JPH04362084A - 半導体材料のウェーハ製造方法 - Google Patents

半導体材料のウェーハ製造方法

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JPH04362084A
JPH04362084A JP4025906A JP2590692A JPH04362084A JP H04362084 A JPH04362084 A JP H04362084A JP 4025906 A JP4025906 A JP 4025906A JP 2590692 A JP2590692 A JP 2590692A JP H04362084 A JPH04362084 A JP H04362084A
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JP
Japan
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crucible
crystal
ingot
seed crystal
seed
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JP4025906A
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Inventor
Muhammed A Shahid
ムハメッド　アフザル　シャヒド
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AT&T Corp
Original Assignee
American Telephone and Telegraph Co Inc
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Publication date
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    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/002—Crucibles or containers for supporting the melt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/14—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method characterised by the seed, e.g. its crystallographic orientation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/901—Levitation, reduced gravity, microgravity, space
    • Y10S117/902—Specified orientation, shape, crystallography, or size of seed or substrate

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  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は結晶半導体材料の製造方
法に係わり、特に単結晶ウェーハを切り出すＩＩＩ−Ｖ
族とＩＩ−ＶＩ族の半導体化合物のインゴットを成長さ
せる方法と装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体技術の最重要進歩の１つに化合物
半導体がある。特に周期律表第ＩＩＩ族元素と第Ｖ族元
素からなるＩＩＩ−Ｖ族化合物（例、ヒ素ガリウムおよ
びリン化インジウム）は重要である。このような材料の
単結晶は、例えばレーザ、発光ダイオード、マイクロ波
発振器および光検出器の製造に用いられる。またＩＩ−
ＶＩ族材料（例、硫化カドミウム）も重要でこれらは光
検出器や他のデバイスの製造に使用されうる。
【０００３】化合物半導体を商業的に使用するにはほと
んどの場合、単結晶ウェーハを切断して次の有用デバイ
スに加工するのに大単結晶インゴットに成長させること
が必要である。ここに引例する米国特許第４，４０４，
１７２号（発明者ゴールト（Ｇａｕｌｔ）、１９８３年
９月１３日付与）は、縦形勾配凝固（ＶＧＦ）法として
知られる特に有用な結晶成長法に付いて記載している。
【０００４】この方法では半導体原材料は縦方向に長い
るつぼに入れられ、このるつぼにはその底端に丁度単結
晶種子結晶を含有する小さな筒状のシードウェル部があ
る。初めに、原材料と種子結晶の１部分が溶融される。 これに加えられる電力は、凝固が縦方向で上部に向って
進行して、成長するインゴットの結晶方位は種子結晶の
それに対応するように加えられる。
【０００５】米国特許第４，９６６，６４５号（発明者
　　シャヒド（Ｓｈａｈｉｄ）、１９９０年１０月３０
