JPS6067660A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
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- JPS6067660A JPS6067660A JP17477183A JP17477183A JPS6067660A JP S6067660 A JPS6067660 A JP S6067660A JP 17477183 A JP17477183 A JP 17477183A JP 17477183 A JP17477183 A JP 17477183A JP S6067660 A JPS6067660 A JP S6067660A
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- Japan
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- film
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
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- Organic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１、産業上の利用分野
本発明は薄膜形成方法に関するものである。
２、従来技術
従来、多数の開口（特に、微細なメソシュ状開口）を有
する感光性スクリーンに静電荷像を形成し、この静電荷
像によりイオン流（例えば正イオン粒子）の通過を制御
して、帯電可能な層（例えば感光体ドラムの感光層）に
所定の静電荷像を形成する多色電子写真複写方式が知ら
れている。
する感光性スクリーンに静電荷像を形成し、この静電荷
像によりイオン流（例えば正イオン粒子）の通過を制御
して、帯電可能な層（例えば感光体ドラムの感光層）に
所定の静電荷像を形成する多色電子写真複写方式が知ら
れている。
第１図には、例えば白地に黒色画像部と赤色画像部とか
らなる２色原稿から画像を再現するだめの２色刷り用複
写機が示されている。この装置本体の上部には往復動す
る原稿台４１が設けられており、この原稿台４１上に載
置された原稿２５は照明ランプ４２により照明される。
らなる２色原稿から画像を再現するだめの２色刷り用複
写機が示されている。この装置本体の上部には往復動す
る原稿台４１が設けられており、この原稿台４１上に載
置された原稿２５は照明ランプ４２により照明される。
４３．４４はミラー、４５は固定レンズ、４６は光路中
に出入れし得るように構成された可動の赤色フィルター
、４７は赤色光を反射させ、赤色と補色関係にあるシア
ン色は通過させる可動式のダイクロイックフィルターで
あり、光路中に出入れし得るように構成されている。第
５図では赤色フィルター４６は光路からはずれ、グイク
ロイソタフイルター４７は光路中に配置されている状態
を示している。ドラム状をなした感光体５３の表面に感
光層１８が設けられ、感光体５３が時計方向に回転する
と感光層１８がコロナ帯電器２４によって均一に帯電さ
れる。感光層１８はセレンあるいは有機半導体などによ
り作られる。
に出入れし得るように構成された可動の赤色フィルター
、４７は赤色光を反射させ、赤色と補色関係にあるシア
ン色は通過させる可動式のダイクロイックフィルターで
あり、光路中に出入れし得るように構成されている。第
５図では赤色フィルター４６は光路からはずれ、グイク
ロイソタフイルター４７は光路中に配置されている状態
を示している。ドラム状をなした感光体５３の表面に感
光層１８が設けられ、感光体５３が時計方向に回転する
と感光層１８がコロナ帯電器２４によって均一に帯電さ
れる。感光層１８はセレンあるいは有機半導体などによ
り作られる。
感光体５３の周辺には、感光層１８を均一に帯電する帯
電器５４と、正に帯電された黒色トナーを有する黒色現
像器４８と、正に帯電された赤色トナーを有する赤色現
像器４９と、感光層１８上に残留するトナーおよび電荷
を除去するクリーニング装置３０とが配置されている。
電器５４と、正に帯電された黒色トナーを有する黒色現
像器４８と、正に帯電された赤色トナーを有する赤色現
像器４９と、感光層１８上に残留するトナーおよび電荷
を除去するクリーニング装置３０とが配置されている。
３１は感光体５３と同径で、感光層１８と接触して従動
