DE3434433A1 - Verfahren und vorrichtung zum erzeugen einer duennen schicht auf einem substrat - Google Patents

Description

Henkel, Pfenning, Feiler, Hänzel & Meinig

KONISHIROKU PHOTO INDUSTRY CO. LTD, Tokio, Japan

343U33

Patentanwälte

European Paieni Attorneys Zugelassene Venreter vor dem Europaischen Patentamt

Dr phil. G Henkel. München Dipl -Ing J. Pfenning. Berlin Dr rer. nat. L Feiler, München Dipl -Ing. W. Hänzel. München Dipl -Phys. K. H. Meinig. Berlin Dr Ing. A. Butenschön. Berlin Dipi.-ng D. Κοίΐτ.ε-ΐΓ. f/ünc'-cn

Möhlstraße 37
D-8000 München 80

Tel.: 089/982085-87 Telex: 0529802 hnkld Teleg^ramm. ellipsoid Telefax (Gr. 2+3)
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174,769/83 comb.

19. September 1984/wa

Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen einer dünnen Schicht auf einem Substrat

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Erzeugen einer dünnen Schicht auf einem Substrat oder Träger durch Bedampfung. 5

Ein bekanntes elektrophotographisches Mehrfarb-Kopiergerät ist typischerweise so ausgebildet, daß ein (elektrostatisches) Ladungsbild auf einem lichtempfindlichen Sieb oder Gitter (screen) mit einer großen Zahl von in ihm ausgebildeten Öffnungen (vorzugsweise maschenartigen Öffnungen) erzeugt und dann auf eine elektrisch aufladbare Schicht (z.B. eine lichtempfindliche Schicht auf einer lichtempfindlichen Trommel) übertragen wird, während dabei ein Strom von Ionenstrahlen (z.B. positive

15 Ionenteilchen) zweckmäßig gesteuert wird.

Fig. 1 veranschaulicht schematisch ein bisheriges elektrophotographisches Zweifarb-Kopiergerät für die Wiedergabe eines zweifarbigen Bilds mit einem schwarzen und einem roten Bildbereich auf einer weißen Papierfläche. Dieses Gerät weist an seiner Oberseite einen geradlinig geführten Vorlagenträger 41 auf, wobei eine auf diesem angeordnete Vorlage mittels eines von Beleuchtungs-

Lampen 42 emittierten Lichtstrahls belichtbar ist. Das Gerät enthält ferner zwei Spiegel 43 und 44, eine feststehende Linse 45, ein bewegbares Rotfilter 46, das in den Strahlengang einführbar und aus ihm zurückziehbar ist, und ein bewegbares dichroitisches Filter 47, das in den Strahlengang einführbar und aus ihm zurückziehbar ist und das rote Licht reflektiert bzw. ausfiltert, aber cyanfarbiges Licht, als Komplementärfarbe zu Rot, durchläßt. Fig. 1 veranschaulicht den Betriebszustand des Geräts, in welchem das Rotfilter 46 aus dem Strahlengang zurückgezogen und das dichroitische Filter 47 in diesen eingeführt ist. Ein lichtempfindlicher Körper 53 in Form einer Trommel weist auf seiner gesamten Umfangs-' oder Mantelfläche eine lichtempfindliche Schicht 18 auf, die bei der Drehung

* 5

des Körpers 53 im Uhrzeigersinn mittels einer Koronaauf ladeeinheit 24 gleichmäßig aufgeladen wird und die aus Selen, einem organischen Halbleiter o.dgl. besteht. 5

In der Nähe des lichtempfindlichen Körpers 53 sind eine Aufladeeinheit (charger) 54 zum gleichmäßigen Aufladen der lichtempfindlichen Schicht 18, eine Schwarz-Entwicklungseinheit 48, die einen positiv geladenen schwarzen Toner enthält, eine einen positiv geladenen roten Toner enthaltende Rot-Entwicklungseinheit 49 und eine Reinigungseinheit 30 zum Beseitigen von Resttoner und elektrischer Ladung von der lichtempfindlichen Schicht 18 angeordnet. Eine denselben Durchmesser wie der lichtempfindliche Körper 53 besitzende Übertragungstrommel 31 dreht sich in betrieblicher Zuordnung (Synchronismus) mit dem Körper 53 und steht dabei in Abrollberührung mit dessen lichtempfindlicher Schicht 18, d.h. sie dreht sich entgegen dem Uhrzeigersinn.

Weiter vorgesehen sind eine Koronaentladungseinheit oder Übertragungselektrode 63, ein Papier-Vorratsfach 32, auf dem ein Stapel von für das elektrophotographische Kopieren geeigneten Papierblättern angeordnet ist, eine Papier-Zufuhrrolle 33 zum vereinzelten Zuführen der Kopierpapiere aus dem Vorratsfach 32, ein erstes Transport- oder Förderrollenpaar 34 zur Förderung der Kopierpapierblätter zur Übertragungstrommel 31, eine elektrostatische Trenneinheit 35 zum Entladen (Beseitigen) der elektrischen Ladung nach Abschluß des Kopiervorgangs zwecks Erleichterung der Trennung des Kopierpapiers von der Übertragungstrommel 31 sowie eine Trennklaue 36 zum zwangsweisen Trennen des Kopierpapiers von der Übertragungstrommel 31. Eine Fixiereinheit 37 weist ein eingebautes Heizelement auf. Tatsächlich ist in das Gerät auch eine aus Vereinfachungsgründen nicht dargestellte Leitplatte eingebaut.

Weiterhin ist in einer in Auswärtsrichtung von der lichtempfindlichen Schicht 18 getrennten Lage eine zylindrische lichtempfindliche Gitter- oder Siebtrommel 17 in der Weise angeordnet, daß ihre photoleitende Schicht der Schicht 18 gegenübersteht. Die Siebtrommel 17 ist zur Drehung entgegen dem Uhrzeigersinn in Synchronismus mit der Bewegung des Vorlagenträgers und der lichtempfindlichen Schicht 18 angeordnet. Im Bereich der Siebtrommel 17 sind weiterhin eine Gitteroder Sieb-Aufladeeinheit 28, eine -Entladungseinheit 39 in Form einer Elektrolumineszenzplatte oder einer Wechselstrom-Koronaentladungseinheit zur Beseitigung von elektrischer Restladung von der Siebtrommel 17 sowie eine Quelle 19 für elektrisch geladene Teilchen (Koronaentladungseinheit) im Inneren der Siebtrommel 17 in einer dem lichtempfindlichen Körper 53 gegenüberstehenden Lage zum Emittieren elektrisch geladener Teilchen oder Ladungsteilchen angeordnet.