日付与）の記載によれば、ＶＧＦ法により成長されるイ
ンゴットは＜１１１＞方位に成長されるのがよく、一方
デバイスが形成されるウェーハは＜１００＞結晶方位に
配向されなければならない。これら両条件を満足させよ
うとすると、インゴットのスライシングはその中心軸に
対し３５．３度の角度で行う必要がある。
【０００６】上記の角度で切断するとインゴットが円形
断面を有する柱状体の場合、ウェーハは楕円形を有する
ことになる。シャヒドの特許ではインゴットを楕円形断
面を有するように成長させると円形のウェーハを得るこ
とができ、これによりさらに有用なデバイスに変換する
ことができる。この改良法を利用するには種子結晶はる
つぼのシードウェル内で適当に回転しながら配向する必
要がある。
【０００７】具体的には、インゴットの成長が行われる
るつぼの楕円の長軸に｛１００｝面と｛１１１｝面との
交線が平行となるように種子結晶を配向しなければなら
ない。半導体インゴットの成長後、通常その外面に“基
準面”として知られる軸方向に伸びる平面部を形成する
。この基準面はインゴットの結晶方位に対し特定の関係
を有する。ウェーハの製造後、各ウェーハの周辺上に得
られた平坦部がウェーハに定められるデバイスを適切に
配向させる基準として用いられる。
【０００８】結晶方位は多くの方法により求めることが
できる。例えば、半導体の結晶面を露光するエッチング
法や色々のＸ線および光学的回折法がある。勿論、各ウ
ェーハの周辺に基準面を形成すると各ウェーハの使用に
先立ってこのような結晶学的測定法を行う必要がない。 シャヒドの特許の改良法により化合物半導体ウェーハの
製造効率は向上するが熟練者による製造が不可欠である
という課題がある。
【０００９】
【本発明の解決する課題】所望の結晶方位のインゴット
を簡単に成長させるウェーハの製造方法とその装置を提
供する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の方法では、成長
するインゴットの結晶方位をるつぼのメッシング部と種
子結晶のメッシング部とを一致させる。例えば、るつぼ
のメッシング部は突出壁部であり、種子結晶のメッシン
グ部はその壁部上に丁度適合するように設けられたスロ
ットとすることができる。このように種子結晶がるつぼ
とかみ合わされると、その方位は固定化され、成長され
るインゴットの結晶方位も同様に固定される。
【００１１】シャヒド特許の楕円形断面を有するるつぼ
を用いると、その成長結晶は、インゴットがスライスさ
れて円形ウェーハを形成する場合、得られたウェーハは
適切な結晶方位を有するようになる。例えば、ウェーハ
面が〈１００〉結晶方位に配向される。本発明の他の特
徴は、るつぼの内面に複数の基準面が形成されることで
ある。
【００１２】基準面は、インゴットの使用可能部にそっ
て基準面が形成されるようにるつぼの主要部にそって軸
方向に伸びる。種子結晶が所定位置に固定化されると、
基準面がインゴットの結晶方位の正確な指標となる。こ
の特徴が与えられると製造後にインゴットに基準面を削
る必要はない。本発明を用いると、各種方法のいずれの
場合でも所望の結晶方位のインゴットを成長させるのに
必要な努力やオペレータの熟練度を減少させることがで
きる。
【００１３】
【実施例】縦形勾配凝固（ＶＧＦ）法により単結晶ＩＩ
Ｉ−Ｖ族半導体インゴットを良好に成長させるのに使用
される装置および処理手順のステップは前述のゴールト
の特許および関連する先行技術文献に詳しく記載されて
いる。本発明を構成する改良点に注目し説明を簡略化す
るために詳細には説明しないが、本発明を実現できる好
ましい方法はＶＧＦ法の使用によるものである。
【００１４】インゴットを示すのに単結晶という用語が
用いられるが、ほとんどのインゴットには欠陥が含まれ
ている。しかし良好な成長法はこのような欠陥を節減ま
たは最小にするものである。図１のＶＧＦ法は、縦方向
に長いるつぼ１２を示し、これには主要部１３、筒形シ
ードウェル部１４および還移部１５がある。
【００１５】成長させる半導体材料、例えばリン化イン
ジウムの柱状単結晶種子結晶１６は、筒状シードウェル
部１４に置かれる。次にインゴットを形成する原材料（
例、リン化インジウム）の多結晶１７でるつぼ１２を充
填する。またるつぼ１２には、溶融ＩＩＩ−Ｖ族材料を
封止する多量の酸化ホウ素が含有される。さらに、るつ
ぼ１２には、成長の間にインゴットの化学量論的組成を
保持する第Ｖ族元素材料が含有される。
【００１６】るつぼ１２を囲むヒータ２０Ｗで熱を原材
料に制御しながら加える。原材料１７のすべてと種子結
晶１６の上部部分は溶融され、次にヒータへの電力をつ
るぼ１２内に所定の温度勾配を与えるように減少する、
これにより溶融体と種子結晶との界面にまず再結晶（す
なわち凝固）をひき起こす。この凝固は全溶融原材料が
インゴットに再結晶されるまで上方に向って進行する。
【００１７】このプロセスが完全に実施されると、イン
ゴットは種子結晶１６のと同じ結晶方位を有する単結晶
となる。半導体材料の溶融と後続の凝固の間、ガス（こ
