JPH0350831B2 - - Google Patents
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- JPH0350831B2 JPH0350831B2 JP17476983A JP17476983A JPH0350831B2 JP H0350831 B2 JPH0350831 B2 JP H0350831B2 JP 17476983 A JP17476983 A JP 17476983A JP 17476983 A JP17476983 A JP 17476983A JP H0350831 B2 JPH0350831 B2 JP H0350831B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
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Description
【発明の詳細な説明】
１ 産業上の利用分野
本発明は薄膜形成方法に関するものである。
２ 従来技術
従来、多数の開口（特に、微細なメツシユ状開
口）を有する感光性スクリーンに静電荷像を形成
し、この静電荷像によりイオン流（例えば正イオ
ン粒子）の通過を制御して、帯電可能な層（例え
ば感光体ドラムの感光層）に所定の静電荷像を形
成する多色電子写真複写方式が知られている。
口）を有する感光性スクリーンに静電荷像を形成
し、この静電荷像によりイオン流（例えば正イオ
ン粒子）の通過を制御して、帯電可能な層（例え
ば感光体ドラムの感光層）に所定の静電荷像を形
成する多色電子写真複写方式が知られている。
第１図には、例えば白地に黒色画像部と赤色画
像部とからなる２色原稿から画像を再現するため
の２色刷り用複写機が示されている。この装置本
体の上部には往復動する原稿台４１が設けられて
おり、この原稿台４１上に載置された原稿２５は
照明ランプ４２により照明される。４３，４４は
ミラー、４５は固定レンズ、４６は光路中に出入
れし得るように構成された可動の赤色フイルタ
ー、４７は赤色光を反射させ、赤色と補色関係に
あるシアン色は通過させる可動式のダイクロイツ
クフイルターであり、光路中に出入れし得るよう
に構成されている。第５図で赤色フイルター４６
は光路からはずれ、ダイクロイツクフイルター４
７は光路中に配置されている状態を示している。
ドラム状をなした感光体５３の表面に感光層１８
が設けられ、感光体５３が時計方向に回転すると
感光層１８がコロナ帯電器２４によつて均一に帯
電される。感光層１８はセレンあるいは有機半導
体などにより作られる。
像部とからなる２色原稿から画像を再現するため
の２色刷り用複写機が示されている。この装置本
体の上部には往復動する原稿台４１が設けられて
おり、この原稿台４１上に載置された原稿２５は
照明ランプ４２により照明される。４３，４４は
ミラー、４５は固定レンズ、４６は光路中に出入
れし得るように構成された可動の赤色フイルタ
ー、４７は赤色光を反射させ、赤色と補色関係に
あるシアン色は通過させる可動式のダイクロイツ
クフイルターであり、光路中に出入れし得るよう
に構成されている。第５図で赤色フイルター４６
は光路からはずれ、ダイクロイツクフイルター４
７は光路中に配置されている状態を示している。
ドラム状をなした感光体５３の表面に感光層１８
が設けられ、感光体５３が時計方向に回転すると
感光層１８がコロナ帯電器２４によつて均一に帯
電される。感光層１８はセレンあるいは有機半導
体などにより作られる。
感光体５３の周辺には、感光層１８を均一に帯
電する帯電器５４と、正に帯電された黒色トナー
を有する黒色現像器４８と、正に帯電された赤色
トナーを有する赤色現像器４９と、感光層１８上
に残留するトナーおよび電荷を除去するクリーニ
ング装置３０とが配置されている。３１は感光体
５３と同径で、感光層１８と接触して従動するか
又は反時計方向に回転する転写ドラムである。６
３はコロナ放電器からなる転写電極、３２は複写
