JPS6388560A - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電子写真感光体機能層の製造方法に関する。

従来の技術 通常、電子写真感光体は、導電性単板上に感光層を設け
て形成される。基板は、絶キタ性の基材を導電処理した
ものも利用されるか、一般にはＡ１が広く使われている
。感光層としては、光導電性を有する材料が使用され、
例えば、Ｓｅ、ＣｄＳ、７ｎＯ等の無殿光導電材料や有
畏光導電材料等が挙げられ、また、最近では、アモルフ
ァスシリコン（以下ａ−３ｉと略記）も光導電材料とし
て注目を集めている。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら、これらの材料を使用する電子写真感光体
は、電子写真感光体として具１悄しなければならない特
性を十分に満足しているわけではなく、各々使途に応じ
て条件を探索しつつ実用に供せられている。例えば、電
子写真感光体の要求する特性として、高感度、高唱抵抗
であることか望まれるか、概して高感度のものは暗抵抗
の小さいものが多く、また持Ｍの疲労効果を示すことも
しばしばある。例えば、３ｅ系光導電苦を有する電子写
真感光体では、３ｅ中１本で１よその分光感度領域が狭
いため、ＴｅやＡＳを添加して増感させたり、また、医
備成も３　（２Ｉｉ’ｄよりも３ｅ％３ｅＴｅ或いはＳ
ｅ、／５ｅＴｅ、’Ｓｅ等の二層あるいは三［苫惰）古
にして用いるのか一般的であるが、反面、Ｔ−ｅヤＡｓ
を添ｔ）０シたＳｅ系光導電芒は光疲労か大きくなる。

このような光疲労は、画像温度の低下をもたらしたり、
ゴースト画像を発生して画質を劣化させる。

更に、電子写真感光体の基本特ｉ生として、長寿命であ
ることが要求されるか、３ｅ系の電子写真感光体は十分
に長寿命であるとはいい難い。例えば、３ｅ系の電子写
真感光体（４工、フノモルノ？ス状態で使用されるが、
５０〜６０℃程度の比較的低温で結晶化が起る。そして
結晶化が起こると、暗抵抗か低下し、複写画像の劣化を
もたらす。また、画像形成プロセスにおいて電子写真感
光体表面は、現像、転写、クリーニング等の工程を繰返
し経るうらに、徐々に削られていき、表面の安定性か１
４なわれるといった耐刷性上の欠点も有する。

そこで、３ｅ系先光導電の表面に保護層を設けて、耐刷
りの向上を図る試みかなされているが、保護層と光導電
層の接層斗、或いは保護層の表面性等にまだ課題を残し
ている。

一方、ＣｄＳ、ＺｎＱ等の材゛）′１は、適当な樹晰結
肴材中に均一に分散（）て電子写真感光体として使用さ
れるが、ＣｄＳは人体（こ対して有害な材料であり、従
って製造時及び使用時において周囲に飛散しないように
することか必要となる。このようなことから、ｓｅ系先
光導電層同様に保護層を設けて使用されるが、やはり、
種石性、表面性等において問題を残している。また、こ
のような電子写真感光体ＩＪ分散系であるため、環境に
左右されやすく、特に高湿雰囲気中で電気的特１生の劣
化が著しいといった欠点を有する。

また、有は光導電材料を使用する電子写真感光体は、比
較的簡単な製法で、しかも可撓性に優れた電子写真感光
体を製造できるという利点を有する。このような電子写
真感光体（よ、電荷発生層と電荷輸送苦の積層型か一般
的である。電荷発生層に用いられる材料としては、ペリ
レン系、ペリノン系、フタロシアニン系、多環キノン系
等の縮合多環系額料やアゾ系頓料の他、スクアリリウム
色素、シアニン色素、（デア）ピリリウム塩色素等の染
料、色素も用いられる。また、電荷輸送材料としては、
ヒｌ〜ラゾン、ピラゾリン、１ヘリアリルアミン、スチ
ルベンなどが用いられる。これらの電荷輸送材料と電荷
輸送材料の１種又（、ｔ　２種以上を組合わせることに
より光導電層か形成される。

