JPH0346544B2 - - Google Patents
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- JPH0346544B2 JPH0346544B2 JP58174772A JP17477283A JPH0346544B2 JP H0346544 B2 JPH0346544 B2 JP H0346544B2 JP 58174772 A JP58174772 A JP 58174772A JP 17477283 A JP17477283 A JP 17477283A JP H0346544 B2 JPH0346544 B2 JP H0346544B2
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- thin film
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- substrate
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- forming apparatus
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
１ 産業上の利用分野
本発明は薄膜形成装置に関するものである。
２ 従来技術
従来、多数の開口（特に、微細なメツシユ状開
口）を有する感光性スクリーンに静電荷像を形成
し、この静電荷像によりイオン流（例えば正イオ
ン粒子）の通過を制御して、帯電可能な層（例え
ば感光体ドラムの感光層）に所定の静電荷像を形
成する多色電子写真複写方式が知られている。 第１図には、例えば白地に黒色画像部と赤色画
像部とからなる２色原稿から画像を再現するため
の２色刷り用複写機が示されている。この装置本
体の上部には往復動する原稿台４１が設けられて
おり、この原稿台４１上に載置された原稿２５は
照明ランプ４２により照明される。４３，４４は
ミラー、４５は固定レンズ、４６は光路中に出入
れし得るように構成された可動の赤色フイルタ
ー、４７は赤色光を反射させ、赤色と補色関係に
あるシアン色は通過させる可動式のダイクロイツ
クフイルターであり、光路中に出入れし得るよう
に構成されている。第５図では赤色フイルター４
６は光路からはずれ、ダイクロイツクフイルター
４７は光路中に配置されている状態を示してい
る。ドラム状をなした感光体５３の表面に感光層
１８が設けられ、感光体５３が時計方向に回転す
ると感光層１８がコロナ帯電器２４によつて均一
に帯電される。感光層１８はセレンあるいは有機
半導体などにより作られる。 感光体５３の周辺には、感光層１８を均一に帯
電する帯電器５４と、正に帯電された黒色トナー
を有する黒色現像器４８と、正に帯電された赤色
トナーを有する赤色現像器４９と、感光層１８上
に残留するトナーおよび電荷を除去するクリーニ
ング装置３０とが配置されている。３１は感光体
５３と同径で、感光層１８と接触して従動するか
又は反時計方向に回転する転写ドラムである。６
３はコロナ放電器からなる転写電極、３２は複写
紙給紙皿、３３は複写紙給紙皿３２に収納された
複写紙５２を一枚ずつ給紙する給紙ローラ、３４
は複写紙を転写ドラム３１に搬送する第１搬送ロ
ーラ、３５は転写後に複写紙をドラム３１から分
離し易くするための除電を行なう静電分離器、３
６は複写紙をドラム３１から強制的に分離する分
離爪である。また、３７はヒーター内蔵の定着装
置である。但、実際には複写紙５２を案内するガ
イド板を設けるが、この図示は省略されている。 一方、感光層１８の外側には、光導電層が面す
るように円筒状をなした感光性スクリーンドラム
１７が配され、このドラム１７は原稿台４１およ
び感光層１８と同期して反時計方向に回転し得る
ように配置されている。また、このドラム１７の
外側周辺には、スクリーン帯電器２８と、感光ス
クリーンドラム１７上に残留する電荷を除去する
EL（エレクトロルミネセンス）板またはACコロ
ナ除電器などで作つたスクリーン除電器３９と、
感光性スクリーンドラム１７の内側で感光体５３
に対向する位置に荷電粒子を投射する荷電粒子源
（コロナ放電器）１９とが設けられている。 この感光性スクリーン１７は、第２図に示す如
