JP2574618B2 - 結晶成長方法と結晶成長用るつぼ - Google Patents
結晶成長方法と結晶成長用るつぼInfo
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- JP2574618B2 JP2574618B2 JP4358561A JP35856192A JP2574618B2 JP 2574618 B2 JP2574618 B2 JP 2574618B2 JP 4358561 A JP4358561 A JP 4358561A JP 35856192 A JP35856192 A JP 35856192A JP 2574618 B2 JP2574618 B2 JP 2574618B2
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- Japan
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- crucible
- single crystal
- central axis
- crystal seed
- ingot
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
- C30B29/48—AIIBVI compounds wherein A is Zn, Cd or Hg, and B is S, Se or Te
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、単結晶半導体材料のイ
ンゴットを作製するプロセスに関し、特にＩＩＩ−Ｖ族
及びＩＩ−ＶＩ族半導体単結晶インゴットの成長方法に
関する。
ンゴットを作製するプロセスに関し、特にＩＩＩ−Ｖ族
及びＩＩ−ＶＩ族半導体単結晶インゴットの成長方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】ガリウムヒ素及びインジウムリンのよう
なＩＩＩ−Ｖ族材料は、例として、レーザ、発光ダイオ
ード、マイクロ波発振器、受光器を作製するために用い
られている。カドミウムサルファイドのようなＩＩ−Ｖ
Ｉ族材料はまた、受光器及び他のデバイスを作製するた
めに用いられている。そのような化合物半導体を利用す
る際には、大きな単結晶インゴットを成長し、その後有
用なデバイスを作製するために、ウェハに切り出され
る。そのような結晶成長方法として有望なものの一つと
して、vertial gradient freeze（ＶＧＦ）方法があ
り、ＶＧＦ法の詳細は、米国特許、W.A.Gault, No.4404
172（１９８３年９月１３日付与）及び、W.A.Gaultらの
論文、"A Novel Application of the Vertical Gradien
t Freeze Method to the Growth of High Quality III-
V Crystals", Journal of Crystal Growth, Vol.74, p
p.491-506, 1986、に示されている。
なＩＩＩ−Ｖ族材料は、例として、レーザ、発光ダイオ
ード、マイクロ波発振器、受光器を作製するために用い
られている。カドミウムサルファイドのようなＩＩ−Ｖ
Ｉ族材料はまた、受光器及び他のデバイスを作製するた
めに用いられている。そのような化合物半導体を利用す
る際には、大きな単結晶インゴットを成長し、その後有
用なデバイスを作製するために、ウェハに切り出され
る。そのような結晶成長方法として有望なものの一つと
して、vertial gradient freeze（ＶＧＦ）方法があ
り、ＶＧＦ法の詳細は、米国特許、W.A.Gault, No.4404
172（１９８３年９月１３日付与）及び、W.A.Gaultらの
論文、"A Novel Application of the Vertical Gradien
t Freeze Method to the Growth of High Quality III-
V Crystals", Journal of Crystal Growth, Vol.74, p
p.491-506, 1986、に示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＶＧＦ法によれば、半
導体原材料は、図４に図示するようなつぼ内に配置され
る。このるつぼの形状は、垂直方向に十分な深さを有
し、小さな円柱状のシードウェル部２２を有する。その
底部に単結晶シードが納められる。この円柱状のシード
ウェル部２２の円錐形状領域２４、２５において、るつ
ぼの大径主部分２１がシードウェル部２２と接続されて
いる。まず最初に、原材料とシード結晶の一部が溶解さ
