粒子を正帯電のイオン粒子とする
。＃Ｊ配熱蒸発粒子、銅ルツボ１１とイオン化電極１３
との間に設けられた熱電子ＩＩｉ躬電極電極（タングス
テンフィラメントから成る）から発生する熱電子によっ
てイオン化が配進される。イオン粒子は電圧源９により
負電圧が印加されている感光体１とイオン化電極１５と
の間に形成された直流電界によって、感光体１の方へ加
速され、アルミナ（Ａｌ２Ｏ２）膜４　（第１図参照）
を形成Ｊべくて感光体１に形成された廿しン化ヒ素＜Ａ
Ｓ２Ｓ（３３）光導電体層３の表面に付着する。感光体
表面の光導電体層３はこの近傍に設けられたヒータ１６
によって加熱されているので、感光体表面でのアルミナ
（Ａｌ２Ｏ２）膜４の成長性が向上する。なお、ヒータ
１６による感光体表面の加熱は感光体１に悪影響を与え
ない温度に保たれていることは言うまでもない。な；Ｊ
３アルミナ（Ａ１２０３）膜４の被着時には後述のガス
導入口１７からのガス導入は行わない。つまりアリミナ
（Ａｌ２Ｏ２＞膜生成時には導入ガスとの被着体表面に
おける化学反応を生じさせる必要はない。

感光体表面のセレン化ヒ素（ＡＳ２Ｓｅ３）光導電体層
３上への反射防止膜としてアルミナ（△１ｚｏ３）膜４
の被石模、次に銅ルツボ１１にシリコン（Ｓ　ｔ　）を
装填した。更に上記真空容器７内へ８ｘ１０”’４〜１
ｘ１０−３Ｔｏｒｒの範囲内のアセチレンガス（Ｃ２１
−（２）を、ガス導入口１７から容器７内へ導入した。

なおアセチレンガスの導入に先立って容器７内をｌＸｌ
０−５ＴＣ）ｒｒに排気した。蒸発源である銅ルツボ１
１に装填されたシリコン（Ｓ　ｉ　）から力蒸発粒子を
イオン化電極１３の直流電界下でイオン化した。このイ
オン化した粒子をイオン化電極１３と感光体１との間の
直流電界下で加速し、ヒレン化ヒ素（ＡＳ２Ｓｅ３）感
光体１の表面に形成されたアルミナ（八１２０３）膜４
の表面で、アセチレンガスと反応させて、アルミナ（Ａ
　Ｉ　２０３　＞　ＰＩＡ　４の表面に炭化珪素（Ｓｉ
Ｃ）膜５を被着させた。

なＪ３上記イオンブレーティングによる２層反射防止膜
形成の際の設定条件は次の通りである。

蒸発源用電子ビーム：３００ｍＡ、８ＫＶイオン化電圧
：５Ｖ／＋ｎｍ イオン化電源：１５八〜２５Ａ 基板（加速電圧１−２００〜−５００ｖ熱電子放射　　
　　　　　：８Ｖ　　８０Ａ（Ｗフィラメント１２０ｍ
１ｌｌ） 基板（感光体）温度：１００℃ ガス導入：アルミナ（ＡｌｚＯ３）［４の成膜時はガス
導入なし。炭化珪素（Ｓｉ Ｃ）膜５の成膜時は一８Ｘ１０−４ 〜１ｘ１０−３　Ｔｏｒｒ　（容ｖＳｉ７内を１Ｘ１０
−５丁ｏ　ｒ　ｒに排気した模Ｃ２）−１ｔガスを導入
した） アルミナの膜厚は０．１μｍ〜１．０μｍ程度でよいが
、０．２μｍ〜０．６μｍの範囲であることが（Ｉｆま
しい。一方、炭化珪Ｍ　（Ｓ　ｉ　Ｃ）の膜厚は０．０
５μｍ−０，７，ｃｚｍ程度でよいが、０゜１μｍ〜０
．５μｍの範囲であることが好ましい。

アルミナ（△１ｚｏ３）の屈折率は１．５８〜１．６５
であり、炭化珪素（Ｓ　ｉ　Ｃ）の屈折率は２．１〜２
，６である。この場合、アルミナ（Ａｌ２Ｏ２＞の光学
的膜厚ｎｄ（Ａ１２０３）と炭化珪素の光学的膜厚ｒｚ
ｊ（ＳｉＣ）の和ｎｄ（△Ｉ　ｚｏ３）＋ｎｄ　（Ｓｉ
Ｃ）が露光の中心波長λ０としでλｏ／４Ｘｎ　（ｎ　
：奇数）となるように膜厚を設定する必要がある。

前）ホの実施例では、 ｎｄ（ΔＩ　ｚ　０３　）−１，６８０，３μｍ（ｎ）
　　　（ｄ） ｎｄ　（ＳｉＣ）　　　＝２．２Ｘ０．１μｍ（ｎ＞　
　　　（ｄ） ｎｄ　（Ａｔ　ｚｏ３）＋ｎｄ　（ＳｉＣ）＝０．７μ
ｍ （λｏ／４ＸＮ）±１０％ ＝０．５５．ｃｚｍ／４ｘ５ −０，６８８±０．０７ として被膜形成を行なった。

得られた分光特性は第３図に示す通りであり、複写機と
して必要な波長域である４８０〜６２０ｎｍの領域での
反射率は大巾に低下した。特に５５Ｑｎｍで反射率は最
低になった。

また、感光体静電特性については表面電圧６００を１５
０ｖに下げるのに必要な光量は、被着前１，２５ルック
ス・秒であったのが、反射防止膜の形成後１．０ルツク
ス・秒になり光の利用効率が２５％アップした。

史に実施例に従って反射防止膜を形成した感光体を図示
しない複写機に装着し連続２０万枚の複写を行なったが
、感光体表面上のキズの発生はなり、１ｑられた画像も
良好であった。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の感光体の要部断面を示す断面図である
。第２図は本発明のの感光体の１実施例を示す模式断面
図である。第３図はセレン化ヒ素〈Ａｓ２Ｓｅ２）感光
体にアルミナ（ＡｌｚＯ３）と炭化珪素（Ｓ　ｉ　Ｃ）
を反射防止膜として被着した後の感光体の分光特性を示
すグラフである。 第４図は反射防止膜を形成しないセレン系感光体の分光
反射率を示すグラフである。 １・・・感光体 ２・・・支持体 ３・・・光導電体感光層（ルン系光導電体層）４・・・
アルミナ（Δ１２０３）膜 ５・・・炭化珪素（ＳｉＣ）膜 ６・・・２層構造の反射防止膜 特許出願人　　　ミノルタカメラ株式会社代理人　　　
　弁理士　大川　宏 同　　　　　弁理士　丸山明夫 第１図 り 第２図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体と、 セレン系光導電体層と、 ２層構成の反射防止被膜層とからなる事を特徴とする感
   光体。
2. （２）反射防止被膜層はアルミナ（Ａｌ＿２Ｏ＿３）と
   炭化珪素（ＳｉＣ）よりなる特許請求の範囲第１項記載
   の感光体。
3. （３）反射防止被膜層の光学的膜厚の和が、露光の中心
   波長をλ＿０、ｎを奇数であるとしたとき、以下の条件 λ＿０／４×ｎ を満足する特許請求の範囲第１項記載の感光体。