するか又は反時計方向に回転する転写ドラムである。６
３はコロナ放電器からなる転写電極、３２は複写紙給紙
型、３３ば複写紙給紙型３２に収納された複写紙５２を
一枚ずつ給紙する給紙ローラ、３４は複写紙を転写ドラ
ム３１に搬送する第１ｔｌｌ送ローラ、３５は転写後に
複写紙をドラム３１から分離し易くするための除電を行
なう静電分離器、３６は複写紙をドラム３１から強制的
に分離する分離爪である。また、３７はヒーター内蔵の
定着装置である。但、実際には複写紙５２を案内するガ
イド板を設けるが、この図示は省略されている。
するか又は反時計方向に回転する転写ドラムである。６
３はコロナ放電器からなる転写電極、３２は複写紙給紙
型、３３ば複写紙給紙型３２に収納された複写紙５２を
一枚ずつ給紙する給紙ローラ、３４は複写紙を転写ドラ
ム３１に搬送する第１ｔｌｌ送ローラ、３５は転写後に
複写紙をドラム３１から分離し易くするための除電を行
なう静電分離器、３６は複写紙をドラム３１から強制的
に分離する分離爪である。また、３７はヒーター内蔵の
定着装置である。但、実際には複写紙５２を案内するガ
イド板を設けるが、この図示は省略されている。
一方、感光層１８の外側には、光導電層が面するように
円筒状をなした感光性スクリーンドラム１７が配され、
このドラム１７は原稿台４１および感光層１８と同期し
て反時計方向に回転し得るように配置されている。また
、このドラム１７の外側周辺には、スクリーン帯電器２
８と、感光スクリーンドラム１７上に残留する電荷を除
去するＥＬ（エレクトロルミネセンス）板またはＡ、Ｃ
コロナ除電器などで作ったスクリーン除電器３９と、感
光性スクリーンドラム１７の内側で感光体５３に対向す
る位置に荷電粒子を投射す墨荷電粒子源（コロナ放電器
）１９とが設けられている。
円筒状をなした感光性スクリーンドラム１７が配され、
このドラム１７は原稿台４１および感光層１８と同期し
て反時計方向に回転し得るように配置されている。また
、このドラム１７の外側周辺には、スクリーン帯電器２
８と、感光スクリーンドラム１７上に残留する電荷を除
去するＥＬ（エレクトロルミネセンス）板またはＡ、Ｃ
コロナ除電器などで作ったスクリーン除電器３９と、感
光性スクリーンドラム１７の内側で感光体５３に対向す
る位置に荷電粒子を投射す墨荷電粒子源（コロナ放電器
）１９とが設けられている。
この感光性スクリーン１７は、第２図に示す如く、多数
の微細開口１０を有しかつ一方の面が露出したドラム状
導電性スクリーン１１と、この導電性スクリーンの少な
くとも他方の面に設けられた（図示の例では開口１０内
の壁面にも設けられている）絶縁層１３と、この絶縁層
上に設けられたバイアス用のへβ等の導電膜１４と、光
導電性（感光）層１５と、電荷輸送層１６とによって構
成されている。導電性スクリーン１１はステンレス、Ａ
ｌ等の金属メソシュで、絶縁層１３はポリエチレン等で
、感光１ｉ１５及び電荷輸送層１６は有機光半導体で夫
々形成される。
の微細開口１０を有しかつ一方の面が露出したドラム状
導電性スクリーン１１と、この導電性スクリーンの少な
くとも他方の面に設けられた（図示の例では開口１０内
の壁面にも設けられている）絶縁層１３と、この絶縁層
上に設けられたバイアス用のへβ等の導電膜１４と、光
導電性（感光）層１５と、電荷輸送層１６とによって構
成されている。導電性スクリーン１１はステンレス、Ａ
ｌ等の金属メソシュで、絶縁層１３はポリエチレン等で
、感光１ｉ１５及び電荷輸送層１６は有機光半導体で夫
々形成される。
この感光性スクリーン１７の製作に際し、特に上記導電
膜１４は第３図に示す如＜／ｌ蒸発源２０の蒸着によっ
て形成される。ところがこの場合、蒸発源２０からのＡ
ｊ２蒸気２１のうち、スクリーン基体１１に対し斜め方
向に入射する部分２１′は矢印で示すように開口１０を
通して基体１１の裏側へ廻り込み易いか、或いは基体１
１の裏面へ直接付着してしまう。
膜１４は第３図に示す如＜／ｌ蒸発源２０の蒸着によっ
て形成される。ところがこの場合、蒸発源２０からのＡ
ｊ２蒸気２１のうち、スクリーン基体１１に対し斜め方
向に入射する部分２１′は矢印で示すように開口１０を
通して基体１１の裏側へ廻り込み易いか、或いは基体１
１の裏面へ直接付着してしまう。
この結果、第４゛図のように裏面に付着したＡ１１部分
によって導電１１！ｉ！１４と基体１１とが導通（短絡
）してしまい、その作用を発揮できなくなる。従って従
