JPH03236058A - 電子写真用感光体およびその製造方法 - Google Patents
電子写真用感光体およびその製造方法Info
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- JPH03236058A JPH03236058A JP3310090A JP3310090A JPH03236058A JP H03236058 A JPH03236058 A JP H03236058A JP 3310090 A JP3310090 A JP 3310090A JP 3310090 A JP3310090 A JP 3310090A JP H03236058 A JPH03236058 A JP H03236058A
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は電子写真用負帯電型有機感光体およびその製
造方法に関する。
造方法に関する。
電子写真用負帯電型有機感光体は、通常、導電性基体上
に電荷発生層、電荷輸送層が順次形成されてなるが、帯
電時の導電性基体から電荷発生層への電荷のリークを防
ぎ帯電特性を向上させるために、導電性基体と電荷発生
層との間にブロッキング層を設けることが一般的に行わ
れている。
に電荷発生層、電荷輸送層が順次形成されてなるが、帯
電時の導電性基体から電荷発生層への電荷のリークを防
ぎ帯電特性を向上させるために、導電性基体と電荷発生
層との間にブロッキング層を設けることが一般的に行わ
れている。
従来、このようなブロッキング層としては、絶縁性樹脂
の塗膜、あるいは導電性基体が通常用いられるＭまたは
Ｍ合金からなる場合にはその表面に形成されたアルマイ
ト層が知られている。
の塗膜、あるいは導電性基体が通常用いられるＭまたは
Ｍ合金からなる場合にはその表面に形成されたアルマイ
ト層が知られている。
ところが、絶縁性樹脂塗膜のブロッキング層においては
、代表的にはポリアミド系、ウレタン系などの樹脂が用
いられるが、その温湿度特性が急峻なために、高温高湿
環境下あるいは低温低湿環境下で電気特性が大きく変化
し不具合が生じるため、このようなブロッキング層を有
する感光体を使用するときには電子写真応用装置側で対
応策をとらねばならないという問題があった。
、代表的にはポリアミド系、ウレタン系などの樹脂が用
いられるが、その温湿度特性が急峻なために、高温高湿
環境下あるいは低温低湿環境下で電気特性が大きく変化
し不具合が生じるため、このようなブロッキング層を有
する感光体を使用するときには電子写真応用装置側で対
応策をとらねばならないという問題があった。
また、アルマイト層のブロッキング層においては、基体
上に電荷のブロッキング機能のばらつきをなくすような
レベルで均一なアルマイト層を形成することは難しく、
さらに、アルマイト処理後の乾燥時の汚染などにも起因
して、画像不良が発生しやすいという問題があった。
上に電荷のブロッキング機能のばらつきをなくすような
レベルで均一なアルマイト層を形成することは難しく、
さらに、アルマイト処理後の乾燥時の汚染などにも起因
して、画像不良が発生しやすいという問題があった。
この発明は、これらの問題点を解消して、均一で良好な
ブロッキング層を有する負帯電型有機感光体およびその
製造方法を提供することを解決すべき課題とする。
ブロッキング層を有する負帯電型有機感光体およびその
製造方法を提供することを解決すべき課題とする。
上ｇ己の課題は、この発明によれば、導電性基体上にブ
ロッキング層、電荷発生層、電荷輸送層を順次積層して
なる電子写真用感光体において、前記ブロッキング層が
アモルファス炭素を主成分とする材料からなり、前記電
荷発生層がフタロシアニン系材料からなる電子写真用感
光体とすることによって解決される。
ロッキング層、電荷発生層、電荷輸送層を順次積層して
なる電子写真用感光体において、前記ブロッキング層が
アモルファス炭素を主成分とする材料からなり、前記電
荷発生層がフタロシアニン系材料からなる電子写真用感
光体とすることによって解決される。
そうして、この発明の電子写真用感光体は、導電性基体
上に炭化水素ガスを原料としてプラズマＣＶＤ法により
アモルファス炭素を主成分とする膜を成膜してブロッキ
ング層を形成し、連続して同一反応炉内で、そのブロッ
キング層上に真空蒸着法によりフタロシアニン系材料か
らなる層を成膜して電荷発生層を形成する工程を含む製
造方法により作製される。
上に炭化水素ガスを原料としてプラズマＣＶＤ法により
アモルファス炭素を主成分とする膜を成膜してブロッキ
ング層を形成し、連続して同一反応炉内で、そのブロッ
キング層上に真空蒸着法によりフタロシアニン系材料か
らなる層を成膜して電荷発生層を形成する工程を含む製
造方法により作製される。
ブロッキング層の構成材料をアモルファス炭素を主成分
とする材料とすることにより、絶縁性樹脂材料の場合よ
りも温湿度特性が大幅に改善される。
とする材料とすることにより、絶縁性樹脂材料の場合よ
りも温湿度特性が大幅に改善される。
また、プラズマＣＶＤ法を採ることにより、膜厚均一で
均質なブロッキング機能を有するブロッキング層を形成
することができる。
均質なブロッキング機能を有するブロッキング層を形成
することができる。
さらに、電荷発生層を蒸着可能なフタロシアニン系材料
で構成することとし、同一反応炉内で、プラズマＣＶＤ
法によるブロッキング層の形成。
で構成することとし、同一反応炉内で、プラズマＣＶＤ
法によるブロッキング層の形成。