く、多数の微細開口１０を有しかつ一方の面が露
出したドラム状導電性スクリーン１１と、この導
電性スクリーンの少なくとも他方の面に設けられ
た（図示の例では開口１０内の壁面にも設けられ
ている）絶縁層１３と、この絶縁層上に設けられ
たバイアス用のAl等の導電膜１４と、光導電性
（感光）層１５と、電荷輸送層１６とによつて構
成されている。導電性スクリーン１１はステンレ
ス、Al等の金属メツシユで、絶縁層１３はポリ
エチレン等で、感光層１５及び電荷輸送層１６は
有機光半導体で夫々形成される。 この感光性スクリーン１７の製作に際し、特に
上記導電膜１４は第３図に示す如くAl蒸発源２
０の蒸着によつて形成される。ところがこの場
合、蒸発源２０からのAl蒸気２１のうち、スク
リーン基体１１に対し斜め方向に入射する部分２
１′は矢印で示すように開口１０を通して基体１
１の裏側へ廻り込み易いか、或いは基体１１の裏
面へ直接付着してしまう。この結果、第４図のよ
うに裏面に付着したAl部分によつて導電膜１４
と基体１１とが導通（短絡）してしまい、その作
用を発揮できなくなる。従つて従来は、電流を流
すことによつて、基体１１上のAl膜１４の比較
的薄い部分１４ａ（特に基体１１のエツジ部分１
１ａに薄く付着した部分）を焼切つて、基体１１
に対する短絡を防いでいる。しかしながら、その
ための作業工程が必要である上に、上記焼切によ
るダメージがAl膜１４に残り、その耐圧が低下
するという欠点がある。 ３ 発明の目的 本発明の目的は、作業容易にして上記導電膜の
如き薄膜を精度良く形成できる装置を提供するこ
とにある。 ４ 発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、薄膜構成物質の粒子（例えば
Al）を飛翔させ、対向配置された基体上に堆積
させる薄膜形成装置において、前記基体をほぼ円
筒形に構成してその中心軸の周りに回転可能に配
し、前記基体と薄膜構成物質の粒子飛翔源との間
に粒子流制御手段を配し、この粒子流制御手段に
設けられた単一のスリツト状粒子流通過口を介し
て、回転する前記基体の外周面に対し前記粒子が
場所的に常に一定した入射角度となるように導び
かれ、前記基体の外周面上にその全周囲に亘つて
ほぼ同一の方向で前記粒子を堆積させるように構
成されたことを特徴とする薄膜形成装置に係るも
のである。 本発明によれば、薄膜構成物質の粒子を基体に
対し粒子流制御手段で制御しながら入射させるよ
うにしているので、粒子が基体の表面上にて順次
堆積し、既述した如き廻り込みや裏面への直接付
着を阻止するようにできる。従つて、得られた薄
膜は何らの後処理を加えることなく、そのまま次
の工程（例えば感光層の形成）に供することが可
能である。この際、粒子流通過口のスリツト幅を
小さめにすれば、粒子流制御手段の粒子流通過口
から粒子が横方向へ拡散する幅を小さくでき、所
定の決められた領域にのみ粒子を基体上に堆積さ
せることができる。本発明では、基体をほぼ円筒
形に構成してその中心軸の周りに回転可能に配
し、この回転する基体の外周面に対し粒子が場所
的に常に一定した入射角度となるように導びか
れ、基体の外周面上にその全周囲に亘つてほぼ同
一の方向で粒子を堆積させるようにしているの
で、粒子は常に一方向成分（例えば垂直成分）の
みが基体に対して堆積することになり、堆積膜の
配向性が非常に良好となる（しかも、基体を回転
させていることによつて、同じ面積を堆積させる
に際し装置自体（或いは基体）の占有面積がその
駆動機構も含めて小さくなる）。このことは、本
発明者によつてはじめて見出された新規で有用な
事実であり、後記において詳細に説明する。 ５ 実施例 以下、本発明を第５図〜第１５図に示す実施例
について詳細に説明する。 第５図には、既述した感光性スクリーンの導電
性スクリーン基体１１（実際にはその表面又は外
面上に絶縁層１３が既に形成されている。）と、
Al蒸発源２０とを10-4〜10-5Torrの真空度に引
かれたベルジヤー（図示省略）内に配し、基体１
１上にAl蒸着膜（既述の１４）を形成する真空
蒸着方法又はその装置を示す。スクリーン基体１
１は、マンドレル２２の周りにセツトされると共
に例えば15rpmの速度で回転し得るように配され
ている。 ここで注目すべきことは、基体１１と蒸発源２
