JPH0352532B2 - - Google Patents
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- JPH0352532B2 JPH0352532B2 JP17477183A JP17477183A JPH0352532B2 JP H0352532 B2 JPH0352532 B2 JP H0352532B2 JP 17477183 A JP17477183 A JP 17477183A JP 17477183 A JP17477183 A JP 17477183A JP H0352532 B2 JPH0352532 B2 JP H0352532B2
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- photosensitive
- screen
- insulating layer
- film
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
１ 産業上の利用分野
本発明は薄膜形成方法に関するものである。
２ 従来技術
従来、多数の開口（特に、微細なメツシユ状開
口）を有する感光性スクリーンに静電荷像を形成
し、この静電荷像によりイオン流（例えば正イオ
ン粒子）の通過を制御して、帯電可能な層（例え
ば感光体ドラムの感光層）に所定の静電荷像を形
成する多色電子写真複写方式が知られている。 第１図には、例えば白地に黒色画像部と赤色画
像部とからなる２色原稿から画像を再現するため
の２色刷り用複写機が示されている。この装置本
体の上部には往復動する原稿台４１が設けられて
おり、この原稿台４１上に載置された原稿２５は
照明ランプ４２により照明される。４３，４４は
ミラー、４５は固定レンズ、４６は光路中に出入
れし得るように構成された可動の赤色フイルタ
ー、４７は赤色光を反射させ、赤色と補色関係に
あるシアン色は通過させる可動式のダイクロイツ
クフイルターであり、光路中に出入れし得るよう
に構成されている。第５図では赤色フイルター４
６は光路からはずれ、ダイクロイツクフイルター
４７は光路中に配置されている状態を示してい
る。ドラム状をなした感光体５３の表面に感光層
１８が設けられ、感光体５３が時計方向に回転す
ると感光層１８がコロナ帯電器２４によつて均一
に帯電される。感光層１８はセレンあるいは有機
半導体などにより作られる。 感光体５３の周辺には、感光層１８を均一に帯
電する帯電器５４と、正に帯電された黒色トナー
を有する黒色現像器４８と、正に帯電された赤色
トナーを有する赤色現像器４９と、感光層１８上
に残留するトナーおよび電荷を除去するクリーニ
ング装置３０とが配置されている。３１は感光体
５３と同径で、感光層１８と接触して従動するか
又は反時計方向に回転する転写ドラムである。６
３はコロナ放電器からなる転写電極、３２は複写
紙給紙皿、３３は複写紙給紙皿３２に収納された
複写紙５２を一枚ずつ給紙する給紙ローラ、３４
は複写紙を転写ドラム３１に搬送する第１搬送ロ
ーラ、３５は転写後に複写紙をドラム３１から分
離し易くするための除電を行なう静電分離器、３
６は複写紙をドラム３１から強制的に分離する分
離爪である。また、３７はヒーター内蔵の定着装
置である。但、実際には複写紙５２を案内するガ
イド板を設けるが、この図示は省略されている。 一方、感光層１８の外側には、光導電層が面す
るように円筒状をなした感光性スクリーンドラム
１７が配され、このドラム１７は原稿台４１およ
び感光層１８と同期して反時計方向に回転し得る
ように配置されている。また、このドラム１７の
外側周辺には、スクリーン帯電器２８と、感光ス
クリーンドラム１７上に残留する電荷を除去する
EL（エレクトロルミネセンス）板またはACコロ
ナ除電器などで作つたスクリーン除電器３９と、
感光性スクリーンドラム１７の内側で感光体５３
に対向する位置に荷電粒子を投射する荷電粒子源
（コロナ放電器）１９とが設けられている。 この感光性スクリーン１７は、第２図に示す如
く、多数の微細開口１０を有しかつ一方の面が露
出したドラム状導電性スクリーン１１と、この導
電性スクリーンの少なくとも他方の面に設けられ
た（図示の例では開口１０内の壁面にも設けられ
