JPS63142809A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS63142809A JPS63142809A JP29107786A JP29107786A JPS63142809A JP S63142809 A JPS63142809 A JP S63142809A JP 29107786 A JP29107786 A JP 29107786A JP 29107786 A JP29107786 A JP 29107786A JP S63142809 A JPS63142809 A JP S63142809A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- long axis
- scanning direction
- film
- respect
- crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置の製造方法に関するものである。
従来の技術
近年、半導体の集積度は年々高まってきており、平面的
な集積から立体的な集積が必要となってきている。この
立体的な集積が可能となるためにはシリコン酸化膜上に
堆積した多結晶シリコン膜を結晶膜に変換する技術（Ｓ
ＯＸ形成技術）の確立が必要不可欠である。
な集積から立体的な集積が必要となってきている。この
立体的な集積が可能となるためにはシリコン酸化膜上に
堆積した多結晶シリコン膜を結晶膜に変換する技術（Ｓ
ＯＸ形成技術）の確立が必要不可欠である。
以下、第２図Ｃり（ｂ）に従い従来の技術について説明
する。第２図（ａ）は平面図で２１は多結晶シリコン膜
、２２はシード部、２３はレーザビームのエネルギー分
布、２４は再結晶化膜である。まだ、第２図（ｂ）は第
２図人−Ａ′の断面図を弐わしだものであり、２５はシ
リコン基板、２６はシリコン酸化膜である。
する。第２図（ａ）は平面図で２１は多結晶シリコン膜
、２２はシード部、２３はレーザビームのエネルギー分
布、２４は再結晶化膜である。まだ、第２図（ｂ）は第
２図人−Ａ′の断面図を弐わしだものであり、２５はシ
リコン基板、２６はシリコン酸化膜である。
従来は、第２図に示したように、レーザビーム２３を照
射してシード部２２上及びシリコン酸化、膜２６上の多
結晶シリコン膜２１を溶融させ、シード部２２から単結
晶シリコン基板２６の結晶性を引継ぎつつ液相成長させ
る方法がよくとられていた。（以下ラテラルシーディン
グと呼ぶ）発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記半導体装置の製造方法では、レーザ
ビームがガウス型のエネルギー分布をもっているため、
結晶成長面である固液界面はＶ字型となり、シード部か
らの一様な結晶成長はできない。またシード部からの一
様な結晶成長を実現するために、レーザビームのエネル
ギー分布を、走査方向に対しては急峻であり、走査方向
に垂直な方向にはほぼ一様である形（線状ビーム）に整
形する方法がしばしばとられていた。この線状ビームに
よるアニールを行なえば、固液界面は走査方向に対して
ほぼ垂直となるため、シード部からの一様な結晶成長が
実現される。しかしながら、この線状ビームによるアニ
ールでは、走査方向に対するエネルギー分布が急峻であ
るため、シリコン酸化膜２６上の多結晶シリコン膜２１
が溶融している時間が短くなり、良質の再結晶化膜２４
が走査方向に遠い距離までのびないという問題があった
。
射してシード部２２上及びシリコン酸化、膜２６上の多
結晶シリコン膜２１を溶融させ、シード部２２から単結
晶シリコン基板２６の結晶性を引継ぎつつ液相成長させ
る方法がよくとられていた。（以下ラテラルシーディン
グと呼ぶ）発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記半導体装置の製造方法では、レーザ
ビームがガウス型のエネルギー分布をもっているため、
結晶成長面である固液界面はＶ字型となり、シード部か
らの一様な結晶成長はできない。またシード部からの一
様な結晶成長を実現するために、レーザビームのエネル
ギー分布を、走査方向に対しては急峻であり、走査方向
に垂直な方向にはほぼ一様である形（線状ビーム）に整
形する方法がしばしばとられていた。この線状ビームに
よるアニールを行なえば、固液界面は走査方向に対して
ほぼ垂直となるため、シード部からの一様な結晶成長が
実現される。しかしながら、この線状ビームによるアニ
ールでは、走査方向に対するエネルギー分布が急峻であ
るため、シリコン酸化膜２６上の多結晶シリコン膜２１
が溶融している時間が短くなり、良質の再結晶化膜２４
が走査方向に遠い距離までのびないという問題があった
。
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、良質の再結
晶化膜を形成するための半導体装置の製造方法を提供す
るものである。
晶化膜を形成するための半導体装置の製造方法を提供す
るものである。
問題点を解決するだめの手段
本発明は上記問題点を解決するために、上記線状ビーム
の長軸を太きくし、さらにこの長軸を走査方向に対して
垂直ではなく斜めにすることによって長軸方向に結晶成
長させるものである。
の長軸を太きくし、さらにこの長軸を走査方向に対して
垂直ではなく斜めにすることによって長軸方向に結晶成
長させるものである。
作用
この溝底によシ楕円の長軸方向に結晶成長する。
ここで、楕円の長軸方向のエネルギー分布はほぼ一様で
あるため、シリコン酸化膜上の多結晶シリコン膜の溶融
している時間は十分長い。従ってシード部からの結晶成
長は必らず浴融幅分は実現することができる。
あるため、シリコン酸化膜上の多結晶シリコン膜の溶融
している時間は十分長い。従ってシード部からの結晶成
長は必らず浴融幅分は実現することができる。
実施例
本発明の半導体装置の製造方法全一実施例を第１図に示
す。１１は多結晶シリコン膜、１２はシード部、１３は
レーザビームのエネルギー分布、１４は再結晶化膜であ
る。楕円ビームは柱状の凸レンズと凹レンズで形成した
。断面図は第２図（１））と同様であるのでここでは省
略した。
す。１１は多結晶シリコン膜、１２はシード部、１３は
レーザビームのエネルギー分布、１４は再結晶化膜であ
る。楕円ビームは柱状の凸レンズと凹レンズで形成した
。断面図は第２図（１））と同様であるのでここでは省
略した。
第１図に示したように、楕円ビームの長軸は走査方向に
対して斜めに向いているので、結晶成長面である固液界
面は左下から始まり右上方へ進み、右端で終わる。従っ
て走査方向に対して横方向に結晶は成長する。さらに、
楕円の長軸方向のエネルギー分布は、はぼ一様であるた
めシリコン酸化膜上の多結晶シリコン膜１１の溶融時間
は十分長い。従ってシード部１２からの結晶成長は、第
１図における右端まで進行することができる。楕円ビー
ムにおける長軸を長くすれば再結晶化膜１４を走査方向