０との間の領域において、基体１１の近傍にスリ
ツト２３付きの遮蔽板２４を設けていることであ
る。そしてこの場合、第６図に明示する如く、蒸
発源２０からのAl蒸気は、一点鎖線２１′で示す
斜め方向の成分は遮蔽板２４によつて完全に遮断
され、基体１１に対してその垂直方向成分２１の
みがスリツト２３を通して導びかれ、絶縁層１３
上に順次堆積するように構成している。スリツト
２３を通過するAl蒸気２１の蒸発源からの角度
αは例えば0.5度に設定される。また実際には、
スリツト２３の幅を５mmとすれば、このスリツト
幅内には第６図に示すように基体１１のメツシユ
構成部分が多数個（例えば20個）分収まるように
構成される。 このように、スリツト２３付きの遮蔽板２４に
よつて、Al蒸気（又は分子）の垂直方向成分２
１のみを選択して基体１１上に導びいているか
ら、基体１１の表面又は外面上にのみAlが堆積
し、その裏面上へは廻り込み又は直接付着が全く
生じず、このために基体１１−Al膜間の導通が
生じることはない。 ここで、Al蒸着膜１４が本発明の目的を達成
するように堆積されるためには、主として次の５
つの条件を考慮するのが望ましい。 (1) DSM（遮蔽板２４と基体１１との距離） (2) DBS（蒸発源２０との遮蔽板２４との距離） (3) Ｗ（スリツト２３の幅） (4) Al蒸発速度（RAl） (5) Al膜１４の膜厚（TAl） これらの条件について、本発明者が行なつた実
験結果を基に詳細に説明する。 まず、次の条件を一定にして、スリツト幅Ｗを
変化せしめた場合、下記表−１に示す結果が得ら
れた。 DSM＝５mm DBS＝300mm RAl＝１ｇ／min
口）を有する感光性スクリーンに静電荷像を形成
し、この静電荷像によりイオン流（例えば正イオ
ン粒子）の通過を制御して、帯電可能な層（例え
ば感光体ドラムの感光層）に所定の静電荷像を形
成する多色電子写真複写方式が知られている。 第１図には、例えば白地に黒色画像部と赤色画
像部とからなる２色原稿から画像を再現するため
の２色刷り用複写機が示されている。この装置本
体の上部には往復動する原稿台４１が設けられて
おり、この原稿台４１上に載置された原稿２５は
照明ランプ４２により照明される。４３，４４は
ミラー、４５は固定レンズ、４６は光路中に出入
れし得るように構成された可動の赤色フイルタ
ー、４７は赤色光を反射させ、赤色と補色関係に
あるシアン色は通過させる可動式のダイクロイツ
クフイルターであり、光路中に出入れし得るよう
に構成されている。第５図では赤色フイルター４
６は光路からはずれ、ダイクロイツクフイルター
４７は光路中に配置されている状態を示してい
る。ドラム状をなした感光体５３の表面に感光層
１８が設けられ、感光体５３が時計方向に回転す
ると感光層１８がコロナ帯電器２４によつて均一
に帯電される。感光層１８はセレンあるいは有機
半導体などにより作られる。 感光体５３の周辺には、感光層１８を均一に帯
電する帯電器５４と、正に帯電された黒色トナー
を有する黒色現像器４８と、正に帯電された赤色
トナーを有する赤色現像器４９と、感光層１８上
に残留するトナーおよび電荷を除去するクリーニ
ング装置３０とが配置されている。３１は感光体
５３と同径で、感光層１８と接触して従動するか
又は反時計方向に回転する転写ドラムである。６
３はコロナ放電器からなる転写電極、３２は複写
紙給紙皿、３３は複写紙給紙皿３２に収納された
複写紙５２を一枚ずつ給紙する給紙ローラ、３４
は複写紙を転写ドラム３１に搬送する第１搬送ロ
ーラ、３５は転写後に複写紙をドラム３１から分
離し易くするための除電を行なう静電分離器、３
６は複写紙をドラム３１から強制的に分離する分
離爪である。また、３７はヒーター内蔵の定着装
置である。但、実際には複写紙５２を案内するガ
イド板を設けるが、この図示は省略されている。 一方、感光層１８の外側には、光導電層が面す
るように円筒状をなした感光性スクリーンドラム
１７が配され、このドラム１７は原稿台４１およ
び感光層１８と同期して反時計方向に回転し得る
ように配置されている。また、このドラム１７の
外側周辺には、スクリーン帯電器２８と、感光ス
クリーンドラム１７上に残留する電荷を除去する
EL（エレクトロルミネセンス）板またはACコロ
ナ除電器などで作つたスクリーン除電器３９と、
