JPS61111991A - ３−５族化合物半導体単結晶の製造方法 - Google Patents

３−５族化合物半導体単結晶の製造方法

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Publication number
JPS61111991A
JPS61111991A JP59232752A JP23275284A JPS61111991A JP S61111991 A JPS61111991 A JP S61111991A JP 59232752 A JP59232752 A JP 59232752A JP 23275284 A JP23275284 A JP 23275284A JP S61111991 A JPS61111991 A JP S61111991A
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JP
Japan
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single crystal
seed
plane
compound
semiconductor
Prior art date
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Pending
Application number
JP59232752A
Other languages
English (en)
Inventor
Harunori Sakaguchi
春典 坂口
Tomoki Inada
稲田　知己
Masashi Fukumoto
福本　昌志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Cable Ltd filed Critical Hitachi Cable Ltd
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Publication of JPS61111991A publication Critical patent/JPS61111991A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/36—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method characterised by the seed, e.g. its crystallographic orientation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • Inorganic Chemistry (AREA)
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  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の背景と目的〕 本発明はｍ−ｖ族化合物半導体単結晶の製造方法に係り
、特に結晶欠陥を少なくするのに好適な製造方法に関す
るものである。
通常、単結晶成長にはシード（種結晶）を用いる。成長
方位は、デバイス作成に有利となるように＜１００＞方
向とするのが望ましく、ＧａＡＳではすべて（１００）
成長、ＩｎＰでも（１００）成長が主流となりつつある
。
第３図は従来のシードによるＧａＡｓ単結晶製造方法の
説明図で、（α）は斜視図、（６）は平面図である。第
６図に示すように、ルツボ１１内の融液面１２と平行な
面を（１００）面とした円柱状あるいは側面を（１００
）面とした角棒状のシード１３、を使っていた。
一方、これらの結晶成長では、シード１３から結晶１４
が太っていく過程で、＜１１０＞方向にファセット（成
長縞）１５がはっきり現われた成長が起きる。このファ
セット１５の成長が強いほど、＠４図に示した従来のシ
ードにより引き上げ成長させたＧｃＬＡｓ単結晶インゴ
ットの正面図のように、結晶１４にツイン１６やポリク
リスタル１７のない、あるいは、転位の少ない結晶１４
が成長する。この点、従来のシード形状では、ファセッ
ト１５の成長の方向とシード形状が一致しておらず、フ
ァセット１５の成長がしにくいという問題があった。
本発明は上記に鑑みてなされたもので、その目的とする
ところは、結晶欠陥の少ないｍ−ｖ族化金物半導体単結
晶の製造方法を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明の特徴は、融液面に平行な面を（１００）面とし
、これと垂直な側面である４面を（１１０）、　面とし
た角棒状のシードを用いて引き上げて単結晶成長を行な
うようにした点にある。
〔実施例〕
以下本発明の製造方法の一実施例を第１図、第２図を用
いて詳細に説明する。
第１因は本発明のｍ−ｖ族化合物半導体単結晶の製造方
法の一実施例を説明するための説明図でＧ　ａ　Ａ　ａ
の場合を示してあり、第１図（８）は斜視図同図（６）
は平面図である。第１図（α）において、１１はルツボ
、１２は融液面、１はシードで、シード１は融液面１２
と平行な面（底面）は（１００）面としてあり、これと
垂直な側面である４面は（１１０）面と一致させた角棒
状とものを使用しており、引き上げ法によってＧ（！Ａ
１１単結晶２を成長させるようにしである。３はファセ
ットである。
第２図は本発明の製造方法で結晶成長させたＧａＡｓ単
結晶インゴットの正面図で、ファセット成長が強いため
、第４図に示しであるツイン、ポリクリスタルが全くな
く、転位の少ない単結晶２を製造することができる。
上記した本発明の実施例によれば。
（１）　　ツインやポリクリスタルが発生しないため、
単結晶成長の歩留りを向上することができる。
（２）　　シード１の形状とファセット成長方向が一致
しているため、シード付けが容易である。
（３）　　ファセット成長が強いため、転位を低減でき
る。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、結晶欠″陥の少
ないｍ　−ｖ族化合物半導体単結晶を製造することがで
き、かつ転位を低減できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明のｍ　−ｖ族化合物半導体単結晶の製造
方法の一実施例を説明するための説明図、第２図は第１
図で製造したＧａＡｓ単結晶単結晶インドの正面図、第
３図は従来のシードによるＧαＡｓ単結晶製造方法の説
明図、第４図は第６図で製造したＧａＡｓ単結晶インゴ
ットの正面図である。 １；シード、２；結晶、１１ニルツボ、１２；融液面。 １１１７］ 昆　２旧

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）III−Ｖ族化合物半導体の引き上げ法による単結
    晶製造方法において、融液面に平行な面を（１００）面
    とし、これと垂直な側面である４面を（１１０）面とし
    た角棒状のシードを用いて引き上げて単結晶成長を行う
    ことを特徴とするIII−Ｖ族化合物半導体単結晶の製造
    方法。
JP59232752A 1984-11-05 1984-11-05 ３−５族化合物半導体単結晶の製造方法 Pending JPS61111991A (ja)

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JPS61111991A true JPS61111991A (ja) 1986-05-30

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JP (1) JPS61111991A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01203287A (ja) * 1988-02-08 1989-08-16 Nec Corp 単結晶引き上げ方法
EP0476389A2 (en) * 1990-08-30 1992-03-25 The Furukawa Electric Co., Ltd. Method of growing single crystal of compound semiconductors

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01203287A (ja) * 1988-02-08 1989-08-16 Nec Corp 単結晶引き上げ方法
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