しかしながら、これらの有機電子写真１憬光体は、耐Ｋ
ＭＩ’Ｊ、耐刷性に欠けるものか多く、電子写真感光体
としてのスを命はあまり長くない。

一方、最近注目を集めているａ−３ｉ電子写真感光体は
、主にグロー敢電法によって形成される。

装置系内に主反応カスとしてＳｉＨ４、Ｓ　ｌ　２Ｈ６
等の化合物と１」２を導入した後、グロー欣電分解法に
よってそれ等化合物とＨ２を分解してａ−３ｉ層か形成
される。また、適当な不純物（例えば、８２　Ｈ６、Ｐ
Ｈ３等）を添加することにより、ｐ型にもｐ型にもする
ことが可能である。このようにして形成されるａ−３ｉ
電子写真感光体は感度が高く、かつＧｅを添加すること
により長波長増感される。また、表面が非常に硬く、耐
刷性に優れ、しかも変質し難いので電子写真感光体とし
ての寿命が長い。

しかしながら、ａ−３ｉ電子写真感光体はその誘電率が
大きいため、所望の表面電位を得るには大きな帯電電流
を必要とし、そのため消費電力か高くなり、また、プロ
セススピードについても、高速にするには解決しなけれ
ばならない問題か残っている。また、ａ−８ｉ電子写真
感光体の暗抵抗は必ずしも充分大きくないため、温度、
）り度等の外因による抵抗変化が帯電電位に影響しやす
い。

特に高温、高湿雰囲気でその影響が大きい。又、ａ−３
ｉ電子写真感光体の表面に電荷の注入を防止するための
障壁層として、Ｓ　Ｉ　Ｏ２、ＳｉＮ等の絶縁性薄膜を
設けると沿面方向の電気伝導度が高くなり、画像のホケ
を生じやすい。また、ａ−Ｓｉは構造敏感性が強いので
、再現性良く膜形成するためには作成条件や不純物の添
加量を厳密に調整してヤ）る必要がある。更にＳ　ｉ　
Ｈ４，８２ト１６、ＰＨ３等のガスはコストが高く、ま
た、いずれも人体に右害なカスであるため、適当なガス
供給系及び排気系か必要となり、装置への茗しい資本投
下を必要とする。また、ａ−３ｉ成膜速度は必ずしも十
分高いとは言いデ１いなど種々の欠点を有している。

このように、従来から一般的に使用されている電子写真
感光体は、利点と欠点を合せ持ち、各々使途に応じて条
件を設定しつつ実用に供しているのか現状である。

本発明は、上述の問題点を改善すべくなされたものであ
る。すなわち、 本発明の目的は、■光疲労か起り難く、連続コピー時に
も画質の低下が生じない電子写真感光体を提供すること
、■コロナ放電、現像、転写、クリーニング等の画像形
成プロセスに°おいて、安定性か高く、耐刷性の高い長
寿命な電子写真感光体を提供すること１、■製＝時、使
用時において人体に対し、安全な電子写真感光体を提供
すること、■光感度が高く、分光感度か長波長（こまで
及ぶ電子写真感光体を提供すること、■誘電率が低く、
帯電電流の少なくて潤む電子写真感光体を提供すること
、■暗抵抗が高く、湿鴎、温度等の外因による抵抗の変
化が帯電電位に影響を与え難い電子写真感光体を提供す
ること、■湿１宴、温度等の影響で、解像力低下が起り
難い電子写真感光体を提供すること、■成膜速度か人で
、比較的簡易な８２備、安価な材料で製造可能な電子写
真感光体を提供することにある。

問題点を解決するための手口 本発明の上記目的は、電子写真感光体機能層の少なくと
も一つを次のような方法によって製造１−ることにより
達成される。なお、本明細占において、［電子写真感光
体機能層」とは、支持体（基板）上に形成される電子写
真感光体を構成する層のいずれか、即ち、光導電層、電
荷輸送層、電荷発生層、電荷注入阻止館、導電層、及び
表向保護層のいずれかを意味する。