ている）絶縁層１３と、この絶縁層上に設けられ
たバイアス用のAl等の導電膜１４と、光導電性
（感光）層１５と、電荷輸送層１６とによつて構
成されている。導電性スクリーン１１はステンレ
ス、Al等の金属メツシユで、絶縁層１３はポリ
エチレン等で、感光層１５及び電荷輸送層１６は
有機光半導体で夫々形成される。 この感光性スクリーン１７の製作に際し、特に
上記導電膜１４は第３図に示す如くAl蒸発源２
０の蒸着によつて形成される。ところがこの場
合、蒸発源２０からのAl蒸気２１のうち、スク
リーン基体１１に対し斜め方向に入射する部分２
１′は矢印で示すように開口１０を通して基体１
１の裏側へ廻り込み易いか、或いは基体１１の裏
面へ直接付着してしまう。この結果、第４図のよ
うに裏面に付着したAl部分によつて導電膜１４
と基体１１とが導通（短絡）してしまい、その作
用を発揮できなくなる。従つて従来は、電流を流
すことによつて、基体１１上のAl膜１４の比較
的薄い部分１４ａ（特に基体１１のエツジ部分１
１ａに薄く付着した部分）を焼切つて、基体１１
に対する短絡を防いでいる。しかしながら、その
ための作業工程が必要である上に、上記焼切によ
るダメージがAl膜１４に残り、その耐圧が低下
するという欠点がある。 ３ 発明の目的 本発明の目的は、作業容易にして上記導電膜の
如く薄膜を精度よく形成できる方法を提供するこ
とにある。 ４ 発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、幅狭な導電性基体の一方の面
に絶縁層を設け、この絶縁層側においてこの絶縁
層に向けて薄膜形成物質を飛翔させ、前期絶縁上
に膜厚が200〜400Åの導電性薄膜を形成すること
を特徴する薄膜形成方法に係るものである。ここ
で、上記「幅狭な基体」とは、感光性スクリーン
基体の如きメツシユ状基体をはじめ、ストライプ
状基体等の如く、粒子堆積面が狭いものを意味す
る。 本発明によれば、薄膜形成物質を飛翔させ、導
電性スクリーン基体等の幅狭な基体の絶縁層上に
200〜400Åという特定範囲の膜厚に導電性薄膜を
形成するので、薄膜形成物質の飛翔粒子が基体の
表面上にて順次堆積し、既述した如き廻り込みの
影響を著しく低減させ、かつ所望の抵抗値の膜を
常に堆積させることができる。従つて、得られた
薄膜は何らの後処理を加えることなく、そのまま
次の工程（例えば感光層の形成に）供することが
可能である。本発明の堆積膜の厚み範囲は極めて
重要であり、400Åを越えると厚すぎて既述した
如き裏面への廻り込みが発生してしまうのであ
る。このことは、本発明者によつてはじめて見出
された新規で有用な事実であり、後記において、
詳細に説明する。 ５ 実施例 以下、本発明を第５図〜第１０図に示す実施例
について説明する。 第５図には、既述した感光性スクリーンの導電
性スクリーン基体１１（実際にはその表面又は外
面上に絶縁層１３が既に形成されている。）と、
Al蒸発源２０とを10-4〜10-5Torrの真空度に引
かれたベルジヤー（図示省略）内に配し、基体１
１上にAl蒸着膜（既述の１４）を形成する真空
蒸着方法又はその装置を示す。スクリーン基体１
１は、マンドレル２２の周りにセツトされ、共に
例えば15rpmの速度で回転し得るように配されて
いる。 この場合、基体１１と蒸発源２０との間の領域
において、基体１１の近傍にスリツト２３付きの
遮蔽板２４を設けることが考えられる。この場合
には、第６図に明示する如く、蒸発源２０からの
Al蒸気は、一点鎖線２１′で示す斜め方向の成分
は遮蔽板２４によつて完全に遮断され、基体１１
に対して規制された粒子流２１のみがスリツト２
３を通して導びかれ、絶縁層１３上に順次堆積す
るように構成している。スリツト２３を通過する
Al蒸気２１の蒸発源からの角度αは例えば0.5度
に設定される。また実際には、スリツト２３の幅
を５mmとすれば、このスリツト幅内には第６図に
示すように基体１１のメツシユ構成部分が多数個
（例えば20個）分収まるように構成される。 このように、スリツト２３付きの遮蔽板２４に
よつて、Al蒸気（又は分子）の規制された粒子
２１のみを選択して基体１１上に導びけば、基体
１１の表面又は外面上にのみAlが堆積し、その
