JPS6067658A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
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- JPS6067658A JPS6067658A JP17476983A JP17476983A JPS6067658A JP S6067658 A JPS6067658 A JP S6067658A JP 17476983 A JP17476983 A JP 17476983A JP 17476983 A JP17476983 A JP 17476983A JP S6067658 A JPS6067658 A JP S6067658A
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- Japan
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- substrate
- thin film
- particles
- screen
- photosensitive
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１、産業上の利用分野
本発明は薄膜形成方法に関するものである。
２、従来技術
従来、多数の開口（特に、微細なメソシュ状開口）を有
する感光性スクリーンに静電荷像を形成し、この静電荷
像によりイオン流（例えば正イオン粒子）の通過を制御
して、帯電可能な層（例えば感光体ドラムの感光層）に
所定の静電荷像を形成する多色電子写真複写方式が知ら
れている。
する感光性スクリーンに静電荷像を形成し、この静電荷
像によりイオン流（例えば正イオン粒子）の通過を制御
して、帯電可能な層（例えば感光体ドラムの感光層）に
所定の静電荷像を形成する多色電子写真複写方式が知ら
れている。
第１図には、例えば白地に黒色画像部と赤色画像部とか
らなる２色原稿から画像を再現するための２色刷り用複
写機が示されている。この装置本体の上部には往復動す
る原稿台４１が設りられており、この原稿台４１上に載
置された原稿２５は照明ランプ４２により照明される。
らなる２色原稿から画像を再現するための２色刷り用複
写機が示されている。この装置本体の上部には往復動す
る原稿台４１が設りられており、この原稿台４１上に載
置された原稿２５は照明ランプ４２により照明される。
４３．４４はミラー、４５は固定レンズ、４６は光路中
に出入れしｉＭるように構成された可動の赤色フィルタ
ー、４７は赤色光を反射させ、赤色と補色関係にあるシ
アン色は通過させる可動式のグイクロイソタフイルター
であり、光路中に出入れし得るように構成されている。
に出入れしｉＭるように構成された可動の赤色フィルタ
ー、４７は赤色光を反射させ、赤色と補色関係にあるシ
アン色は通過させる可動式のグイクロイソタフイルター
であり、光路中に出入れし得るように構成されている。
第５図では赤色フィルター４６は光路からはずれ、グイ
クロイソタフイルター４７は光路中に配置されている状
態を示している。ドラム状をなした感光体５３の表面に
感光層１８が設けられ、感光体５３が時ａ１方向に回転
すると感光層■８がコロナ（１１電器２４によって均一
に帯電される。感光層１８はセレンあるいはを機半導体
などにより作られる。
クロイソタフイルター４７は光路中に配置されている状
態を示している。ドラム状をなした感光体５３の表面に
感光層１８が設けられ、感光体５３が時ａ１方向に回転
すると感光層■８がコロナ（１１電器２４によって均一
に帯電される。感光層１８はセレンあるいはを機半導体
などにより作られる。
感光体５３の周辺には、感光１ｉｉ１８を均一に帯電す
る帯電器５４と、正に帯電された黒色トナーを有する黒
色現像器４８と、正に帯電された赤色ｌ・ナーを有する
赤色現像器４９と、感光層１８」二に残留するｌ・ナー
および電荷を除去するクリーニング装置３ｏとが配置さ
れている。３１は感光体５３と同径で、感光層１８と接
触して従動するか又は反時計方向に回転する転写ドラム
である。６３はコロナ放電器からなる転写電極、３２は