本発明における電子写真感光体機能層の製造方法は、常
温常圧で液状の炭化水素化合物を気化して真空系に導き
、気相成、膜により被覆用を形成することを特徴とする
。

本発明によって製造された電子写真感光体機能層は、炭
素を主体として構成されるもので、その詳しい分子的卯
子的溝造は必ずしも明らかではないか、多結晶＠造、非
晶質＠造又はこれらの共存１−る構造てあり、少なくと
も部分的にダイヤモンド溝造又【よグイヤｔンドに近い
構造を持っているものと考えられる。、なお、完全なグ
ラノアイト構造の膚は、電子写真感光体の溝成層として
は適しない。また、本発明により製造される電子写真感
光体機能層（以下、Ｃ苦という）は部分的に水素原子を
含んでいてもよい。この場合、部分的にボリエヂレン＋
ｒＳ造を含んでいても良いが、相当程度に架（諾して高
い硬喰の膜になっている必要がおる。

このように硬い膜でないと感度が得られず、実用に供す
ることかできない。なお、完全な直鎖ポリエチレン構造
は、電子写真感光体には適（〕ない。

次に、本発明の詳細な説明する。

第１図は、本発明を実施するための気相成膜装置の１例
を示したものである。第１図において、１は上部電極、
２は基板で３は基板支持体でおり、そのいずれかが下部
電極として動く。基、仮はり仮加熱用ヒーター４により
加熱できる。炭化水素カスはガス注入口５から流入し、
反応か終了した気体は排気系６を通して外部へ排出され
る。カス導人後の真空度は１０〜１０１Ｔｏｒｒ程度で
ある。導入系７は、数種類に分かれておりそれらかそれ
ぞれ別の容器につながっている。ε３はニー１ヘルバル
ブ、９は高周波源源である。

第２図は、本発明を実施リ−る気（１成膜装置の他の一
例であって、第１図のような十部電偉１を使用しない。

即ち、反応室の外側に高周波コイル１０を設置しでこれ
に高周波８流し、反応室の中に無電極放電を起こさせる
。それによって、放電により生じたグローの中に置いた
基板２の上に０層か形成される。

本発明を実施する場合には、反応室内に設けられた電極
の表面に基板を置き、反応室内を１Ｏ−４Ｔｏｒｒ以下
の真空に引いてから必要に応じ基板をヒーターによりｈ
Ｏ熱する。そして通常は、気化された炭化水素を流し、
１０〜１０１Ｔｏｒｒ程回に保つ。初めに１０’ＴＯｒ
　ｒ以下に引く過程は省いても良い。次に電極に直流、
交流又は高周波を印ｈ［１するか、又は別に用意したマ
グネ］〜ロンによりマイクロ波を敢射して炭化水素の低
温プラズマを生成する。それにより基板上に炭素膜、即
ちｌが形成されてくる。このとき必要に応じて］−１２
やＡ　ｒ等を炭化水素に混ぜることができる。

また電極としで、グラフフイ１〜を用いると良い結果が
ｊｉ子られる。直流ヤ＼・ＩＨ２以下の交流では、イオ
ン化した炭化水素分子が部分的に分解してできるイオン
などか、相当に激しく基板にたたきつけられる。完全に
分解して炭素イオンとなっているものもあると考えられ
る。この他に中性のラジカルも生成されて基板上へ拡散
してくる。ラジオ波やマイクロ波などの高周波の場合に
は、上記のようなイオン衝突は比較的おだやかである。

ただし高周波を用いる場合にも、数１０〜数ｋＶのバイ
アスをかける扮とによりイオンを加速（）、高い運動エ
ネルギーで早仮にたたきつけることができる。

また気圧も重要なパラメーターであり、低圧の方がイオ
ンの持つ運動エネルギーは大きくなる。炭化水素イオン
や炭素イオンの生成は上記のような低温プラズマを利用
してもよいが、反応室内に高温（１０００’Ｃ以上）に
加熱したフィラメントを設置し、このフィラメントの熱
によってイオン化させることもできる。このようにして
生成したイオンは、フィラメントと基板との間に電圧を
かけることによって加速し、基板へ集めて成膜させる。