裏面上へは廻り込み又は基体裏面への直接付着が
防止される。但、スリツト２３の幅によつては、
或いは遮蔽板２４を設けない場合には、上記の廻
り込みを防止できないことがある。 例えば、下記の条件を一定にして操作したとこ
ろ、表−１に示す結果が得られた。 DSM（遮蔽板２４と基体１１との距離）＝５mm DBS（蒸発源２０と遮蔽板２４との距離）＝300mm Ｗ（スリツト２３の幅）＝10mm RAl（蒸発速度）＝１ｇ／min 絶縁層１３の塗布回数＝４回（層は薄め）
口）を有する感光性スクリーンに静電荷像を形成
し、この静電荷像によりイオン流（例えば正イオ
ン粒子）の通過を制御して、帯電可能な層（例え
ば感光体ドラムの感光層）に所定の静電荷像を形
成する多色電子写真複写方式が知られている。 第１図には、例えば白地に黒色画像部と赤色画
像部とからなる２色原稿から画像を再現するため
の２色刷り用複写機が示されている。この装置本
体の上部には往復動する原稿台４１が設けられて
おり、この原稿台４１上に載置された原稿２５は
照明ランプ４２により照明される。４３，４４は
ミラー、４５は固定レンズ、４６は光路中に出入
れし得るように構成された可動の赤色フイルタ
ー、４７は赤色光を反射させ、赤色と補色関係に
あるシアン色は通過させる可動式のダイクロイツ
クフイルターであり、光路中に出入れし得るよう
に構成されている。第５図では赤色フイルター４
６は光路からはずれ、ダイクロイツクフイルター
４７は光路中に配置されている状態を示してい
る。ドラム状をなした感光体５３の表面に感光層
１８が設けられ、感光体５３が時計方向に回転す
ると感光層１８がコロナ帯電器２４によつて均一
に帯電される。感光層１８はセレンあるいは有機
半導体などにより作られる。 感光体５３の周辺には、感光層１８を均一に帯
電する帯電器５４と、正に帯電された黒色トナー
を有する黒色現像器４８と、正に帯電された赤色
トナーを有する赤色現像器４９と、感光層１８上
に残留するトナーおよび電荷を除去するクリーニ
ング装置３０とが配置されている。３１は感光体
５３と同径で、感光層１８と接触して従動するか
又は反時計方向に回転する転写ドラムである。６
３はコロナ放電器からなる転写電極、３２は複写
紙給紙皿、３３は複写紙給紙皿３２に収納された
複写紙５２を一枚ずつ給紙する給紙ローラ、３４
は複写紙を転写ドラム３１に搬送する第１搬送ロ
ーラ、３５は転写後に複写紙をドラム３１から分
離し易くするための除電を行なう静電分離器、３
６は複写紙をドラム３１から強制的に分離する分
離爪である。また、３７はヒーター内蔵の定着装
置である。但、実際には複写紙５２を案内するガ
イド板を設けるが、この図示は省略されている。 一方、感光層１８の外側には、光導電層が面す
るように円筒状をなした感光性スクリーンドラム
１７が配され、このドラム１７は原稿台４１およ
び感光層１８と同期して反時計方向に回転し得る
ように配置されている。また、このドラム１７の
外側周辺には、スクリーン帯電器２８と、感光ス
クリーンドラム１７上に残留する電荷を除去する
EL（エレクトロルミネセンス）板またはACコロ
ナ除電器などで作つたスクリーン除電器３９と、
感光性スクリーンドラム１７の内側で感光体５３
に対向する位置に荷電粒子を投射する荷電粒子源
（コロナ放電器）１９とが設けられている。 この感光性スクリーン１７は、第２図に示す如
く、多数の微細開口１０を有しかつ一方の面が露
出したドラム状導電性スクリーン１１と、この導
電性スクリーンの少なくとも他方の面に設けられ
た（図示の例では開口１０内の壁面にも設けられ
ている）絶縁層１３と、この絶縁層上に設けられ
たバイアス用のAl等の導電膜１４と、光導電性
（感光）層１５と、電荷輸送層１６とによつて構
成されている。導電性スクリーン１１はステンレ
ス、Al等の金属メツシユで、絶縁層１３はポリ
エチレン等で、感光層１５及び電荷輸送層１６は
有機光半導体で夫々形成される。 この感光性スクリーン１７の製作に際し、特に
上記導電膜１４は第３図に示す如くAl蒸発源２
０の蒸着によつて形成される。ところがこの場
合、蒸発源２０からのAl蒸気２１のうち、スク
リーン基体１１に対し斜め方向に入射する部分２
１′は矢印で示すように開口１０を通して基体１
