JPS5884970A - 真空メツキ装置 - Google Patents
真空メツキ装置Info
- Publication number
- JPS5884970A JPS5884970A JP18206981A JP18206981A JPS5884970A JP S5884970 A JPS5884970 A JP S5884970A JP 18206981 A JP18206981 A JP 18206981A JP 18206981 A JP18206981 A JP 18206981A JP S5884970 A JPS5884970 A JP S5884970A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cover
- vacuum
- vacuum plating
- plating
- unavailable
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、真空蒸着法、イオンブレーティング法等に用
いられる真空メッキ装置において、真空メッキ対象物で
ある被メツキ材以外に飛来するメッキ金属蒸気を回収す
るための装置に関するものである。
いられる真空メッキ装置において、真空メッキ対象物で
ある被メツキ材以外に飛来するメッキ金属蒸気を回収す
るための装置に関するものである。
一般に真空中で、コバルト、コバルト合金等の蒸発材料
４を蒸発源となるるつぼ３で加熱することにより蒸発さ
せ、このメッキ金属蒸気を鋼ストリップなどの被メッキ
材６の表面に飛来させ、被メッキ材６の表面上に、前記
金属の真空メッキ層を形成させる真空メッキ装置におい
て、メッキ金属蒸気流の飛散面積が、被メツキ材表面の
メッキ金属蒸気衝突面積より大きいため、メッキ金属蒸
気の大部分は、被メッキ材６へ付着せず、無効なメッキ
金属蒸気として、真空槽内１で飛散し、その結果、真空
メッキ材料の歩留りの低下をまねく。
４を蒸発源となるるつぼ３で加熱することにより蒸発さ
せ、このメッキ金属蒸気を鋼ストリップなどの被メッキ
材６の表面に飛来させ、被メッキ材６の表面上に、前記
金属の真空メッキ層を形成させる真空メッキ装置におい
て、メッキ金属蒸気流の飛散面積が、被メツキ材表面の
メッキ金属蒸気衝突面積より大きいため、メッキ金属蒸
気の大部分は、被メッキ材６へ付着せず、無効なメッキ
金属蒸気として、真空槽内１で飛散し、その結果、真空
メッキ材料の歩留りの低下をまねく。
また、前記した無効な金属蒸気は、真空槽内の付属膜′
伽や真空槽１壁に飛来し、蒸着層として蓄積する。この
蓄積し、付着した金属層は、連続して長時間真空メッキ
装置を操業させた際には、量的に多大となり、真空操作
中の粉塵の要因となる。
伽や真空槽１壁に飛来し、蒸着層として蓄積する。この
蓄積し、付着した金属層は、連続して長時間真空メッキ
装置を操業させた際には、量的に多大となり、真空操作
中の粉塵の要因となる。
そこで品質の安定化を図るために各操業毎にその蓄積し
た蒸着層を除去する必要がある。また、真空メッキ法の
材料歩留りの向上を図るためには、前記した真空槽内の
付属設備や真空槽壁の表面に蓄積した金属層を回収し、
真空メッキに適した状態の蒸発材料４に再生した後、再
使用することが適切である。又、回収効率を上げるため
には粉末状態よりも層状に積層した状態の方が有利であ
る。
た蒸着層を除去する必要がある。また、真空メッキ法の
材料歩留りの向上を図るためには、前記した真空槽内の
付属設備や真空槽壁の表面に蓄積した金属層を回収し、
真空メッキに適した状態の蒸発材料４に再生した後、再
使用することが適切である。又、回収効率を上げるため
には粉末状態よりも層状に積層した状態の方が有利であ
る。
従来、この対策としては、すなわち第１図に示すように
クロムメッキ鋼板等の金属平板を用い、真空槽１内の付
属設備や真空槽１壁の形状に合うカバー２を設け、この
カバー２表面上に無効メッキ金属蒸気を層状に付着させ
て、この蓄積した金属層が、量的に増加した時点で、真
空メッキの操業を停止し、新しいカバー２と交換して、
再び操業を行なう方法がとられていた。
クロムメッキ鋼板等の金属平板を用い、真空槽１内の付
属設備や真空槽１壁の形状に合うカバー２を設け、この
カバー２表面上に無効メッキ金属蒸気を層状に付着させ
て、この蓄積した金属層が、量的に増加した時点で、真
空メッキの操業を停止し、新しいカバー２と交換して、
再び操業を行なう方法がとられていた。
しかしながら、上記方法によれば、カバー２表面に蓄積
した金属材料層をカバー２表面から除去する際に機械的
衝撃等を用いて剥離しなければなら゛ないために、その
金属材料層は粉末状態で剥離すると同時に、カバー２表
面にも多くの起伏が生じ、カバー２の再使用が不可能と
なる。さらに粉末状態のため回収効率の低下、作業環境
の低下という欠点を有していた。
した金属材料層をカバー２表面から除去する際に機械的
衝撃等を用いて剥離しなければなら゛ないために、その
金属材料層は粉末状態で剥離すると同時に、カバー２表
面にも多くの起伏が生じ、カバー２の再使用が不可能と
なる。さらに粉末状態のため回収効率の低下、作業環境
の低下という欠点を有していた。
本発明は、上記の従来の欠点を改善するものであり、機
械的衝撃等を必要とせず、容易に、真空槽壁、真空槽内
付属設備表面およびカバー表面に蓄積した金属層を層状
で剥離することが可能である方法および装置を提供する
ものである。
械的衝撃等を必要とせず、容易に、真空槽壁、真空槽内
付属設備表面およびカバー表面に蓄積した金属層を層状
