JPH0344143B2 - - Google Patents
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- JPH0344143B2 JPH0344143B2 JP58174773A JP17477383A JPH0344143B2 JP H0344143 B2 JPH0344143 B2 JP H0344143B2 JP 58174773 A JP58174773 A JP 58174773A JP 17477383 A JP17477383 A JP 17477383A JP H0344143 B2 JPH0344143 B2 JP H0344143B2
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- thin film
- substrate
- photosensitive
- screen
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
1 産業上の利用分野
本発明は薄膜形成方法及びその装置に関するも
のである。
のである。
2 従来技術
従来、多数の開口(特に、微細なメツシユ状開
口)を有する感光性スクリーンに静電荷像を形成
し、この静電荷像によりイオン流(例えば正イオ
ン粒子)の通過を制御して、帯電可能な層(例え
ば感光体ドラムの感光層)に所定の静電荷像を形
成する多色電子写真複写方式が知られている。
口)を有する感光性スクリーンに静電荷像を形成
し、この静電荷像によりイオン流(例えば正イオ
ン粒子)の通過を制御して、帯電可能な層(例え
ば感光体ドラムの感光層)に所定の静電荷像を形
成する多色電子写真複写方式が知られている。
第1図には、例えば白地に黒色画像部と赤色画
像部とからなる2色原稿から画像を再現するため
の2色刷り用複写機が示されている。この装置本
体の上部には往復動する原稿台41が設けられて
おり、この原稿台41上に載置された原稿25は
照明ランプ42により照射される。43,44は
ミラー、45は固定レンズ、46は光路中に出入
れし得るように構成された可動の赤色フイルタ
ー、47は赤色光を反射させ、赤色と補色関係に
あるシアン色は通過させる可動式のダイクロイツ
クフイルターであり、光路中に出入れし得るよう
に構成されている。第1図では赤色フイルター4
6は光路からはずれ、ダイクロイツクフイルター
47は光路中に配置されている状態を示してい
る。ドラム状をなした感光体53の表面に感光層
18が設けられ、感光体53が時計方向に回転す
ると感光層18がコロナ帯電器54によつて均一
に帯電される。感光層18はセレンあるいは有機
半導体などにより作られる。
像部とからなる2色原稿から画像を再現するため
の2色刷り用複写機が示されている。この装置本
体の上部には往復動する原稿台41が設けられて
おり、この原稿台41上に載置された原稿25は
照明ランプ42により照射される。43,44は
ミラー、45は固定レンズ、46は光路中に出入
れし得るように構成された可動の赤色フイルタ
ー、47は赤色光を反射させ、赤色と補色関係に
あるシアン色は通過させる可動式のダイクロイツ
クフイルターであり、光路中に出入れし得るよう
に構成されている。第1図では赤色フイルター4
6は光路からはずれ、ダイクロイツクフイルター
47は光路中に配置されている状態を示してい
る。ドラム状をなした感光体53の表面に感光層
18が設けられ、感光体53が時計方向に回転す
ると感光層18がコロナ帯電器54によつて均一
に帯電される。感光層18はセレンあるいは有機
半導体などにより作られる。
感光体53の周辺には、感光層18を均一に帯
電する帯電器54と、正に帯電された黒色トナー
を有する黒色現像器48と、正に帯電された赤色
トナーを有する赤色現像器49と、感光層18上
に残留するトナーおよび電荷を除去するクリーニ
ング装置30とが配置されている。31は感光体
53と同径で、感光層18と接触して従動するか
又は反時計方向に回転する転写ドラムである。6
3はコロナ放電器からなる転写電極、32は複写
紙給紙皿、33は複写紙給紙皿32に収納された
複写紙52を一枚ずつ給紙する給紙ローラ、34
は複写紙を転写ドラム31に搬送する第1搬送ロ
ーラ、35は転写後に複写紙をドラム31から分
離し易くするための除電を行なう静電分離器、3
6は複写紙をドラム31から強制的に分離する分
離爪である。また、37はヒーター内蔵の定着装
置である。但、実際には複写紙52を案内するガ