Wie aus Fig. 2 hervorgeht, sind in der lichtempfindlichen Siebtrommel 17 zahlreiche sehr feine Poren oder Öffnungen 10 ausgebildet, und sie umfaßt eine trommeiförmige, elektrisch leitfähige Gitter- oder Siebbasis 11, deren eine Fläche nach außen hin frei oder unbedeckt ist, während sie zumindest auf ihrer anderen Fläche (sowie auf den Wandflächen^der Öffnungen 10 im vorliegenden Fall) eine elektrisch isolierende Schicht 13, eine auf diese für Vorspannungszwecke aufgebrachte, elektrisch leitende Schicht 14 aus Aluminium o.dgl., eine photoleitende (lichtempfindliche) Schicht 15 und eine elektrische Ladungen transportierende Schicht aufweist. Insbesondere besteht diese Siebbasis 11 aus einem Metallwerkstoff, wie rostfreier Stahl, Aluminium o.dgl.; die Isolierschicht 13 ist aus Polyethylen o.dgl. hergestellt, und sowohl die lichtempfindliche Schicht 15 als auch die Ladungstransportschicht 16 bestehen jeweils aus einem organischen Halbleiter.

Bei der Herstellung des lichtempfindlichen Gitters oder Siebs 17 wird dessen Photoleiterschicht 13 gemäß Fig. mittels einer Aluminium-Verdampfungsquelle 20, die Aluminiumdampf erzeugt, aufgebracht. Dabei strömt ein mit .21' bezeichneter Teil des Aluminiumdampfes 21 von der Verdampfungsquelle 2 0 unter einem bestimmten Neigungswinkel relativ zur Siebbasis 11 in der durch Pfeile markierten Richtung aufwärts, so daß er durch die Öffnungen 10 hindurchtritt und die von der verdampf ungsquelle 20 abgewandte (Rück-)Seite der Siebbasis 11 erreicht bzw. unmittelbar auf deren Rückseite abgelagert wird. Hierbei gelangt die Photoleiterschicht 14 (unter Kurzschlußbildung) gemäß Fig. 4 über den so auf die Rückseite der Siebbasis 11 aufgedampften A] uminiumteil in elektrische Verbindung mit der Siebbasis 11, so daß c.ie Photoleiterschicht 14 ihre vorgesehene Funktion nicht einwandfrei zu erfüllen vermag. Zur Vermeidung dieser Störung wurde bereits eine Gegenmaßnahme dahingehend vorgeschlagen, daß ein vergleichsweise dünner Teil 14a der auf der Siebbasis 11 aufgedampften Aluminiumschicht 14 (insbesondere an einem Randbereich 11a der Siebbasis) durch Wegbrennen mittels elektrischen Stroms entfernt wird, um damit die Entstehung eines Kurzschlusses zur Siebbasis 11 zu vermeiden. Dieses Vorgehen ist jedoch mit den Problemen behaftet, daß ein zusätzlicher Verfahrensschritt für das Entfernen dieses dünnen Teils erforderlich ist, die Aluminiumschicht 14 durch den Wegbrennvorgang in gewissem Ausmaß beschädigt wird und die Spannungsaushaitefähigkeit bzw. -festigkeit der Aluminiumschicht 14 sicji verringert

Die Erfindung ist nun im Hinblick auf die vorstehend genannten Probleme entwickelt worden.

Aufgabe der Erfindung ist damit die Schaffung eines Verfahrens zum Erzeugen eijier dünnen Schicht (eines

Dünnschichtfilms), z.B. einer elektrisch leitenden Schicht o.dgl., auf einem Substrat.

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren der angegebenen Art, das dadurch gekennzeichnet ist, daß eine große Zahl von Teilchen eines die Dünnschicht bildenden Werkstoffs, z.B. Aluminium, zur Anlagerung an die Oberfläche eines Objekts praktisch unter einem rechten Winkel zu diesem gebracht werden, wobei das Objekt einer die Teilchen erzeugenden oder liefernden Quelle gegenüberstehend angeordnet ist. Es ist darauf hinzuweisen, daß die Angabe "praktisch unter einem rechten Winkel" nicht nur den Fall, in welchem die Teilchen die Objektoberfläche genau unter einem rechten Winkel dazu erreichen, sondern auch den FaI] einschließt, in welchem die Teilchen unter einem kleinen Neigungswinkel gegenüber der lotrechten Ebene auf diese Fläche auftreffen, wobei jedoch keine Teilchen die Rückseite

20 des Objekts erreichen.

Eine Vorrichtung zur Durchführung des vorstehend umrissenen Verfahrens ist dadurch gekennzeichnet, daß eine Abschirmeinrichtung mit einem in dieser ausge

bildeten Schlitz

in der Nähe eines Objekts in Gegen

überstellung zu einer Teilchenerzeugungsquelle zwischen dieser und dem Objekt angeordnet ist, so daß über den Schlitz nur ein sich praktisch in lotrechter Richtung

bewegender Teil d auftrifft.

sr Teilchen auf die Objektoberfläche

ausschließlich

Erfindungsgemäß w Schichtgebilde da oberfläche
gerichtet, daß si einem rechten Winkel lagern sich mithin fläche sb, ohne daß

erden somit Teilchen eines das Dünnstellenden Werkstoffs auf die Objektin einer solchen Richtung ξ die Objektoberfläche praktisch unter

zu dieser erreichen. Die Teilchen übereinander auf der Objektoberirgendwelche Teilchen die Rückseite

des Objekts erreichen oder sich unmittelbar auf dieser ablagern können. Das auf diese Weise hergestellte Dünnschichtgebilde kann daher ohne die Notwendigkeit für eine zusätzliche Bearbeitung einem nächsten Verarbeitungsschritt (z.B. zur Ausbildung einer lichtempfindlichen Schicht) zugeführt werden.

Eine andere Vorrichtung zur Durchführung des oben umrissenen Verfahrens ist dadurch gekennzeichnet, daß die Teilchen über eine in der Nähe des Objekts angeordnete, schlitzförmige Teilchendurchlaßöffnung, die als Steuereinrichtung für den Teilchenstrom dient, zur Oberfläche des Objekts durchgelassen werden und daß die Breite dieser Öffnung möglichst klein festgelegt ist.

Erfindungsgemäß wird die Objektfläche mit Teilchen des das Dünnschichtgebilde bildenden Werkstoffs beaufschlagt, während der Teilchenstrom mittels einer entsprechenden Steuereinrichtung gesteuert wird. Die Teilchen werden dabei auf der Objektfläche übereinander abgelagert, ohne daß Teilchen die Rückseite des Objekts erreichen oder sich auf dieser absetzen. Die so hergestellte Dünnschicht bedarf daher keiner weiteren Behandlung. Da der Schlitz, durch den die Teilchen hindurchtreten, möglichst schmal gewählt ist, kann die Streuungsbreite der Teilchen in Querrichtung oberhalb des als Teilchenstrom-Steuereinrichtung dienenden Schlitzes möglichst klein gehalten werden, so daß sich die Teilchen innerhalb einer vorbestimmten Fläche auf der Objekt(ober)fläche absetzen.