感光性スクリーンドラム１７の内側で感光体５３
に対向する位置に荷電粒子を投射する荷電粒子源
（コロナ放電器）１９とが設けられている。 この感光性スクリーン１７は、第２図に示す如
く、多数の微細開口１０を有しかつ一方の面が露
出したドラム状導電性スクリーン１１と、この導
電性スクリーンの少なくとも他方の面に設けられ
た（図示の例では開口１０内の壁面にも設けられ
ている）絶縁層１３と、この絶縁層上に設けられ
たバイアス用のAl等の導電膜１４と、光導電性
（感光）層１５と、電荷輸送層１６とによつて構
成されている。導電性スクリーン１１はステンレ
ス、Al等の金属メツシユで、絶縁層１３はポリ
エチレン等で、感光層１５及び電荷輸送層１６は
有機光半導体で夫々形成される。 この感光性スクリーン１７の製作に際し、特に
上記導電膜１４は第３図に示す如くAl蒸発源２
０の蒸着によつて形成される。ところがこの場
合、蒸発源２０からのAl蒸気２１のうち、スク
リーン基体１１に対し斜め方向に入射する部分２
１′は矢印で示すように開口１０を通して基体１
１の裏側へ廻り込み易いか、或いは基体１１の裏
面へ直接付着してしまう。この結果、第４図のよ
うに裏面に付着したAl部分によつて導電膜１４
と基体１１とが導通（短絡）してしまい、その作
用を発揮できなくなる。従つて従来は、電流を流
すことによつて、基体１１上のAl膜１４の比較
的薄い部分１４ａ（特に基体１１のエツジ部分１
１ａに薄く付着した部分）を焼切つて、基体１１
に対する短絡を防いでいる。しかしながら、その
ための作業工程が必要である上に、上記焼切によ
るダメージがAl膜１４に残り、その耐圧が低下
するという欠点がある。 ３ 発明の目的 本発明の目的は、作業容易にして上記導電膜の
如き薄膜を精度良く形成できる装置を提供するこ
とにある。 ４ 発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、薄膜構成物質の粒子（例えば
Al）を飛翔させ、対向配置された基体上に堆積
させる薄膜形成装置において、前記基体をほぼ円
筒形に構成してその中心軸の周りに回転可能に配
し、前記基体と薄膜構成物質の粒子飛翔源との間
に粒子流制御手段を配し、この粒子流制御手段に
設けられた単一のスリツト状粒子流通過口を介し
て、回転する前記基体の外周面に対し前記粒子が
場所的に常に一定した入射角度となるように導び
かれ、前記基体の外周面上にその全周囲に亘つて
ほぼ同一の方向で前記粒子を堆積させるように構
成されたことを特徴とする薄膜形成装置に係るも
のである。 本発明によれば、薄膜構成物質の粒子を基体に
対し粒子流制御手段で制御しながら入射させるよ
うにしているので、粒子が基体の表面上にて順次
堆積し、既述した如き廻り込みや裏面への直接付
着を阻止するようにできる。従つて、得られた薄
膜は何らの後処理を加えることなく、そのまま次
の工程（例えば感光層の形成）に供することが可
能である。この際、粒子流通過口のスリツト幅を
小さめにすれば、粒子流制御手段の粒子流通過口
から粒子が横方向へ拡散する幅を小さくでき、所
定の決められた領域にのみ粒子を基体上に堆積さ
せることができる。本発明では、基体をほぼ円筒
形に構成してその中心軸の周りに回転可能に配
し、この回転する基体の外周面に対し粒子が場所
的に常に一定した入射角度となるように導びか
れ、基体の外周面上にその全周囲に亘つてほぼ同
一の方向で粒子を堆積させるようにしているの
で、粒子は常に一方向成分（例えば垂直成分）の
みが基体に対して堆積することになり、堆積膜の
配向性が非常に良好となる（しかも、基体を回転
させていることによつて、同じ面積を堆積させる
に際し装置自体（或いは基体）の占有面積がその
駆動機構も含めて小さくなる）。このことは、本
発明者によつてはじめて見出された新規で有用な
事実であり、後記において詳細に説明する。 ５ 実施例 以下、本発明を第５図〜第１５図に示す実施例
について詳細に説明する。 第５図には、既述した感光性スクリーンの導電
性スクリーン基体１１（実際にはその表面又は外
面上に絶縁層１３が既に形成されている。）と、
Al蒸発源２０とを10-4〜10-5Torrの真空度に引
かれたベルジヤー（図示省略）内に配し、基体１
１上にAl蒸着膜（既述の１４）を形成する真空