れる。この装置への電力をその後減少し、シード結晶か
ら垂直上方向へ、シード結晶に対応した成長インゴット
の結晶構造が凝固あるいは固化によって進んでいくよう
にする。
導体原材料は、図４に図示するようなつぼ内に配置され
る。このるつぼの形状は、垂直方向に十分な深さを有
し、小さな円柱状のシードウェル部２２を有する。その
底部に単結晶シードが納められる。この円柱状のシード
ウェル部２２の円錐形状領域２４、２５において、るつ
ぼの大径主部分２１がシードウェル部２２と接続されて
いる。まず最初に、原材料とシード結晶の一部が溶解さ
れる。この装置への電力をその後減少し、シード結晶か
ら垂直上方向へ、シード結晶に対応した成長インゴット
の結晶構造が凝固あるいは固化によって進んでいくよう
にする。
【０００４】このＶＧＦ法は他の方法より、作製された
インゴットの欠陥密度が低い点で、他の方法より優れて
いるが、そのようなインゴット中の欠陥の数は、依然と
して問題点となる。特に問題となるのは、”双晶形成”
として知られるもので、結晶構造中の欠陥が、異なった
結晶方位を有するインゴット部を隔ててしまうことであ
る。従来技術において、双晶形成の問題に関するものが
多数あり、この問題を緩和する種々の方法が示されてい
る。しかし、化合物半導体材料の大きな単結晶を、欠陥
を最小限にして成長し、そのような結晶を信頼性高く、
低価格で成長できるような方法が望まれている。
インゴットの欠陥密度が低い点で、他の方法より優れて
いるが、そのようなインゴット中の欠陥の数は、依然と
して問題点となる。特に問題となるのは、”双晶形成”
として知られるもので、結晶構造中の欠陥が、異なった
結晶方位を有するインゴット部を隔ててしまうことであ
る。従来技術において、双晶形成の問題に関するものが
多数あり、この問題を緩和する種々の方法が示されてい
る。しかし、化合物半導体材料の大きな単結晶を、欠陥
を最小限にして成長し、そのような結晶を信頼性高く、
低価格で成長できるような方法が望まれている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のるつぼは、外径
がるつぼの主部分の内径と十分に等しいようなシード結
晶を用いる。従って、るつぼの主部分の内径が円柱状
で、直径を一定値Ｄにし、シード結晶の直径もほぼＤと
する。そのため、るつぼは全体が円柱状となり、別のシ
ードウェル部あるいは小さなシードウェル部とるつぼの
主部分との間の円錐状領域が無くなる。この円錐状領域
を無くすことによって、単結晶インゴット成長における
双晶形成の要因を減少あるいは排除することができるこ
とを見いだした。
がるつぼの主部分の内径と十分に等しいようなシード結
晶を用いる。従って、るつぼの主部分の内径が円柱状
で、直径を一定値Ｄにし、シード結晶の直径もほぼＤと
する。そのため、るつぼは全体が円柱状となり、別のシ
ードウェル部あるいは小さなシードウェル部とるつぼの
主部分との間の円錐状領域が無くなる。この円錐状領域
を無くすことによって、単結晶インゴット成長における
双晶形成の要因を減少あるいは排除することができるこ
とを見いだした。
【０００６】後に示されるように、本発明は、異なった
形状及び形態の他のインゴットを作製するための、他の
種々の方法に用いることが可能である。
形状及び形態の他のインゴットを作製するための、他の
種々の方法に用いることが可能である。
【０００７】
【実施例】前述のGault特許及び関連する従来技術に
は、vertical gradient freeze（ＶＧＦ）法による、Ｉ
ＩＩ−Ｖ族あるいはＩＩ−ＶＩ族半導体インゴットを成
長するためのプロセス及び装置の詳細が示されている。
簡略のためと、本発明の改良点を強調するために、その
詳細は記さないが、本発明による好適な方法では、ＶＧ
Ｆ法が用いられている。
は、vertical gradient freeze（ＶＧＦ）法による、Ｉ
ＩＩ−Ｖ族あるいはＩＩ−ＶＩ族半導体インゴットを成
長するためのプロセス及び装置の詳細が示されている。
簡略のためと、本発明の改良点を強調するために、その
詳細は記さないが、本発明による好適な方法では、ＶＧ
Ｆ法が用いられている。
【０００８】図１に本発明による実施例を示す。垂直方
向に深さを有するようなるつぼ１２は、中央軸１３を有
する。インジウムリンのような、成長させる半導体材料
の、円柱状の単結晶シードが、るつぼの底部に配置され
る。るつぼはその後、インゴットを作製するための、イ
ンジウムリンの多結晶１６のような原材料によってほぼ
満たされる。るつぼにはまた、溶解したＩＩＩ−Ｖ材料
を包み込むための、酸化ほう素が含まれ、従来技術に知
られるように、インゴットの成長中にそれが維持される
ように、Ｖ族元素材料も含まれる。本発明では、図２に