In anderer Ausgestaltung ist das erfindungsgemäße Verfahren dadurch gekennzeichnet, daß die von den Teilchen pro Zeiteinheit zurückzulegende Strecke möglichst klein gewählt ist.

Da hierbei, neben den anderen, oben beschriebenen Maßnahmen, die von den Teilchen zurückzulegende Strecke möglichst klein gewählt ist, kann die Streuungsbreite der Teilchen in Querrichtung oberhalb des als Teilchenstrom-Steuereinrichtung dienenden Schlitzes möglichst klein gehalten werden, so daß sich die Teilchen innerhalb einer vorbestimmten Fläche auf der Objekt(ober)-fläche absetzen.

Eine weitere Ausführungsform einer Vorrichtung zur Erzeugung einer dünnen Schicht oder Dünn(film)schicht, in welcher ein einer Teilchenerzeugungsquelle gegenüberstehend 'angeordnetes Objekt mit einer großen Zahl von Teilchen eines die Dünnschicht bildenden Werkstoffs, (z.B. Aluminium, elektrisches Isoliermaterial o.dgl.) beaufschlagt wird, ist dadurch gekennzeichnet, daß eine eine Ablagerung verhindernde Einrichtung (z.B. ein noch zu beschreibender Dorn) vorgesehen ist, um eine etwa auf der Rückseite des Objekts, von der Teilchenerzeugungsquelle (z.B. Verdampfungsquelle, Sprühdose o.dgl.) her gesehen, entstehende Teilchenablagerungsschicht zu verhindern.

Erfindungsgemäß ist somit eine Teilchenablagerungs-Verhinderungseinrichtung an der Rückseite des Objekts vorgesehen, so daß zur Rückseite des Objekts gelangende Teilchen wirksam daran gehindert werden, sich unmittelbar auf der Objek'trückseite abzusetzen.

30 !

In weiterer Ausgestaltung ist das erfindungsgemäße Verfahren dadurch gekennzeichnet, daß die sich bewegenden Teilchen; durch Einstellung des Abstands zvi-

I
sehen der Tei]cheherzeugungsquelle und dem Objekt in einem praktisch parallelen Strom gehalten werden.

Demzufolge werden! die Teilchen unter Einhaltung einer festen Richtung zur Objektfläche auf dieser überein-

A4

ander abgelagert, wodurch eine mögliche Ankunft einiger Teilchen ar. der Rückseite des Objekts weitgehend ausgeschlossen wird. Die auf diese Weise erzeugte Dünnschicht kann mithin ohne zusätzliche Behandlung dem nächsten Verarbeitungsschritt zugeführt werden.

In noch weiterer Ausgestaltung ist das erfindungsgemäße Verfahren dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Ablagerungsschicht auf dem eine geringe Breite besitzenden Objekt auf weniger als 400 Ä (40 nm) eingestellt wird. Es ist zu bemerken, daß die Angabe "eine geringe Breite besitzendes Objekt" für ein Behandlungs-Objekt einer"verkleinerten Oberfläche, auf welcher Teilchen abgelagert werden sollen, steht. Typische Objekte dieser Art sind Körper in Form einer Gitteroder Maschenstruktur, wie eine lichtempfindliche Gitter- oder Siebbasis, in Form einer Reihe von Stäben o.dgl..

Erfindungsgemäß werden Teilchen eines das Dünnschichtgebilde bildenden Werkstoffs auf der Oberfläche eines eine geringe Breite besitzenden Objekts mit*einer speziell definierten Dicke von weniger als 40 nm (400 Ä) abgelagert. Dabei tiitt weitgehend keine unerwünschte Ablagerung von Teilchen an der Objektrückseite auf, so daß stets eine dünne Schicht eines geforderten Widerstandswert erzielt werden kann. Wie erwähnt, bedarf ein solches Dünnschichtgebilde vor der Weiterverarbeitung keiner zusätzlichen Behandlung. Wie ohne weiteres ersichtlich sein dürfte, stellt die tatsächliche Dicke des Dünnschichtgebildes einen wesentlichen Faktor dar. Wenn diese Dünnschicht dicker ist als 40 nm, kann sich in unerwünschter Weise ein Teil

35 der Teilchen auf der Objektrückseite absetzen.

Im folgenden sind bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung im Vergleich zum Stand der Technik anhand der

* A3.

Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 eine schematische Längsschnittdarstellung des Aufbaus eines bisherigen elektrophoto-

graphischen Zweifarb-Kopiergeräts,

Fig. 2 eine in stark vergrößertem Maßstab gehaltene

Teilschnittdarstellung eines Teils einer lichtempfindlichen Gitter- oder Siebbasis

beim Gerät nach Fig. 1,

Fig. 3 eine in stark vergrößertem Maßstab gehaltene Teilschnittdarstellung der Siebbasis zur Veranschaulichung ihrer Bedampfung mit Teilchen,

Fig. 4 eine den Fig. 2 und 3 ähnelnde Darstellung der Siebbasis nach dem Bedampfen,

Fig. 5 eine Teilschnittdarstellung einer erfindungsgemäßen Vorrichtung, mit welcher die Oberfläche einer Gitter- oder Siebbasis mit (verdampften) Teilchen bedampfbar ist'

25 Fig. 6 eine in vergrößertem Maßstab gehaltene

Schnittansicht eines wesentlichen Teils der Vorrichtung nach Fig. 5,

Fig. 7 eine Fig. 6 ähnelnde Darstellung, die speziell die Lagenbeziehung zwischen den Bauteilen

der Vorrichtung veranschaulicht,

Fig. 8 eine graphische Darstellung der Abhängigkeit

der Teilchenstreuungsbreite vom Abstand 35 zwischen Abschirmplatte und Siebbasis,

Fig. 9 einen schematischen Längsschnitt zur Darstellung der Halterungsart der Siebbasis,

** Al

Fig. 10 eine Schnittansicht einer abgewandelten Vorrichtung, bei welcher ein Elektronenrohr oder Strahlerzeuger seitlich neben der Bewegungsbahn der verdampften Teilchen ange

ordnet ist,

Fig. 11 eine schematische Schnittansicht einer abgewandelten Vorrichtung, bei welcher eine Spulenelektrode (coil electrode) in einer