蒸着方法又はその装置を示す。スクリーン基体１
１は、マンドレル２２の周りにセツトされると共
に例えば15rpmの速度で回転し得るように配され
ている。 ここで注目すべきことは、基体１１と蒸発源２
０との間の領域において、基体１１の近傍にスリ
ツト２３付きの遮蔽板２４を設けていることであ
る。そしてこの場合、第６図に明示する如く、蒸
発源２０からのAl蒸気は、一点鎖線２１′で示す
斜め方向の成分は遮蔽板２４によつて完全に遮断
され、基体１１に対してその垂直方向成分２１の
みがスリツト２３を通して導びかれ、絶縁層１３
上に順次堆積するように構成している。スリツト
２３を通過するAl蒸気２１の蒸発源からの角度
αは例えば0.5度に設定される。また実際には、
スリツト２３の幅を５mmとすれば、このスリツト
幅内には第６図に示すように基体１１のメツシユ
構成部分が多数個（例えば20個）分収まるように
構成される。 このように、スリツト２３付きの遮蔽板２４に
よつて、Al蒸気（又は分子）の垂直方向成分２
１のみを選択して基体１１上に導びいているか
ら、基体１１の表面又は外面上にのみAlが堆積
し、その裏面上へは廻り込み又は直接付着が全く
生じず、このために基体１１−Al膜間の導通が
生じることはない。 ここで、Al蒸着膜１４が本発明の目的を達成
するように堆積されるためには、主として次の５
つの条件を考慮するのが望ましい。 (1) DSM（遮蔽板２４と基体１１との距離） (2) DBS（蒸発源２０との遮蔽板２４との距離） (3) Ｗ（スリツト２３の幅） (4) Al蒸発速度（RAl） (5) Al膜１４の膜厚（TAl） これらの条件について、本発明者が行なつた実
験結果を基に詳細に説明する。 まず、次の条件を一定にして、スリツト幅Ｗを
変化せしめた場合、下記表−１に示す結果が得ら
れた。 DSM＝５mm DBS＝300mm RAl＝１ｇ／min
【表】
上記表−１の結果から、スリツト幅Ｗが20mm程
度では、拡散幅ｄが24mm程度に抑えられ、裏面へ
のAl粒子の廻り込みが生じると不利な薄めの絶
縁層を形成した場合でもその廻り込みの影響がな
い（即ち、基体の表−裏間の抵抗が10MΩ以上と
高く保持される）ことが分る。絶縁層が厚めのと
きは、いずれの場合も良好な結果が得られる。 次に、下記の条件を一定にして操作したとこ
ろ、表−２に示す結果が得られた。 DSM＝５mm DBS＝300mm Ｗ＝10mm RAl＝１ｇ／min 絶縁層１３の塗布回数＝４回（層は薄め）
度では、拡散幅ｄが24mm程度に抑えられ、裏面へ
のAl粒子の廻り込みが生じると不利な薄めの絶
縁層を形成した場合でもその廻り込みの影響がな
い（即ち、基体の表−裏間の抵抗が10MΩ以上と
高く保持される）ことが分る。絶縁層が厚めのと
きは、いずれの場合も良好な結果が得られる。 次に、下記の条件を一定にして操作したとこ
ろ、表−２に示す結果が得られた。 DSM＝５mm DBS＝300mm Ｗ＝10mm RAl＝１ｇ／min 絶縁層１３の塗布回数＝４回（層は薄め）
【表】
この結果から、Al膜厚を目標とする300〓程度
としても抵抗値は充分に保持できるが、電流のリ
ークが生じ易くなることが分る。Al膜厚は薄め
の方が、Al廻り込みの影響を軽減できる。 また、上記DSM（遮蔽板−基体間の距離）を選
択するこによつて、拡散幅ｄを低めに抑え、Al
粒子流の平行度を充分にし得ることを確認してい
る。即ち、第８図に示すように（但、DBS＝300
mm、Ｗ＝５mm、RAl＝１ｇ／mm）、DSMを40mm以下
として基体と遮蔽板の距離を短かくすると、付着
拡散幅を25mm以下と小さくし、目的とするAl蒸
着膜が得易くなる。 上記DBSとｄとの間には、第９図に示す関係が
得られ、DBSを60mm以上の範囲で適切に設定（特
に100mm以上）することが望ましい（但、第９図
の条件は、DSM＝５mm、Ｗ＝５mm、RAl＝１ｇ／
min）。 スリツト幅Ｗについては、第１０図のように拡
散幅ｄを左右し、Ｗを20数mm以下とすればよいこ
とが分る。また、第１１図のように、スリツト幅
Ｗ−拡散幅ｄは、DSMのとり方によつても変化
し、DSMを５mmと小さくする方が拡散幅を少なく
できることが分る（但、DBS＝300mm、DSM＝５mm
又はRAl＝１、２、４〜６ｇ／min）。 ここで本発明者は、上記した如くに遮蔽板２４
