JPS61111963U - - Google Patents
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- JPS61111963U JPS61111963U JP19956984U JP19956984U JPS61111963U JP S61111963 U JPS61111963 U JP S61111963U JP 19956984 U JP19956984 U JP 19956984U JP 19956984 U JP19956984 U JP 19956984U JP S61111963 U JPS61111963 U JP S61111963U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exhaust pipe
- raw material
- material gas
- reactor
- vapor phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 4
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
第１図は本考案による気相合成装置を模式的な
断面図で示した図であり、第２図は従来の気相合
成装置を示す第１図と同様な図である。 （主な参照番号）、１……反応炉、２……原料
ガス供給ノズル、３……基板、４……排気管、５
……排気口、６……観察用窓、７……照明用窓、
８……堆積結晶。
断面図で示した図であり、第２図は従来の気相合
成装置を示す第１図と同様な図である。 （主な参照番号）、１……反応炉、２……原料
ガス供給ノズル、３……基板、４……排気管、５
……排気口、６……観察用窓、７……照明用窓、
８……堆積結晶。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 原料ガス供給ノズルと、反応炉と、排気管
とを具備し、該ノズルから導入される原料ガスを
該反応炉内の基板上で反応させ反応生成物を該基
板上に堆積させる気相合成装置であつて、 前記排気管に、その内部に突出する管状の炉内
観察用窓と照明用窓とを設けたことを特徴とする
上記気相合成装置。 (2) 前記気相合成装置が、高い原料ガス投入濃
度と長い合成時間を要するＣＶＤ装置であること
を特徴とする実用新案登録請求の範囲第１項記載
の装置。 (3) 前記観察用窓と、照明用窓との中心軸が前
記排気管のほぼ中央近傍で交叉するような位置関
係で設置されていることを特徴とする実用新案登
録請求の範囲第１項または第２項記載の装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19956984U JPS61111963U (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19956984U JPS61111963U (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61111963U true JPS61111963U (ja) | 1986-07-15 |
Family
ID=30759613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19956984U Pending JPS61111963U (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61111963U (ja) |
-
1984
- 1984-12-27 JP JP19956984U patent/JPS61111963U/ja active Pending
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