Lage in lotrechter Flucht mit der Teilchenbewegungsbahn angeordnet ist,

Fig. 12 eine schematische Schnittansicht einer abgewandelten Vorrichtung, bei der ein Aluminium-

Target (Fangelektrode) mittels eines Plasmastrahls zerstäubt (spattered) wird,

Fig. 13 eine graphische Darstellung der Abhängigkeit der Teilchen-Streuungsbreite vom Abstand

zwischen Abschirmplatte und Verdampfungsquelle zur Erzeugung der verdampften Teilchen,

Fig. 14 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen Teilchen-Streuungsbreite und Schlitz

breite,

Fig. 15 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen Teilchen-Streuungsbreite und Schlitzbreite unter Zugrundelegung des Abstands

zwischen Abschirmplatte und Siebbasis als Parameter,

Fig. 16 eine schematische Schnittansicht einer weiter abgewandelten Vorrichtung, bei der eine

Sprühdose zum Aufsprühen oder Aufspritzen eines Isoliermaterials vor der Siebbasis angeordnet ist,

Fig. 17 eine Kennlinien für verschiedene Verdampfungsgeschwindigkeiten enthaltende graphische Darstellung der Abhängigkeit der Teilchen-Streuungsbreite von der Schlitzbreite unter

Heranziehung des Abstands zwischen Abschirmplatte und Siebbasis als Parameter und

Fig. 18 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen Teilchen-Streuungsbreite und Aluminium-

Verdämpfungsgeschwindigkeit bei Konstanthaltung bestimmter Arbeitsbedingungen.

Die Fig. 1 bis 4 sind eingangs bereits beschrieben worden.

Fig. 5 veranschaulicht schematisch ein Verfahren zur Erzeugung einer Aluminium-Bedampfungs- oder -Niederschlagsschicht (eingangs mit 14 bezeichnet) auf einer photoleitenden Gitter- oder Siebbasis 11 (deren Außenfläche bereits mit einer elektrischen Isolierschicht 13 beschichtet ist) mit Hilfe einer Vakuumglocke (nicht dargestellt), in welcher die Siebbasis 11 und eine Aluminium-Verdampfungsquelle 20 unter einem Unterdruck

von 133,3 χ 10~⁴ bis 133,3 χ 10~⁵ Pa (io"⁴ bis 10"⁵Torr) angeordnet sind. Die Siebbasis 11 ist dabei auf einen Dorn 22 aufgesetzt, so daß beide gemeinsam mit einer Drehzahl von z.B. 15/min drehbar sind.

Von Bedeutung ist dabei, daß eine Abschirmplatte 24 mit einem in dieser ausgebildeten Schlitz 23 im Bereich zwischen Siebbasis 11 und Verdampfungsquelle 20 in einer Lage in der Nähe der Siebbasis 11 angeordnet ist. Aufgrund der Anordnung der Abschirmplatte 24 wird ein Teil des Aluminiumdampfes, der von der Verdampfungsquelle 20 längs der strichpunktiert eingezeichneten Linien 21' (Fig. 6) unter einem bestimmten Neigungs-

winkel austritt, von der Abschirmplatte 24 abgefangen, so daß nur der unter einem rechten Winkel zur Siebbasis 11 strömende Teil 21 des Aluminiumdampfes durch den Schlitz 23 hindurchtreten und sich auf der Isolierschicht 13 ablagern kann (vgl. Fig. 6). Der durch den Schlitz 23 hindurchtretende Teil 21 des Aluminiumdampfes bildet an seinen äußeren Begrenzungen einen Winkel ^tC von z.B. 0,5° relativ zu einer zur Verdampfungsquelle senkrechten Ebene. Wenn der Schlitz 23 eine Breite von 5 mm besitzt, liegt eine bestimmte Zahl (z.B. 20) der Gitterbestandteile der Siebbasis 11 innerhalb des Bereichs des Schlitzes 23.

Da auf beschriebene Weise nur der etwa lotrecht verlaufende Teil 21 des Aluminiumdampfes über den Schlitz 23 der Abschirmplatte 24 selektiv auf die Siebbasis 11 gerichtet wird, wird nur die Oberfläche oder Außenfläche der Siebbasis 11 mit Aluminium bedampft, ohne daß eine Bedampfung an ihrer Rückseite erfolgt. Infolgedessen wird keine elektrische Verbindung zwischen der Siebbasis 11 selbst und ihrer aufgedampften Aluminiumschicht hergestellt.

Um zu gewährleisten, daß die aufgebrachte oder aufgedampfte Aluminiumschicht 14 im Sinne der Erfindungsaufgabe einwandfrei ausgebildet wird, muß bevorzugt ein Abstand D„ (zwischen Abschirmplatte 24 und Siebbasis 11) berücksichtigt werden. In Fig. 7 sind zusätzlich ein Abstand D__, (zwischen Abschirmplatte 24

DD

und Verdampfungsquelle 20), eine Breite W (des Schlitzes 23) und eine Breite d (Dispersions- oder Streuungsbreite der verdampften Aluminiumteilchen, die an den beiden Kanten des Schlitzes 23 divergierend nach oben gerichtet werden) angegeben.

Es hat sich gezeigt, daß die Streuungsbreite d dadurch verkleinert werden kann, daß die Breite D_gM (zwischen

Abschirmplatte und Siebbasis) selektiv festgelegt wird. Gemäß Fig. 8 hat es sich (für den Fall von D_x,- = 300 mm, W = 5 mm, Rr = 1 g/min) nämlich gezeigt, daß bei einer Verkleinerung des Abstands zwischen Abschirmplatte und Siebbasis entsprechend D- = 40 mm die Streuungsbreite der verdampften Teilchen auf weniger als 25 mm verkleinert werden kann, so daß sich auf diese Weise die angestrebte Aluminium-Bedampfungsschicht ohne weiteres herstellen läßt.

Gemäß Fig. 9 ist weiterhin ein Dorn 22 vorgesehen.

In der Praxis wird der Dorn 22 innerhalb der Siebbasis 11 unter Einhaltung eines sehr kleinen Abstands dazwischen so angeordnet, daß die durch die Siebmaschenstruktur hindurchtretenden verdampften Aluminiumteilchen durch diesen Dorn 22 an einer Weiterbewegung gehindert werden. Die Ablagerung solcher Teilchen an der Innenfläche der Siebbasis 11 wird auf diese Weise wirksam verhindert. Gemäß Fig. 9 ist auf den Dorn 22 eine zusätzliche Hülse 25 aufgesetzt, an deren beiden Enden Ringe 26 befestigt sind, zwischen denen die Siebbasis 11 lagenfest gehaltert ist.