で剥離することが可能である方法および装置を提供する
ものである。
以下、本発明の一実施例を第２図により詳細に説明する
。６は、無効真空メッキ金属蒸気を捕獲するためのカバ
ー、７はカーボン皮膜である。上記構成において、被メ
ッキ材を樹脂フィルム、真空メッキ材料をコバルト合金
とし、真空メッキを実施した。真空メッキ終了後、無効
メッキ金属蒸気を捕獲したカーボン皮膜で覆われたカバ
ー６から無効金属蒸気付着層を剥離するためには、０〜
０．０２８６７＋４の小さい衝撃力で容易に剥離するこ
とができた。すなわち、機械的衝撃をほとんど与えずに
容易に剥離２回収することができた。本発明の効果を明
確にするために従来から使用されているカバー２材質、
鋼板、銅板、ステンレス。
。６は、無効真空メッキ金属蒸気を捕獲するためのカバ
ー、７はカーボン皮膜である。上記構成において、被メ
ッキ材を樹脂フィルム、真空メッキ材料をコバルト合金
とし、真空メッキを実施した。真空メッキ終了後、無効
メッキ金属蒸気を捕獲したカーボン皮膜で覆われたカバ
ー６から無効金属蒸気付着層を剥離するためには、０〜
０．０２８６７＋４の小さい衝撃力で容易に剥離するこ
とができた。すなわち、機械的衝撃をほとんど与えずに
容易に剥離２回収することができた。本発明の効果を明
確にするために従来から使用されているカバー２材質、
鋼板、銅板、ステンレス。
クロムメッキ鋼板、ニッケルメッキ銅版、銅メッキ鋼板
について、同様のテスートを実施した。その比較検討結
果を第１表に示す。第１表において、０．０２８１ｊ／
Ｊの衝撃力によって剥離しないものをＸ印で示し、０〜
０ 、０２８１５／、ｊの間で剥離するものを○印で示
す。この結果より、カーボン皮膜が形成されたカバーが
、無効真空メッキ材料回収板として、非常に有効である
ことケ示す。
について、同様のテスートを実施した。その比較検討結
果を第１表に示す。第１表において、０．０２８１ｊ／
Ｊの衝撃力によって剥離しないものをＸ印で示し、０〜
０ 、０２８１５／、ｊの間で剥離するものを○印で示
す。この結果より、カーボン皮膜が形成されたカバーが
、無効真空メッキ材料回収板として、非常に有効である
ことケ示す。
第１表
以上本発明は、従来の真空メッキにおける無効真空メッ
キ金属材料の回収方法の欠点を改善したものであり、真
空、メッキの量産化において非常に効果を示す。
キ金属材料の回収方法の欠点を改善したものであり、真
空、メッキの量産化において非常に効果を示す。
第１図は従来のメッキ装置の断面図、第２図は本発明の
一実施例におけるカバーの断面図である。 １・・・・・・真空槽、６・・・・・・被メッキ材、４
・・・・・・蒸発材料、６・・・−・・カバー、７・・
・・・・カーボン皮膜。
一実施例におけるカバーの断面図である。 １・・・・・・真空槽、６・・・・・・被メッキ材、４
・・・・・・蒸発材料、６・・・−・・カバー、７・・
・・・・カーボン皮膜。
Claims (1)
- 真空状態を維持した真空槽と、この真空槽内に設けられ
、かつ加熱されて飛散し、所定の被メッキ材に密着する
蒸発材料と、蒸発材料の周囲に設けられ、表面にカーボ
ン膜が形成されているカバーとからなる真空メッキ装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18206981A JPS5884970A (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 真空メツキ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18206981A JPS5884970A (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 真空メツキ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5884970A true JPS5884970A (ja) | 1983-05-21 |
| JPS6157906B2 JPS6157906B2 (ja) | 1986-12-09 |
Family
ID=16111802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18206981A Granted JPS5884970A (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 真空メツキ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5884970A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6067663A (ja) * | 1983-09-21 | 1985-04-18 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 薄膜形成装置 |
| FR2582319A1 (fr) * | 1985-05-22 | 1986-11-28 | Barbier Benard & Turenne | Installation de depot de nickel par evaporation sous vide, notamment pour la preparation de guides a neutrons |