よって示されるように、るつぼ１２は十分に円柱形状に
等しく、シード結晶１５も円柱状であり、その外径は、
るつぼの内径と等しい。
向に深さを有するようなるつぼ１２は、中央軸１３を有
する。インジウムリンのような、成長させる半導体材料
の、円柱状の単結晶シードが、るつぼの底部に配置され
る。るつぼはその後、インゴットを作製するための、イ
ンジウムリンの多結晶１６のような原材料によってほぼ
満たされる。るつぼにはまた、溶解したＩＩＩ−Ｖ材料
を包み込むための、酸化ほう素が含まれ、従来技術に知
られるように、インゴットの成長中にそれが維持される
ように、Ｖ族元素材料も含まれる。本発明では、図２に
よって示されるように、るつぼ１２は十分に円柱形状に
等しく、シード結晶１５も円柱状であり、その外径は、
るつぼの内径と等しい。
【０００９】原材料への加熱は、るつぼ１２を囲んだヒ
ータ１７によって制御される。原材料１６の全てと、シ
ード結晶１５の上部は溶解し、ヒータへの電力は既定の
温度勾配を与えるために減少させ、最初に溶解部とシー
ド結晶との界面において、るつぼ内で再結晶あるいは凝
固させる。この凝固は、溶解した原材料全体が、再結晶
してインゴットとなるまで、上方向に進められる。プロ
セスが完成すると、インゴットはシード結晶１５と同じ
結晶方位を有するような単結晶となる。半導体材料の溶
解及びその後の凝固において、Ｖ族元素材料の気体を含
有するあるいは含まないガスによって加圧して、溶解部
からＶ族材料が気化するのを阻止するために、溶解部の
上面に印加される。２インチウェハを作製するために、
シード結晶１５は、軸方向に０．５インチとし、溶解ス
テップにおいて、約０．２５インチだけメルトバックす
る。
ータ１７によって制御される。原材料１６の全てと、シ
ード結晶１５の上部は溶解し、ヒータへの電力は既定の
温度勾配を与えるために減少させ、最初に溶解部とシー
ド結晶との界面において、るつぼ内で再結晶あるいは凝
固させる。この凝固は、溶解した原材料全体が、再結晶
してインゴットとなるまで、上方向に進められる。プロ
セスが完成すると、インゴットはシード結晶１５と同じ
結晶方位を有するような単結晶となる。半導体材料の溶
解及びその後の凝固において、Ｖ族元素材料の気体を含
有するあるいは含まないガスによって加圧して、溶解部
からＶ族材料が気化するのを阻止するために、溶解部の
上面に印加される。２インチウェハを作製するために、
シード結晶１５は、軸方向に０．５インチとし、溶解ス
テップにおいて、約０．２５インチだけメルトバックす
る。
【００１０】Clemansらによる米国特許No.5064497（１
９９１年１１月１２日付与）において指摘されているよ
うに、シード結晶１５の上面が｛１００｝面にある場
合、インゴットは＜１００＞方位に成長し、インゴット
の中央軸に垂直に切り出すことによって、インゴットか
らウェハを得ることができる。しかし、このような成長
においては、凝固するインゴットと、るつぼとの間に応
力が生じるが、Clemansらの特許によれば、るつぼの外
面にインゴットの成長中に、るつぼと反応するような材
料を付加することによって緩和される。このような反応
は、応力によって、るつぼに割れを生じさせ、それによ
って応力を吸収し、インゴットの割れを抑制している。
９９１年１１月１２日付与）において指摘されているよ
うに、シード結晶１５の上面が｛１００｝面にある場
合、インゴットは＜１００＞方位に成長し、インゴット
の中央軸に垂直に切り出すことによって、インゴットか
らウェハを得ることができる。しかし、このような成長
においては、凝固するインゴットと、るつぼとの間に応
力が生じるが、Clemansらの特許によれば、るつぼの外
面にインゴットの成長中に、るつぼと反応するような材
料を付加することによって緩和される。このような反応
は、応力によって、るつぼに割れを生じさせ、それによ
って応力を吸収し、インゴットの割れを抑制している。
【００１１】Shahidの米国特許No.4966645（１９９０年
１０月３０日付与）において指摘されているように、シ
ード結晶１５の上面を｛１１１｝面に配置させ、成長を
＜１１１＞面に行わせると、成長中の応力を減少させる
ことができる。しかし、最終的なウェハの上面が｛１０
０｝面にあることは好ましいが、インゴットは中央軸に
対してある角度で切り出されねばならない。図３に示す
ように、楕円状の断面を有するようなるつぼ１２’を用
いても良い。このようなるつぼを用いる場合、最終的な
インゴットは楕円状となり、インゴットから楕円の短軸
に対して、ある角度によって切り出せば、Shahidの特許
にあるように円形のウェハを得ることが可能である。Cl
emansらの特許に示されるような、２重壁るつぼを用い
