JPH0224533U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0224533U JPH0224533U JP10260388U JP10260388U JPH0224533U JP H0224533 U JPH0224533 U JP H0224533U JP 10260388 U JP10260388 U JP 10260388U JP 10260388 U JP10260388 U JP 10260388U JP H0224533 U JPH0224533 U JP H0224533U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- supply section
- blowing
- atmospheric
- gas supply
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims 1
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
Description
第１図は本考案の実施例１を示す平面図、第２
図は第１図のＡ−Ａ′線断面図、第３図は第１図
のＢ−Ｂ′線断面図、第４図は本考案の実施例２
を示す断面図、第５図は従来の常圧化学気相成長
装置を示す断面図である。 １……ウエーハ、２……ウエーハ受皿、４……
加熱部、５……気体供給部。
図は第１図のＡ−Ａ′線断面図、第３図は第１図
のＢ−Ｂ′線断面図、第４図は本考案の実施例２
を示す断面図、第５図は従来の常圧化学気相成長
装置を示す断面図である。 １……ウエーハ、２……ウエーハ受皿、４……
加熱部、５……気体供給部。
Claims (1)
- 半導体素子製造に用いられる常圧気相成長装置
において、ウエーハの搬送路の下方に、ウエーハ
に対して反応気体を上向きに吹き出す気体供給部
を配設したことを特徴とする半導体素子製造装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10260388U JPH0224533U (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10260388U JPH0224533U (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0224533U true JPH0224533U (ja) | 1990-02-19 |
Family
ID=31332658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10260388U Pending JPH0224533U (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0224533U (ja) |
-
1988
- 1988-08-02 JP JP10260388U patent/JPH0224533U/ja active Pending