れは第Ｖ族元素材料の蒸気を含む場合と含まぬ場合とが
ある）を溶融体の上面に加えて、溶融体から第Ｖ族材料
が蒸気となり逃げるのを防止する。
【００１８】柱状種子結晶１６はその上面１８が｛１１
１｝結晶面にあるように形成されるのが好ましく、その
場合、矢印１９により示される面１８に垂直の方位は〈
１１１〉方位である。これらの状態下では、結晶１６の
面１８から成長する単結晶半導体材料は矢印１９により
示される〈１１１〉結晶方位に縦上向に向って成長する
。周知のように、この方位での成長は成長の間のるつぼ
の内面とインゴットの間の応力を少なくし、インゴット
内の欠陥を最小とする。
【００１９】しかし、ウェーハに対し最適の結晶方位を
得るためには、ウェーハを厳密な角度で切断しなければ
ならず、円柱形インゴットの場合、楕円形ウェーハが得
られることになる。前記シャヒドの特許の方法では、一
般にるつぼ１２の主要部の断面は図２に示されるように
楕円形である。この楕円形状にする理由は、楕円形のイ
ンゴットを成長させて、このインゴットの中心軸に対し
適切な角度でスライスすると、一般に円形のウェーハを
形成することができるからである。
【００２０】図２に示すようにるつぼの横断面により形
成される楕円は、長軸ｘと短軸ｙを有する。図３はイン
ゴットの側面図で、インゴットは中心軸２１と図２のｙ
方向に対応する楕円短軸ｙを有する。リン化インジウム
やせん亜鉛鉱形構造を有する他の物質の場合、〈１１１
〉Ｂ方位のインゴットの成長から〈１００〉結晶方位に
好ましく配向されるウェーハを与えるためには、中心軸
２１に対し約３５．３度の角θでスライスする必要があ
る。
【００２１】角θがｙ÷ｘに等しい正弦を有する角であ
る場合、矢印２３で示されるようにスライスすると円形
のウェーハが得られる。従って、リン化インジウムの例
ではパラメータｘとｙは、３５．３度の正弦がｙ÷ｘに
等しいように選択される。前述のように、インゴットか
らウェーハをスライスするに先立って、インゴットの軸
方向に伸びる基準面を研削するのが通例である。
【００２２】リン化インジウムの場合第１基準面は（０
１１）面に対応するように研削され、第２基準面は（０
１ー１）面に対応するように研削される（ー１は１の上
付きバーを意味する）。本発明では、インゴット加工に
先立って、るつぼに単に面部を形成することによりこの
研削は回避される。これを説明するのが図４で、これは
第１基準面２６と第２基準面２７を有するるつぼ１２´
の断面図である。
【００２３】種子結晶は次のようにシードウェル１４に
おいて配向される。インゴットの成長の際に、インゴッ
トに第１基準面として用いられる第１基準面２６に対応
する面部およびインゴットに第２基準面を形成する第２
基準面２７に対応する軸方向に伸びる別の面を有するよ
うに行われる。リン化インジウムについて述べるとイン
ゴットは次のように成長が行われる。
【００２４】第１基準面２６はるつぼ楕円の長軸に平行
で、（０１１）面に対応し、第２基準面２７はその短軸
に平行し（０１ー１）面に対応する。図５は、前述のよ
うに円形ウェーハを与えるようにインゴットがスライス
された後、各ウェーハが第１基準面２６´と第２基準面
２７´を有することを示し、これらはその後ウェーハに
形成されるデバイスを適切に位置ぎめをするのに用いら
れる。
【００２５】図４の基準面２６、２７がインゴットの結
晶方位の適切な決定因となるのには種子結晶がシードウ
ェル内で回転しながら配向する必要がある。具体的に述
べると、リン化インジウムの場合、｛１００｝面と｛１
１１｝面との交線は、るつぼ楕円の長軸（ｘ）に平行と
なるように整列されねばならない。これを決めるのに多
くの方法が知られている。
【００２６】その１例にエッチング法がある。これは例
えば論文“レビューオブケミカルポリッシングオブセミ
コンダクタ（Ｒｅｖｉｅｗ　　ｏｆ　　Ｃｈｅｍｉｃａ
ｌ　　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ　　ｏｆ　　Ｓｅｍｉｃｏｎ
ｄｕｃｔｏｒｓ）”、ビー・タック（Ｂ．Ｔｕｃｋ）、
ジャーナルオブマテリアルスサイエンス（Ｊｏｕｒｎａ
ｌ　　ｏｆＭａｔｅｒｉａｌ　　Ｓｃｉｅｎｃｅ）、第
１０巻、３２１−３３９頁、１９７５年に記載されてい
る。
【００２７】図６のリン化インジウムのエッチングされ
たピットはプレーナーファセット３０により形成された
三角形を有し、各々は、｛１１１｝面に位置し、（１１
１）Ｂ面に７０．５度傾斜するものである。ピットエッ
ジは〈１１０〉方位に沿って配列される。種子結晶１６
´のエッヂ３１の１つは、るつぼにより規定される楕円
の長軸に平行となるように配向されなければならない。 本発明には次の別の特徴がある。
【００２８】シードウェルにおいて種子結晶を回転しな
がら配向させるのに要するオペレータの熟練レベルを、
図７に示すように、種子結晶とシードウェルにメッシン
グ部を形成することにより大きく減少することができる
。図７はるつぼのシードウェルの１部１４´を示す。 その底部にキャップ３２が固定配置され、それはキャッ