る場合には、再利用できないがガラス製のるつぼを用い
ることが望ましく、Shahidの特許においては、再利用可
能なるつぼとして好ましい材料は、pyrolytic窒化ほう
素であると示されている。
１０月３０日付与）において指摘されているように、シ
ード結晶１５の上面を｛１１１｝面に配置させ、成長を
＜１１１＞面に行わせると、成長中の応力を減少させる
ことができる。しかし、最終的なウェハの上面が｛１０
０｝面にあることは好ましいが、インゴットは中央軸に
対してある角度で切り出されねばならない。図３に示す
ように、楕円状の断面を有するようなるつぼ１２’を用
いても良い。このようなるつぼを用いる場合、最終的な
インゴットは楕円状となり、インゴットから楕円の短軸
に対して、ある角度によって切り出せば、Shahidの特許
にあるように円形のウェハを得ることが可能である。Cl
emansらの特許に示されるような、２重壁るつぼを用い
る場合には、再利用できないがガラス製のるつぼを用い
ることが望ましく、Shahidの特許においては、再利用可
能なるつぼとして好ましい材料は、pyrolytic窒化ほう
素であると示されている。
【００１２】前述の方法を含み、従来技術のＶＧＦ法の
全てにおいては、図４に示されるような、大径主部分２
１を有し、小径シードウェル部２２、シードウェル部と
主部分とを相互接続する円錐部２３とを有している。単
結晶インゴットを作製する従来技術においては、るつぼ
の曲率が変化するような地点２４及び２５において、双
晶の核が形成されることを見いだした。双晶の問題につ
いては、例として、B.B.Cullityによる、"Elements of
X-Ray Diffraction", Addison-Wesley Publishing Comp
any, Inc., 1956, pp.55-60に示されている。円錐部を
排除し、るつぼの内面の曲率変化を取り除くことによっ
て、本方法においては、欠陥核形成を減少させ、不要な
双晶の形成を抑制する。
全てにおいては、図４に示されるような、大径主部分２
１を有し、小径シードウェル部２２、シードウェル部と
主部分とを相互接続する円錐部２３とを有している。単
結晶インゴットを作製する従来技術においては、るつぼ
の曲率が変化するような地点２４及び２５において、双
晶の核が形成されることを見いだした。双晶の問題につ
いては、例として、B.B.Cullityによる、"Elements of
X-Ray Diffraction", Addison-Wesley Publishing Comp
any, Inc., 1956, pp.55-60に示されている。円錐部を
排除し、るつぼの内面の曲率変化を取り除くことによっ
て、本方法においては、欠陥核形成を減少させ、不要な
双晶の形成を抑制する。
【００１３】図１に示される形状のるつぼ１２は、従来
のるつぼに比べて、作製が容易で、安価である。これは
特に、図３に示されるような楕円断面状のるつぼの場合
に当てはまる。実際に、図４に示されるように、るつぼ
の楕円主部分２１と小さなウェル部２２とを適切に相互
接続することは、非常に難しい。
のるつぼに比べて、作製が容易で、安価である。これは
特に、図３に示されるような楕円断面状のるつぼの場合
に当てはまる。実際に、図４に示されるように、るつぼ
の楕円主部分２１と小さなウェル部２２とを適切に相互
接続することは、非常に難しい。
【００１４】図１においてはまた、ＶＧＦプロセスの完
了時に、るつぼの外へ凝固したインゴットを押し出せる
ように、るつぼには開口部２６を底部に設けても良い。
さらにインゴットを取り出し安くするために、従来技術
に知られるように、るつぼの主部分を若干外側に反らせ
ても良く；つまり、るつぼの上部の内径を、底部の内径
より若干大きくすることである。このことから、本発明
においては、全長に渡って一定の内径を有するようなる
つぼを利用し、シード結晶１５の外径を、るつぼの内径
と十分に等しくすることにあり、るつぼはその上方向に
若干外側に反った形状としても良いことが分かる。
了時に、るつぼの外へ凝固したインゴットを押し出せる
ように、るつぼには開口部２６を底部に設けても良い。
さらにインゴットを取り出し安くするために、従来技術
に知られるように、るつぼの主部分を若干外側に反らせ
ても良く；つまり、るつぼの上部の内径を、底部の内径
より若干大きくすることである。このことから、本発明
においては、全長に渡って一定の内径を有するようなる
つぼを利用し、シード結晶１５の外径を、るつぼの内径
と十分に等しくすることにあり、るつぼはその上方向に
若干外側に反った形状としても良いことが分かる。
【００１５】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明では、外径