蒸着による電荷発生層の形成を連続して行うことにより
、ブロッキング層表面の汚染を防ぐことができ、画像品
質が向上する。
、ブロッキング層表面の汚染を防ぐことができ、画像品
質が向上する。
第１図は、この発明の感光体の製造に適用できる反応炉
の一例の概念図で、第１図（ａ）は反応炉を側面から見
た概念図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＸ−Ｘ断面の
概念図を示す。
の一例の概念図で、第１図（ａ）は反応炉を側面から見
た概念図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＸ−Ｘ断面の
概念図を示す。
反応炉外壁ｌと仕切板２で構成される反応炉内は排気口
３より真空排気され、また、プラズマＣＶＤの原料ガス
はガス供給口４より導入される。
３より真空排気され、また、プラズマＣＶＤの原料ガス
はガス供給口４より導入される。
公転軸５に設けられた円板状の公転台座６上に回転支持
軸７が複数本付設されている。この回転支持軸７に、両
端部がマスク９によりマスキングされた円筒状の基体８
が複数本取り付けられる。ｌＯはＲＦ電源に接続された
電極であり、公転軸５を介して公転し、回転支持軸７を
介して自転している対向電極としての基体８との間でプ
ラズマを発生してガス供給口４より供給されるガスを分
解し、その生成物を基体８上に成膜する。また、ボート
１１内に充填された蒸着材料１３をヒータ１２で加熱し
て基体８上に蒸着する。
軸７が複数本付設されている。この回転支持軸７に、両
端部がマスク９によりマスキングされた円筒状の基体８
が複数本取り付けられる。ｌＯはＲＦ電源に接続された
電極であり、公転軸５を介して公転し、回転支持軸７を
介して自転している対向電極としての基体８との間でプ
ラズマを発生してガス供給口４より供給されるガスを分
解し、その生成物を基体８上に成膜する。また、ボート
１１内に充填された蒸着材料１３をヒータ１２で加熱し
て基体８上に蒸着する。
実施例１
上述のような反応炉により、トリクレン脱脂した＾１合
金からなる基体上に下記の条件で、プラズマＣＶＤ法に
より、アモルファス炭素を主成分とする材料からなる膜
厚０．１μｍのブロッキング層を成膜した。
金からなる基体上に下記の条件で、プラズマＣＶＤ法に
より、アモルファス炭素を主成分とする材料からなる膜
厚０．１μｍのブロッキング層を成膜した。
原料ガス １０％Ｃ２Ｈ２／Ｈ２原料ガス流量
１００ ＳＣＣＭ 原料ガス圧 ０．０１ ＴｏｒｒＲＦパワー
５００Ｗ 時間 ３０分 続いて、反応炉内を４ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒの真空と
して、アルミクロルフタロシアニンジクロライドをボー
ト温度３８０℃で昇華させて、ブロッキング層上に膜厚
５００人の電荷発生層を成膜した。
１００ ＳＣＣＭ 原料ガス圧 ０．０１ ＴｏｒｒＲＦパワー
５００Ｗ 時間 ３０分 続いて、反応炉内を４ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒの真空と
して、アルミクロルフタロシアニンジクロライドをボー
ト温度３８０℃で昇華させて、ブロッキング層上に膜厚
５００人の電荷発生層を成膜した。
このようにして電荷発生層まで積層した基体を反応炉内
より取り出し、温度８０℃のトルエン蒸気中に２４時間
放置してアルミクロルフタロシアニンジクロライドの結
晶変換を行い、高感度化した。
より取り出し、温度８０℃のトルエン蒸気中に２４時間
放置してアルミクロルフタロシアニンジクロライドの結
晶変換を行い、高感度化した。
次に、この電荷発生層上に、２．４ジエチルアミノベン
ズアルデヒドジフエニルヒドラゾンＩ（１’量部、ポリ
カーボネー）（２２００＞ １０重量部、ジクロルメタ
ン１００重量部を混合した液を塗布して膜厚１８μｍの
電荷輸送層を形成し感光体とした。
ズアルデヒドジフエニルヒドラゾンＩ（１’量部、ポリ
カーボネー）（２２００＞ １０重量部、ジクロルメタ
ン１００重量部を混合した液を塗布して膜厚１８μｍの
電荷輸送層を形成し感光体とした。
比較例１
実施例１にふいて、ブロッキング層をポリアミド（東し
ＩＩ！ ： ＣＭ４０ＱＯ）をディッピング法で塗布し
た膜Ｉ！Ｊ７００人の塗膜としたこと以外は実施例１と
同様にして感光体を作製した。
ＩＩ！ ： ＣＭ４０ＱＯ）をディッピング法で塗布し
た膜Ｉ！Ｊ７００人の塗膜としたこと以外は実施例１と
同様にして感光体を作製した。
このようにして得られた感光体について、帯電位、イメ
ージ電位の温湿度依存性を調べた。その結果を第１表に
示す。
ージ電位の温湿度依存性を調べた。その結果を第１表に
示す。
第１表
第１表より、比較例１の感光体よりも実施例１の感光体
の方が温湿度特性が優れていることは明らかである。ま
た、画像上の欠陥発生率も比較例１の感光体の４０％に
対して実施例１の感光体では１０％と大幅に減少した。
の方が温湿度特性が優れていることは明らかである。ま
た、画像上の欠陥発生率も比較例１の感光体の４０％に
対して実施例１の感光体では１０％と大幅に減少した。
この発明によれば、負帯電型有機感光体において、導電
性基体上のブロッキング層をアモルファス炭素を主成分
とする材料からなるものとし、さらにその上の電荷発生
層をフタロシアニン系材料からなるものとする。そうし
て、その製造方法を導電性基体上に炭化水素ガスを原料
としてプラズマＣＶＤ法１：よりアモルファス炭素を主
成分とする膜を成膜してブロッキング層を形成し、連続