イド板を設けるが、この図示は省略されている。
電する帯電器54と、正に帯電された黒色トナー
を有する黒色現像器48と、正に帯電された赤色
トナーを有する赤色現像器49と、感光層18上
に残留するトナーおよび電荷を除去するクリーニ
ング装置30とが配置されている。31は感光体
53と同径で、感光層18と接触して従動するか
又は反時計方向に回転する転写ドラムである。6
3はコロナ放電器からなる転写電極、32は複写
紙給紙皿、33は複写紙給紙皿32に収納された
複写紙52を一枚ずつ給紙する給紙ローラ、34
は複写紙を転写ドラム31に搬送する第1搬送ロ
ーラ、35は転写後に複写紙をドラム31から分
離し易くするための除電を行なう静電分離器、3
6は複写紙をドラム31から強制的に分離する分
離爪である。また、37はヒーター内蔵の定着装
置である。但、実際には複写紙52を案内するガ
イド板を設けるが、この図示は省略されている。
一方、感光層18の外側には、光導電層が面す
るように円筒状をなした感光性スクリーンドラム
17が配され、このドラム17は原稿台41およ
び感光層18と同期して反時計方向に回転し得る
ように配置されている。また、このドラム17の
外側周辺には、スクリーン帯電器28と、感光ス
クリーンドラム17上に残留する電荷を除去する
EL(エレクトロルミネセンス)板またはACコロ
ナ除電器などで作つたスクリーン除電器39と、
感光性スクリーンドラム17の内側で感光体53
に対する位置に荷電粒子を投射する荷電粒子源
(コロナ放電器)19とが設けられている。
るように円筒状をなした感光性スクリーンドラム
17が配され、このドラム17は原稿台41およ
び感光層18と同期して反時計方向に回転し得る
ように配置されている。また、このドラム17の
外側周辺には、スクリーン帯電器28と、感光ス
クリーンドラム17上に残留する電荷を除去する
EL(エレクトロルミネセンス)板またはACコロ
ナ除電器などで作つたスクリーン除電器39と、
感光性スクリーンドラム17の内側で感光体53
に対する位置に荷電粒子を投射する荷電粒子源
(コロナ放電器)19とが設けられている。
この感光性スクリーン17は、第2図に示す如
く、多数の微細開口10を有しかつ一方の面が露
出したドラム状導電性スクリーン11と、この導
電性スクリーンの少なくとも他方の面に設けられ
た(図示の例では開口10内の壁面にも設けられ
ている)絶縁層13と、この絶縁層上に設けられ
たバイアス用のAl等の導電膜14と、光導電性
(感光)層15と、電荷輸送層16とによつて構
成されている。導電性スクリーン11はステンレ
ス、Al等の金属メツシユで、絶縁層13はポリ
エチレン等で、感光層15及び電荷輸送層16は
有機光半導体で夫々形成される。
く、多数の微細開口10を有しかつ一方の面が露
出したドラム状導電性スクリーン11と、この導
電性スクリーンの少なくとも他方の面に設けられ
た(図示の例では開口10内の壁面にも設けられ
ている)絶縁層13と、この絶縁層上に設けられ
たバイアス用のAl等の導電膜14と、光導電性
(感光)層15と、電荷輸送層16とによつて構
成されている。導電性スクリーン11はステンレ
ス、Al等の金属メツシユで、絶縁層13はポリ
エチレン等で、感光層15及び電荷輸送層16は
有機光半導体で夫々形成される。
この感光性スクリーン17の製作に際し、特に
上記導電膜14は第3図に示す如くAl蒸発源2
0の蒸着によつて形成される。ところがこの場
合、蒸発源20からのAl蒸気21のうち、スク
リーン基体11に対し斜め方向に入射する部分2
1′は矢印で示すように開口10を通して基体1
1の裏側へ廻り込み易いか、或いは基体11の裏
面へ直接付着してしまう。この結果、第4図のよ
うに裏面に付着したAl部分によつて導電膜14
と基体11とが導通(短絡)してしまい、その作
用を発揮できなくなる。従つて従来は、電流を流
すことによつて、基体11上のAl膜14の比較
的薄い部分14a(特に基体11のエツジ部分1
1aに薄く付着した部分)を焼切つて、基体11
に対する短絡を防いでいる。しかしながら、その
ための作業工程が必要である上に、上記焼切によ
るダメージがAl膜14に残り、その耐圧が低下
するという欠点がある。
上記導電膜14は第3図に示す如くAl蒸発源2
0の蒸着によつて形成される。ところがこの場
合、蒸発源20からのAl蒸気21のうち、スク
リーン基体11に対し斜め方向に入射する部分2
1′は矢印で示すように開口10を通して基体1
1の裏側へ廻り込み易いか、或いは基体11の裏