を用いてAl蒸気を蒸着させるに際し、スリツト
幅Ｗを小さめに設定することが極めて重要である
ことを見出したのである（第１０図、第１１図参
照）。特に、基体１１の直径Ｒに対し、スリツト
幅Ｗを1/4以下（望ましくは1/10以下）とするこ
とがよい、具体的にはＲ＝120mmφのときにはＷ
＝30〜12mm以下とするのが望ましい。 このように、本発明に基いて、上述の遮蔽板の
使用によつて粒子流を制御しながら、そのスリツ
ト幅を小さめに設定すれば、拡散幅を小さくし、
平行粒子流を多くして、基体の表面（外面）上に
のみAl蒸着膜を精度良く形成することができる
のである。 上述したマンドレル２２について、第１２図を
用いてより詳細に説明する。 このマンドレル２２は、基体１１の内周に近接
して設けられているので、基体１１のメツシユを
通過したAl粒子はマンドレル２２で阻止され、
基体１１の他の内面への付着が効果的に防止され
る。この場合、マンドレル２２は実際には、追加
のスリーブ２５と接合、一体化され、このスリー
ブ２５上の両端に嵌め込まれたリング２６に対し
上述した基体１１が固定される。 第１３図は、他の蒸着装置を示すが、この場合
には、基体１１にバイアス電圧２７をかけ、蒸発
源２０からの粒子２１を電子銃２８からの電子に
よつて活性化若しくはイオン化することにより、
粒子２１の基体１１上への吸着効率を高めてい
る。 第１４図は、コイル電極２９に高周波３８を加
え、公知のRFイオンプレーテイングと同様の原
理で、Arガスを導入しながら蒸着を行なう例で
ある。 第１５図は、スパツタ法によりAl膜を形成す
る例を示し、Alターゲツト４０をArガスによる
プラズマでスパツタし、叩き出されたAl粒子又
はクラスターをスリツト２３を介して基体１１上
にほぼ垂直に入射させ、上述したAl導電膜１４
を形成する。 なお、本発明は、上述の感光性スクリーンに限
らず、他の薄膜、例えば垂直磁気記録層（例えば
Co−Cr膜）の形成にも適用可能であり、その用
途は広範である。また、上述の遮蔽板は複数板組
合せてよいし、スリツトに対し粒子流が収束する
ような電界又は磁界を作用させてもよい。
としても抵抗値は充分に保持できるが、電流のリ
ークが生じ易くなることが分る。Al膜厚は薄め
の方が、Al廻り込みの影響を軽減できる。 また、上記DSM（遮蔽板−基体間の距離）を選
択するこによつて、拡散幅ｄを低めに抑え、Al
粒子流の平行度を充分にし得ることを確認してい
る。即ち、第８図に示すように（但、DBS＝300
mm、Ｗ＝５mm、RAl＝１ｇ／mm）、DSMを40mm以下
として基体と遮蔽板の距離を短かくすると、付着
拡散幅を25mm以下と小さくし、目的とするAl蒸
着膜が得易くなる。 上記DBSとｄとの間には、第９図に示す関係が
得られ、DBSを60mm以上の範囲で適切に設定（特
に100mm以上）することが望ましい（但、第９図
の条件は、DSM＝５mm、Ｗ＝５mm、RAl＝１ｇ／
min）。 スリツト幅Ｗについては、第１０図のように拡
散幅ｄを左右し、Ｗを20数mm以下とすればよいこ
とが分る。また、第１１図のように、スリツト幅
Ｗ−拡散幅ｄは、DSMのとり方によつても変化
し、DSMを５mmと小さくする方が拡散幅を少なく
できることが分る（但、DBS＝300mm、DSM＝５mm
又はRAl＝１、２、４〜６ｇ／min）。 ここで本発明者は、上記した如くに遮蔽板２４
を用いてAl蒸気を蒸着させるに際し、スリツト
幅Ｗを小さめに設定することが極めて重要である
ことを見出したのである（第１０図、第１１図参
照）。特に、基体１１の直径Ｒに対し、スリツト
幅Ｗを1/4以下（望ましくは1/10以下）とするこ
とがよい、具体的にはＲ＝120mmφのときにはＷ
＝30〜12mm以下とするのが望ましい。 このように、本発明に基いて、上述の遮蔽板の
使用によつて粒子流を制御しながら、そのスリツ
ト幅を小さめに設定すれば、拡散幅を小さくし、
平行粒子流を多くして、基体の表面（外面）上に
のみAl蒸着膜を精度良く形成することができる
のである。 上述したマンドレル２２について、第１２図を
用いてより詳細に説明する。 このマンドレル２２は、基体１１の内周に近接
して設けられているので、基体１１のメツシユを
通過したAl粒子はマンドレル２２で阻止され、