Fig. 10 veranschaulicht schematisch eine abgewandelte Vakuumbedampfungsvorrichtung, bei welcher eine Vorspannung 27 an die Siebbasis 11 angelegt wird und ein Elektronenrohr oder Strahlerzeuger 28 (seitlich) in einem Abstand von der Bewegungsbahn der von der Verdampfungsquelle 20 emittierten Teilchen 21 so angeordnet ist, daß diese Teilchen durch die vom Strahlerzeuger emittierten Elektronen aktivierbar bzw. ionisierbar sind. Vorteilhaft ist dabei, daß die verdampften Teilchen 21 in diesem Fall mit wesentlich erhöhtem Wirkungsgrad auf der Siebbasis 11 abgelagert werden.

Fig. 11 veranschaulicht schematisch eine andere abgewandelte Vakuumbedampfungsvorrichtung, bei welcher

eine Spulenelektrode oder Elektrodenspule 29 so zwischen Abschirmplatte 24 und VerdampfungsquelTe angeordnet ist, daß sie von einem Hochfrequenzstrom 38 durchfließbar und die Ablagerung oder Bedampfung nach demselben Prinzip wie beim herkömmlichen Hochfrequenz-Ionenmetallisierungsverfahren durchführbar ist, wobei Argongas in die Vakuumglocke eingeleitet wird.

Fig. 12 veranschaulicht schematisch noch eine weitere abgewandelte Vakuumbedampfungsvorrichtung, mit welcher eine Aluminiumschicht nach dem sogenannten Zerstäubungsverfahren (spattering method) erzeugbar ist. Dabei wird insbesondere ein Aluminium-Target 40 durch einen von Argongas geführten Plasmastrahl zerstäubt, und die zerstäubten Aluminiumteilchen werden sodann in Aufwärtsrichtung durch den Schlitz 23 gerichtet, so daß sie praktisch unter einem rechten Winkel zur Siebbasis auf diese auftreffen und damit auf der Siebbasis 11 eine photoleitende Aluminium-Bedampfungsschicht 14 erzeugt wird.

Es ist darauf hinzuweisen, daß die Erfindung keineswegs auf das beschriebene lichtempfindliche Gitter oder Sieb beschränkt ist, sondern für eine Vielfalt von Anwendungen, z.B. Herstellung von Magnetaufzeichnungsschichten oder -filmen (z.B. Co-Cr-Schichten) oder ähnlichen Dünnschichten, eingesetzt werden kann. Außerdem ist die Erfindung nicht auf eine einzige Abschirmplatte beschränkt. Wahlweise können nämlich mehrere Abschirmplatten in Kombination miteinander verwendet werden. Weiterhin kann an die Durchgangsstrecke der verdampften Teilchen ein elektrisches Feld oder ein Magnetfeld in der Weise angelegt werden, daß der Strom der verdampften Teilchen am Schlitz konvergiert. Zudem ist auch die Form der Siebbasis nicht auf einen kreisförmigen Querschnitt beschränkt, vielmehr kann sie auch einen beliebigen anderen Querschnitt,

sfö

etwa einen rechteckigen oder ähnlichen Querschnitt, besitzen.

im folgenden ist ein anderes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens beschrieben. Bei diesem Ausführungsbeispiel werden bevorzugt die nachstehend angegebenen fünf Bedingungen berücksichtigt, um zu gewährleisten, daß eine einwandfreie, erfindungsgemäß angestrebte Aluminium-Bedampfungsschicht 14 sicher erzeugbar ist. Die genannten Bedingungen sind folgende:

1) Dg (Abstand zwischen Abschirmplatte und Siebbasis

11) *

2) D^r, (Abstand zwischen Verdampfungsquelle 20 und Ab-

schirmplatte 24)

3) W (Schlitzbreite)

4) Aluminium-Verdampfungsgeschwindigkeit (R,.*)

5) Dicke der Aluminium-Bedampfungsschicht 14 (T p)

Die obigen Bedingungen sind im folgenden in Verbindung mit den Ergebnissen erfindungsgemäß durchgeführter Versuche näher erläutert. *

Die in der folgenden Tabelle I angegebenen Ergebnisse wurden in einer Anzahl von Versuchen erzielt, bei denen unter Änderung der Breite W des Schlitzes 23 die nachstehend angegebenen Parameter konstant_wgehalten wurden:

30 D_SM = 5 mm D_._c = 300 mm

Db

R. ρ = 1 g/min

ω ο

to ο

σι

Tabelle I

Probe Nr.	Schlitzbreite W (nm)	Streuungsbreite *} (irm)	leschichtungszahl für Isolier schicht 13	Dicke der Aluminium schicht (nm	Widerstand zwischen ) Vorder- u. Rückseite der Siebbasi	Widerstand (in Ohm) an der Bedampfungs- flache der Siebbasis in Abhängigkeit vom s Abstand	5 cm	10 cm
1 2	10 20					1 cm	120 80	80
3	30	13 24	4 dünnere Schicht Il	20,5 17,2	>10 000 000 Xi- Il	100 70	55	70
* 4	5	33	Il	21,8	200 Si.	40	1000	-
5	10	6,5	8 dickere Schicht	13,0	>io ooo ooo-a	400	120	-
6	20	13	Il	18,0	Il	100	240	-
7	30	24	Il	17,1	Il	120	130	-
33	Il	17,8	Il	100

Fußnote: * = Streuungsbreite: Wie aus Fig. 7 ersichtlich ist, sind die verdampften Aluminiumteilchen bestrebt, an den beiden Enden bzw. Kanten des Schlitzes nach außen zu streuen. "Die Streuungsbreite gibt eine in einer Lage unterhalb der Siebbasis gemessene Breite d des Stroms der verdampften Aluminiumteilchen an.

Ca) GO

Aus Tabelle I geht hervor, daß die Dispersions- oder Streuungsbreite d bei einer Schlitzbreite W von etwa 20 mm auf etwa 24 mm abnimmt und etwa an der Rückseite der Siebbasis ankommende verdampfte Aluminiumteilchen keinen ungünstigen Einfluß besitzen, auch wenn in nachteiliger Weise aufgrund einer solchen Ablagerung von verdampften Aluminiumteilchen eine dünnere Isolierschicht erzeugt wird (weil der Widerstand zwischen Vorder- und Rückseite der Siebbasis auf mehr als 10 Millionen Ohm gehalten wird). In jedem Fall werden mit einer dickeren Isolierschicht hervorragende Ergebnisse erzielt.