１の裏側へ廻り込み易いか、或いは基体１１の裏
面へ直接付着してしまう。この結果、第４図のよ
うに裏面に付着したAl部分によつて導電膜１４
と基体１１とが導通（短絡）してしまい、その作
用を発揮できなくなる。従つて従来は、電流を流
すことによつて、基体１１上のAl膜１４の比較
的薄い部分１４ａ（特に基体１１のエツジ部分１
１ａに薄く付着した部分）を焼切つて、基体１１
に対する短絡を防いでいる。しかしながら、その
ための作業工程が必要である上に、上記焼切によ
るダメージがAl膜１４に残り、その耐圧が低下
するという欠点がある。 ３ 発明の目的 本発明の目的は、作業容易にして上記導電膜の
如く薄膜を精度よく形成できる方法を提供するこ
とにある。 ４ 発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、幅狭な導電性基体の一方の面
に絶縁層を設け、この絶縁層側においてこの絶縁
層に向けて薄膜形成物質を飛翔させ、前期絶縁上
に膜厚が200〜400Åの導電性薄膜を形成すること
を特徴する薄膜形成方法に係るものである。ここ
で、上記「幅狭な基体」とは、感光性スクリーン
基体の如きメツシユ状基体をはじめ、ストライプ
状基体等の如く、粒子堆積面が狭いものを意味す
る。 本発明によれば、薄膜形成物質を飛翔させ、導
電性スクリーン基体等の幅狭な基体の絶縁層上に
200〜400Åという特定範囲の膜厚に導電性薄膜を
形成するので、薄膜形成物質の飛翔粒子が基体の
表面上にて順次堆積し、既述した如き廻り込みの
影響を著しく低減させ、かつ所望の抵抗値の膜を
常に堆積させることができる。従つて、得られた
薄膜は何らの後処理を加えることなく、そのまま
次の工程（例えば感光層の形成に）供することが
可能である。本発明の堆積膜の厚み範囲は極めて
重要であり、400Åを越えると厚すぎて既述した
如き裏面への廻り込みが発生してしまうのであ
る。このことは、本発明者によつてはじめて見出
された新規で有用な事実であり、後記において、
詳細に説明する。 ５ 実施例 以下、本発明を第５図〜第１０図に示す実施例
について説明する。 第５図には、既述した感光性スクリーンの導電
性スクリーン基体１１（実際にはその表面又は外
面上に絶縁層１３が既に形成されている。）と、
Al蒸発源２０とを10-4〜10-5Torrの真空度に引
かれたベルジヤー（図示省略）内に配し、基体１
１上にAl蒸着膜（既述の１４）を形成する真空
蒸着方法又はその装置を示す。スクリーン基体１
１は、マンドレル２２の周りにセツトされ、共に
例えば15rpmの速度で回転し得るように配されて
いる。 この場合、基体１１と蒸発源２０との間の領域
において、基体１１の近傍にスリツト２３付きの
遮蔽板２４を設けることが考えられる。この場合
には、第６図に明示する如く、蒸発源２０からの
Al蒸気は、一点鎖線２１′で示す斜め方向の成分
は遮蔽板２４によつて完全に遮断され、基体１１
に対して規制された粒子流２１のみがスリツト２
３を通して導びかれ、絶縁層１３上に順次堆積す
るように構成している。スリツト２３を通過する
Al蒸気２１の蒸発源からの角度αは例えば0.5度
に設定される。また実際には、スリツト２３の幅
を５mmとすれば、このスリツト幅内には第６図に
示すように基体１１のメツシユ構成部分が多数個
（例えば20個）分収まるように構成される。 このように、スリツト２３付きの遮蔽板２４に
よつて、Al蒸気（又は分子）の規制された粒子
２１のみを選択して基体１１上に導びけば、基体
１１の表面又は外面上にのみAlが堆積し、その
裏面上へは廻り込み又は基体裏面への直接付着が
防止される。但、スリツト２３の幅によつては、
或いは遮蔽板２４を設けない場合には、上記の廻
り込みを防止できないことがある。 例えば、下記の条件を一定にして操作したとこ
ろ、表−１に示す結果が得られた。 DSM（遮蔽板２４と基体１１との距離）＝５mm DBS（蒸発源２０と遮蔽板２４との距離）＝300mm Ｗ（スリツト２３の幅）＝10mm RAl（蒸発速度）＝１ｇ／min 絶縁層１３の塗布回数＝４回（層は薄め）
【表】
この結果から、Al膜厚を目標とする400Å以下
（例えば300Å程度）とすれば、抵抗値は充分に保
持できるが、その範囲を外れると電流のリークが