基体１１の他の内面への付着が効果的に防止され
る。この場合、マンドレル２２は実際には、追加
のスリーブ２５と接合、一体化され、このスリー
ブ２５上の両端に嵌め込まれたリング２６に対し
上述した基体１１が固定される。 第１３図は、他の蒸着装置を示すが、この場合
には、基体１１にバイアス電圧２７をかけ、蒸発
源２０からの粒子２１を電子銃２８からの電子に
よつて活性化若しくはイオン化することにより、
粒子２１の基体１１上への吸着効率を高めてい
る。 第１４図は、コイル電極２９に高周波３８を加
え、公知のRFイオンプレーテイングと同様の原
理で、Arガスを導入しながら蒸着を行なう例で
ある。 第１５図は、スパツタ法によりAl膜を形成す
る例を示し、Alターゲツト４０をArガスによる
プラズマでスパツタし、叩き出されたAl粒子又
はクラスターをスリツト２３を介して基体１１上
にほぼ垂直に入射させ、上述したAl導電膜１４
を形成する。 なお、本発明は、上述の感光性スクリーンに限
らず、他の薄膜、例えば垂直磁気記録層（例えば
Co−Cr膜）の形成にも適用可能であり、その用
途は広範である。また、上述の遮蔽板は複数板組
合せてよいし、スリツトに対し粒子流が収束する
ような電界又は磁界を作用させてもよい。
第１図〜第４図は従来例を示すものであつて、
第１図は２色刷り用電子写真複写機の概略断面
図、第２図は感光性スクリーンの一部拡大断面
図、第３図は蒸着時の断面図、第４図は蒸着後の
感光性スクリーンの断面図である。第５図〜第１
５図は本発明の実施例を示すものであつて、第５
図は蒸着時の断面図、第６図は第５図の要部拡大
図、第７図は各部の位置関係を説明するための第
６図と同様の図、第８図は遮蔽板と基体との距離
による粒子拡散幅を示すグラフ、第９図は蒸発源
と遮蔽板との距離による粒子拡散幅を示すグラ
フ、第１０図は遮蔽板のスリツト幅と粒子拡散幅
との関係を示すグラフ、第１１図は同スリツト幅
と粒子拡散幅との関係を遮蔽板−基体間の距離と
の関連で示すグラフ、第１２図は基体保持構造を
示す断面図、第１３図、第１４図、第１５図は他
の製造装置の各概略図である。 なお、図面に示した符号において、１１……導
電性スクリーン基体、１３……絶縁層、１４……
（Al）導電膜、１５……感光層、１６……電荷輸
送層、１７……感光性スクリーン、２０……蒸発
源、２１……Al蒸気、２２……マンドレル、２
３……スリツト、２４……遮蔽板である。
第１図は２色刷り用電子写真複写機の概略断面
図、第２図は感光性スクリーンの一部拡大断面
図、第３図は蒸着時の断面図、第４図は蒸着後の
感光性スクリーンの断面図である。第５図〜第１
５図は本発明の実施例を示すものであつて、第５
図は蒸着時の断面図、第６図は第５図の要部拡大
図、第７図は各部の位置関係を説明するための第
６図と同様の図、第８図は遮蔽板と基体との距離
による粒子拡散幅を示すグラフ、第９図は蒸発源
と遮蔽板との距離による粒子拡散幅を示すグラ
フ、第１０図は遮蔽板のスリツト幅と粒子拡散幅
との関係を示すグラフ、第１１図は同スリツト幅
と粒子拡散幅との関係を遮蔽板−基体間の距離と
の関連で示すグラフ、第１２図は基体保持構造を
示す断面図、第１３図、第１４図、第１５図は他
の製造装置の各概略図である。 なお、図面に示した符号において、１１……導
電性スクリーン基体、１３……絶縁層、１４……
（Al）導電膜、１５……感光層、１６……電荷輸
送層、１７……感光性スクリーン、２０……蒸発
源、２１……Al蒸気、２２……マンドレル、２
３……スリツト、２４……遮蔽板である。
Claims (1)
- １ 薄膜構成物質の粒子を飛翔させ、対向配置さ
れた基体上に堆積させる薄膜形成装置において、
前記基体をほぼ円筒形に構成してその中心軸の周
りに回転可能に配し、前記基体と薄膜構成物質の
粒子飛翔源との間に粒子流制御手段を配し、この
粒子流制御手段に設けられた単一のスリツト状粒
子流通過口を介して、回転する前記基体の外周面
に対し前記粒子が場所的に常に一定した入射角度
となるように導びかれ、前記基体の外周面上にそ
の全周囲に亘つてほぼ同一の方向で前記粒子を堆
積させるように構成されたことを特徴とする薄膜