がるつぼの主部分の内径と十分に等しいようなシード結
晶を用いて、るつぼ全体を円柱状とし、別のシードウェ
ル部あるいは小さなシードウェル部と、るつぼの主部分
との間の円錐状領域を無くすことによって、単結晶イン
ゴット成長における双晶形成の要因を減少あるいは排除
することができるような、成長方法を提供することがで
きる。
がるつぼの主部分の内径と十分に等しいようなシード結
晶を用いて、るつぼ全体を円柱状とし、別のシードウェ
ル部あるいは小さなシードウェル部と、るつぼの主部分
との間の円錐状領域を無くすことによって、単結晶イン
ゴット成長における双晶形成の要因を減少あるいは排除
することができるような、成長方法を提供することがで
きる。
【図１】本発明による実施例の、半導体結晶インゴット
を作製するための装置の構成を示す図。
を作製するための装置の構成を示す図。
【図２】本発明による実施例の、図１のるつぼの断面を
示す図。
示す図。
【図３】本発明による他の実施例の、図１の装置におい
て用いられる、他のるつぼの断面を示す図。
て用いられる、他のるつぼの断面を示す図。
【図４】従来技術による、るつぼの部分を示す図。
１２ るつぼ １２’るつぼ １３ 中央軸 １５ シード結晶 １６ 多結晶 １７ ヒータ ２１ 大径主部分 ２２ シードウェル部 ２３ 円錐部 ２６ 開口部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/208 Ｈ０１Ｌ 21/208 Ｔ (56)参考文献 特開 平３−40987（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−74788（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−24963（ＪＰ，Ａ) 米国特許4966645（ＵＳ，Ａ)
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体単結晶シード（１５）を、その長
手方向に中央軸（１３）を有するるつぼ（１２）の底部
に配置するステップと、 単結晶シードの上に半導体原材料（１６）を配置するス
テップと、固定された るつぼ（１２）を、温度勾配を有する固定さ
れたヒータ（１７）で加熱し、半導体原材料及び単結晶
シードの一部を溶融するステップと、 半導体材料を凝固させて、るつぼの内面形状に一致する
ような外面を有するような結晶インゴットを形成するよ
うに、るつぼを冷却するステップとを有し、 前記単結晶シードの中央軸に関する横断面が、るつぼの
中央軸に関する横断面とほぼ等しいことを特徴とする半
導体材料インゴットの作製方法。 - 【請求項２】 前記るつぼに囲まれた容積部分が、十分
に円柱状で（図２）、前記単結晶シードが、るつぼの内
面径とほぼ等しい外径を有する円柱形状を有することを
特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 垂直中央軸の横断面において、前記るつ
ぼに囲まれる領域が、楕円形状で（図３）、 単結晶シードの外周囲が、るつぼに囲まれる前記領域と
十分同じであるような、楕円形状となることを特徴とす
る請求項１に記載の方法。 - 【請求項４】 冷却ステップにおいて、単結晶シードか
ら上方向に、るつぼの中央軸に一致した中央軸を有する
インゴットを形成するために、溶解した材料を連続的に
凝固させることを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項５】 るつぼの内面が、底部から上部へ向かっ
て、若干外側に反っていることを特徴とする請求項２に
記載の方法。 - 【請求項６】 円筒状部材と、この円筒状部材の中央軸
（１３）にほぼ直交する底部を有し、半導体単結晶シー
ド（１５）をその内部に収納することを特徴とする結晶
成長用るつぼ（１２）。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US814654 | 1991-12-30 | ||
| US07/814,654 US5372088A (en) | 1991-12-30 | 1991-12-30 | Crystal growth method and apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0680493A JPH0680493A (ja) | 1994-03-22 |
| JP2574618B2 true JP2574618B2 (ja) | 1997-01-22 |
Family