生じ易くなることが分る。Al膜厚は薄めの方が、
Al廻り込みの影響が軽減できる。 これを実際の状態で示すと第７図の如くにな
る。即ち、Al膜厚を500ÅとするとAl量が多すぎ
てその粒子流の一部が基体裏面へ廻り込んで付着
し、Al膜−基体間が短絡してしまう。これに対
し、Al膜厚を400Å以下に設定すれば、上記した
如き現象を解消でき、特に200〜250Åで効果が大
きいことが確認されている。 上述したマンドレル２２について、第８図を用
いてより詳細に説明する。 このマンドレル２２は、基体１１の内周に近接
して設けられているので、基体１１のメツシユを
通過したAl粒子はマンドレル２２で阻止され、
基体１１の他の内面への付着が効果的に防止され
る。この場合、マンドレル２２は実際には、追加
のスリーブ２５と接合、一体化され、このスリー
ブ２５上の両端に嵌め込まれたリング２６に対し
上述した基体１１が固定される。 第９図は、他の蒸着装置を示すが、この場合に
は、基体１１にバイアス電圧２７をかけ、蒸発源
２０からの粒子２１を電子銃２８からの電子によ
つて活性化若しくはイオン化することにより、粒
子２１の基体１１上への吸着効率を高めている。 第１０図は、コイル電極２９に高周波３８を加
え、公知のRFイオンプレーテイングと同様の原
理で、Arガスを導入しながら蒸着を行なう例で
ある。 第１１図は、スパツタ法によりAl膜を形成す
る例を示し、Alターゲツト４０をArガスによる
プラズマでスパツタし、叩き出されたAl粒子又
はクラスターをスリツト２３を介して基体１１上
にほぼ垂直に入射させ、上述したAl導電膜１４
を形成する。 なお、本発明は、上述の感光性スクリーンに限
らず、他の薄膜の形成にも適用でき、また参考迄
に述べると、例えば垂直磁気記録層（例えばCo
−Cr膜）の形成にも適用可能である。また、上
述の遮蔽板は複数板組合わせてよいし、スリツト
に対し粒子流が収束するような電界又は磁界を作
用させてもよい。また、上述の遮蔽板は必ずしも
設けなくてもよい。また、基体の断面形状は矩形
等、他の形状であつてもよい。
（例えば300Å程度）とすれば、抵抗値は充分に保
持できるが、その範囲を外れると電流のリークが
生じ易くなることが分る。Al膜厚は薄めの方が、
Al廻り込みの影響が軽減できる。 これを実際の状態で示すと第７図の如くにな
る。即ち、Al膜厚を500ÅとするとAl量が多すぎ
てその粒子流の一部が基体裏面へ廻り込んで付着
し、Al膜−基体間が短絡してしまう。これに対
し、Al膜厚を400Å以下に設定すれば、上記した
如き現象を解消でき、特に200〜250Åで効果が大
きいことが確認されている。 上述したマンドレル２２について、第８図を用
いてより詳細に説明する。 このマンドレル２２は、基体１１の内周に近接
して設けられているので、基体１１のメツシユを
通過したAl粒子はマンドレル２２で阻止され、
基体１１の他の内面への付着が効果的に防止され
る。この場合、マンドレル２２は実際には、追加
のスリーブ２５と接合、一体化され、このスリー
ブ２５上の両端に嵌め込まれたリング２６に対し
上述した基体１１が固定される。 第９図は、他の蒸着装置を示すが、この場合に
は、基体１１にバイアス電圧２７をかけ、蒸発源
２０からの粒子２１を電子銃２８からの電子によ
つて活性化若しくはイオン化することにより、粒
子２１の基体１１上への吸着効率を高めている。 第１０図は、コイル電極２９に高周波３８を加
え、公知のRFイオンプレーテイングと同様の原
理で、Arガスを導入しながら蒸着を行なう例で
ある。 第１１図は、スパツタ法によりAl膜を形成す
る例を示し、Alターゲツト４０をArガスによる
プラズマでスパツタし、叩き出されたAl粒子又
はクラスターをスリツト２３を介して基体１１上
にほぼ垂直に入射させ、上述したAl導電膜１４
を形成する。 なお、本発明は、上述の感光性スクリーンに限
らず、他の薄膜の形成にも適用でき、また参考迄
に述べると、例えば垂直磁気記録層（例えばCo
−Cr膜）の形成にも適用可能である。また、上
述の遮蔽板は複数板組合わせてよいし、スリツト
に対し粒子流が収束するような電界又は磁界を作
用させてもよい。また、上述の遮蔽板は必ずしも
設けなくてもよい。また、基体の断面形状は矩形