紙給紙皿、３３は複写紙給紙皿３２に収納された
複写紙５２を一枚ずつ給紙する給紙ローラ、３４
は複写紙を転写ドラム３１に搬送する第１搬送ロ
ーラ、３５は転写後に複写紙をドラム３１から分
離し易くするための除電を行なう静電分離器、３
６は複写紙をドラム３１から強制的に分離する分
離爪である。また、３７はヒーター内蔵の定着装
置である。但、実際には複写紙５２を案内するガ
イド板を設けるが、この図示は省略されている。
電する帯電器５４と、正に帯電された黒色トナー
を有する黒色現像器４８と、正に帯電された赤色
トナーを有する赤色現像器４９と、感光層１８上
に残留するトナーおよび電荷を除去するクリーニ
ング装置３０とが配置されている。３１は感光体
５３と同径で、感光層１８と接触して従動するか
又は反時計方向に回転する転写ドラムである。６
３はコロナ放電器からなる転写電極、３２は複写
紙給紙皿、３３は複写紙給紙皿３２に収納された
複写紙５２を一枚ずつ給紙する給紙ローラ、３４
は複写紙を転写ドラム３１に搬送する第１搬送ロ
ーラ、３５は転写後に複写紙をドラム３１から分
離し易くするための除電を行なう静電分離器、３
６は複写紙をドラム３１から強制的に分離する分
離爪である。また、３７はヒーター内蔵の定着装
置である。但、実際には複写紙５２を案内するガ
イド板を設けるが、この図示は省略されている。
一方、感光層１８の外側には、光導電層が面す
るように円筒状をなした感光性スクリーンドラム
１７が配され、このドラム１７は原稿台４１およ
び感光層１８と同期して反時計方向に回転し得る
ように配置されている。また、このドラム１７の
外側周辺には、スクリーン帯電器２８と、感光ス
クリーンドラム１７上に残留する電荷を除去する
EL（エレクトロルミネセンス）板またはACコロ
ナ除電器などで作つたスクリーン除電器３９と、
感光性スクリーンドラム１７の内側で感光体５８
に対向する位置に荷電粒子を投射する荷電粒子源
（コロナ放電器）１９とが設けられている。
るように円筒状をなした感光性スクリーンドラム
１７が配され、このドラム１７は原稿台４１およ
び感光層１８と同期して反時計方向に回転し得る
ように配置されている。また、このドラム１７の
外側周辺には、スクリーン帯電器２８と、感光ス
クリーンドラム１７上に残留する電荷を除去する
EL（エレクトロルミネセンス）板またはACコロ
ナ除電器などで作つたスクリーン除電器３９と、
感光性スクリーンドラム１７の内側で感光体５８
に対向する位置に荷電粒子を投射する荷電粒子源
（コロナ放電器）１９とが設けられている。
この感光性スクリーン１７は、第２図に示す如
く、多数の微細開口１０を有しかつ一方の面が露
出したドラム状導電性スクリーン１１と、この導
電性スクリーンの少なくとも他方の面に設けられ
た（図示の例では開口１０内の壁面にも設けられ
ている）絶縁層１３と、この絶縁層上に設けられ
たバイアス用のAl等の導電膜１４と、光導電性
（感光）層１５と、電荷輸送層１６とによつて構
成されている。導電性スクリーン１１はステンレ
ス、Al等の金属メツシユで、絶縁層１３はポリ
エチレン等で、感光層１５及び電荷輸送層１６は
有機光半導体で夫々形成される。
く、多数の微細開口１０を有しかつ一方の面が露
出したドラム状導電性スクリーン１１と、この導
電性スクリーンの少なくとも他方の面に設けられ
た（図示の例では開口１０内の壁面にも設けられ
ている）絶縁層１３と、この絶縁層上に設けられ
たバイアス用のAl等の導電膜１４と、光導電性
（感光）層１５と、電荷輸送層１６とによつて構
成されている。導電性スクリーン１１はステンレ
ス、Al等の金属メツシユで、絶縁層１３はポリ
エチレン等で、感光層１５及び電荷輸送層１６は
有機光半導体で夫々形成される。
この感光性スクリーン１７の製作に際し、特に
上記導電膜１４は第３図に示す如くAl蒸発源２
０の蒸着によつて形成される。とこがこの場合、
蒸発源２０からのAl蒸気２１のうち、スクリー
ン基体１１に対し斜め方向に入射する部分２１′
は矢印で示すように開口１０を通して基体１１の
