JPH0346545B2 - - Google Patents
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- JPH0346545B2 JPH0346545B2 JP58174774A JP17477483A JPH0346545B2 JP H0346545 B2 JPH0346545 B2 JP H0346545B2 JP 58174774 A JP58174774 A JP 58174774A JP 17477483 A JP17477483 A JP 17477483A JP H0346545 B2 JPH0346545 B2 JP H0346545B2
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- Japan
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- mandrel
- particles
- substrate
- particle flow
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
1 産業上の利用分野
本発明は薄膜形成装置に関するものである。
2 従来技術
従来、多数の開口(特に、微細なメツシユ状開
口)を有する感光性スクリーンに静電荷像を形成
し、この静電荷像によりイオン流(例えば正イオ
ン粒子)の通過を制御して、帯電可能な層(例え
ば感光体ドラムの感光層)に所定の静電荷像を形
成する多色電子写真複写方式が知られている。
口)を有する感光性スクリーンに静電荷像を形成
し、この静電荷像によりイオン流(例えば正イオ
ン粒子)の通過を制御して、帯電可能な層(例え
ば感光体ドラムの感光層)に所定の静電荷像を形
成する多色電子写真複写方式が知られている。
第1図には、例えば白地に黒色画像部と赤色画
像部とからなる2色原稿から画像を再現するため
の2色刷り用複写機が示されている。この装置本
体の上部には往復動する原稿台41が設けられて
おり、この原稿台41上に裁置された原稿25は
照明ランプ42により照明される。43,44は
ミラー、45は固定レンズ、46は光路中に出入
れし得るように構成された可動の赤色フイルタ
ー、47は赤色光を反射させ、赤色と補色関係に
あるシアン色は通過させる可動式のダイクロイツ
クフイルターであり、光路中に出入れし得るよう
に構成されている。第1図では赤色フイルター4
6は光路からはずれ、ダイクロイツクフイルター
47は光路中に配置されている状態を示してい
る。ドラム状をなした感光体53の表面に感光層
18が設けられ、感光体53が時計方向に回転す
ると感光層18がコロナ帯電器54によつて均一
に帯電される。感光層18はセレンあるいは有機
半導体などにより作られる。感光体53の周辺に
は、感光層18を均一に帯電する帯電器54と、
正に帯電された黒色トナーを有する黒色現像器4
8と、正に帯電された赤色トナーを有する赤色現
像器49と、感光層18上に残留するトナーおよ
び電荷を除去するクリーニング装置30とが配置
されている。31は感光体53と同径で、感光層
18と接触して従動するか又は反時計方向に回転
する転写ドラムである。63はコロナ放電器から
なる転写電極、32は複写紙給紙皿、33は複写
紙給紙皿32に収納された複写紙52を一枚ずつ
給紙する給紙ローラ、34は複写紙を転写ドラム
31に搬送する第1搬送ローラ、35は転写後に
複写ドラム31から分離し易くするための除電を
行なう静電分離器、36は複写紙をドラム31か
ら強制的に分離する分離爪である。
像部とからなる2色原稿から画像を再現するため
の2色刷り用複写機が示されている。この装置本
体の上部には往復動する原稿台41が設けられて
おり、この原稿台41上に裁置された原稿25は
照明ランプ42により照明される。43,44は
ミラー、45は固定レンズ、46は光路中に出入
れし得るように構成された可動の赤色フイルタ
ー、47は赤色光を反射させ、赤色と補色関係に
あるシアン色は通過させる可動式のダイクロイツ
クフイルターであり、光路中に出入れし得るよう
に構成されている。第1図では赤色フイルター4
6は光路からはずれ、ダイクロイツクフイルター
47は光路中に配置されている状態を示してい
る。ドラム状をなした感光体53の表面に感光層
18が設けられ、感光体53が時計方向に回転す
ると感光層18がコロナ帯電器54によつて均一
に帯電される。感光層18はセレンあるいは有機