In der folgenden Tabelle II sind die Ergebnisse einer Reihe von Versuchen aufgeführt, die unter Konstanthaltung der folgenden Parameter durchgeführt wurden: D_SM = 5 mm
D₁₃₀ = 300 mm

20 W = 10 mm R_A£ = 1 g/min

Beschichtungszahl der elektrischen Isolierschicht 13 = 4 (Schicht kleinerer Dicke)

25

ω
ο

to
ο

Tabelle II

Probe Nr.	Dicke der Aluminium- Schicht (nm)	Widerstand zwischen Vorder- und Rückseite der Siebbasis (in 0hm	Widerstand (in Ohm) an der Bedampfungs- flache der Siebbasis in Abhängigkeit vom Abstand	5 cm	10 cmv	Aushaltespannungsprüfung * (im Bereich von 100 - 120 V)
8	118		1 cm	600	900	keine erkennbare Beschädigung
9	180	• >10 000 000	220	120	-	Il
10	205	ti	100	100	-	Il
11	325	Il	80	60	—	leichte Beschädigung erkennbar
12	350	6-10 Millionen	30	unter	70	Il
13	400	Mehrere Millionen	unter 30	Il	-	Il
14	430	1 000 000	Il	Il	-	etwas Beschädigung
15	557 '	200 000	Il	9	12	deutliche Beschädigung
60	5

Fußnote: * In dieser Spalte sind die Ergebnisse einer Prüfung aufgeführt, mit

welcher festgestellt wurde, ob eine Aluminium-Bedampfungsschicht durch
Anlegung einer bestimmten Spannung an sie beschädigt wird oder nicht.

α ^343U33

ίο

Aus der vorstehenden Tabelle II geht hervor, daß ein ausreichend hoher Widerstandswert auch dann erzielbar ist, wenn die Solldicke der Aluminium-Bedampfungsschicht im Bereich von 30 nm festgelegt wird, doch kann dabei ein elektrischer Streustrom auftreten. Im Fall einer dünneren Aluitiinium-Bedampfungsschicht tritt eine unerwünschte Ablagerung von verdampften Aluminiumteilchen an der Rückseite der Siebbasis in geringerem Maße auf.

Weiterhin hat es sich gezeigt, daß die Streuungsbreite d minimiert werden kann durch selektive Bestimmung des Abstands, Ώ_ς (zwischen Abschirmplatte und Sieb-,_ basis), so daß die sich bewegenden verdampften Aluminium-

1 D

teilchen in Form eines parallelen Stroms gehalten werden. Wie aus Fig. 8 hervorgeht (für den Fall D_ßS = 300 mm, W = 5 mm und R λ = 1 g/min), kann die Dispersions- oder Streuungsbreite durch Einstellung des Abstands D„_M zwischen Siebbasis und Abschirmplatte auf weniger als 4 0 mm auf eine Größe von weniger als 25 mm verringert werden, so daß auf diese Weise die gewünschte Aluminium-Bedampf ungsschicht ohne weiteres erzeugbar p.st.

Gemäß Fig. 13 besteht eine Beziehung zwischen dem Ab-25

stand D-c, und der Breite d. Vorzugsweise und zweck-

OD

mäßig wird der Abstand D₁₃₀ auf mehr als 60 mm eingestellt (bei den Betriebsbedingungen gemäß Fig. 13 gelten: D„_M = 5 mm, W = 5 mm und R_A/ = 1 g/min).

30

Aus Fig. 14 geht hervor, daß die Breite W vorzugsweise auf weniger als 20 mm eingestellt sein sollte, um die Streuungsbreite d zu verringern. Weiterhin ist aus Fig. 15 ersichtlich, daß die Beziehung zwischen der

Schlitzbreite W und der Streuungsbreite d in Abhängig-35

keit von der gewählten Größe des Abstands D_g variiert und die Streuungsbreite durch Einstellung des Abstands

D__c auf nicht mehr als 5 mm verkleinert werden kann

DO

(Fig. 15 beruht auf folgenden Arbeitsbedingungen: D_ßS = 3 00 mm, D_g = 5 mm oder 40 mm, R_A/ = 1/2 oder 4-6 g/min).

Erfindungsgemäß hat es sich als sehr wesentlich erwiesen, die Schlitzbreite W möglichst klein zu wählen, wenn die Aluminium-Vakuumbedampfung mit Hilfe der auf vorher beschriebene Weise angeordneten Abschirmplatte durchgeführt wird (vgl. Fig. 14 und 15). Insbesondere sollte die Schlitzbreite W bevorzugt weniger als ein Viertel des Durchmessers R der Siebbasis 11 betragen (bevorzugt sollte diese Breite mit weniger als ein Zehntel dieses Durchmessers gewählt werden). In einem konkreten Fall mit Durchmesser R = 120 mm wird die Schlitzbreite W kleiner als im Bereich von 30 - 12 mm gewählt.

Wie sich aus den vorstehenden Ausführungen ergibt, ermöglicht das erfindungsgemäße Verfahren die Erzeugung einer Aluminium-Bedampfungsschicht auf der Oberfläche (Außenfläche) der Siebbasis mit hoher Genauigkeit unter Verwendung einer Abschirmplatte zur Steuerung des Stroms der verdampften Aluminiumteilchen, wobei die Breite des Schlitzes in der Abschirmplatte möglichst klein gewählt wird, um die Dispersions- oder Streuungsbreite zu verringern und damit einen großen Anteil der verdampften Aluminiumteilchen in einem parallelen

30 (gebündelten) Strom zu halten.

Weiterhin hat es sich bei der beschriebenen Aluminium-Vakuumbedampfung mit Hilfe der Abschirmplatte 24 gezeigt, daß die Streuungsbreite d (vgl. Fig. 7), d.h. die Breite der Ablagerung der verdampften Aluminiumteilchen, in Abhängigkeit von der Geschwindigkeit der Aluminiumverdampfung deutlich variiert. Wie sich aus

Fig. 17 ergibt, ist die Dispersions- oder Streuungsbreite um so größer, je höher die Aluminium-Verdampfungsgeschwindigkeit (R* ^) ist. Es wird angenommen, daß dies dem Umstand zuzuschreiben ist, daß mit zunehmendem Partialdruck des Aluminiumdampfes (Zahl der verdampften Aluminiumteilchen) die mittlere Strecke ihrer freien Bewegung abnimmt und sich damit die Menge des verdampften, auf der Siebbasis in der Nähe der Abschirmplatte abzulagernden Aluminiums oder die Breite der Aluminiumablagerung vergrößert. Wenn andererseits die Aluminium-Verdampfungsgeschwindigkeit R^p auf weniger als 2 g/min eingestellt wird, hat dies zur Folge, daß sich die Strecke der freien Verschiebung oder Bewegung vergrößert und sich die Breite oder Länge der auf der Siebbasis abzulagernden, verdampften Aluminiumteilchen entsprechend verkleinert. Diese Beziehungen werden besonders dann deutlich, wenn die Strecke D„ größer eingestellt wird.