裏側へ廻り込み易いか、或いは基体１１の裏面へ
直接付着してしまう。この結果、第４図のように
裏面に付着したAl部分によつて導電膜１４と基
体１１とが導通（短絡）してしまい、その作用を
発揮できなくなる。従つて従来は、電流を流すこ
とによつて、基体１１上のAl膜１４の比較的薄
い部分１４ａ（特に基体１１のエツジ部分１１ａ
に薄く付着した部分）を焼切つて、基体１１に対
する短絡を防いでいる。しかしながら、そのため
の作業工程が必要である上に、蒸気焼切によるダ
メージがAl膜１４に残り、その耐圧が低下する
という欠点がある。
上記導電膜１４は第３図に示す如くAl蒸発源２
０の蒸着によつて形成される。とこがこの場合、
蒸発源２０からのAl蒸気２１のうち、スクリー
ン基体１１に対し斜め方向に入射する部分２１′
は矢印で示すように開口１０を通して基体１１の
裏側へ廻り込み易いか、或いは基体１１の裏面へ
直接付着してしまう。この結果、第４図のように
裏面に付着したAl部分によつて導電膜１４と基
体１１とが導通（短絡）してしまい、その作用を
発揮できなくなる。従つて従来は、電流を流すこ
とによつて、基体１１上のAl膜１４の比較的薄
い部分１４ａ（特に基体１１のエツジ部分１１ａ
に薄く付着した部分）を焼切つて、基体１１に対
する短絡を防いでいる。しかしながら、そのため
の作業工程が必要である上に、蒸気焼切によるダ
メージがAl膜１４に残り、その耐圧が低下する
という欠点がある。
３ 発明の目的
本発明の目的は、作業容易にして上記導電膜の
如き薄膜を精度よく形成できる方法を提供するこ
とにある。
如き薄膜を精度よく形成できる方法を提供するこ
とにある。
４ 発明の構成及びその作用効果
即ち、本発明は、薄膜構成物質の粒子（例えば
Al）を飛翔させ、対向配置されかつ多数の開口
を有する幅狭なスクリーン基体上に堆積させるに
際し、前記粒子の飛翔源と前記スクリーン基体と
の間の距離を制御することによつて、前記スクリ
ーン基体へ向かう粒子流が互いに実質的に平行と
なるように操作することを特徴とする薄膜形成方
法に係るものである。
Al）を飛翔させ、対向配置されかつ多数の開口
を有する幅狭なスクリーン基体上に堆積させるに
際し、前記粒子の飛翔源と前記スクリーン基体と
の間の距離を制御することによつて、前記スクリ
ーン基体へ向かう粒子流が互いに実質的に平行と
なるように操作することを特徴とする薄膜形成方
法に係るものである。
本発明によれば、薄膜構成物質の粒子をスクリ
ーン基体に対しほぼ平行な粒子流となるように導
びいているので、粒子がスクリーン基体の表面上
にて一定の方向性を以つて順次堆積し、既述した
如き廻り込みの影響を著しく低減させることがで
きる。従つて、得られた薄膜は何らの後処理を加
えることなく、そのまま次の工程（例えば感光層
の形成）に供することが可能である。
ーン基体に対しほぼ平行な粒子流となるように導
びいているので、粒子がスクリーン基体の表面上
にて一定の方向性を以つて順次堆積し、既述した
如き廻り込みの影響を著しく低減させることがで
きる。従つて、得られた薄膜は何らの後処理を加
えることなく、そのまま次の工程（例えば感光層
の形成）に供することが可能である。
５ 実施例
以下、本発明を第５図〜第１２図に示す実施例
について詳細に説明する。
について詳細に説明する。
第５図には、既述した感光性スクリーンの導電
性スクリーン基体１１（実際にはその表面又は外
面上に絶縁層１３が既に形成されている。）と、
Al蒸発源２０とを10-4〜10-5Torrの真空度に引
かれたベルジヤー（図示省略）内に配し、基体１
１上にAl蒸着膜（既述の１４）を形成する真空
蒸着方法又はその装置を示す。スクリーン基体１
１は、マンドレル２２の周りにセツトされ、共に
例えば15rpmの速度で回転し得るように配されて
いる。
性スクリーン基体１１（実際にはその表面又は外
面上に絶縁層１３が既に形成されている。）と、
Al蒸発源２０とを10-4〜10-5Torrの真空度に引
かれたベルジヤー（図示省略）内に配し、基体１