半導体などにより作られる。感光体53の周辺に
は、感光層18を均一に帯電する帯電器54と、
正に帯電された黒色トナーを有する黒色現像器4
8と、正に帯電された赤色トナーを有する赤色現
像器49と、感光層18上に残留するトナーおよ
び電荷を除去するクリーニング装置30とが配置
されている。31は感光体53と同径で、感光層
18と接触して従動するか又は反時計方向に回転
する転写ドラムである。63はコロナ放電器から
なる転写電極、32は複写紙給紙皿、33は複写
紙給紙皿32に収納された複写紙52を一枚ずつ
給紙する給紙ローラ、34は複写紙を転写ドラム
31に搬送する第1搬送ローラ、35は転写後に
複写ドラム31から分離し易くするための除電を
行なう静電分離器、36は複写紙をドラム31か
ら強制的に分離する分離爪である。
また、37はヒーター内蔵の定着装置である。
但、実際には複写紙52を案内するガイド板を
設けるが、この図示は省略されている。
設けるが、この図示は省略されている。
一方、感光層18の外側には、光導電層が面す
るように円筒状をなした感光性スクリーンドラム
17が配され、このドラム17は原稿台41およ
び感光層18と同期して反時計方向に回転し得る
ように配置されている。また、このドラム17の
外側周辺には、スクリーン帯電器28と、感光ス
クリーンドラム17上に残留する電荷を除去する
EL(エレクトロルミネセンス)板またはACコロ
ナ除電器などで作つたスクリーン除電器39と、
感光性スクリーンドラム17の内側で感光体53
に対向する位置に荷電粒子を投射する荷電粒子源
(コロナ放電器)19とが設けられている。
るように円筒状をなした感光性スクリーンドラム
17が配され、このドラム17は原稿台41およ
び感光層18と同期して反時計方向に回転し得る
ように配置されている。また、このドラム17の
外側周辺には、スクリーン帯電器28と、感光ス
クリーンドラム17上に残留する電荷を除去する
EL(エレクトロルミネセンス)板またはACコロ
ナ除電器などで作つたスクリーン除電器39と、
感光性スクリーンドラム17の内側で感光体53
に対向する位置に荷電粒子を投射する荷電粒子源
(コロナ放電器)19とが設けられている。
この感光性スクリーン17は、第2図に示す如
く、多数の、微細開口10を有しかつ一方の面が
露出したドラム状導電性スクリーン11と、この
導電性スクリーンの少なくとも他方の面に設けら
れた(図示の例では開口10内の壁面にも設けら
れている)絶縁層13と、この絶縁層上に設けら
れたバイアス用のAl等の導電膜14と、光導電
性(感光)層15と、電荷輸送層16とによつて
構成されている。導電性スクリーン11はステン
レス、Al等の金属メツシユで、絶縁層13はポ
リエチレン等で、感光層15及び電荷輸送層16
は有機光半導体で夫々形成される。
く、多数の、微細開口10を有しかつ一方の面が
露出したドラム状導電性スクリーン11と、この
導電性スクリーンの少なくとも他方の面に設けら
れた(図示の例では開口10内の壁面にも設けら
れている)絶縁層13と、この絶縁層上に設けら
れたバイアス用のAl等の導電膜14と、光導電
性(感光)層15と、電荷輸送層16とによつて
構成されている。導電性スクリーン11はステン
レス、Al等の金属メツシユで、絶縁層13はポ
リエチレン等で、感光層15及び電荷輸送層16
は有機光半導体で夫々形成される。
この感光性スクリーン17の製作に際し、特に
上記導電膜14は第3図に示す如くAl蒸発源2
0の蒸着によつて形成される。ところがこの場
合、蒸発源20からのAl蒸気21のうち、スク
リーン基体11へ向かう部分21′は基体のメツ
シユ状開口10を通して反対側へ飛翔して、基体
11の裏側へ廻り込み易いか、或いは基体11の
裏面へ直接付着してしまう。この結果、第4図の
ように裏面に付着したAl部分によつて導電膜1
4と基体11とが導通(短絡)してしまうことに
なり、不適当である。
上記導電膜14は第3図に示す如くAl蒸発源2
0の蒸着によつて形成される。ところがこの場
合、蒸発源20からのAl蒸気21のうち、スク
リーン基体11へ向かう部分21′は基体のメツ
シユ状開口10を通して反対側へ飛翔して、基体
11の裏側へ廻り込み易いか、或いは基体11の
裏面へ直接付着してしまう。この結果、第4図の
ように裏面に付着したAl部分によつて導電膜1
4と基体11とが導通(短絡)してしまうことに
なり、不適当である。
3 発明の目的
本発明の目的は、基体の裏面へ粒子の付着を充
二分に防止できる装置を提供することにある。