に対して横方向に長い距離まで形成することが可能であ
る。さらに、この楕円ビームを右へ移動してアニールす
ることにより、再結晶化膜１４をさらに右方向へ伸ばす
ことが可能なことは言うまでもない。
対して斜めに向いているので、結晶成長面である固液界
面は左下から始まり右上方へ進み、右端で終わる。従っ
て走査方向に対して横方向に結晶は成長する。さらに、
楕円の長軸方向のエネルギー分布は、はぼ一様であるた
めシリコン酸化膜上の多結晶シリコン膜１１の溶融時間
は十分長い。従ってシード部１２からの結晶成長は、第
１図における右端まで進行することができる。楕円ビー
ムにおける長軸を長くすれば再結晶化膜１４を走査方向
に対して横方向に長い距離まで形成することが可能であ
る。さらに、この楕円ビームを右へ移動してアニールす
ることにより、再結晶化膜１４をさらに右方向へ伸ばす
ことが可能なことは言うまでもない。
発明の効果
本発明の半導体装置の製造方法によって、前記したよう
にきわめて簡単な方法で良質の３０Ｉ膜を形成すること
ができ、実用的にきわめて有効な方法である。
にきわめて簡単な方法で良質の３０Ｉ膜を形成すること
ができ、実用的にきわめて有効な方法である。
第１図は本発明の半導体装置の製造方法の一実施例を表
わした図、第２図は従来の製造方法を表わした図である
。 １１・・・・・・多結晶シリコン膜、１２・・・・・・
５ｅａｄ部、１３・・・・・・レーザビーム、１４・・
・・・・再結晶化シリコン膜。
わした図、第２図は従来の製造方法を表わした図である
。 １１・・・・・・多結晶シリコン膜、１２・・・・・・
５ｅａｄ部、１３・・・・・・レーザビーム、１４・・
・・・・再結晶化シリコン膜。
Claims (1)
- 半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の
一部を除去して前記半導体基板の一部を露出させる工程
と、前記絶縁膜上に前記半導体基板と同一材料の多結晶
あるいは非晶質の膜を形成する工程と、しかる後に線状
に整形したレーザビームをレーザビームの長軸を走査方
向に対して斜めに傾けて前記多結晶あるいは非晶質の膜
に照射して溶融させ、前記半導体基板の一部を露出した
部分から走査方向に対して垂直方向に結晶膜に変換する
工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29107786A JPS63142809A (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29107786A JPS63142809A (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63142809A true JPS63142809A (ja) | 1988-06-15 |
Family
ID=17764133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29107786A Pending JPS63142809A (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63142809A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110655083A (zh) * | 2019-11-12 | 2020-01-07 | 四川永祥新能源有限公司 | 一种多晶硅还原炉 |
-
1986
- 1986-12-05 JP JP29107786A patent/JPS63142809A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110655083A (zh) * | 2019-11-12 | 2020-01-07 | 四川永祥新能源有限公司 | 一种多晶硅还原炉 |
| CN110655083B (zh) * | 2019-11-12 | 2021-04-27 | 四川永祥新能源有限公司 | 一种多晶硅还原炉 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Lam et al. | Single Crystal Silicon‐on‐Oxide by a Scanning CW Laser Induced Lateral Seeding Process | |
| JP4263403B2 (ja) | シリコン結晶化方法 | |
| JPS5939790A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JPH0476490B2 (ja) | ||
| JPS63142809A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0475649B2 (ja) | ||
| JPS5983993A (ja) | 単結晶半導体層の成長方法 | |
| JPS5939791A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JPS61179524A (ja) | 多結晶シリコン膜の単結晶方法 | |
| JPH04362084A (ja) | 半導体材料のウェーハ製造方法 | |
| JPS58132919A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03177400A (ja) | 半導体材料ウェハーの製造方法 | |
| JPS63150911A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0236052B2 (ja) | ||
| JPH0136972B2 (ja) | ||
| JPS62208620A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58180019A (ja) | 半導体基体およびその製造方法 | |
| JPS61111991A (ja) | ３−５族化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JPS5886716A (ja) | 単結晶半導体膜形成法 | |
| JPS62145722A (ja) | 単結晶薄膜の製造方法 | |
| JPH01264215A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5934626A (ja) | 半導体膜形成方法 | |
| JPH0153240B2 (ja) | ||
| JPS63142810A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6010616A (ja) | 特定領域に二酸化シリコン層が埋め込まれてなるシリコン単結晶体の製造方法 |