１上にAl蒸着膜（既述の１４）を形成する真空
蒸着方法又はその装置を示す。スクリーン基体１
１は、マンドレル２２の周りにセツトされ、共に
例えば15rpmの速度で回転し得るように配されて
いる。
この場合、基体１１と蒸発源２０との間の領域
において、基体１１の近傍にスリツト２３付きの
遮蔽板２４を設けることが考えられる。この場合
には、第６図に明示する如く、蒸発源２０からの
Al蒸気は、一点鎖線２１′で示す斜め方向の成分
は遮蔽板２４によつて完全に遮断され、基体１１
に対して規制された粒子流２１のみがスリツト２
３を通して導びかれ、絶縁層１３上に順次堆積す
るように構成している。また実際には、スリツト
２３の幅を５mmとすれば、このスリツト幅内には
第６図に示すように基体１１のメツシユ構成部分
が多数個（例えば20個）分収まるように構成され
る。
において、基体１１の近傍にスリツト２３付きの
遮蔽板２４を設けることが考えられる。この場合
には、第６図に明示する如く、蒸発源２０からの
Al蒸気は、一点鎖線２１′で示す斜め方向の成分
は遮蔽板２４によつて完全に遮断され、基体１１
に対して規制された粒子流２１のみがスリツト２
３を通して導びかれ、絶縁層１３上に順次堆積す
るように構成している。また実際には、スリツト
２３の幅を５mmとすれば、このスリツト幅内には
第６図に示すように基体１１のメツシユ構成部分
が多数個（例えば20個）分収まるように構成され
る。
このように、スリツト２３付きの遮蔽板２４に
よつて、Al蒸気（又は分子）の規制された粒子
２１のみを選択して基体１１上に導びけば、基体
１１の表面又は外面上にのみAlが堆積し、その
裏面上へは廻り込み又は基体裏面への直接付着が
防止される。但、スリツト２３の幅によつて、或
いは遮蔽板２４を設けない場合には、蒸気の廻り
込みを防止できないことがある。
よつて、Al蒸気（又は分子）の規制された粒子
２１のみを選択して基体１１上に導びけば、基体
１１の表面又は外面上にのみAlが堆積し、その
裏面上へは廻り込み又は基体裏面への直接付着が
防止される。但、スリツト２３の幅によつて、或
いは遮蔽板２４を設けない場合には、蒸気の廻り
込みを防止できないことがある。
例えば、第７図の如くに各部の位置関係を定義
する。
する。
DSM＝遮蔽板２４と基体１１との距離
DBS＝蒸発源２０と遮蔽板２４との距離
Ｗ＝スリツト２３の幅
ｄ＝Al粒子２１がスリツト両端から外方へ拡
散する幅（拡散幅） DBSは、本発明の目的を達成する上で極めて重
要であり、第８図に示す如く、DBSを60mm以上の
範囲で適切に設定（特に100mm以上、更には300mm
以上）とすることが望ましい（但、第８図の条件
は、DSM＝５mm、Ｗ＝５mm、RAl＝１ｇ／min）。
散する幅（拡散幅） DBSは、本発明の目的を達成する上で極めて重
要であり、第８図に示す如く、DBSを60mm以上の
範囲で適切に設定（特に100mm以上、更には300mm
以上）とすることが望ましい（但、第８図の条件
は、DSM＝５mm、Ｗ＝５mm、RAl＝１ｇ／min）。
即ち、基体１１と蒸発源２０との距離を上記の
ように充分に大きくとれば、拡散幅ｄを小さく抑
え、基体１１へ到達する粒子流２１は実質的にほ
ぼ平行流となる。この現象は、上記の遮蔽板２４
を設けない場合に同様に生じ、ほぼ平行流のまま
基体上にAlが付着することが確認されている。
従つて、いずれの場合でも、基体１１へ入射する
粒子流はほぼ平行であつて、第３図に示した如き
基体裏面への廻り込みを効果的に防止することが
できる。
ように充分に大きくとれば、拡散幅ｄを小さく抑
え、基体１１へ到達する粒子流２１は実質的にほ
ぼ平行流となる。この現象は、上記の遮蔽板２４
を設けない場合に同様に生じ、ほぼ平行流のまま
基体上にAlが付着することが確認されている。
従つて、いずれの場合でも、基体１１へ入射する
粒子流はほぼ平行であつて、第３図に示した如き
基体裏面への廻り込みを効果的に防止することが
できる。
上述したマンドレル２２について、第９図を用