面へ直接付着してしまう。この結果、第4図のよ
うに裏面に付着したAl部分によつて導電膜14
と基体11とが導通(短絡)してしまい、その作
用を発揮できなくなる。従つて従来は、電流を流
すことによつて、基体11上のAl膜14の比較
的薄い部分14a(特に基体11のエツジ部分1
1aに薄く付着した部分)を焼切つて、基体11
に対する短絡を防いでいる。しかしながら、その
ための作業工程が必要である上に、上記焼切によ
るダメージがAl膜14に残り、その耐圧が低下
するという欠点がある。
3 発明の目的
本発明の目的は、作業容易にして上記導電膜の
如き薄膜を精度良く形成し、特性良好な製品を作
成できる方法及びその装置を提供することにあ
る。
如き薄膜を精度良く形成し、特性良好な製品を作
成できる方法及びその装置を提供することにあ
る。
4 発明の構成及びその作用効果
第一の発明は、薄膜構成物質の粒子を飛翔さ
せ、対向配置された基体上に堆積させるに際し、
前記基体を略円筒形に配置してその中心軸の周り
に回転させ、前記粒子を前記基体の外周面に対し
て実質的に垂直方向にのみ入射させることを特徴
とする薄膜形成方法に係る。ここで、「実質的に
垂直とは、基体に対し完全に垂直である場合の
他、既述した廻り込みが生じない範囲で幾分基体
に対し斜めになつている場合も意味する。
せ、対向配置された基体上に堆積させるに際し、
前記基体を略円筒形に配置してその中心軸の周り
に回転させ、前記粒子を前記基体の外周面に対し
て実質的に垂直方向にのみ入射させることを特徴
とする薄膜形成方法に係る。ここで、「実質的に
垂直とは、基体に対し完全に垂直である場合の
他、既述した廻り込みが生じない範囲で幾分基体
に対し斜めになつている場合も意味する。
第二の発明は、上記第一の発明に係る方法を効
果的に実施する装置として、薄膜構成物質の粒子
を飛翔させ、対向配置された基体上に堆積させる
薄膜形成装置において、前記基体を略円筒形に構
成してその中心軸の周りに回転可能に配置し、薄
膜構成物質の粒子の飛翔源と前記基体との間の基
体近傍に単一のスリツトを有する遮蔽手段が配置
され、回転する前記基体に対して前記粒子の実質
的に垂直な流れのみが前記の単一のスリツトを通
して導かれ、前記基体の外周面上にその全周囲に
亘つて実質的に垂直方向で前記粒子を堆積させる
ように構成したことを特徴とする薄膜形成装置を
提供するものである。
果的に実施する装置として、薄膜構成物質の粒子
を飛翔させ、対向配置された基体上に堆積させる
薄膜形成装置において、前記基体を略円筒形に構
成してその中心軸の周りに回転可能に配置し、薄
膜構成物質の粒子の飛翔源と前記基体との間の基
体近傍に単一のスリツトを有する遮蔽手段が配置
され、回転する前記基体に対して前記粒子の実質
的に垂直な流れのみが前記の単一のスリツトを通
して導かれ、前記基体の外周面上にその全周囲に
亘つて実質的に垂直方向で前記粒子を堆積させる
ように構成したことを特徴とする薄膜形成装置を
提供するものである。
本発明によれば、薄膜構成物質の粒子を基体に
対し実質的に垂直方向にのみ入射させるようにし
ているので、粒子が基体の表面上にて順次堆積
し、既述した如き廻り込みや裏面への直接付着を
阻止することができ、また、基体を略円筒形に配
置してその中心軸の周りに回転させることによ
り、形成される薄膜は均一なものになる。従つ
て、得られた薄膜は何らの後処理を加えることな
く、そのまま次の工程(例えば感光層の形成)に
供すことが可能である。
対し実質的に垂直方向にのみ入射させるようにし
ているので、粒子が基体の表面上にて順次堆積
し、既述した如き廻り込みや裏面への直接付着を
阻止することができ、また、基体を略円筒形に配
置してその中心軸の周りに回転させることによ
り、形成される薄膜は均一なものになる。従つ
て、得られた薄膜は何らの後処理を加えることな
く、そのまま次の工程(例えば感光層の形成)に
供すことが可能である。
5 実施例
以下、本発明を第5図〜第12図に示す実施例
について詳細に説明する。
について詳細に説明する。
第5図には、既述した感光性スクリーンの導電
性スクリーン基体11(実際にはこの表面又は外
面上に絶縁層13が既に形成されている。)と、
Al蒸発源20とを10-4〜10-5Torrの真空度に引
かれたベルジヤー(図示省略)内に配し、基体1
1上にAl蒸着膜(既述の14)を形成する真空
蒸着方法又はその装置を示す。スクリーン基体1
1は、マンドレル22の周りにセツトされ、共に
例えば15rpmの速度で回転し得るように配されて
いる。
