JPS6359319U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6359319U JPS6359319U JP15482586U JP15482586U JPS6359319U JP S6359319 U JPS6359319 U JP S6359319U JP 15482586 U JP15482586 U JP 15482586U JP 15482586 U JP15482586 U JP 15482586U JP S6359319 U JPS6359319 U JP S6359319U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction
- gas inlet
- gas
- upper electrode
- cvd apparatus
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
Description
第１図は本考案による一実施例のＣＶＤ装置の
上部電極の詳細図、第２図は従来のＣＶＤ装置の
上部電極の詳細図、第３図は平行平板型ＣＶＤ装
置の概要図、である。 図において、１は上部電極、１ａはガス導入口
Ａ，１ｂはガス導入口Ｂ，１ｃは冷却部、２は下
部電極、３は反応室、４はヒータ、５は高周波発
振器、６はウエーハ、を示す。
上部電極の詳細図、第２図は従来のＣＶＤ装置の
上部電極の詳細図、第３図は平行平板型ＣＶＤ装
置の概要図、である。 図において、１は上部電極、１ａはガス導入口
Ａ，１ｂはガス導入口Ｂ，１ｃは冷却部、２は下
部電極、３は反応室、４はヒータ、５は高周波発
振器、６はウエーハ、を示す。
Claims (1)
- ＣＶＤ装置において二種の反応ガスを導入する
場合に、反応ガスの反応状態を良好にするため、
上部電極１に設ける第二の反応ガスのガス導入口
Ｂ，１ｂを、第一の反応ガスのガス導入口Ａ，１
ａの周囲を取り囲むように配設したことを特徴と
するＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15482586U JPS6359319U (ja) | 1986-10-07 | 1986-10-07 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15482586U JPS6359319U (ja) | 1986-10-07 | 1986-10-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6359319U true JPS6359319U (ja) | 1988-04-20 |
Family
ID=31074976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15482586U Pending JPS6359319U (ja) | 1986-10-07 | 1986-10-07 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6359319U (ja) |
-
1986
- 1986-10-07 JP JP15482586U patent/JPS6359319U/ja active Pending