| JPS62109970A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-21 | Matsushita Electronics Corp | 真空蒸着槽内堆積物の除去方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0316562A (ja) * | 1989-06-14 | 1991-01-24 | Terumo Corp | 流体計測用プローブ |
-
1981
- 1981-11-12 JP JP18206981A patent/JPS5884970A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6067663A (ja) * | 1983-09-21 | 1985-04-18 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPH0346545B2 (ja) * | 1983-09-21 | 1991-07-16 | Konishiroku Photo Ind | |
| FR2582319A1 (fr) * | 1985-05-22 | 1986-11-28 | Barbier Benard & Turenne | Installation de depot de nickel par evaporation sous vide, notamment pour la preparation de guides a neutrons |
| JPS62109970A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-21 | Matsushita Electronics Corp | 真空蒸着槽内堆積物の除去方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6157906B2 (ja) | 1986-12-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0718423A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| TW533514B (en) | Physical vapor deposition target/backing plate assemblies; and methods of forming physical vapor deposition target/backing plate assemblies | |
| CN1703531A (zh) | 回收溅射靶中废组分的方法 | |
| US4097636A (en) | Metallized device | |
| JPS5884970A (ja) | 真空メツキ装置 | |
| JPH09316643A (ja) | 物理蒸着装置の防着部品 | |
| JPS5816065A (ja) | 真空メツキ装置 | |
| US3722071A (en) | Brazing powder deposition method | |
| US6444257B1 (en) | Metals recovery system | |
| DE3474572D1 (en) | Electrodes based on nickel, cobalt, iron, with active coating, and process for their manufacture | |
| JP2663025B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP2007051330A (ja) | 真空薄膜形成装置 | |
| JPS56154253A (en) | Method for coating mold coating material on metallic mold | |
| JPH11124661A (ja) | 成膜装置用構成部品 | |
| JP4519416B2 (ja) | 薄膜形成装置用汚染防止装置 | |
| US2356329A (en) | Method for thfe separation and rec | |
| CN217249827U (zh) | 一种传热元件搪瓷干粉静电喷涂装置 | |
| JPH02267261A (ja) | スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JPH04232256A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| KR102095101B1 (ko) | 유가금속 회수용 패치 | |
| Siemers | Method for Fabricating Titanium Alloys in Foil Form | |
| JPS59172165A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法およびその装置 | |
| EP0768708A3 (en) | Method for forming bumps on substrates for electronic components | |
| JPH05342572A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法及びその製造装置 | |
| US8557076B2 (en) | Method of fabricating an environmental friendly cladding layer |