プから上方に突出する壁部３３を有する。種子結晶３５
はスロット３６を有し、これが種子結晶３５の結晶方位
の指標となる。
【００２９】種子結晶３５は次のようにシードウェル１
４´に置かれる。スロット３６は壁部３３とかみ合い、
丁度その上に適合し、そのような位置の場合、前述のよ
うな結晶成長となるように種子結晶はシードウェル内で
適切に回転しながら配向される。図８は図７の８−８線
における横断図で、壁部３３はるつぼのシードウェル部
１４´のスロットに丁度適合する。
【００３０】るつぼの形成後、るつぼの楕円部の長軸と
短軸に対し注意深く配向されたシードウェル部の底部に
スロットは切り込まれる。壁部３３はスロットに丁度適
合し、キャップ３２を摩擦でるつぼに保持する。このよ
うに交換できるキャップ部を用いて壁部３３を形成する
ようにし、るつぼは窒化ホウ素のような材料で製造でき
る。
【００３１】図６に示すような方法を用いてオペレータ
が種子結晶の結晶方位を求めなければならない場合に比
べ、図７に示すようなシードウェルメッシング部に種子
結晶３５を適合させる方がオペレータの熟練度は可成り
低くてもよい。スロット３６が種子結晶３５の｛１００
｝面と｛１１１｝面の交線と平行に切り出される場合、
壁部３３はるつぼ楕円の長軸と平行でなければならない
。
【００３２】そうではなく、スロット３６が〈１１２〉
方位に平行に切り出される場合、壁部３３は楕円の短軸
と平行でなければならない。図８は多数の種子結晶３５
がリン化インジウム結晶ブロック３８から周知のように
「心残し中ぐり」により切り出されることを示す。色々
の種子結晶のスロットはブロック３８にスロット３９を
形成することにより作成されうるが、それらはブロック
３８の結晶方位に対し所定の関係を保持するものである
。
【００３３】こうして、種子結晶３５がブロックから「
心残し中ぐり」が行われると、スロット３６が形成され
、図７に示される方法で用いられる。本発明はリン化イ
ンジウム形成ＶＧＦ法の使用について説明されたが、他
の半導体結晶、特にＩＩＩ−Ｖ族とＩＩ−ＶＩ族の半導
体の成長にも適用可能であり、また他の成長法例えば既
知の水平ブリッジマン法にも適用可能である。
【００３４】るつぼの内面に軸方向に沿って伸びる１つ
または複数の基準面を用いる方法は、柱状インゴットお
よび楕円形インゴットを作成するるつぼに使用可能であ
る。このような実施例のいずれにも種子結晶のメッシン
グの特徴が必須とはならない。具体的に示したもの以外
のるつぼと種子結晶をインターロックさせたりかみ合わ
せたりする色々の方法を代りに用いることもできる。
【００３５】例えば、突出壁が種子結晶に作成され、か
み合わせのスロットがるつぼに形成されることも可能で
ある。メッシングの特徴の使用は、基準面を有するまた
は有しない柱状るつぼおよび基準面を有するまたは有し
ない楕円形るつぼにも使用可能である。以上の説明は、
本発明の一実施例に関するもので、この技術分野の当業
者であれば、本発明の種々の変形例が考え得るが、それ
らはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。尚、特
許請求の範囲に記載した参照番号は発明の容易なる理解
のためで、その技術的範囲を制限するよう解釈されるべ
きではない。
【００３６】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明の方法により
、結晶面の制御が容易な半導体結晶インゴットの成長法
を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のＶＧＦ法により半導体結晶インゴットを
製造する装置の略図である。
【図２】図１の２−２線における横断図である。
【図３】図１の装置で製造されたインゴットの部分図で
ある。
【図４】本発明の１実施例のるつぼの平面図である。
【図５】図４のるつぼで製造されたインゴットからスラ
イスされたウェーハを示す図である。
【図６】結晶方位を求めるのに用いることのできる単結
晶半導体種子結晶のエッチングされたピットの略図であ
る。
【図７】本発明のシードウェルキャップ部と図３のるつ
ぼのシードウェル部の部分略図である。
【図８】図７の８−８線における横断図である。
【図９】本発明の実施例の種子結晶の製造法の略図であ
る。
【符号の説明】
１２　　るつぼ １２’　るつぼ １３　　主要部 １４　　シードウェル部 １４’　シードウェル部 １５　　還移部 １６　　種子結晶 １６’　種子結晶 １７　　原材料（多結晶） １８　　（種子結晶）上面 １９　　矢印 ２０　　ヒータ ２１　　中心軸 ２３　　矢印 ２６　　第１基準面 ２６’　（ウェーハの）基準面 ２７　　第２基準面 ２７’　（ウェーハの）基準面 ３０　　プレーナーファセット ３１　　エッジ ３２　　キャップ ３３　　第１メッシング部 ３５　　種子結晶 ３６　　第２メッシング ３８　　（リン化インジウム）ブロック３９　　スロッ
ト

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　成長されるべきインゴットに所定の結