Erfindungsgemäß wurde die Änderung der Streuungsbreite d in Abhängigkeit von der Aluminium-Verdampfungsgeschwindigkeit untersucht; die Ergebnisse sind in Fig. dargestellt. Hierbei zeigt es sich, daß die Streuungsbreite in Abhängigkeit von der Aluminium-Verdampfungsgeschwindigkeit variiert, und gute Ergebnisse werden mit einer niedrigeren Verdampfungsgeschwindigkeit erzielt (um damit das Verdampfungsvolumen pro Stunde zu verringern). Aus Fig. 18 geht hervor, daß die Streuungsbreite insbesondere bei einer Aluminium-Verdampfungsgeschwindigkeit von weniger als 2 g/min erheblich verringert werden kann.

Wie sich aus obiger Beschreibung ergibt, ermöglicht das erfindungsgemäße Verfahren die Erzeugung einer Aluminium-Bedampfungsschicht ausschließlich auf der Oberfläche (Außenfläche) der Siebbasis bei Verwendung

der Abschirmplatte zur Steuerung des Stroms der verdampften Aluminiumteilchen, wobei die Aluminium-Verdampfungsgeschwindigkeit auf eine niedrige Größe eingestellt ist, um die Streuungsbreite zu verringern und damit einen großen Anteil der verdampften Aluminiumteilchen in einem parallelen Strom zu halten.

Außerdem ist zu beachten, daß durch Beaufschlagung der Oberfläche der Siebbasis mit nur einem begrenzten Teil 21 der verdampften Aluminiumteilchen (Moleküle) durch den Schlitz 23 der Abschirmplatte 24 hindurch sichergestellt wird, daß die Aluminiumablagerung oder -bedampfung nur" auf der äußeren Oberfläche der Siebbasis 11 erfolgt. Wie erwähnt, kann ein Teil der verdampften Aluminiumteilchen nach dem Durchtritt durch eine große Zahl von Maschenöffnungen der Siebbasis 11 deren Rückseite (Innenseite) erreichen. Die Ablagerung einiger verdampfter Teilchen an der Rückseite der Siebbasis kann demzufolge nur dann vollständig verhindert werden, wenn bestimmte Gegenmaßnahmen getroffen werden. Beim erfindungsgemäßen Verfahren ist das genannte Problem durch Anordnung des Dorns 22 auf die vorher beschriebene Weise wirksam gelöst worden.

Gemäß Fig. 6 treffen insbesondere verdampfte Teilchen 21", die über die Rückseite (Innenseite) der Siebbasis hinausgelangt sind, auf den Dorn 22 auf, um sich auf diesem abzulagern. Infolgedessen tritt keine derartige Ablagerung auf der Rückseite der Siebbasis 11 auf. Unabhängig davon, daß ein Teil der verdampften Aluminiumteilchen die Rückseite der Siebbasis erreicht, werden sie zum großen Teil vom Dorn abgefangen, so daß eine Bedampfung der Rückseite der Siebbasis weitgehend ver-

35 hindert wird.

Fig. 16 veranschaulicht schematisch eine Vorrichtung zur Erzeugung einer dünnen Schicht oder eines dünnen

Films aus einem von einem Metallwerkstoff, wie Aluminium o.dgl., verschiedenen Werkstoff unter Verwendung eines porns. Diese Vorrichtung arbeitet in einer von den vorher beschriebenen Vorrichtungen verschiedenen Weise.

Beispielsweise wird ein elektrisches Isoliermaterial 51 aus einem Behälter 50 mittels einer Spritzpistole 55 o.dgl. auf die,Gitter- oder Siebbasis 11 aufgespritzt, um damit die beschriebene elektrische Isolierschicht 13 zu erzeugen. Bei der Vorrichtung gemäß Fig. 16 trägt wiederum das Vorhandensein des Dorns 22 zur Verhinderung einer Ablagerung der verspritzten Teilchen des Isoliermaterials (in der Praxis bestehend aus einem Gemisch von Lösungsmittel und Isoliermaterial) auf der Rückseite (Innenseite) der Siebbasis 11 bei.

Im folgenden ist noch ein anderes Ausführungsbeispiel der Erfindung beschrieben.

Wie vorstehend im einzelnen erläutert, wird durch Beaufschlagung der Siebbasis 11 mit nur einem begrenzten Teil 21 der verdampften Aluminiumteilchen (Moleküle) eine Aluminiumablagerung oder -bedampfung ausschließlich auf der Außenfläche der Siebbasis 11 erreicht, während ein Teil der verdampften Teilchen daran gehindert wird, die Rückseite (Innenfläche) der Siebbasis zu erreichen oder sich unmittelbar auf dieser Fläche abzulagern.

Wenn andererseits die Breite des Schlitzes 23 unzweckmäßig gewählt oder die Abschirmplatte 24 nicht vorhanden ist, kann die Ablagerung eines Teils der verdampften Teilchen an der Rückseite der Siebbasis nicht verhindert werden.

Das Symbol d gemäß Fig. 7 läßt sich beispielsweise

wie folgt definieren:

d = Dispersions- oder Streuungsbreite, mit welcher die verdampften Aluminiumteilchen 21 an beiden Enden bzw. Kanten des Schlitzes nach außen divergieren. 5

Der Abstand D_nc ist bezüglich der erfolgreichen Lösung

Du

der Erfindungsaufgabe von äußerster Bedeutung. Aus Fig. 13 geht hervor, daß der Abstand D_,_o zweckmäßig mit mehr als 6 0 mm gewählt wird (insbesondere mehr als 100 mm und speziell mehr als 300 mm). (Es ist darauf hinzuweisen, daß die Fig. 13 zugrundeliegenen Arbeitsbedingungen folgende sind: D_no = 5 mm, W = 5 mm und

Db

^Ra£. ^{= 1} S/min.)

Durch Einstellung eines ausreichend großen Abstands zwischen der Siebbasis 11 und der Verdampfungsquelle 20 wird nämlich gewährleistet, daß die Streuungsbreite d verkleinert werden kann und die die Siebbasis erreichenden verdampften Teile 21 in einem praktisch parallelen Strom gehalten werden. Es hat sich gezeigt, daß diese Erscheinung auch dann auftritt, wenn die Abschirmplatte 24 nicht vorgesehen ist und die verdampften Aluminiumteilchen, während sie in 'einem praktisch parallelen Strom gehalten werden, auf der Siebbasis abgelagert werden. In jedem Fall wird ein Strom verdampfter Teilchen in Form eines im wesentlichen parallelen Stroms in Aufwärtsrichtung zur Siebbasis 11 emittiert, wobei wirksam verhindert wird, daß ein Teil der verdampften Teilchen die Rück- oder Innen-

30 seite der Siebbasis erreicht (vgl. Fig. 3).