複写紙給紙型、３３は複写紙給紙型３２に収納された複
写紙５２を一枚ずつ給紙する給紙ローラ、３４は複写紙
を転写ドラム３１に搬送する第１ｔ１！送ローラ、３５
は転写後に複写紙をドラム３１から分離し易くするため
の除電を行なう静電分離器、３６は複写紙をドラム３１
から強制的に分離する分離爪である。また、３７はヒー
ター内蔵の定着装置である。但、実際には複写紙５２を
案内するガイド板を設けるが、この図示は省略されてい
る。
る帯電器５４と、正に帯電された黒色トナーを有する黒
色現像器４８と、正に帯電された赤色ｌ・ナーを有する
赤色現像器４９と、感光層１８」二に残留するｌ・ナー
および電荷を除去するクリーニング装置３ｏとが配置さ
れている。３１は感光体５３と同径で、感光層１８と接
触して従動するか又は反時計方向に回転する転写ドラム
である。６３はコロナ放電器からなる転写電極、３２は
複写紙給紙型、３３は複写紙給紙型３２に収納された複
写紙５２を一枚ずつ給紙する給紙ローラ、３４は複写紙
を転写ドラム３１に搬送する第１ｔ１！送ローラ、３５
は転写後に複写紙をドラム３１から分離し易くするため
の除電を行なう静電分離器、３６は複写紙をドラム３１
から強制的に分離する分離爪である。また、３７はヒー
ター内蔵の定着装置である。但、実際には複写紙５２を
案内するガイド板を設けるが、この図示は省略されてい
る。
一方、感光層１８の外側には、光導電層が面するように
円筒状をなした感光性スクリーンドラム１７が配され、
このドラム１７は原稿台４１および感光層１８と同期し
て反時計方向に回転し得るように配置されている。また
、このドラム１７の外側周辺にはスクリーン帯電器２８
と、感光スクリーンドラム１７上に残留する電荷を除去
、するＥＬ（エレクトロルミネセンス）板またはＡＣコ
ロナ除電器などで作ったスクリーン除電器３９と、感光
性スクリーントラム１７の内側で感光体５３に対向する
位置に荷電粒子を投射する荷電粒子源（コロナ放電器）
１９とが設けられている。
円筒状をなした感光性スクリーンドラム１７が配され、
このドラム１７は原稿台４１および感光層１８と同期し
て反時計方向に回転し得るように配置されている。また
、このドラム１７の外側周辺にはスクリーン帯電器２８
と、感光スクリーンドラム１７上に残留する電荷を除去
、するＥＬ（エレクトロルミネセンス）板またはＡＣコ
ロナ除電器などで作ったスクリーン除電器３９と、感光
性スクリーントラム１７の内側で感光体５３に対向する
位置に荷電粒子を投射する荷電粒子源（コロナ放電器）
１９とが設けられている。
この感光性スクリーン１７は、第２図に示す如く、多数
の微細開口１０を有しかつ一方の面が露出したドラム状
導電性スクリーン１１と、この導電性スクリーンの少な
くとも他方の面に設けられた（図示の例では開口１０内
の壁面にも設けられている）絶縁層１３と、この絶縁層
上に設けられたバイアス川のＡＩ！等の導電膜１４と、
光導電性（感光）ＩｉＷ１５と、電荷輸送層１６とによ
って構成されている。導電性スクリーン１１はステンレ
ス、Δ１等の金属メノンユで、絶縁層１３はポリエチレ
ン等で、感光１ｆ７１５及び電荷輸送層１６は有機光半
導体で夫々形成される。
の微細開口１０を有しかつ一方の面が露出したドラム状
導電性スクリーン１１と、この導電性スクリーンの少な
くとも他方の面に設けられた（図示の例では開口１０内
の壁面にも設けられている）絶縁層１３と、この絶縁層
上に設けられたバイアス川のＡＩ！等の導電膜１４と、
光導電性（感光）ＩｉＷ１５と、電荷輸送層１６とによ
って構成されている。導電性スクリーン１１はステンレ
ス、Δ１等の金属メノンユで、絶縁層１３はポリエチレ
ン等で、感光１ｆ７１５及び電荷輸送層１６は有機光半
導体で夫々形成される。
この感光性スクリーン１７の製作に際し、特に−」二記
導電膜１４は第３図に示ず如くＡｌ蒸発源２ｏの蒸着に
よって形成される。ところがこの場合、蒸発源２０から
のＡＩ！、蒸気２１のうち、スクリーン基体１１に対し
斜め方向に入射する部分２１は矢印で示すように開口１
０を通して基体１１の裏側へ廻り込め易いか、或いは基
体１１の裏面へ直接付着してしまう。