来は、電流を流すことによって、基体１１上のＡβ膜１
４の比較的薄い部分１４ａ（特に基体１１のエツジ部分
１１ａに薄く付着した部分）を焼切って、基体１１に対
する短絡を防いでいる。しかしながら、そのための作業
工程が必要である上に、上記焼切によるダメージがＡβ
膜１４に残り、その耐圧が低下するという欠点がある。
によって導電１１！ｉ！１４と基体１１とが導通（短絡
）してしまい、その作用を発揮できなくなる。従って従
来は、電流を流すことによって、基体１１上のＡβ膜１
４の比較的薄い部分１４ａ（特に基体１１のエツジ部分
１１ａに薄く付着した部分）を焼切って、基体１１に対
する短絡を防いでいる。しかしながら、そのための作業
工程が必要である上に、上記焼切によるダメージがＡβ
膜１４に残り、その耐圧が低下するという欠点がある。
３、発明の目的
本発明の目的は、作業容易にして上記導電膜の如き薄膜
を精度よく形成できる方法を提（ｊ目“ることにある。
を精度よく形成できる方法を提（ｊ目“ることにある。
４、発明の構成及びその作用効果
即ち、本発明は、薄膜構成物質の粒子（例えばＡｌ）を
飛翔させ、対向配置された幅狭な基体上に堆積させるに
際し、こ、の基体上の堆積膜の膜厚が２００〜４００人
となるように操作することを特徴とする薄膜形成方法に
係るものである。ここで、上記「幅狭な基体」とは、感
光性スクリーン基体の如きメツシュ状基体をはじめ、ス
トライブ状基体等の如く、粒子堆積面が狭いものを意味
する。
飛翔させ、対向配置された幅狭な基体上に堆積させるに
際し、こ、の基体上の堆積膜の膜厚が２００〜４００人
となるように操作することを特徴とする薄膜形成方法に
係るものである。ここで、上記「幅狭な基体」とは、感
光性スクリーン基体の如きメツシュ状基体をはじめ、ス
トライブ状基体等の如く、粒子堆積面が狭いものを意味
する。
本発明によれば、薄膜構成物質の粒子を幅狭な基体に対
し２００〜４００人という特定範囲の厚みに堆積させる
ので、粒子が基体の表面上にて順次堆積し、既述した如
き廻り込みの影響を著しく低減させ、かつ所望の堺抗値
の膜を常に堆積させることができる。従って、得られた
薄膜は何らの後処理を加えることなく、そのまま次の工
程（例えば感光層の形成に）供することが可能である。
し２００〜４００人という特定範囲の厚みに堆積させる
ので、粒子が基体の表面上にて順次堆積し、既述した如
き廻り込みの影響を著しく低減させ、かつ所望の堺抗値
の膜を常に堆積させることができる。従って、得られた
薄膜は何らの後処理を加えることなく、そのまま次の工
程（例えば感光層の形成に）供することが可能である。
本発明の堆積膜の厚み範囲は極めて重要であり、２００
人未満にすると薄すぎて導電膜の場合のその抵抗値が上
りすぎ、また４００人を越えると厚ずぎて既述した如き
裏面への廻り込みが発生してしまうのである。このこと
は、本発明者によっζはじめて見出された新規で有用な
事実であり、後記において詳細に説明する。
人未満にすると薄すぎて導電膜の場合のその抵抗値が上
りすぎ、また４００人を越えると厚ずぎて既述した如き
裏面への廻り込みが発生してしまうのである。このこと
は、本発明者によっζはじめて見出された新規で有用な
事実であり、後記において詳細に説明する。
５、実施例
以下、本発明を第５図〜第１０図に示す実施例について
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第５図には、既述した感光性スクリーンの導電性スクリ
ーン基体１１（実際にはその表面又は外面上に絶縁Ｆ！
１ｉ１３が既に形成されている。）と、Ａｎ−今 −ｒ 蒸発源２０とを１０〜１０Ｔｏｒｒの真空度に引かれた
ペルジャー（図示省略）内に配し、基体１１上にＡｊ２
蒸着膜（既述の１４）を形成する真空蒸着方法又はその
装置を示す。スクリーン基体１１ば、マンドレル２２の
周りにセットされ、共に例えば１５ｒｐｍの速度で回転
し得るように配されている。
ーン基体１１（実際にはその表面又は外面上に絶縁Ｆ！
１ｉ１３が既に形成されている。）と、Ａｎ−今 −ｒ 蒸発源２０とを１０〜１０Ｔｏｒｒの真空度に引かれた
ペルジャー（図示省略）内に配し、基体１１上にＡｊ２
蒸着膜（既述の１４）を形成する真空蒸着方法又はその
装置を示す。スクリーン基体１１ば、マンドレル２２の
周りにセットされ、共に例えば１５ｒｐｍの速度で回転
し得るように配されている。
この場合、基体１１と蒸発源２０との間の領域において