二分に防止できる装置を提供することにある。
4 発明の構成及びその作用効果
即ち、本発明は、
薄膜構成物質の粒子を飛翔させ、対向配置され
た基体上に堆積させる薄膜形成装置において、 前記基体が、筒状に配置されて筒状体を構成し
かつこの筒状体の内側と外側とを連通させる複数
の連通孔が形成された基体であつて、 この基体をその両端部の内周面で支持するマン
ドレルが、基体内周の前記両端部以外の全領域で
前記基体に対して所定の間〓を隔てるように前記
基体の内側に設けられ、 この基体の近傍に、単一の粒子流通過口が形成
された粒子流制御手段が配設され、 前記基体の外側に設けられた前記粒子の飛翔源
(例えば蒸発源やスプレーノズル)から前記粒子
流通過口を介して、前記マンドルの回転に伴つて
回転する前記基体に向けて一定角度の所定方向か
ら前記粒子を導くように構成されている ことを特徴とする薄膜形成装置に係る。
た基体上に堆積させる薄膜形成装置において、 前記基体が、筒状に配置されて筒状体を構成し
かつこの筒状体の内側と外側とを連通させる複数
の連通孔が形成された基体であつて、 この基体をその両端部の内周面で支持するマン
ドレルが、基体内周の前記両端部以外の全領域で
前記基体に対して所定の間〓を隔てるように前記
基体の内側に設けられ、 この基体の近傍に、単一の粒子流通過口が形成
された粒子流制御手段が配設され、 前記基体の外側に設けられた前記粒子の飛翔源
(例えば蒸発源やスプレーノズル)から前記粒子
流通過口を介して、前記マンドルの回転に伴つて
回転する前記基体に向けて一定角度の所定方向か
ら前記粒子を導くように構成されている ことを特徴とする薄膜形成装置に係る。
本発明によれば、筒状に配置された基体の内側
にマンドレルを設け、かつ、単一の粒子流通過口
を介して一定角度の所定方向から粒子を基体に向
けて導くようにしているので、基体の連通孔を通
つて基体内側に飛翔してきた粒子はマンドレルに
付着し、基体の内側の面に浮遊粒子が付着するこ
と(廻り込みによる付着も含む)や直接付着する
ことを効果的に防止する。その上、筒状に配置さ
れた基体は、マンドレルに支持されてこのマンド
レルの回転によつて回転することになり、支持と
回転との双方が安定であり、従つて、形成される
薄膜は均一なものになる。
にマンドレルを設け、かつ、単一の粒子流通過口
を介して一定角度の所定方向から粒子を基体に向
けて導くようにしているので、基体の連通孔を通
つて基体内側に飛翔してきた粒子はマンドレルに
付着し、基体の内側の面に浮遊粒子が付着するこ
と(廻り込みによる付着も含む)や直接付着する
ことを効果的に防止する。その上、筒状に配置さ
れた基体は、マンドレルに支持されてこのマンド
レルの回転によつて回転することになり、支持と
回転との双方が安定であり、従つて、形成される
薄膜は均一なものになる。
5 実施例
以下、本発明の実施例を第5図〜第11図につ
いて説明する。
いて説明する。
第5図には、既述した感光性スクリーンの導電
性スクリーン基体11(実際にはその表面又は外
面上に絶縁層13が既に形成されている。)と、
Al蒸発源20とを10-4〜10-5Torrの真空度に引
かれたベルシヤー(図示省略)内に配し、基体上
にAl蒸着膜(既述の14)を形成する真空蒸着
方法又はその装置を示す。スクリーン基体11
は、マンドレル22の周りにセツトされ、共に例
えば15rpmの速度で回転し得るように配されてい
る。この場合、基体11と蒸発源20との間の領
域において、基体11の近傍にスリツト23付き
の遮蔽板24を設けることが考えられる。この場
合には、第6図に明示する如く、蒸発源20から
のAl蒸気は、一点鎖線21′で示す斜め方向の成
分は遮蔽板24によつて完全に遮断され、基体1
1に対して規制された粒子流21のみがスリツト
23を通して導びかれ、絶縁層13上に順次堆積
するように構成している。また実際には、スリツ
ト23の幅を5mmとすれば、このスリツト幅内に
は第6図に示すように基体11のメツシユ構成部
分が多数個(例えば20個)分収まるように構成さ
れる。
性スクリーン基体11(実際にはその表面又は外
面上に絶縁層13が既に形成されている。)と、
Al蒸発源20とを10-4〜10-5Torrの真空度に引
かれたベルシヤー(図示省略)内に配し、基体上
にAl蒸着膜(既述の14)を形成する真空蒸着
方法又はその装置を示す。スクリーン基体11
は、マンドレル22の周りにセツトされ、共に例
えば15rpmの速度で回転し得るように配されてい
る。この場合、基体11と蒸発源20との間の領