    晶方位を与えるようにるつぼ内に半導体種子結晶（３５
    ）を配向するステップと；種子結晶と接触させるように
    るつぼ内に半導体原材料（１７）を含有させるステップ
    と；原材料と種子結晶の１部を溶融するステップと；結
    晶半導体インゴットを成長させるために溶融された種子
    結晶と原材料を凝固させるステップと；インゴットを所
    定の結晶方位のウェーハにスライスするステップとるつ
    ぼの１部に第１メッシング部（３３）を形成するステッ
    プと、種子結晶に第２メッシング部（３６）を形成する
    ステップとを有し、第２メッシング部は第１メッシング
    部とマッチし、および第２メッシング部は種子結晶の結
    晶方位と所定の関係を有するように形成され、種子結晶
    を配向させるステップは、種子結晶がるつぼに所定の配
    向に強制されるように第２メッシング部を第１メッシン
    グ部とかみ合わせるステップを有することを特徴とする
    半導体材料のウェーハ製造方法。
  2. 【請求項２】第１メッシング部と第２メッシング部は、
    それぞれ突出壁部と突出壁部上に丁度適合するように設
    けられたスロットとからなる群から選ばれることを特徴
    とする請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】　　第１メッシング部は突出壁部であり、
    および第２メッシング部を形成するステップは突出壁上
    に丁度適合させるのに十分な厚さを有する種子結晶にス
    ロットを形成するステップを有することを特徴とする請
    求項２に記載の方法。
  4. 【請求項４】　　種子結晶はるつぼの１端に取付けられ
    、そのるつぼは中心軸を有し、および凝固ステップはる
    つぼの中心軸と実質的に一致する所定の第１の結晶方位
    に種子結晶からインゴットを成長させるステップを有す
    ることを特徴とする請求項２に記載の方法。
  5. 【請求項５】　　第１の結晶方位に直角をなす断面にお
    いて、インゴットの外面が実質的に楕円形を形成するよ
    うにインゴットの主要部の成長を強制するステップをさ
    らに有することを特徴とする請求項４に記載の方法。
  6. 【請求項６】　　インゴットは楕円の長軸方向に厚さｘ
    と楕円の短軸方向に厚さｙとを有し、およびスライシン
    グステップは短軸方向で、実質的に円外周をそれぞれ有
    するウェーハを与えるのに十分な第１の方位に対し所定
    の角度でインゴットを切断するステップを有することを
    特徴とする請求項５に記載の方法。
  7. 【請求項７】　　第１の結晶方位は＜１１１＞結晶方位
    であり、前記所定の角度は、第１の方位に対し実質的に
    ３５．３度であることを特徴とする請求項６に記載の方
    法。
  8. 【請求項８】　　半導体はＩＩＩ−Ｖ族半導体材料とＩ
    Ｉ−ＶＩ族半導体材料とからなる群から選択されること
    を特徴とする請求項６に記載の方法。
  9. 【請求項９】　　インゴットを成長させるステップは、
    るつぼの下端のシードウェルに種子結晶を含有させるス
    テップを有し、るつぼは垂直方向に配向され、および凝
    固ステップはるつぼの中心軸と一致する中心軸を有する
    インゴットを形成するために種子結晶から上方向に溶融
    材料を段々に凝固するステップを有することを特徴とす
    る請求項１に記載の方法。
  10. 【請求項１０】　　種子結晶にスロットを形成するステ
    ップは結晶本体に複数のスロットを形成し、次にそこに
    スロットをそれぞれ有する複数の種子結晶にその本体を
    切断するステップを有することを特徴とする請求項３に
    記載の方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8957697B2 (en) 2011-03-18 2015-02-17 Ricoh Company, Ltd. Circuit board, image forming apparatus, and method of managing reuse information of circuit board

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6334897B1 (en) * 1998-03-31 2002-01-01 Japan Energy Corporation Method of manufacturing compound semiconductor single crystal
WO2011050170A2 (en) * 2009-10-22 2011-04-28 Advanced Renewable Energy Company Llc Crystal growth methods and systems