、基体１１の近傍にスリット２３（＝Ｊきの遮蔽板２４
を設けることが考えられる。この場合には、第６図に明
示する如く、蒸発源２０からのＡｊ！蒸気は、一点鎖線
２１′で示す斜め方向の成分は遮蔽板２４によって完全
に遮断され、基体１１に対して規制された粒子流２１の
みがスリット２３を通して導びかれ、絶縁ＪｉＮ１３上
に順次堆積するように構成している。スリット２３を通
過するＡ２蒸気２１の蒸発源からの角度αは例えば０．
５度に設定される。また実際には、スリット２３の幅を
５ｖｗとすれば、このスリット幅内には第６図に示すよ
うに基体１１のメ・ノシｊ−構成部分が多数個（例えば
２０個）分収まるように構成される。
、基体１１の近傍にスリット２３（＝Ｊきの遮蔽板２４
を設けることが考えられる。この場合には、第６図に明
示する如く、蒸発源２０からのＡｊ！蒸気は、一点鎖線
２１′で示す斜め方向の成分は遮蔽板２４によって完全
に遮断され、基体１１に対して規制された粒子流２１の
みがスリット２３を通して導びかれ、絶縁ＪｉＮ１３上
に順次堆積するように構成している。スリット２３を通
過するＡ２蒸気２１の蒸発源からの角度αは例えば０．
５度に設定される。また実際には、スリット２３の幅を
５ｖｗとすれば、このスリット幅内には第６図に示すよ
うに基体１１のメ・ノシｊ−構成部分が多数個（例えば
２０個）分収まるように構成される。
このように、スリット２３付きの遮蔽板２４によって、
ＡＩ蒸気（又は分子）の規制された粒子２１のみを選択
して基体１１上に導びけば、基体１１の表面又は外面上
にのみ／ｌが堆積し、その裏面」二へは廻り込み又は基
体裏面−の直接付着が防止される。
ＡＩ蒸気（又は分子）の規制された粒子２１のみを選択
して基体１１上に導びけば、基体１１の表面又は外面上
にのみ／ｌが堆積し、その裏面」二へは廻り込み又は基
体裏面−の直接付着が防止される。
但、スリット２３の幅によっては、或いは遮蔽板２４を
設けない場合には、上記の廻り込みを防止できないこと
がある。
設けない場合には、上記の廻り込みを防止できないこと
がある。
例えば、下記の条件を一定にし−で操作したところ、表
−１に示す結果が得られた。
−１に示す結果が得られた。
ＤｔＭ（遮蔽板２４と基体１１との距１ｉ１１１） −
５ｍｍＤ６メ （蒸発源２０と遮蔽板２４との距離）
−３００ｍｍ嵌め込まれたリング２６に対し」二連した
基体１１が固定される。
５ｍｍＤ６メ （蒸発源２０と遮蔽板２４との距離）
−３００ｍｍ嵌め込まれたリング２６に対し」二連した
基体１１が固定される。
第９図は、他の蒸着装置を示すが、この場合には、基体
１１にバイアス電圧２７をかけ、蒸発源２０からの粒子
２１を電子銃２８からの電子によって活性化若しくはイ
オン化することにより、粒子２１の基体ｌｌ上への吸着
効率を高めている。
１１にバイアス電圧２７をかけ、蒸発源２０からの粒子
２１を電子銃２８からの電子によって活性化若しくはイ
オン化することにより、粒子２１の基体ｌｌ上への吸着
効率を高めている。
第１０図は、コイル電極２９に高周波３８を加え、公知
のＲＦイオンブレーティングと同様の原理で、Ａｒガス
を導入しながら蒸着を行なう例である。
のＲＦイオンブレーティングと同様の原理で、Ａｒガス
を導入しながら蒸着を行なう例である。
第１１図は、スパッタ法によりＡｌＭｆＡを形成する例
を示し、ＡＩＬターゲット４０をＡｒガスによるプラズ
マでスパッタし、叩き出されたＡＩＬ粒子又はクラスタ
ーをスリン１へ２３を介して基体１１上にほぼ垂直に入
射させ、上述したＡＩｌ導電膜１４を形成する。
を示し、ＡＩＬターゲット４０をＡｒガスによるプラズ
マでスパッタし、叩き出されたＡＩＬ粒子又はクラスタ
ーをスリン１へ２３を介して基体１１上にほぼ垂直に入
射させ、上述したＡＩｌ導電膜１４を形成する。
なお、本発明は、上述の感光性スクリーンに限らず、他
の薄膜、例えば垂直磁気記録Ｊｉｉｉ （例えばＣｏ−
Ｃｒ膜）の形成にも適用可能であり、その用途は広範で
ある。また、上述の遮蔽板は複数板組合わせてよいし、
スリットに対し粒子流が収束するような電界又は磁界を
作用さゼてもよい。また、上述の遮蔽板は必ずしも設け
なくてもよい。
の薄膜、例えば垂直磁気記録Ｊｉｉｉ （例えばＣｏ−
Ｃｒ膜）の形成にも適用可能であり、その用途は広範で
ある。また、上述の遮蔽板は複数板組合わせてよいし、
スリットに対し粒子流が収束するような電界又は磁界を
作用さゼてもよい。また、上述の遮蔽板は必ずしも設け
なくてもよい。