域において、基体11の近傍にスリツト23付き
の遮蔽板24を設けることが考えられる。この場
合には、第6図に明示する如く、蒸発源20から
のAl蒸気は、一点鎖線21′で示す斜め方向の成
分は遮蔽板24によつて完全に遮断され、基体1
1に対して規制された粒子流21のみがスリツト
23を通して導びかれ、絶縁層13上に順次堆積
するように構成している。また実際には、スリツ
ト23の幅を5mmとすれば、このスリツト幅内に
は第6図に示すように基体11のメツシユ構成部
分が多数個(例えば20個)分収まるように構成さ
れる。
このように、スリツト23付きの遮蔽板24に
よつて、Al蒸気(又は分子)の規制された粒子
21のみを選択して基体11上に導びけば、基体
11の表面又は外面上にのみAlを堆積させるこ
とが期待できる。しかし、既述した如く、Al粒
子には基体11のメツシユ状開口10を通過して
基体裏面側へ飛翔する部分もあるので、そのまま
では裏面への粒子付着は防止できない。この事態
は、本例による上記マンドレル22の配置によつ
て効果的に阻止される。
よつて、Al蒸気(又は分子)の規制された粒子
21のみを選択して基体11上に導びけば、基体
11の表面又は外面上にのみAlを堆積させるこ
とが期待できる。しかし、既述した如く、Al粒
子には基体11のメツシユ状開口10を通過して
基体裏面側へ飛翔する部分もあるので、そのまま
では裏面への粒子付着は防止できない。この事態
は、本例による上記マンドレル22の配置によつ
て効果的に阻止される。
即ち、基体裏面側へ飛翔してきた粒子21′は
第6図に明示する如く、マンドレル22上に当た
り、ここで付着せしめられるために、基体11の
裏面へはもはや付着できなくなるのである。ま
た、既述した廻り込みについても、裏面側で浮遊
する粒子がマンドレル22上に付着されるため
に、かなり減少させることができる。
第6図に明示する如く、マンドレル22上に当た
り、ここで付着せしめられるために、基体11の
裏面へはもはや付着できなくなるのである。ま
た、既述した廻り込みについても、裏面側で浮遊
する粒子がマンドレル22上に付着されるため
に、かなり減少させることができる。
上述したマンドレル22について、第7図を用
いてより詳細に説明する。
いてより詳細に説明する。
このマンドレル22は、基体11の内周に近接
して設けられているので、基体11のメツシユを
通過したAl粒子はマンドレル22で阻止され、
基体11の他の内面への付着が効果的に防止され
る。この場合、マンドレル22は実際には、その
本体22′が追加のスリーブ25と接合、一体化
され、このスリーブ25上の両端に嵌め込まれた
リング26に対し上述した基体11が安定に固定
される。ここでは、本体22′とスリーブ25と
の組合せを「マンドレル」と称する。マンドレル
22と基体11との間隔dは1mm以上あればよ
く、10〜20mmとすることも可能である。この間隔
が存在することによつて、製膜後に基体11をマ
ンドレルから取外し易くなり、またマンドレル2
2に対しセツトもし易くなる。
して設けられているので、基体11のメツシユを
通過したAl粒子はマンドレル22で阻止され、
基体11の他の内面への付着が効果的に防止され
る。この場合、マンドレル22は実際には、その
本体22′が追加のスリーブ25と接合、一体化
され、このスリーブ25上の両端に嵌め込まれた
リング26に対し上述した基体11が安定に固定
される。ここでは、本体22′とスリーブ25と
の組合せを「マンドレル」と称する。マンドレル
22と基体11との間隔dは1mm以上あればよ
く、10〜20mmとすることも可能である。この間隔
が存在することによつて、製膜後に基体11をマ
ンドレルから取外し易くなり、またマンドレル2
2に対しセツトもし易くなる。
但、構造的にみて、上記のスリーブ25は必ず
しも設けなくてもよい。
しも設けなくてもよい。
第8図は、他の蒸着装置を示すが、この場合に
は、基体11にバイアス電圧27をかけ、蒸発源
20からの粒子21を電子銃28からの電子によ
つて活性化若しくはイオン化することにより、粒
子21の基体11上への吸着効率を高めている。
は、基体11にバイアス電圧27をかけ、蒸発源
20からの粒子21を電子銃28からの電子によ
つて活性化若しくはイオン化することにより、粒
子21の基体11上への吸着効率を高めている。
第9図は、コイル電極29に高周波38を加
え、公知のRFイオンプレーテイングと同様の原
理で、Arガスを導入しながら蒸着を行なう例で
ある。