ざらに磁場をかけることにより、上記のほとんどの場合
にイオン化効率を高め、成膜速度を向トさせることがで
きる。

本発明において、気相成膜装置の導入系にｄ″−３ける
複数の容器を同時につなぎ、反応室に複数の４類の気体
を導入することにより、Ｃ層中に炭素と水素以外の元素
を添加することができる。また分子中にすでに他の元素
を含む物質を使用すれば、容器が１つでも仙元素を含有
する否を形成することができる。

本発明の特徴は、常温、指圧で液状の炭化水素を用いる
ことにある。すなわら、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ
２Ｈ６）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）等のカス状炭化水素は
、ガスであるために、ボンベなどの取り扱いが簡便でな
く、また、天然ガス又はナフサ等を原料として装ｊｂす
る際、精製が比較的難しく、高純度の製品を１９にくい
傾向にある。

これらに対して、本発明においては、常温常圧で液状の
炭化水素、例えばベンゼン、ｎ　／＼キサン、シクロヘ
キサン等を用いるため、ボンベ等が不要で取り扱いが簡
便であり、かつまた、ナフサを原料として人ψに入手て
き、又、精製が容易なため、純度の高いものか冑やすく
、高度に物性を制硼した膜を形成することが可能でおる
。また、成膜速度も、ガス状炭化水素に比較して大きく
なる傾向にあるため、電子写真用感光体の膜形成に適し
ている。また、気化した液状炭化水素のカス圧は、第１
図に示される如く、ニードルバルブにより調節可能で、
特に、ガス状炭化水素を使用する際に比較して、特別な
設備は必要とぜず経済的でおる。

本発明において使用する常温常圧で液状の炭化水素とし
ては、ベンゼン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ−
ペンタン、イソペンタン、イソオクタン、イソプレン、
ｎ−へブタン、２−メタルブタン、１−ペンテン、シス
−２−ペンテン、トランス−２−ペンテン、２−メチル
−１−ブテン、２−メチル−２−ブテン、シクロペンテ
ン、シクロペンタジェン、トルエン、スチレン、○−キ
シレン、ｐ−キシレン、ｍ−キシレン、エチルベンゼン
等があげられ、その伯、各種のものが使用可能である。

これらは必要に応じてＨ２やＡＩ”で希釈して用いる。

不純物添加用のガスとしてはＰＨ３、Ｐ２Ｈ４、Ｂ　２
　Ｈ６あるいは＼Ｈ３やＮ２等か使用可能である。また
ＣＦ４、ＣＣｌ４等の気体を使用することによりハロゲ
ン元素の添加か可能となる。

このような不純物の添加によりＣ否の物性を変化させる
ことができる、、１例をあげると、ＣＨ４によりＣ苦を
形成し、その後すぐに続けてＬ」２とＣ「４をヘンぜン
に混合して反応室に送ると、Ｃ苦の表面にフッ素を含む
薄い苦が形成される。このような層を形成することによ
り、感光−表面の表面エネルギーを汎しく低下させるこ
とができ、非常に離形性の高い電子写真感光体となる。

このとき股の硬さを保つため１こは、Ｈ２を混ぜない方
か良い結果か１９られる。このような処理をした電子写
真感光体では、電子写真プロセスの進行中に必然的に起
きてくる種々の汚染物質の吸容を防ぐことができる。こ
のため湿度の影響はもとより、帯電器からのオゾン生成
物や説像剤中のポリマーその他の成分などの電子写真感
光体へのイ」着をも小さくすることができるので画質の
安定性か非常に高くなる。また、他の例としては８２Ｈ
６をベンセンとともに使用することにより、Ｂを含まな
いｌの感度波長よりも長波長側に感度を持たせることか
できる。

本発明によって製造された０層を有する電子写真感光体
の構成を、第３図〜第８図に示す。これ等図面において
、１１は光導電層、１２は電荷注入層、１３は支持体（
基板）、１４は電荷発生層、１５は電荷輸送層、１６は
表面保護層を示し、光導電層、電荷注入層、電荷発生層
、電荷輸送層及び表面保護層の少なくとも１つが０層よ
りなる。