また、基体の断面形状は矩形等、他の形状であ−１でよ
い。
い。
第１図〜第４図は従来例を示すものであって、第１図は
２色刷り用電子写真複写機の概略断面図、 第２図は感光性スクリーンの一部拡大断面図、第３図は
蒸着時の断面図、 第４図は蒸着後の感光性スクリーンの断面図である。 第５図〜第１１図は本発明の実施例を示すものであって
、 第５図は蒸着時の断面図、 第６図は第５図の要部拡大図、 第７図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）はＡβ膜厚を変
えた場合の基体の各断面図、 第８図は基体保持構造を示す断面図、 図 である。 なお、図面に示した符号において、 １１−・−・導電性スクリーン基体 １３−・−絶縁層 １４−−−−− （Ａρ）導電膜 １５−−−−−一感光層 １６−・−電荷輸送層 １７−−−−感光性スクリーン ２０−一一−−−−蒸発源 ２１、−−−Ａａ蒸気 ２２−−−−−−マンドレル ２３−−−−−−スリット ２ｔ−−−一遮蔽板 である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏（他 第７図 （Ａ） （Ｂ） （Ｃ） （Ｄ） 第８図 ２（：ｉ １１ Ｚｂ 第９図 第１０図 第１１図 ４０ （自船手続ネ甫正書 昭和５９年６り／日 １、事件の表示 昭和５８年 特許 願第１７４７７１号２、発明の名称 薄膜形成方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号名 称
（１２７）小西六写真工業株式会社４、代理人 ８、補正の内容 （１）、特許請求の範囲を別紙の通りに訂正します。 （２）、明細書第５頁末行〜第６頁４行目の「薄膜形成
物質・・・・・・・・・である。」を「幅狭な導電性基
体の一方の面に絶縁層を設け、この絶縁層側においてこ
の絶縁層に向け゛Ｃ薄膜形成物質を飛翔させ、前記絶縁
層上に膜厚が４００Ａ以下の導電性薄膜を形成すること
を特徴とする薄膜形成方法に係るものである。」と訂正
します。 （３）、同第６頁８〜１０行目の「薄膜形成物質・・・
・・・・・・粒子が」を「薄膜形成物質を飛翔させ、導
電性スクリーン基体等の幅狭な基体の絶縁層−１−に４
００Å以下という特定範囲の膜厚に導電性薄膜を形成す
るので、Ｍ膜形成物質の飛翔粒子が」と訂正します。 （４）、同第６頁１６〜１８行目の「２００人・・・・
・・・・・また」を削除しまず。 （５）、同第９頁下から２〜１行目の１−２００〜４０
０人」を「４００Å以下」とｄ１正しまず。 （６）、同第１０頁６〜７行目の「１００ 人・・・・
・・・・ｌ−りずぎ、」を削除します。 （７）、同第１０頁１〜２行目の「へ℃膜の抵抗が上り
すぎるか或いは」を削除します。 （８）、同第１０頁１０行目の「２００人〜４００人」
を「を４００Å以下」と訂正します。 （９）、同第１１頁下から３行目の「他の簿膜」を「他
の薄膜の形成にも適用でき、また参考迄に述べると」と
訂正しまず。 ０ω、同第１１頁下から２〜１行目の「であり・・・・
・・・・・である。」を「である。」と訂正します。 −以 上− 特許請求の範囲 １、幅狭な専１丘基体辺：じ屑α面刃１１１」金膜−Ｌ
１−レ の′ １γ 毛】−することを特徴とする薄膜
形成方法。
２色刷り用電子写真複写機の概略断面図、 第２図は感光性スクリーンの一部拡大断面図、第３図は
蒸着時の断面図、 第４図は蒸着後の感光性スクリーンの断面図である。 第５図〜第１１図は本発明の実施例を示すものであって
、 第５図は蒸着時の断面図、 第６図は第５図の要部拡大図、 第７図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）はＡβ膜厚を変
えた場合の基体の各断面図、 第８図は基体保持構造を示す断面図、 図 である。 なお、図面に示した符号において、 １１−・−・導電性スクリーン基体 １３−・−絶縁層 １４−−−−− （Ａρ）導電膜 １５−−−−−一感光層 １６−・−電荷輸送層 １７−−−−感光性スクリーン ２０−一一−−−−蒸発源 ２１、−−−Ａａ蒸気 ２２−−−−−−マンドレル ２３−−−−−−スリット ２ｔ−−−一遮蔽板 である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏（他 第７図 （Ａ） （Ｂ） （Ｃ） （Ｄ） 第８図 ２（：ｉ １１ Ｚｂ 第９図 第１０図 第１１図 ４０ （自船手続ネ甫正書 昭和５９年６り／日 １、事件の表示 昭和５８年 特許 願第１７４７７１号２、発明の名称 薄膜形成方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号名 称