形成装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17477283A JPS6067661A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 薄膜形成装置 |
| US06/649,858 US4601922A (en) | 1983-09-21 | 1984-09-12 | Method of forming a layer of thin film on a substrate having a multiplicity of mesh-like holes |
| DE19843434433 DE3434433A1 (de) | 1983-09-21 | 1984-09-19 | Verfahren und vorrichtung zum erzeugen einer duennen schicht auf einem substrat |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17477283A JPS6067661A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6067661A JPS6067661A (ja) | 1985-04-18 |
| JPH0346544B2 true JPH0346544B2 (ja) | 1991-07-16 |
Family
ID=15984396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17477283A Granted JPS6067661A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6067661A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4536585B2 (ja) * | 2005-05-10 | 2010-09-01 | 株式会社ツバキエマソン | 過負荷保護装置付中空軸減速機 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW495812B (en) * | 2000-03-06 | 2002-07-21 | Semiconductor Energy Lab | Thin film forming device, method of forming a thin film, and self-light-emitting device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5333640A (en) * | 1976-09-10 | 1978-03-29 | Hitachi Ltd | Formation of orientation control film for liquid crystal display element |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53117559U (ja) * | 1977-02-24 | 1978-09-19 |
-
1983
- 1983-09-21 JP JP17477283A patent/JPS6067661A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5333640A (en) * | 1976-09-10 | 1978-03-29 | Hitachi Ltd | Formation of orientation control film for liquid crystal display element |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4536585B2 (ja) * | 2005-05-10 | 2010-09-01 | 株式会社ツバキエマソン | 過負荷保護装置付中空軸減速機 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6067661A (ja) | 1985-04-18 |
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