本発明により製造されるＣ膚を有するの電子写真感光体
は、基板温度の制御により可視領域の光に対して感度を
持たせることができる。この場合Ｃ層成膜時の基板温度
が高い方が感度は長波長側へのびる。また、本発明によ
り製造される０ｆｆｊを有する電子写真感光体は、０層
への適当な不純物ドーピングにより、可視領域に感度を
持たせることができる。このような不純物としては、ホ
ウ素などの第１８族元素が有効である。また、これより
効果が小さいが、リン等の第Ｖａ族元素も効果がある。

さらにまた、３ｉ、Ｇｅ、３ｎ等の第１ｖａ族元素も効
果かル２められる。本発明ｔこより製造される０層を有
する電子写真感光体は、不純物ドーピングをせず基板温
度が高くなくても、紫外線に対する感度をもってるので
、特定の用途に対してはこれだけで有効である。

本発明により製造される０層を有する電子写真感光体の
大きな持ｉ牧の１つは、帯電性が非常に良好でおるとい
うことである。感光ＩＭｌｆｆが８μｍのサンプルの場
合、８００Ｖの電位を得るｔこは１．０ｃｔｒｒ当り１
．０マイクロクーロン以下の表面電荷密度で充分である
。これはａ−３ｅの帯電性よりもむしろ高く、ａ−３ｉ
の帯電性の２〜３倍程咽の値である。また昭減哀率も極
めて小さくすることかできる。帯電後の１分間での電位
減衰は￥温で１５％１ス内に抑えることかできる。

電子写真感光体にとって最も基本的な電気的特性は静電
潜像形成の低エネルギー化と潜像の安定性である。潜函
の安定けを）４るためには、感光層として用いる材料の
電気抵抗をなるべく高く取る必要かある。潜像の安定性
は、ＩＷ境の変化や不純物の感光層への混入、あるいは
特定の物質が感光層の表面に付着することによる内部の
電子状態の変化などにより、複雑に変化する。このよう
な変化は、画像の濃度低下、下地部分のかぶり、解像力
低下等を引き起こす。例えば、ａ−５ｉ電子写真感光体
では、このような問題が顕著に現れるので種々の工夫が
必要で必る。ところが、本発明により製造される０層を
有する電子写真感光体では、このような変化が非常に少
ないことが明らかとなった。帯電電位の変化は２０℃と
４０’Ｃとで１０％以内に抑えることができる。また、
湿度の影響も少ない。このため感光体溝道を簡略化する
ことができる。製造安定性も高くなる。

本発明により製造される０１苫を有する電子写真感光体
は、非常に高い耐電圧を持つため、感光層を薄クシても
高い電位を１■ることかできる。このことは電子写真感
光体の作成時間の短縮（ことって非常に有利である。ま
た、表面電荷密度を大きくとることができるので、高い
画像濃度を１７る上で好都合である。

本発明により製造される０層は、ヌープ硬度で１００以
上の硬度を有する。作成条件により変化するか、１００
０程度のＶｌ！度は容易に得られる。

このようなｉｉ！度の値は溶媒を使用した塗イ］ｉ型の
有機高分′：ｆ−リをもつｈ機感光体等に較べてはるか
に高く、非晶υＩＳｅや△Ｓ　２　Ｓ　ｅ　２を主体と
する電子写真感光体と較べても高い硬度をもっている。

このため非常に旧かつぎ難く、電子写真感光体寿命の延
長に大きな効果を持つ、２０００以上のヌープ硬度を持
つものも作成可能である。

本発明により製造されるＣ＠は、電子写真感光体の表面
保護層として使用することも可能である。

この表面保護層は通常感光層全体に比して薄い。

感光層としての性能目標、例えば、感度を向上させると
か、光疲労を低減するなどを満たそうとした場合に、感
光層の表面か必然的に電気的又は機滅的に弱くなる場合
かある。例えば第３図においで電荷発生層かａ−３ｉで
形成されているとその表面は化学的に弱く、電子写真感
光体の電気的特性か劣化しやすい。この様な場合に第６
図のように表面保合Ｎを設けると上記のような劣化をあ
くらせることができる。