導電膜１４は第３図に示ず如くＡｌ蒸発源２ｏの蒸着に
よって形成される。ところがこの場合、蒸発源２０から
のＡＩ！、蒸気２１のうち、スクリーン基体１１に対し
斜め方向に入射する部分２１は矢印で示すように開口１
０を通して基体１１の裏側へ廻り込め易いか、或いは基
体１１の裏面へ直接付着してしまう。
この結果、第４図のように裏面に付着したＡ１１部分に
よって導電膜１４と基体１１とが導通（短絡）してしま
い、その作用を発揮できなくなる。従って従来は、電流
を流すことによって、基体１１上のＡＬＬｉ２Ｏ比較的
薄い部分１４ａ（特に基体１１のエツジ部分１１ａに薄
く付着した部分）を焼切って、基体１１に対する短絡を
防いでいる。しかしながら、そのための作業工程が必要
である上に、上記焼切によるダメージがＡＩｌ膜１４に
残り、その耐圧が低下するという欠点がある。
よって導電膜１４と基体１１とが導通（短絡）してしま
い、その作用を発揮できなくなる。従って従来は、電流
を流すことによって、基体１１上のＡＬＬｉ２Ｏ比較的
薄い部分１４ａ（特に基体１１のエツジ部分１１ａに薄
く付着した部分）を焼切って、基体１１に対する短絡を
防いでいる。しかしながら、そのための作業工程が必要
である上に、上記焼切によるダメージがＡＩｌ膜１４に
残り、その耐圧が低下するという欠点がある。
３、発明の目的
本発明の目的は、作業容易にして上記導電膜の如き薄膜
を精度よく形成できる方法を提供することにある。
を精度よく形成できる方法を提供することにある。
４、発明の構成及びその作用効果
即ち、本発明は、薄膜構成物質の粒子（例えばＡｌ）を
飛翔させ、対向・配置された幅狭な基体上に堆積させる
に際し、前記粒子の飛翔源と前記基体との間の距離を制
御することによって、前記基体へ向かう粒子流が互いに
実質的に平行となるように操作することを特徴とする薄
膜形成方法に係るものである。
飛翔させ、対向・配置された幅狭な基体上に堆積させる
に際し、前記粒子の飛翔源と前記基体との間の距離を制
御することによって、前記基体へ向かう粒子流が互いに
実質的に平行となるように操作することを特徴とする薄
膜形成方法に係るものである。
本発明によれば、薄膜構成物質の粒子を基体に対しほぼ
平行な粒子流となるように導びいているので、粒子が基
体の表面上にて一定の方向性を以って順次堆積し、既述
した如き廻り込みの影響を著しく低減させることができ
る。従って、得られた薄膜は何らの後処理を加えること
なく、そのまま次の工程（例えば感光層の形成）に供す
ることが可能である。
平行な粒子流となるように導びいているので、粒子が基
体の表面上にて一定の方向性を以って順次堆積し、既述
した如き廻り込みの影響を著しく低減させることができ
る。従って、得られた薄膜は何らの後処理を加えること
なく、そのまま次の工程（例えば感光層の形成）に供す
ることが可能である。
５、実施例
以下、本発明を第５図〜第１２図に示す実施例について
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第５図には、既述した感光性スクリーンの導電性スクリ
ーン基体１１ （実際にはその表面又は外面上に絶縁ｆ
ｆ１１３が既に形成されている。）と、／１蒸発源２０
とを１０〜１０Ｔｏｒｒの真空度に引かれたペルジャー
（図示省略）内に配し、基体１１上にＡＡ蒸着膜（既述
の１４）を形成する真空蒸着方法又はその装置を示す。
ーン基体１１ （実際にはその表面又は外面上に絶縁ｆ
ｆ１１３が既に形成されている。）と、／１蒸発源２０
とを１０〜１０Ｔｏｒｒの真空度に引かれたペルジャー
（図示省略）内に配し、基体１１上にＡＡ蒸着膜（既述
の１４）を形成する真空蒸着方法又はその装置を示す。
スクリーン基体１１は１．マンドレル２２の周りにセン
トされ、共に例えば１５ｒｐｍの速度で回転し得るよう
に配されている。
トされ、共に例えば１５ｒｐｍの速度で回転し得るよう
に配されている。
この場合、基体１１と蒸発源２０との間の領域において
、基体ＩＩの近傍にスリット２３付きの遮蔽板２４を設
けることが考えられる。この場合には、第６図に明示す
る如く、蒸発源２０からのＡ Ｉｔ蒸気は、一点鎖線２