性スクリーン基体11(実際にはこの表面又は外
面上に絶縁層13が既に形成されている。)と、
Al蒸発源20とを10-4〜10-5Torrの真空度に引
かれたベルジヤー(図示省略)内に配し、基体1
1上にAl蒸着膜(既述の14)を形成する真空
蒸着方法又はその装置を示す。スクリーン基体1
1は、マンドレル22の周りにセツトされ、共に
例えば15rpmの速度で回転し得るように配されて
いる。
ここで注目すべきことは、基体11と蒸発源2
0との間の領域において、基体11の近傍にスリ
ツト23付きの遮蔽板24を設けていることであ
る。そしてこの場合、第6図に明示する如く、蒸
発源20からのAl蒸気は、一点鎖線21′で示す
斜め方向の成分は遮蔽板24によつて完全に遮蔽
され、基体11に対してその垂直方向成分21の
みがスリツト23を通して導びかれ、絶縁層13
上に順次堆積するように構成している。スリツト
23を通過するAl蒸気21の蒸発源からの角度
αは例えば0.5度に設定される。また実際には、
スリツト23の幅を5mmとすれば、このスリツト
幅内には第6図に示すように基体11のメツシユ
構成部分が多数個(例えば20個)分収まるように
構成される。
0との間の領域において、基体11の近傍にスリ
ツト23付きの遮蔽板24を設けていることであ
る。そしてこの場合、第6図に明示する如く、蒸
発源20からのAl蒸気は、一点鎖線21′で示す
斜め方向の成分は遮蔽板24によつて完全に遮蔽
され、基体11に対してその垂直方向成分21の
みがスリツト23を通して導びかれ、絶縁層13
上に順次堆積するように構成している。スリツト
23を通過するAl蒸気21の蒸発源からの角度
αは例えば0.5度に設定される。また実際には、
スリツト23の幅を5mmとすれば、このスリツト
幅内には第6図に示すように基体11のメツシユ
構成部分が多数個(例えば20個)分収まるように
構成される。
このように、スリツト23付きの遮蔽板24に
よつて、Al蒸気(又は分子)の垂直方向成分2
1のみを選択して基体11上に導びいているか
ら、基体11の表面又は外面上にのみAlが堆積
し、その裏面上へは廻り込み又は直接付着が全く
生じず、このために基体11−Al膜間の導通が
生じることはない。
よつて、Al蒸気(又は分子)の垂直方向成分2
1のみを選択して基体11上に導びいているか
ら、基体11の表面又は外面上にのみAlが堆積
し、その裏面上へは廻り込み又は直接付着が全く
生じず、このために基体11−Al膜間の導通が
生じることはない。
ここで、Al蒸着膜14が本発明の目的を達成
するように堆積されるためには、主としてDSM
(遮蔽板24と基体11との距離)を考慮するの
が望ましい。第7図では他に、DBS=蒸発源20
−遮蔽板24間の距離、W=スリツト23の幅d
=スリツト23両端からAl粒子が拡散する幅と
する。
するように堆積されるためには、主としてDSM
(遮蔽板24と基体11との距離)を考慮するの
が望ましい。第7図では他に、DBS=蒸発源20
−遮蔽板24間の距離、W=スリツト23の幅d
=スリツト23両端からAl粒子が拡散する幅と
する。
上記DSM(遮蔽板−基体間の距離)を選択する
ことによつて、拡散幅dを低めに抑え得ることを
確認している。即ち、第8図に示すように(但、
DBS=300mm、W=5mm、RAl=1g/min)、DSMを
40mm以下として基体と遮蔽板の距離を短かくする
と、付着拡散幅を25mm以下と小さくし、目的とす
るAl蒸着膜が得易くなる。
ことによつて、拡散幅dを低めに抑え得ることを
確認している。即ち、第8図に示すように(但、
DBS=300mm、W=5mm、RAl=1g/min)、DSMを
40mm以下として基体と遮蔽板の距離を短かくする
と、付着拡散幅を25mm以下と小さくし、目的とす
るAl蒸着膜が得易くなる。
上述したマンドレル22について、第9図を用
いてより詳細に説明する。
いてより詳細に説明する。
このマンドレル22は、基体11の内周に近接
して設けられているので、基体11のメツシユを
通過したAl粒子はマンドレル22で阻止され、
基体11の他の内面への付着が効果的に防止され
る。この場合、マンドレル22は実際には、追加
のスリーブ25と接合、一体化され、このスリー
ブ25上の両端に嵌め込まれたリング26に対し
上述した基体11が固定される。
して設けられているので、基体11のメツシユを
通過したAl粒子はマンドレル22で阻止され、
基体11の他の内面への付着が効果的に防止され
る。この場合、マンドレル22は実際には、追加