いてより詳細に説明する。
いてより詳細に説明する。
このマンドレル２２は、基体１１の内周に近接
して設けられているので、基体１１のメツシユを
通過したAl粒子はマンドレル２２で阻止され、
基体１１の他の内面への付着が効果的に防止され
る。この場合、マンドレル２２は実際には、追加
のスリーブ２５と接合、一体化され、このスリー
ブ２５上の両端に嵌め込まれたリング２６に対し
上述した基体１１が固定される。
して設けられているので、基体１１のメツシユを
通過したAl粒子はマンドレル２２で阻止され、
基体１１の他の内面への付着が効果的に防止され
る。この場合、マンドレル２２は実際には、追加
のスリーブ２５と接合、一体化され、このスリー
ブ２５上の両端に嵌め込まれたリング２６に対し
上述した基体１１が固定される。
第１０図は、他の蒸着装置を示すが、この場合
には、基体１１にバイアス電圧２７をかけ、蒸発
源２０からの粒子２１を電子銃２８からの電子に
よつて活性化若しくはイオン化することにより、
粒子２１の基体１１上への吸着効率を高めてい
る。
には、基体１１にバイアス電圧２７をかけ、蒸発
源２０からの粒子２１を電子銃２８からの電子に
よつて活性化若しくはイオン化することにより、
粒子２１の基体１１上への吸着効率を高めてい
る。
第１１図は、コイル電極２９に高周波３８を加
え、公知のRFイオンプレーテイングと同様の原
理で、Arガスを導入しながら蒸着を行なう例で
ある。
え、公知のRFイオンプレーテイングと同様の原
理で、Arガスを導入しながら蒸着を行なう例で
ある。
第１２図は、スパツタ法によりAl膜を形成す
る例を示し、Alターゲツト４０をArガスによる
プラズマでスパツタし、叩き出されたAl粒子又
はクラスターをスリツト２３を介して基体１１上
にほぼ垂直に入射させ、上述したAl導電膜１４
を形成する。
る例を示し、Alターゲツト４０をArガスによる
プラズマでスパツタし、叩き出されたAl粒子又
はクラスターをスリツト２３を介して基体１１上
にほぼ垂直に入射させ、上述したAl導電膜１４
を形成する。
なお、本発明は、上述の感光性スクリーンに限
らず、他の薄膜、例えば垂直磁気記録層（例えば
Co−Cr膜）の形成にも適用可能であり、その用
途は広範である。また、上述の遮蔽板は複数板組
合せてよいし、スリツトに対し粒子流を収束する
ような電界又は磁界を作用させてもよい。また、
上述の遮蔽板は必ずしも設けなくてよい。また、
基体の断面形状は矩形等、他の形状であつてよ
い。
らず、他の薄膜、例えば垂直磁気記録層（例えば
Co−Cr膜）の形成にも適用可能であり、その用
途は広範である。また、上述の遮蔽板は複数板組
合せてよいし、スリツトに対し粒子流を収束する
ような電界又は磁界を作用させてもよい。また、
上述の遮蔽板は必ずしも設けなくてよい。また、
基体の断面形状は矩形等、他の形状であつてよ
い。
第１図〜第４図は従来例を示すものであつて、
第１図は２色刷り用電子写真複写機の概略断面
図、第２図は感光性スクリーンの一部拡大断面
図、第３図は蒸着時の断面図、第４図は蒸着後の
感光性スクリーンの断面図である。第５図〜第１
２図は本発明の実施例を示すものであつて、第５
図は蒸着時の断面図、第６図は第５図の要部拡大
図、第７図は各部の配置を説明するための断面
図、第８図は蒸発源と遮蔽板との距離による拡散
幅の変化を示すグラフ、第９図は基体保持構造を
示す断面図、第１０図、第１１図、第１２図は他
の製造装置の各概略図である。 なお、図面に示した符号において、１１……導
電性スクリーン基体、１３……絶縁層、１４……
（Al）導電膜、１５……感光層、１６……電荷輸
送層、１７……感光性スクリーン、２０……蒸発
源、２１……Al蒸気、２２……マンドレル、２
３……スリツト、２４……遮蔽板である。
第１図は２色刷り用電子写真複写機の概略断面
図、第２図は感光性スクリーンの一部拡大断面
図、第３図は蒸着時の断面図、第４図は蒸着後の
感光性スクリーンの断面図である。第５図〜第１
２図は本発明の実施例を示すものであつて、第５