して同一反応炉内でそのブロッキング層上に真空蒸着法
によりフタロシアニン系材料からなる層を成膜して電荷
発生層を形成する方法とする。このような材料構成、製
造方法により、膜厚均一で均質なブロッキング機能を有
し、かつ、温湿度特性の改善されたブロッキング層を形
成することができ、しかも清浄なブロッキング層上に電
荷発生層が形成されることになり、温湿度特性が良好で
、かつ、画像欠陥の少ない感光体を得ることが可能とな
る。
性基体上のブロッキング層をアモルファス炭素を主成分
とする材料からなるものとし、さらにその上の電荷発生
層をフタロシアニン系材料からなるものとする。そうし
て、その製造方法を導電性基体上に炭化水素ガスを原料
としてプラズマＣＶＤ法１：よりアモルファス炭素を主
成分とする膜を成膜してブロッキング層を形成し、連続
して同一反応炉内でそのブロッキング層上に真空蒸着法
によりフタロシアニン系材料からなる層を成膜して電荷
発生層を形成する方法とする。このような材料構成、製
造方法により、膜厚均一で均質なブロッキング機能を有
し、かつ、温湿度特性の改善されたブロッキング層を形
成することができ、しかも清浄なブロッキング層上に電
荷発生層が形成されることになり、温湿度特性が良好で
、かつ、画像欠陥の少ない感光体を得ることが可能とな
る。
第１図はこの発明の感光体の製造に適用できる反応炉の
一例の概念図で第１図（ａ）は側面からの概念図、第１
図（５）は第１図（ａ）のｘ−ｘ断面概念図である。 １ 反応炉外壁、２ 仕切板、３ 排気口、４ガス供給
口、５ 公転軸、６ 公転台座、７回転支持軸、８ 基
体、９ マスク、１０ 電極、１１ ボート、１２
ヒータ、１３ 蒸着材料。
一例の概念図で第１図（ａ）は側面からの概念図、第１
図（５）は第１図（ａ）のｘ−ｘ断面概念図である。 １ 反応炉外壁、２ 仕切板、３ 排気口、４ガス供給
口、５ 公転軸、６ 公転台座、７回転支持軸、８ 基
体、９ マスク、１０ 電極、１１ ボート、１２
ヒータ、１３ 蒸着材料。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）導電性基体上にブロッキング層、電荷発生層、電荷
輸送層を順次積層してなる電子写真用感光体において、
前記ブロッキング層がアモルファス炭素を主成分とする
材料からなり、前記電荷発生層がフタロシアニン系材料
からなることを特徴とする電子写真用感光体。 ２）導電性基体上にブロッキング層、電荷発生層、電荷
輸送層を順次積層してなる電子写真用感光体の製造方法
において、導電性基体上に炭化水素ガスを原料としてプ
ラズマＣＶＤ法によりアモルファス炭素を主成分とする
膜を成膜してブロッキング層を形成し、連続して同一反
応炉内でそのブロッキング層上に真空蒸着法によりフタ
ロシアニン系材料からなる層を成膜して電荷発生層を形
成する工程を含むことを特徴とする電子写真用感光体の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3310090A JPH03236058A (ja) | 1990-02-14 | 1990-02-14 | 電子写真用感光体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3310090A JPH03236058A (ja) | 1990-02-14 | 1990-02-14 | 電子写真用感光体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03236058A true JPH03236058A (ja) | 1991-10-22 |
Family
ID=12377249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3310090A Pending JPH03236058A (ja) | 1990-02-14 | 1990-02-14 | 電子写真用感光体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03236058A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63221839A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-14 | Minolta Camera Co Ltd | 非晶質水素化炭素膜の製造方法 |
| JPS6440837A (en) * | 1987-08-06 | 1989-02-13 | Minolta Camera Kk | Photosensitive body forming member |
-
1990
- 1990-02-14 JP JP3310090A patent/JPH03236058A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63221839A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-14 | Minolta Camera Co Ltd | 非晶質水素化炭素膜の製造方法 |
| JPS6440837A (en) * | 1987-08-06 | 1989-02-13 | Minolta Camera Kk | Photosensitive body forming member |
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