え、公知のRFイオンプレーテイングと同様の原
理で、Arガスを導入しながら蒸着を行なう例で
ある。
第10図は、スパツタ法によりAl膜を形成す
る例を示し、Alターゲツト40をArガスによる
プラズマでスパツタし、叩き出されたAl粒子又
はクラスターをスリツト23を介して基体11上
にほぼ垂直に入射させ、上述したAl導電膜14
を形成する。
る例を示し、Alターゲツト40をArガスによる
プラズマでスパツタし、叩き出されたAl粒子又
はクラスターをスリツト23を介して基体11上
にほぼ垂直に入射させ、上述したAl導電膜14
を形成する。
第11図は、上述した各例とは違つて、Al等
の金属以外の物質を製膜する装置を示す。
の金属以外の物質を製膜する装置を示す。
例えば、容器50に収容した絶縁材料51をス
プレーガン55によつて基体11に吹付け、これ
によつて上述した絶縁層13を形成することもで
きる。この場合にも、マンドレル22の存在によ
つて、絶縁材料の飛翔粒子(実際には溶媒との混
合物)が基体11の裏側へ付着することを防止す
ることができる。
プレーガン55によつて基体11に吹付け、これ
によつて上述した絶縁層13を形成することもで
きる。この場合にも、マンドレル22の存在によ
つて、絶縁材料の飛翔粒子(実際には溶媒との混
合物)が基体11の裏側へ付着することを防止す
ることができる。
なお、本発明は、上述の感光性スクリーンに限
らず、他の薄膜、例えば垂直磁気記録層(例えば
Co−Cr膜)の形成にも適用可能であり、その用
途は広範である。また、上述の遮蔽板は複数板組
合せてよいし、スリツトに対し粒子流が収束する
ような電界又は磁界を作用させてもよい。また、
上述のマンドレル22は種々に形状を変更してよ
いし、或いはマンドレルに代る他の粒子除去手
段、例えば基体の内側を強制的に排気する手段
(ブロワを含む。)を設けてもよい。また、基体の
断面形状は矩形状等、他の形状であつてよい。
らず、他の薄膜、例えば垂直磁気記録層(例えば
Co−Cr膜)の形成にも適用可能であり、その用
途は広範である。また、上述の遮蔽板は複数板組
合せてよいし、スリツトに対し粒子流が収束する
ような電界又は磁界を作用させてもよい。また、
上述のマンドレル22は種々に形状を変更してよ
いし、或いはマンドレルに代る他の粒子除去手
段、例えば基体の内側を強制的に排気する手段
(ブロワを含む。)を設けてもよい。また、基体の
断面形状は矩形状等、他の形状であつてよい。
第1図〜第4図は従来例を示すものであつて、
第1図は2色刷り用電子写真複写機の概略断面
図、第2図は感光性スクリーンの一部拡大断面
図、第3図は蒸着時の断面図、第4図は蒸着後の
感光性スクリーンの断面図である。第5図〜第1
1図は本発明の実施例を示すものであつて、第5
図は蒸着時の断面図、第6図は第5図の要部拡大
図、第7図は基体保持構造を示す断面図、第8
図、第9図、第10図、第11図は他の製造装置
の各概略図である。 なお、図面に示した符号において、10……メ
ツシユ状開口、11……導電性スクリーン基体、
13……絶縁層、14……(Al)導電膜、15
……感光層、16……電荷輸送層、17……感光
性スクリーン、20……蒸発源、21……Al蒸
気、22……マンドレル、23……スリツト、2
4……遮蔽板である。
第1図は2色刷り用電子写真複写機の概略断面
図、第2図は感光性スクリーンの一部拡大断面
図、第3図は蒸着時の断面図、第4図は蒸着後の
感光性スクリーンの断面図である。第5図〜第1
1図は本発明の実施例を示すものであつて、第5
図は蒸着時の断面図、第6図は第5図の要部拡大
図、第7図は基体保持構造を示す断面図、第8
図、第9図、第10図、第11図は他の製造装置
の各概略図である。 なお、図面に示した符号において、10……メ
ツシユ状開口、11……導電性スクリーン基体、
13……絶縁層、14……(Al)導電膜、15
……感光層、16……電荷輸送層、17……感光
性スクリーン、20……蒸発源、21……Al蒸
気、22……マンドレル、23……スリツト、2
4……遮蔽板である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 薄膜構成物質の粒子を飛翔させ、対向配置さ
れた基体上に堆積させる薄膜形成装置において、 前記基体が、筒状に配置されて筒状体を構成し
かつこの筒状体の内側と外側とを連通させる複数
の連通孔が形成された基体であつて、 この基体をその両端部の内周面で支持するマン
ドレルが、基体内周の前記両端部以外の全領域で
