JPH0225572U - - Google Patents

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JPH0225572U
JPH0225572U JP10369188U JP10369188U JPH0225572U JP H0225572 U JPH0225572 U JP H0225572U JP 10369188 U JP10369188 U JP 10369188U JP 10369188 U JP10369188 U JP 10369188U JP H0225572 U JPH0225572 U JP H0225572U
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JP
Japan
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container
crystal growth
raw material
deformation
material melt
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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は、この考案の一実施例を示す垂直断面
図である。第2図は、同じくこの考案の一実施例
を示す水平断面図である。第3図は、第1図およ
び第2図に示す実施例の容器を用いて成長させた
単結晶の石英ボート内での幅寸法の分布を示す図
である。第4図は、第5図に示す従来の結晶成長
容器を用いて成長させた単結晶の石英ボート内で
の幅寸法の分布を示す図である。第5図は、従来
の結晶成長容器を示す垂直断面図である。 図において、1は石英管、2は石英ボート、3
はGaAs単結晶、4は架台、5は変形防止用枠
体、6はGaAs融液、7はGaAs種結晶、2
aは種結晶保持部を示す。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 原料融液を入れる容器を備え、該容器内で
    前記原料融液を凝固して化合物半導体結晶を成長
    させる結晶成長容器であつて、 前記容器よりも耐熱性に優れた材料からなる変
    形防止用枠体を前記容器の外側に設けたことを特
    徴とする、結晶成長容器。 (2) 前記変形防止用枠体がPBNからなること
    を特徴とする、請求項1記載の結晶成長容器。
JP10369188U 1988-08-04 1988-08-04 Pending JPH0225572U (ja)

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JP10369188U JPH0225572U (ja) 1988-08-04 1988-08-04

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JPH0225572U true JPH0225572U (ja) 1990-02-20

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