図は蒸着時の断面図、第６図は第５図の要部拡大
図、第７図は各部の配置を説明するための断面
図、第８図は蒸発源と遮蔽板との距離による拡散
幅の変化を示すグラフ、第９図は基体保持構造を
示す断面図、第１０図、第１１図、第１２図は他
の製造装置の各概略図である。 なお、図面に示した符号において、１１……導
電性スクリーン基体、１３……絶縁層、１４……
（Al）導電膜、１５……感光層、１６……電荷輸
送層、１７……感光性スクリーン、２０……蒸発
源、２１……Al蒸気、２２……マンドレル、２
３……スリツト、２４……遮蔽板である。
Claims (1)
- １ 薄膜構成物質の粒子を飛翔させ、対向配置さ
れかつ多数の開口を有するスクリーン基体上に堆
積させるに際し、前記粒子の飛翔源と前記スクリ
ーン基体との間の距離を制御することによつて、
前記スクリーン基体へ向かう粒子流が互いに実質
的に平行となるように操作することを特徴とする
薄膜形成方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17476983A JPS6067658A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 薄膜形成方法 |
| US06/649,858 US4601922A (en) | 1983-09-21 | 1984-09-12 | Method of forming a layer of thin film on a substrate having a multiplicity of mesh-like holes |
| DE19843434433 DE3434433A1 (de) | 1983-09-21 | 1984-09-19 | Verfahren und vorrichtung zum erzeugen einer duennen schicht auf einem substrat |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17476983A JPS6067658A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6067658A JPS6067658A (ja) | 1985-04-18 |
| JPH0350831B2 true JPH0350831B2 (ja) | 1991-08-02 |
Family
ID=15984343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17476983A Granted JPS6067658A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6067658A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4824544A (en) * | 1987-10-29 | 1989-04-25 | International Business Machines Corporation | Large area cathode lift-off sputter deposition device |
| US5171412A (en) * | 1991-08-23 | 1992-12-15 | Applied Materials, Inc. | Material deposition method for integrated circuit manufacturing |
-
1983
- 1983-09-21 JP JP17476983A patent/JPS6067658A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6067658A (ja) | 1985-04-18 |
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