等、他の形状であつてもよい。
第１図〜第４図は従来例を示すものであつて、
第１図は２色刷り用電子写真複写機の概略断面
図、第２図は感光性スクリーンの一部拡大断面
図、第３図は蒸着時の断面図、第４図は蒸着後の
感光性スクリーンの断面図である。第５図〜第１
１図は本発明の実施例を示すものであつて、第５
図は蒸着時の断面図、第６図は第５図の要部拡大
図、第７図Ａ，Ｂ，Ｃ，ＤはAl膜厚を変えた場
合の基体の各断面図、第８図は基体保持構造を示
す断面図、第９図、第１０図、第１１図は他の製
造装置の各概略図である。 なお、図面に示した符号において、１１……導
電性スクリーン基体、１３……絶縁層、１４……
（Al）導電膜、１５……感光層、１６……電荷輸
送層、１７……感光性スクリーン、２０……蒸発
源、２１……Al蒸気、２２……マンドレル、２
３……スリツト、２４……遮蔽板である。
第１図は２色刷り用電子写真複写機の概略断面
図、第２図は感光性スクリーンの一部拡大断面
図、第３図は蒸着時の断面図、第４図は蒸着後の
感光性スクリーンの断面図である。第５図〜第１
１図は本発明の実施例を示すものであつて、第５
図は蒸着時の断面図、第６図は第５図の要部拡大
図、第７図Ａ，Ｂ，Ｃ，ＤはAl膜厚を変えた場
合の基体の各断面図、第８図は基体保持構造を示
す断面図、第９図、第１０図、第１１図は他の製
造装置の各概略図である。 なお、図面に示した符号において、１１……導
電性スクリーン基体、１３……絶縁層、１４……
（Al）導電膜、１５……感光層、１６……電荷輸
送層、１７……感光性スクリーン、２０……蒸発
源、２１……Al蒸気、２２……マンドレル、２
３……スリツト、２４……遮蔽板である。
Claims (1)
- １ 幅狭な導電性基体の一方の面に絶縁層を設
け、この絶縁層側においてこの絶縁層に向けて薄
膜形成物質を飛翔させ、前記絶縁層上に膜厚が
200〜400〓の導電性薄膜を形成することを特徴と
する薄膜形成方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17477183A JPS6067660A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 薄膜形成方法 |
| US06/649,858 US4601922A (en) | 1983-09-21 | 1984-09-12 | Method of forming a layer of thin film on a substrate having a multiplicity of mesh-like holes |
| DE19843434433 DE3434433A1 (de) | 1983-09-21 | 1984-09-19 | Verfahren und vorrichtung zum erzeugen einer duennen schicht auf einem substrat |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17477183A JPS6067660A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6067660A JPS6067660A (ja) | 1985-04-18 |
| JPH0352532B2 true JPH0352532B2 (ja) | 1991-08-12 |
Family
ID=15984378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17477183A Granted JPS6067660A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6067660A (ja) |
-
1983
- 1983-09-21 JP JP17477183A patent/JPS6067660A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6067660A (ja) | 1985-04-18 |
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