１′で示す斜め方向の成分は遮蔽板２４によって完全に
遮断され、基体１１に対して規制された粒子流２１のみ
がスリット２３を通して導びかれ、絶縁Ｎ１３上に順次
堆積するように構成している。また実際には、スリット
２３の幅を５ｍｍとすれば、このスリット幅内には第６
図に示すように基体１１のメソシュ構成部分が多数個（
例えば２０１固）分収まるように構成される。
、基体ＩＩの近傍にスリット２３付きの遮蔽板２４を設
けることが考えられる。この場合には、第６図に明示す
る如く、蒸発源２０からのＡ Ｉｔ蒸気は、一点鎖線２
１′で示す斜め方向の成分は遮蔽板２４によって完全に
遮断され、基体１１に対して規制された粒子流２１のみ
がスリット２３を通して導びかれ、絶縁Ｎ１３上に順次
堆積するように構成している。また実際には、スリット
２３の幅を５ｍｍとすれば、このスリット幅内には第６
図に示すように基体１１のメソシュ構成部分が多数個（
例えば２０１固）分収まるように構成される。
このように、スリット２３付きの遮蔽板２４によって、
Ａ＃を蒸気（又は分子）の規制された粒子２１のみを選
択して基体１１上に、導びけば、基体１１の表面又は外
面上にのみＡｌｌが堆積し、−その裏面上へは廻り込み
又は基体裏面へのｉｆ接付着が防止される。
Ａ＃を蒸気（又は分子）の規制された粒子２１のみを選
択して基体１１上に、導びけば、基体１１の表面又は外
面上にのみＡｌｌが堆積し、−その裏面上へは廻り込み
又は基体裏面へのｉｆ接付着が防止される。
但、スリン１〜２３の幅によっては、或いは遮蔽板２４
を設けない場合には、蒸気の廻り込みを防止できないこ
とがある。
を設けない場合には、蒸気の廻り込みを防止できないこ
とがある。
例えば、第７図の如くに各部の位置関係を定義する。
Ｄｓｈ−遮蔽板２４と基体ＩＩとの距離Ｄｓｇ−蒸発源
２０と遮蔽板２４との距離Ｗ−スリット２３の幅 ｄ＝Ａβ粒子２１がスリット両端から外方へ拡散する幅
（拡散幅） Ｄｎｓは、本発明の目的を達成する上で極めて重要であ
り、第８図に示す如く、Ｄｅｊを６０ｍｍ以上の範囲で
適切に設定（特に１００ｍｍ以上、更には３００ｍｍ以
上）とすることが望ましい（但、第８図の条件は、Ｄｇ
ｈ ＝ ５ｍｍ、Ｗ＝ ５ｍｍ、 Ｒへｚ ＝ １ ｇ
／ｍｉｎ ） 。
２０と遮蔽板２４との距離Ｗ−スリット２３の幅 ｄ＝Ａβ粒子２１がスリット両端から外方へ拡散する幅
（拡散幅） Ｄｎｓは、本発明の目的を達成する上で極めて重要であ
り、第８図に示す如く、Ｄｅｊを６０ｍｍ以上の範囲で
適切に設定（特に１００ｍｍ以上、更には３００ｍｍ以
上）とすることが望ましい（但、第８図の条件は、Ｄｇ
ｈ ＝ ５ｍｍ、Ｗ＝ ５ｍｍ、 Ｒへｚ ＝ １ ｇ
／ｍｉｎ ） 。
即ち、基体１１と蒸発源２０との距離を上記のように充
分に大きくとれば、拡散幅ｄを小さく抑え、基体１１へ
到達する粒子流２１は実質的にほぼ平行流となる。この
現象は、上記の遮蔽板２４を設けない場合に同様に生じ
、はぼ平行流のまま基体上にＡｌが付着することが確認
されている。従って、いずれの場合でも、基体１１へ入
射する粒子流はほぼ平行であって、第３図に示した如き
基体裏面への廻り込みを効果的に防止することができる
。
分に大きくとれば、拡散幅ｄを小さく抑え、基体１１へ
到達する粒子流２１は実質的にほぼ平行流となる。この
現象は、上記の遮蔽板２４を設けない場合に同様に生じ
、はぼ平行流のまま基体上にＡｌが付着することが確認
されている。従って、いずれの場合でも、基体１１へ入
射する粒子流はほぼ平行であって、第３図に示した如き
基体裏面への廻り込みを効果的に防止することができる
。
」二連したマンドレル２２について、第９図を用いてよ
り詳細に説明する。
り詳細に説明する。
このマンドレル２２は、基体１１の内周に近接して設け
られているので、基体１１のメツシュを通過したＡ１粒
子はマンドレル２２で阻止され、基体１１の他の内面へ
の付着が効果的に防止される。この場合、マンドレル２
２は実際には、追加のスリーブ２５と接合、一体化され
、このスリーブ２５」二の両端に嵌め込まれたリング２
６に対し上述した基体１１が固定される。
られているので、基体１１のメツシュを通過したＡ１粒