のスリーブ25と接合、一体化され、このスリー
ブ25上の両端に嵌め込まれたリング26に対し
上述した基体11が固定される。
第10図は、他の蒸着装置を示すが、この場合
には、基体11にバイアス電圧27をかけ、蒸発
源20からの粒子21を電子銃28からの電子に
よつて活性化若しくはイオン化することにより、
粒子21の基体11上への吸着効率を高めてい
る。
には、基体11にバイアス電圧27をかけ、蒸発
源20からの粒子21を電子銃28からの電子に
よつて活性化若しくはイオン化することにより、
粒子21の基体11上への吸着効率を高めてい
る。
第11図は、コイル電極29に高周波38を加
え、公知のRFイオンプレーテイングと同様の原
理で、Arガスを導入しながら蒸着を行なう例で
ある。
え、公知のRFイオンプレーテイングと同様の原
理で、Arガスを導入しながら蒸着を行なう例で
ある。
第12図は、スパツタ法によりAl膜を形成す
る例を示し、Alターゲツト40をArガスによる
プラズマでスパツタし、叩き出されたAl粒子又
はクラスターをスリツト23を介して基体11上
にほぼ垂直に入射させ、上述したAl導電膜14
を形成する。
る例を示し、Alターゲツト40をArガスによる
プラズマでスパツタし、叩き出されたAl粒子又
はクラスターをスリツト23を介して基体11上
にほぼ垂直に入射させ、上述したAl導電膜14
を形成する。
なお、本発明は、上述の感光性スクリーンに限
らず、他の薄膜、例えば垂直磁気記録層(例えば
Co−Cr膜)の形成にも適用可能であり、その用
途は広範である。また、上述の遮蔽板は複数板組
合せてよいし、スリツトに対し粒子流が収束する
ような電界又は磁界を作用させてもよい。また、
基体の断面形状は矩形等、他の形状であつてよ
い。
らず、他の薄膜、例えば垂直磁気記録層(例えば
Co−Cr膜)の形成にも適用可能であり、その用
途は広範である。また、上述の遮蔽板は複数板組
合せてよいし、スリツトに対し粒子流が収束する
ような電界又は磁界を作用させてもよい。また、
基体の断面形状は矩形等、他の形状であつてよ
い。
第1図〜第4図は従来例を示すものであつて、
第1図は2色刷り用電子写真複写機の概略断面
図、第2図は感光性スクリーンの一部拡大断面
図、第3図は蒸着時の断面図、第4図は蒸着後の
感光性スクリーンの断面図である。第5図〜第1
2図は本発明の実施例を示すものであつて、第5
図は蒸着時の断面図、第6図は第5図の要部拡大
図、第7図は各部の位置関係を説明するための第
6図と同様の図、第8図は遮蔽板と基体との距離
による粒子拡散幅を示すグラフ、第9図は基体保
持構造を示す断面図、第10図、第11図、第1
2図は他の製造装置の各概略図である。 なお、図面に示した符号において、11……導
電性スクリーン基体、13……絶縁層、14……
(Al)導電膜、15……感光層、16……電荷輸
送層、17……感光性スクリーン、20……蒸発
源、21……Al蒸気、22……マンドレル、2
3……スリツト、24……遮蔽板である。
第1図は2色刷り用電子写真複写機の概略断面
図、第2図は感光性スクリーンの一部拡大断面
図、第3図は蒸着時の断面図、第4図は蒸着後の
感光性スクリーンの断面図である。第5図〜第1
2図は本発明の実施例を示すものであつて、第5
図は蒸着時の断面図、第6図は第5図の要部拡大
図、第7図は各部の位置関係を説明するための第
6図と同様の図、第8図は遮蔽板と基体との距離
による粒子拡散幅を示すグラフ、第9図は基体保
持構造を示す断面図、第10図、第11図、第1
2図は他の製造装置の各概略図である。 なお、図面に示した符号において、11……導
電性スクリーン基体、13……絶縁層、14……
(Al)導電膜、15……感光層、16……電荷輸
送層、17……感光性スクリーン、20……蒸発
源、21……Al蒸気、22……マンドレル、2
3……スリツト、24……遮蔽板である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 薄膜形成物質の粒子を飛翔させ、対向配置さ
れた基体上に堆積させるに際し、前記基体を略円
筒形に配置してその中心軸の周りに回転させ、前
記粒子を前記基体の外周面に対して実質的に垂直
方向にのみに入射させることを特徴とする薄膜形
成方法。 2 薄膜構成物質の粒子を飛翔させ、対向配置さ
れた基体上に堆積させる薄膜形成装置において、
前記基体を略円筒形に構成してその中心軸の周り
に回転可能に配置し、薄膜構成物質の粒子の飛翔
源と前記基体との間の基体近傍域に単一のスリツ