Durch Beaufschlagung der Siebbasis 11 mit einem begrenzten oder eingeschlossenen Teil 21 der verdampften Aluminiumteilchen (oder Moleküle) durch den Schlitz 23 der Abschirmplatte 2 4 hindurch wird, wie erwähnt, nur die Oberfläche oder Außenfläche der Siebbasis bedampft, während ein Auftreffen eines Teils der verdampften Teilchen an der Rückseite der Siebbasis 11

oder an einer unmittelbaren Ablagerung an dieser Rückseite gehindert wird. Falls dagegen die Breite des Schlitzes 23 unzweckmäßig gewählt wird oder die Abschirmplatte 24 nicht vorgesehen ist, kann ein Auftreffen der verdampften Teilchen auf die Rückseite der Siebbasis nicht erfolgreich verhindert werden.

Die in der folgenden Tabelle III aufgeführten Ergebnisse wurden mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung unter Konstanthaltung der folgenden Bedingungen oder

Parameter erzielt:

D_c (Abstand zwischen Abschirmplatte 24 und Sieb-

basis '11) = 5 mm 15 D₁₃J, (Abstand zwischen Verdampfungsquelle 2 0 und

ÖD

Abschirmplatte 24) = 300 mm W (Breite des Schlitzes 23) = 10 mm

Β_Ά β (Aluminium-Verdampfungsgeschwindigkeit) = 1 g/min Zahl der Beschichtungen der elektrischen Isolierschicht 13 = 4 (Schicht mit verringerter Dicke)

ω ο

to
O

Cn

Tabelle III

Probe Nr.	Dicke der Aluminium- Schicht (ran	Widerstand zwischen Vorder- und Rückseite der Siebbasis (in Ohm)	Widerstand (in Ohm) an der Bedampfungs- fläche der Siebbasis in Abhängigkeit vom Abstand	Il	5	5 cm	9	10 cm	Aushaitespannungs- prüfung * (im Bereich von 100 - 120 V)
8	118	mehr als 10 Millionen	1 cm	Il	600	900	keine erkennbare Beschädigung
9	180	Il	220	120	-	Il
10	205	Il	100	100	-	Il
11	325	6-10 Millionen	80	60	—	leichte Beschädigung erkennbar
12	350	30	unter 60	70	Il
13	400	mehrere Millionen unter 30	Il	-	Il
14	430	1 Million	Il	-	etwas Beschädigung
15..	557	200 000	12	deutliche Beschädigung
60

Fußnote: * In dieser Spalte sind die Ergebnisse einer Prüfung aufgeführt, mit

welcher festgestellt wurde, ob eine Aluminium-Bedampfungsschicht durch
Anlegung einer bestimmten Spannung an sie beschädigt wird oder nicht.

-£>■ CO CO

Aus Tabelle III geht hervor, daß ein elektrischer Streustrom auftreten kann, wenn die Aluminium-Bedampfungsschicht eine Dicke von mehr als 50 nm besitzt. Im Fall einer dünneren Aluminium-Bedampfungsschicht tritt eine unerwünschte Ablagerung eines Teils der verdampften Aluminiumteilchen an der Rückseite der Siebbasis in geringerem Maße auf.

In Fig. 7 ist ein tatsächlicher Betriebszustand schematisch dargestellt. Wenn die Aluminium-Bedampfungsschicht eine Dicke von 50 nm besitzt, erreicht ein Teil der verdampften Aluminiumteilchen die Rückseite der Siebbasis unter Ablagerung auf dieser, so daß ein Kurz-Schluß zwischen der Aluminium-Bedampfungsschicht und der Siebbasis auftritt. Diese Erscheinung tritt dagegen nicht auf, wenn die Aluminium-Bedampfungsschicht eine Dicke im Bereich von 20 - 40 nm besitzt. Weiterhin hat es sich gezeigt, daß ein besonders günstiges

20 Ergebnis speziell dann erzielbar ist, wenn diese Schichtdicke im Bereich von 20 - 25 nm liegt.

Obgleich die Erfindung vorstehend anhand verschiedener Ausführungsbeispiele dargestellt und beschrieben ist, ist sie keineswegs hierauf beschränkt, sondern verschiedenen weiteren Änderungen und Abwandlungen zugänglich.

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Claims (11)

1. Patentansprüche

   l. Verfahren zum Erzeugen einer dünnen Schicht auf einem Substrat durch (Vakuum-)Bedampfung, dadurch gekennzeichnet, daß Teilchen des die dünne Schicht bildenden Werkstoffs in einer solchen Richtung in Bewegung gesetzt werden, daß sie auf die Substratoberfläche praktisch unter einem rechten Winkel auftreffen.
2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in der Nähe des Substrats eine Abschirmeinrich-

   15 tung mit einem Schlitz angeordnet ist.
3. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Schlitz so ausgebildet ist, daß seine Breite wesentlich kleiner ist als der Abstand zwischen der Abschirmeinrichtung und einem Verdampfungsquellenbehälter .
4. 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Mittel zur Verhinderung einer unerwünschten Ablagerung (Bedampfung) auf der Rück- oder Innenseite des Substrats in bezug auf die Abschirmeinrichtung in dichter Nähe zum Substrat angeordnet wird.
5. 5. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat eine zylindrische Trommel mit einer Vielzahl von maschenartigen MikroÖffnungen ist.
6. 6. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat eine zylindrische Form besitzt und eine Vielzahl maschenartiger MikroÖffnungen aufweist.

   3A34A33
7. 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Abschirmeinrichtung bzw. das eine Ablagerung verhindernde Mittel ein Dorn

   5 ist.
8. 8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat aus elektrisch leitendem Werkstoff hergestellt ist.

   10
9. 9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Werkstoff Aluminium ist.
10. 10. Verfahren' nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Werkstoff ein photoleitender Stoff ist.
11. 11. Vorrichtung zum Erzeugen einer dünnen Schicht auf einem Substrat, dadurch gekennzeichnet, daß eine Abschirmeinrichtung (24) mit einem darin ausgebildeten Schlitz (23) in einer Lage in der Nähe des Substrats (11) zwischen diesem und einer Teilchenerzeugungsquelle (20), dieser gegenüberstehend, so angeordnet ist, daß die (erzeugten) Teil'chen durch den Schlitz (23) hindurch auf die Oberfläche des Substrats praktisch unter einem rechten Winkel zu dieser Oberfläche auftreffen.

    30 35