０層を光導電層とする電子写真感光体においては、その
構造により屈折率は、α−３ｉの屈折率３．３〜３．４
はどてないに１！よ、１．５〜２．５近くに及び、露光
の際、光導電層表面で光の反射か起こりやすく吸収光重
のハ１合か減って光損失が生じる。この光損失を減少さ
せるに（ま、反射防止層を設けることか有効である。こ
の反Ｑ＝１防止層を形成１″る材料としては、反射防止
１能が）ｉれていることはｂらろん、０層で形成された
光導電、苦の電子写真特性に影響を与えず、しかも０層
の特徴８損なわないものが選択される必要かある。

また、反射防止層として膜能するためには、Ｃ輛、反射
防止層の屈折率をそれぞれｎ、ｎ−とすると ■位相条件　層厚ｄ−λ／、Ｌｎ （λは光の波長であり、ｄは整数倍でもよい。）■振幅
条件　　　ｎ−−Ｊｎ の二条性を満さなければならないが、一般に■の条件は
満しやすく、■の条件は、便宜上口と空気の屈折率との
中間の屈折率の材料を選択し、完全ではないが、実用上
問題のない反射防止層を形成している。

従って、反射防止層の層厚は、露光波長範囲を１０２７
７１、μ〜１０３ｍμに仮定すると、はぼ１０ｍμ〜１
５０ｍμ程度が好適と考えられる。

本発明において、反射防止層形成材料としては、Ｍ　Ｑ
　Ｆ　２、ＡｌＦ３．５ｉＱ２などの無機化合物、又ｔ
よ、ポリ塩化ビニル、ポリアミド法・１脂、エポキシ樹
脂その他の何）；（化合物かあげられる。

支持体（３末導電性又【よ半導電性であることが望まし
いか、電気的に絶縁ｉ生のものであってもその表面の少
なくとも一方を導電化するか、薄い導電性の苦で被覆号
−る事により使用可能となる。また、絶縁性のままでも
使用できる。導電性支持体材料としては、△ｌ、ＣＩＪ
、＼ｉ、１’ｉ、ステンレス鋼、真鍮、Ｓｎ、７ｎ、Ｔ
ａ、Ａｕ、Ｃｒその他の金属か使用可能である。勿論こ
れらの合金ｃ必っても良い。絶縁性の支持体としては、
ポリカーホネー１〜、ポリスチレン、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリアミドその他の有機高分子フイルムヤ
）セラミックおるいはカラス等が使用可能である。

これに被覆する導電層としてはＡＩ、＼ｉ、ＩＴＯ等の
金属薄膜が使用できるほか、結石剤ｔこ分散した金属や
グラファイト等の導電性微粒子の層を塗布しても良い。

支持体の形状としては、使用する電子写真プロセスに適
した任意の形が使用可能である。平板型、円筒型、ヘル
ド型等かいずれも使用可能である。

支持体と光導電層との接着性は甲要である。接着性を向
上させるためには、接着用を設けるなとの方法も必るか
、例えば、ポリエチレンのような支持体の場合ならばプ
ラズマ中の励起状態にある中性の原子や分子を表面に接
触させ、その表面に架矯苦を形成する方法や、スパッタ
１ツチング等の処理によっても接着性を向上させること
かできる。

又Ａ１その他の金属の支持体の場合には、脱脂１ノだ面
を機（威的に込埋したり、化学的遮理により接着性を」
二げることかて゛きる。

実施例 次に本発明を実施例によって説明する。

実施例１ 第１図のプラズマ重合装置内の下部電性支持体トに）ア
ルミニウム基板を置き、ベンジャ−内部を１０−４王ｏ
ｒｒ以下に引いた後、基板温度を３００　’Ｃにヒータ
ーで１１０熱しながら、アルゴン（△ｒ）を導入して、
１０−１Ｔｏｒｒて、グローち（電を起こし、アルミニ
ウム基板表面をイオンボンバードメン１〜により１時間
クリーニングした。