（１２７）小西六写真工業株式会社４、代理人 ８、補正の内容 （１）、特許請求の範囲を別紙の通りに訂正します。 （２）、明細書第５頁末行〜第６頁４行目の「薄膜形成
物質・・・・・・・・・である。」を「幅狭な導電性基
体の一方の面に絶縁層を設け、この絶縁層側においてこ
の絶縁層に向け゛Ｃ薄膜形成物質を飛翔させ、前記絶縁
層上に膜厚が４００Ａ以下の導電性薄膜を形成すること
を特徴とする薄膜形成方法に係るものである。」と訂正
します。 （３）、同第６頁８〜１０行目の「薄膜形成物質・・・
・・・・・・粒子が」を「薄膜形成物質を飛翔させ、導
電性スクリーン基体等の幅狭な基体の絶縁層−１−に４
００Å以下という特定範囲の膜厚に導電性薄膜を形成す
るので、Ｍ膜形成物質の飛翔粒子が」と訂正します。 （４）、同第６頁１６〜１８行目の「２００人・・・・
・・・・・また」を削除しまず。 （５）、同第９頁下から２〜１行目の１−２００〜４０
０人」を「４００Å以下」とｄ１正しまず。 （６）、同第１０頁６〜７行目の「１００ 人・・・・
・・・・ｌ−りずぎ、」を削除します。 （７）、同第１０頁１〜２行目の「へ℃膜の抵抗が上り
すぎるか或いは」を削除します。 （８）、同第１０頁１０行目の「２００人〜４００人」
を「を４００Å以下」と訂正します。 （９）、同第１１頁下から３行目の「他の簿膜」を「他
の薄膜の形成にも適用でき、また参考迄に述べると」と
訂正しまず。 ０ω、同第１１頁下から２〜１行目の「であり・・・・
・・・・・である。」を「である。」と訂正します。 −以 上− 特許請求の範囲 １、幅狭な専１丘基体辺：じ屑α面刃１１１」金膜−Ｌ
１−レ の′ １γ 毛】−することを特徴とする薄膜
形成方法。
Claims (1)
- １、薄膜構成物質の粒子を飛翔させ、対向配置された幅
狭な基体上に堆積させるに際し、この基体上の堆積膜の
膜厚が２００〜４００人となるように操作することを特
徴とする薄膜形成方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17477183A JPS6067660A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 薄膜形成方法 |
| US06/649,858 US4601922A (en) | 1983-09-21 | 1984-09-12 | Method of forming a layer of thin film on a substrate having a multiplicity of mesh-like holes |
| DE19843434433 DE3434433A1 (de) | 1983-09-21 | 1984-09-19 | Verfahren und vorrichtung zum erzeugen einer duennen schicht auf einem substrat |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17477183A JPS6067660A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6067660A true JPS6067660A (ja) | 1985-04-18 |
| JPH0352532B2 JPH0352532B2 (ja) | 1991-08-12 |
Family
ID=15984378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17477183A Granted JPS6067660A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6067660A (ja) |
-
1983
- 1983-09-21 JP JP17477183A patent/JPS6067660A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0352532B2 (ja) | 1991-08-12 |
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