トを有する遮蔽手段が配置され、回転する前記基
体に対して前記粒子の実質的に垂直な流れのみが
前記の単一のスリツトを通して導かれ、前記基体
の外周面上にその全周囲に亘つて実質的に垂直方
向で前記粒子を堆積させるように構成したことを
特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17477383A JPS6067662A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 薄膜形成方法及びその装置 |
US06/649,858 US4601922A (en) | 1983-09-21 | 1984-09-12 | Method of forming a layer of thin film on a substrate having a multiplicity of mesh-like holes |
DE19843434433 DE3434433A1 (de) | 1983-09-21 | 1984-09-19 | Verfahren und vorrichtung zum erzeugen einer duennen schicht auf einem substrat |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17477383A JPS6067662A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 薄膜形成方法及びその装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6067662A JPS6067662A (ja) | 1985-04-18 |
JPH0344143B2 true JPH0344143B2 (ja) | 1991-07-05 |
Family
ID=15984414
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17477383A Granted JPS6067662A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 薄膜形成方法及びその装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6067662A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0735567B2 (ja) * | 1987-02-05 | 1995-04-19 | 三菱重工業株式会社 | 連続式真空蒸着装置 |
TW495812B (en) | 2000-03-06 | 2002-07-21 | Semiconductor Energy Lab | Thin film forming device, method of forming a thin film, and self-light-emitting device |
CN103540898B (zh) | 2013-10-30 | 2015-07-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种真空蒸镀装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5333640A (en) * | 1976-09-10 | 1978-03-29 | Hitachi Ltd | Formation of orientation control film for liquid crystal display element |
-
1983
- 1983-09-21 JP JP17477383A patent/JPS6067662A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5333640A (en) * | 1976-09-10 | 1978-03-29 | Hitachi Ltd | Formation of orientation control film for liquid crystal display element |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6067662A (ja) | 1985-04-18 |
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