前記基体に対して所定の間〓を隔てるように前記
基体の内側に設けられ、 この基体の近傍に、単一の粒子流通過口が形成
された粒子流制御手段が配設され、 前記基体の外側に設けられた前記粒子の飛翔源
から前記粒子流通過口を介して、前記マンドレル
の回転に伴つて回転する前記基体に向けて一定角
度の所定方向から前記粒子を導くように構成され
ている ことを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17477483A JPS6067663A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 薄膜形成装置 |
| US06/649,858 US4601922A (en) | 1983-09-21 | 1984-09-12 | Method of forming a layer of thin film on a substrate having a multiplicity of mesh-like holes |
| DE19843434433 DE3434433A1 (de) | 1983-09-21 | 1984-09-19 | Verfahren und vorrichtung zum erzeugen einer duennen schicht auf einem substrat |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17477483A JPS6067663A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6067663A JPS6067663A (ja) | 1985-04-18 |
| JPH0346545B2 true JPH0346545B2 (ja) | 1991-07-16 |
Family
ID=15984429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17477483A Granted JPS6067663A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6067663A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2410080A1 (en) | 2010-07-20 | 2012-01-25 | Japan Super Quartz Corporation | Vitreous silica crucible and method of manufacturing silicon ingot |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW495812B (en) | 2000-03-06 | 2002-07-21 | Semiconductor Energy Lab | Thin film forming device, method of forming a thin film, and self-light-emitting device |
| CN109476121B (zh) * | 2016-08-29 | 2021-03-09 | 东丽株式会社 | 层叠体 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5884970A (ja) * | 1981-11-12 | 1983-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 真空メツキ装置 |
-
1983
- 1983-09-21 JP JP17477483A patent/JPS6067663A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2410080A1 (en) | 2010-07-20 | 2012-01-25 | Japan Super Quartz Corporation | Vitreous silica crucible and method of manufacturing silicon ingot |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6067663A (ja) | 1985-04-18 |
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