子はマンドレル２２で阻止され、基体１１の他の内面へ
の付着が効果的に防止される。この場合、マンドレル２
２は実際には、追加のスリーブ２５と接合、一体化され
、このスリーブ２５」二の両端に嵌め込まれたリング２
６に対し上述した基体１１が固定される。
第１０図は、他の蒸着装置を示すが、この場合には、基
体１１にバイアス電圧２７をかり、蒸発源２０からの粒
子２１を電子銃２８からの電子によって活性化若しくは
イオン化するこ、とにより、粒子２１の基体１１上への
吸着効率を高めている。
体１１にバイアス電圧２７をかり、蒸発源２０からの粒
子２１を電子銃２８からの電子によって活性化若しくは
イオン化するこ、とにより、粒子２１の基体１１上への
吸着効率を高めている。
第１１図は、コイル電極２９に高周波３８を加え、公知
のＲＦイオンブレーティングと同様の原理で、Ａｒガス
を導入しながら蒸着を行なう例である。
のＲＦイオンブレーティングと同様の原理で、Ａｒガス
を導入しながら蒸着を行なう例である。
第１２図は、スパッタ法によりＡｌ膜を形成する例を示
し、Ａ７！ターゲット４０をＡｒガスによるプラズマで
スパッタし、叩き出されたＡ４２粒子又はクラスターを
スリット２３を介して基体ＩＩ上にほぼ垂直に入射させ
、上述したＡｊ２導電模１４を形成する。
し、Ａ７！ターゲット４０をＡｒガスによるプラズマで
スパッタし、叩き出されたＡ４２粒子又はクラスターを
スリット２３を介して基体ＩＩ上にほぼ垂直に入射させ
、上述したＡｊ２導電模１４を形成する。
なお、本発明は、上述の感光性スクリーンに限らず、他
の薄膜、例えば垂直磁気記録層（例えばＣｏ−Ｃｒ膜）
の形成にも適用可能であり、その用途は広範である。ま
た、上述の遮蔽板は複数板組合せてよいし、スリットに
対し粒子流を収束するような電界又は磁界を作用させ゛
（もよい。また、上述の遮蔽板は必ずしも設けなくてよ
い。また、基体の断面形状は矩形等、他の形状であって
よい。
の薄膜、例えば垂直磁気記録層（例えばＣｏ−Ｃｒ膜）
の形成にも適用可能であり、その用途は広範である。ま
た、上述の遮蔽板は複数板組合せてよいし、スリットに
対し粒子流を収束するような電界又は磁界を作用させ゛
（もよい。また、上述の遮蔽板は必ずしも設けなくてよ
い。また、基体の断面形状は矩形等、他の形状であって
よい。
第１図〜第４図は従来例を示すものであって、第１図は
２色刷り用電子写真複写機の概貼断面図、 第２図は感光性スクリーンの一部拡大断面図、第３図は
蒸着時の断面図、 第４図は蒸着後の感光性スクリーンの断面図である。 第５図〜第１２図は本発明の実施例を示すものであって
、 第５図は蒸着時の断面図、 第６図は第５図の要部拡大図、 第７図は各部の配置を説明するための断面図、第８図は
蒸発源と遮蔽板との距離による拡散幅の変化を示すグラ
フ、 第９図は基体保持構造を示す断面図、 第１０図、第１１図、第１２図は他の製造装置の各概略
図 である。 なお、図面に示した符号において、 ｌｊ−：’−’−導電性スクリーン基体１３−−−−一
絶縁層 １４−、−（Ａ ＃ ）導電膜 １ ！５−−−−・−感光層 １６−−−−−−電荷輸送層 】７・−・−感光性スクリーン ２０〜−−−−−一蒸発源 ２ｌ−−−−−Ａβ蒸気 ２２−一一−−−−マンドレル ２３−−−−スリット ２４−・−遮蔽板 である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏（他１名）第４図 第５図 第１１図 第１２図 ４０
２色刷り用電子写真複写機の概貼断面図、 第２図は感光性スクリーンの一部拡大断面図、第３図は
蒸着時の断面図、 第４図は蒸着後の感光性スクリーンの断面図である。 第５図〜第１２図は本発明の実施例を示すものであって
、 第５図は蒸着時の断面図、 第６図は第５図の要部拡大図、 第７図は各部の配置を説明するための断面図、第８図は
蒸発源と遮蔽板との距離による拡散幅の変化を示すグラ
フ、 第９図は基体保持構造を示す断面図、 第１０図、第１１図、第１２図は他の製造装置の各概略
図 である。 なお、図面に示した符号において、 ｌｊ−：’−’−導電性スクリーン基体１３−−−−一