アルゴンの導入を止め、再σ１０”４Ｔ−ｏ　ｒ　ｒ以
下に貞空度を上けた１多、ニー１〜ルバルブを開いてベ
ンぜン蒸気を導入し、１．２ｘ１０”Ｔｏｒｒでグロー
放電を起した。（ここ（こ使用したベンゼンは、市販の
安価なヘンセンを電蝕ｍを混合して振感した後、濃硫酸
を除く作業を３回行い水、＼ａＯＨ１水で洗浄した後、
５１％化カルシウムとともに税水、蒸溜し、ナトリウム
の上に保管したものである。）５時間後、す仮を取り出
すと１０μｍ厚の透明な炭素膜が形成されていた。この
炭素膜を５ｋＶの印加電圧のコロトロンを用い、正に帯
電し、紫外光を用いて画像露光を行い、二成分磁気ブラ
シ税像剤で現像し、紙上へ転写したところ良好な画像か
ｊｑられた。

実施例２ 基板をハロゲンランプで２５０’Ｃまで輻射））Ｄ熱し
、第１図に示したプラズマ重合装置内の下部電極支持体
上にアルミニウム基板を置さ、真空（合内部５ｘ　１０
’Ｔｏ　ｒ　ｒ以下まで引いてから、まずＮ　とＳ　ｉ
　Ｈ４との混合気体を反応室へ送り、規定の時間１３．
６ＭＨｚの高周波グローを起こして、厚さ０．１μｍの
ＳｉＮ：Ｈ層を形成した。

次に、−担グロー敢電を停止して、ガスの流入も停止し
て反応室内を５Ｘ１０””Ｔｏｒｒまで引いてから、今
度はＳｉＨ４ガスを導入し、再び、高周波グローを起こ
して厚さ２μｍの５ｉｘＨ層を形成した。この後、グロ
ー放電を停止し、３ｉのベンゼン蒸気を導入しながらグ
ロー放電を起こし、約２０μｍの炭素図を形成した。こ
うしてできた電子写真感光体を反応室から取り出したと
ころ、見かけ上はａ−３ｉの色をしており、炭素膜が可
視光に対しほぼ透明である口とが分かった。

この模はかなり硬かった。

この電子写真感光体を印加電圧５ｋＶのコロトロンで正
に帯電し二成分現像剤で現像し、これを紙に転写したと
ころ良好な画質か得られた。

電子写真ｉ盛九体上に残ったトナーをブレードにより除
去して、再び帯電露光を繰り返す操作を続けて行ったが
、１０”回の操り返しの後でも画質の変化はほとんどな
く、電子写真感光体表面には河の１易しついていなかっ
た。

実施例３ 通常の方法で表面浄化したアルミニウム基板を、真空蒸
着槽内の所定の位置に買き、槽内を５×１０’Ｔｏ　ｒ
　ｒ以下に保った。このアルミニウム基（反上にブ［コ
ツキング層として約７００人の３ｉ０２膜を形成し、更
にこの上に電荷発生図としてｎ−ブｒ」ビルアミンで迅
理したスクェアリウム化合物の蒸着膜を形成した。蒸着
終了後、この試料を槽内より取り出し、第１図に示した
プラズマ重合）−胃内の下部電極支持体上に置き、真空
槽内部Ｓ を５Ｘ’ｌＯＴｏｒｒ以下に保った。

その後、槽内に材料カスとしてｎ−ヘキサンを導入し、
一定圧力に保持した。ｎ−ヘキリーンは、市販のものを
ベンゼンと同様の方法で製造して使用した。ここで上下
型（車間に１３．５６Ｎ月１７の高周波電界を印加し、
前記試料土に１８μｍの炭素膜を形成して電子写真感光
体とした。この炭素膜の４鴎を測定したところ、メーブ
硬度で１０００以下を示した。

この電子写真感光体を暗所で印加電圧５ｋＶのコロトロ
ンで正に帯電させ、タングステンランプを光源に用い、
波長８００ｎｍのフィルターを通して＠露光し、カスケ
ート二成分現像剤で現像した後、普通紙に転写したとこ
ろ良好な画像か得られた。

実施例４ 実施例１と同様の方法でアルミニウム基板上に炭素膜を
析出させた試料を、続けてプラズマ重合装置内（こ１６
き、ベンゼン蒸気導入を市め、真空１う内部８５Ｘ１０
３Ｔｏｒｒ以下に引いた後ＣＦ４を導入し、約１　’Ｔ
”　ｏ　ｒ　ｒに保ってグロー放電Ｓ−起こし、５分間
で放電を止めた。