KR101198163B1 (ko) 2011-01-26 2012-11-12 디케이아즈텍 주식회사 타원형 도가니를 이용한 카이로플러스법에 의한 사파이어 단결정 제조 장치
JP7155968B2 (ja) * 2018-12-04 2022-10-19 Tdk株式会社 単結晶育成用ルツボ及び単結晶製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6221786A (ja) * 1985-07-18 1987-01-30 Hitachi Cable Ltd 横型ボ−ト法による３−ｖ族化合物半導体単結晶製造装置のボ−ト及びこれに収容される種結晶
JPS63182288A (ja) * 1987-01-22 1988-07-27 Mitsubishi Metal Corp ３−５族化合物単結晶の製造方法
JPH01278490A (ja) * 1988-04-28 1989-11-08 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 結晶育成方法および結晶育成用るつぼ
US4966645A (en) * 1989-12-04 1990-10-30 At&T Bell Laboratories Crystal growth method and apparatus

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2116916A5 (fr) * 1970-12-11 1972-07-21 Radiotechnique Compelec Procede de fabrication de monocristaux de composes semiconducteurs
FR2175594B1 (ja) * 1972-03-15 1974-09-13 Radiotechnique Compelec
US3944393A (en) * 1973-11-21 1976-03-16 Monsanto Company Apparatus for horizontal production of single crystal structure
US4404172A (en) * 1981-01-05 1983-09-13 Western Electric Company, Inc. Method and apparatus for forming and growing a single crystal of a semiconductor compound
US4343662A (en) * 1981-03-31 1982-08-10 Atlantic Richfield Company Manufacturing semiconductor wafer devices by simultaneous slicing and etching
US4714101A (en) * 1981-04-02 1987-12-22 United Technologies Corporation Method and apparatus for epitaxial solidification
US4946542A (en) * 1988-12-05 1990-08-07 At&T Bell Laboratories Crystal growth method in crucible with step portion

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6221786A (ja) * 1985-07-18 1987-01-30 Hitachi Cable Ltd 横型ボ−ト法による３−ｖ族化合物半導体単結晶製造装置のボ−ト及びこれに収容される種結晶
JPS63182288A (ja) * 1987-01-22 1988-07-27 Mitsubishi Metal Corp ３−５族化合物単結晶の製造方法
JPH01278490A (ja) * 1988-04-28 1989-11-08 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 結晶育成方法および結晶育成用るつぼ
US4966645A (en) * 1989-12-04 1990-10-30 At&T Bell Laboratories Crystal growth method and apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8957697B2 (en) 2011-03-18 2015-02-17 Ricoh Company, Ltd. Circuit board, image forming apparatus, and method of managing reuse information of circuit board

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