絶縁層 １４−、−（Ａ ＃ ）導電膜 １ ！５−−−−・−感光層 １６−−−−−−電荷輸送層 】７・−・−感光性スクリーン ２０〜−−−−−一蒸発源 ２ｌ−−−−−Ａβ蒸気 ２２−一一−−−−マンドレル ２３−−−−スリット ２４−・−遮蔽板 である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏（他１名）第４図 第５図 第１１図 第１２図 ４０
Claims (1)
- １、薄膜構成物質の粒子を飛翔させ、対向配置された基
体上に堆積させるに際し、前記粒子の飛翔源と前記基体
との間の距離を制御することによって、前記基体へ向か
う粒子流が互いに実質的に平行となるように操作するこ
とを特徴とする薄膜形成方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17476983A JPS6067658A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 薄膜形成方法 |
| US06/649,858 US4601922A (en) | 1983-09-21 | 1984-09-12 | Method of forming a layer of thin film on a substrate having a multiplicity of mesh-like holes |
| DE19843434433 DE3434433A1 (de) | 1983-09-21 | 1984-09-19 | Verfahren und vorrichtung zum erzeugen einer duennen schicht auf einem substrat |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17476983A JPS6067658A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6067658A true JPS6067658A (ja) | 1985-04-18 |
| JPH0350831B2 JPH0350831B2 (ja) | 1991-08-02 |
Family
ID=15984343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17476983A Granted JPS6067658A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6067658A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01116070A (ja) * | 1987-10-29 | 1989-05-09 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | スパツタ装置 |
| JPH05239637A (ja) * | 1991-08-23 | 1993-09-17 | Applied Materials Inc | 集積回路製造のための改良された材料蒸着方法 |
-
1983
- 1983-09-21 JP JP17476983A patent/JPS6067658A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01116070A (ja) * | 1987-10-29 | 1989-05-09 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | スパツタ装置 |
| JPH05239637A (ja) * | 1991-08-23 | 1993-09-17 | Applied Materials Inc | 集積回路製造のための改良された材料蒸着方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0350831B2 (ja) | 1991-08-02 |
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