実施例１の試料と共に、水滴に対する接触角を測定した
ところ、実施例１の試料に比べ、はるかに大きな接触角
を示した。

この電子写真感光体を、暗所で５ｋＶの＋コロナ帯電し
、紫外線で画像露光を行い、二成分現像剤で、現像転写
し、紙上で定石したところ鮮明な画像が得られ、また、
この工程を１０４回繰り返しても、電子写真感光体表面
の傷及びトナーフィルミングによる汚れも通常のｓｅ系
電子写真感光体に比較して著しく少なかった。また、画
像も初期の鮮明さを保っていた。

実施例５ 通常の方法で表面浄化した厚さ１１ｒｕｎ、大きざ１０
ｃｍＸ　１０ｃｍ角のアルミニウム基板上にプラズマ−
ＣＶＤ法により、２０９ｍ厚のアモルファス３ｉを着膜
した。更にこの試料を着膜容器内にある上下に向かいあ
う電極のうち、下のＮ極上に置き、真空にした後、材料
ガスを導入して内部を一定圧力に保持した。ここでは（
＾製したシクロヘキサンを用いた。ここで上下電（か間
に”１３．５６ＭＨ２の高周波電界を印加し、試料」二
に炭素薄膜を設け、電気絶縁層を形成して電子写真感光
体をえた。

この電子写真感光体を暗所で電源電圧６ｋＶで十コロナ
帯電した後、１５＋ｕｘ−ｓｅｃの光量で像露光し、同
時にＡＣ除電し、次いで、電子写真感光体全面を一様露
光した。次いで、通常のマグブラシニ成分現像で“、現
像し普通紙に転写したところ、非常に良好な画像がｉｒ
ｆられた。

発明の効果 本発明によれば、常温常圧で液状の炭化水素化合物を気
化して真空系に導き、気相成膜により被覆層を形成する
から、良好な１質を有する電子写真感光体機能層か容易
に製造でき、そして、得られた電子写真感光体機能層を
有する電子写真感光体は、優れた特性及び利点を有する
。即ち、■光疲労が起り難く、連続コピー時にも画質の
低下が生じない、■コロナ放電、現像、転写、クリーニ
ング等の画像形成プロセスにおいて、安定性が高く、耐
刷性が高く、寿命が長い、■製造時、使用時において人
体に対し、安全である、■光感度が高く、分光感度が長
波長にまで及ぶ、■誘電率が低く、帯電電流の少なくて
済む、■暗抵抗が高く、湿度、温度等の外因による抵抗
の変化が帯電電位に影響を与え難い、■湿度、温度等の
影響で、解像ツノ低下が起り難い、■成膜速度が大で、
比較的簡易な設漸、安価な材料で製造可能であり、した
がって製造コストの低減が図れる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明を実施するための気相成膜装置の一例
の断面図、第２図は本発明を実施するための気相成膜装
置の他の一例の断面図、第３図ないし第８図は、それぞ
れ本発明により製造される電子写真感光体機能層を有す
る電子写真感光体の構成を説明する模式図である。 １・・・上部電極、２・・・基板、３・・・基板支持体
、４・・・基板加熱用ヒーター、５・・・ガス注入口、
６・・・排気系、７・・・導入系、８・・・ニードルバ
ルブ、９・・・高周波電源、１０・・・高周波コイル、
１１・・・光導電層、１２・・・電荷注入阻止層、１３
・・・支持体、１４・・・電荷発生層、１５・・・電荷
輸送制、１６・・・表面保護層。 特許出願人　　富士げロツクス株式会社代理人　　　　
弁理士　　製部　剛 第３図　　　第６図 第４図　　　第７図 第５図　　　第８図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）常温常圧で液状の炭化水素化合物を気化して真空
   系に導き、気相成膜により被覆層を形成することを特徴
   とする電子写真感光体機能層の製造方法。 （２）電子写真感光体機能層が光導電層である特許請求
   の範囲第１項に記載の製造方法。（３）電子写真感光体
   機能層が電荷輸送層である特許請求の範囲第１項に記載
   の製造方法。 （４）電子写真感光体機能層が表面保護層である特許請
   求の範囲第１項に記載の製造方法。