JPS61111991A - 3−5族化合物半導体単結晶の製造方法 - Google Patents
3−5族化合物半導体単結晶の製造方法Info
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- JPS61111991A JPS61111991A JP59232752A JP23275284A JPS61111991A JP S61111991 A JPS61111991 A JP S61111991A JP 59232752 A JP59232752 A JP 59232752A JP 23275284 A JP23275284 A JP 23275284A JP S61111991 A JPS61111991 A JP S61111991A
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- JP
- Japan
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- seed
- plane
- compound
- semiconductor
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/36—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method characterised by the seed, e.g. its crystallographic orientation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の背景と目的〕
本発明はm−v族化合物半導体単結晶の製造方法に係り
、特に結晶欠陥を少なくするのに好適な製造方法に関す
るものである。
、特に結晶欠陥を少なくするのに好適な製造方法に関す
るものである。
通常、単結晶成長にはシード(種結晶)を用いる。成長
方位は、デバイス作成に有利となるように<100>方
向とするのが望ましく、GaASではすべて(100)
成長、InPでも(100)成長が主流となりつつある
。
方位は、デバイス作成に有利となるように<100>方
向とするのが望ましく、GaASではすべて(100)
成長、InPでも(100)成長が主流となりつつある
。
第3図は従来のシードによるGaAs単結晶製造方法の
説明図で、(α)は斜視図、(6)は平面図である。第
6図に示すように、ルツボ11内の融液面12と平行な
面を(100)面とした円柱状あるいは側面を(100
)面とした角棒状のシード13、を使っていた。
説明図で、(α)は斜視図、(6)は平面図である。第
6図に示すように、ルツボ11内の融液面12と平行な
面を(100)面とした円柱状あるいは側面を(100
)面とした角棒状のシード13、を使っていた。
一方、これらの結晶成長では、シード13から結晶14
が太っていく過程で、<110>方向にファセット(成
長縞)15がはっきり現われた成長が起きる。このファ
セット15の成長が強いほど、@4図に示した従来のシ
ードにより引き上げ成長させたGcLAs単結晶インゴ
ットの正面図のように、結晶14にツイン16やポリク
リスタル17のない、あるいは、転位の少ない結晶14
が成長する。この点、従来のシード形状では、ファセッ
ト15の成長の方向とシード形状が一致しておらず、フ
ァセット15の成長がしにくいという問題があった。
が太っていく過程で、<110>方向にファセット(成
長縞)15がはっきり現われた成長が起きる。このファ
セット15の成長が強いほど、@4図に示した従来のシ
ードにより引き上げ成長させたGcLAs単結晶インゴ
ットの正面図のように、結晶14にツイン16やポリク
リスタル17のない、あるいは、転位の少ない結晶14
が成長する。この点、従来のシード形状では、ファセッ
ト15の成長の方向とシード形状が一致しておらず、フ
ァセット15の成長がしにくいという問題があった。
本発明は上記に鑑みてなされたもので、その目的とする
ところは、結晶欠陥の少ないm−v族化金物半導体単結
晶の製造方法を提供することにある。
ところは、結晶欠陥の少ないm−v族化金物半導体単結
晶の製造方法を提供することにある。
本発明の特徴は、融液面に平行な面を(100)面とし
、これと垂直な側面である4面を(110)、 面とし
た角棒状のシードを用いて引き上げて単結晶成長を行な
うようにした点にある。
、これと垂直な側面である4面を(110)、 面とし
た角棒状のシードを用いて引き上げて単結晶成長を行な
うようにした点にある。
以下本発明の製造方法の一実施例を第1図、第2図を用
いて詳細に説明する。
いて詳細に説明する。
第1因は本発明のm−v族化合物半導体単結晶の製造方
法の一実施例を説明するための説明図でG a A a
の場合を示してあり、第1図(8)は斜視図同図(6)
は平面図である。第1図(α)において、11はルツボ
、12は融液面、1はシードで、シード1は融液面12
と平行な面(底面)は(100)面としてあり、これと
垂直な側面である4面は(110)面と一致させた角棒
状とものを使用しており、引き上げ法によってG(!A
11単結晶2を成長させるようにしである。3はファセ
ットである。
法の一実施例を説明するための説明図でG a A a
の場合を示してあり、第1図(8)は斜視図同図(6)
は平面図である。第1図(α)において、11はルツボ
、12は融液面、1はシードで、シード1は融液面12
と平行な面(底面)は(100)面としてあり、これと
垂直な側面である4面は(110)面と一致させた角棒
状とものを使用しており、引き上げ法によってG(!A
11単結晶2を成長させるようにしである。3はファセ
ットである。
第2図は本発明の製造方法で結晶成長させたGaAs単
結晶インゴットの正面図で、ファセット成長が強いため
、第4図に示しであるツイン、ポリクリスタルが全くな
く、転位の少ない単結晶2を製造することができる。
結晶インゴットの正面図で、ファセット成長が強いため
、第4図に示しであるツイン、ポリクリスタルが全くな
く、転位の少ない単結晶2を製造することができる。
上記した本発明の実施例によれば。
(1) ツインやポリクリスタルが発生しないため、
単結晶成長の歩留りを向上することができる。
単結晶成長の歩留りを向上することができる。
(2) シード1の形状とファセット成長方向が一致
しているため、シード付けが容易である。
しているため、シード付けが容易である。
(3) ファセット成長が強いため、転位を低減でき
る。
る。
以上説明したように、本発明によれば、結晶欠″陥の少
ないm −v族化合物半導体単結晶を製造することがで
き、かつ転位を低減できるという効果がある。
ないm −v族化合物半導体単結晶を製造することがで
き、かつ転位を低減できるという効果がある。
第1図は本発明のm −v族化合物半導体単結晶の製造
方法の一実施例を説明するための説明図、第2図は第1
図で製造したGaAs単結晶単結晶インドの正面図、第
3図は従来のシードによるGαAs単結晶製造方法の説
明図、第4図は第6図で製造したGaAs単結晶インゴ
ットの正面図である。 1;シード、2;結晶、11ニルツボ、12;融液面。 1117] 昆 2旧
方法の一実施例を説明するための説明図、第2図は第1
図で製造したGaAs単結晶単結晶インドの正面図、第
3図は従来のシードによるGαAs単結晶製造方法の説
明図、第4図は第6図で製造したGaAs単結晶インゴ
ットの正面図である。 1;シード、2;結晶、11ニルツボ、12;融液面。 1117] 昆 2旧
Claims (1)
- (1)III−V族化合物半導体の引き上げ法による単結
晶製造方法において、融液面に平行な面を(100)面
とし、これと垂直な側面である4面を(110)面とし
た角棒状のシードを用いて引き上げて単結晶成長を行う
ことを特徴とするIII−V族化合物半導体単結晶の製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59232752A JPS61111991A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | 3−5族化合物半導体単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59232752A JPS61111991A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | 3−5族化合物半導体単結晶の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61111991A true JPS61111991A (ja) | 1986-05-30 |
Family
ID=16944199
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59232752A Pending JPS61111991A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | 3−5族化合物半導体単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61111991A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01203287A (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-16 | Nec Corp | 単結晶引き上げ方法 |
EP0476389A2 (en) * | 1990-08-30 | 1992-03-25 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Method of growing single crystal of compound semiconductors |
-
1984
- 1984-11-05 JP JP59232752A patent/JPS61111991A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01203287A (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-16 | Nec Corp | 単結晶引き上げ方法 |
EP0476389A2 (en) * | 1990-08-30 | 1992-03-25 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Method of growing single crystal of compound semiconductors |
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