ID=25215651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4358561A Expired - Lifetime JP2574618B2 (ja) | 1991-12-30 | 1992-12-28 | 結晶成長方法と結晶成長用るつぼ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5372088A (ja) |
| JP (1) | JP2574618B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10010484A1 (de) * | 2000-03-03 | 2001-09-13 | Schott Glas | Verfahren und Vorrichtung zur Züchtung von großvolumigen orientierten Einkristallen |
| JPH07291777A (ja) * | 1994-04-21 | 1995-11-07 | Toshiba Corp | 半導体単結晶製造装置及び製造方法 |
| DE10124423A1 (de) * | 2001-05-18 | 2003-01-02 | Schott Glas | Züchten von orientierten Einkristallen mit wiederverwendbaren Kristallkeimen |
| JP6834618B2 (ja) * | 2017-03-09 | 2021-02-24 | 住友金属鉱山株式会社 | 単結晶育成用坩堝および単結晶育成方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4966645A (en) | 1989-12-04 | 1990-10-30 | At&T Bell Laboratories | Crystal growth method and apparatus |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4404172A (en) * | 1981-01-05 | 1983-09-13 | Western Electric Company, Inc. | Method and apparatus for forming and growing a single crystal of a semiconductor compound |
| US4946542A (en) * | 1988-12-05 | 1990-08-07 | At&T Bell Laboratories | Crystal growth method in crucible with step portion |
| JPH0340987A (ja) * | 1989-07-10 | 1991-02-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 単結晶育成方法 |
| US5064497A (en) * | 1990-03-09 | 1991-11-12 | At&T Bell Laboratories | Crystal growth method and apparatus |
| JP2704032B2 (ja) * | 1990-07-12 | 1998-01-26 | 株式会社神戸製鋼所 | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
| JPH0524963A (ja) * | 1991-07-24 | 1993-02-02 | Asahi Glass Co Ltd | 化合物半導体単結晶の製造方法及び製造装置 |
-
1991
- 1991-12-30 US US07/814,654 patent/US5372088A/en not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-12-28 JP JP4358561A patent/JP2574618B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4966645A (en) | 1989-12-04 | 1990-10-30 | At&T Bell Laboratories | Crystal growth method and apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0680493A (ja) | 1994-03-22 |
| US5372088A (en) | 1994-12-13 |
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