JP7155968B2 - 単結晶育成用ルツボ及び単結晶製造方法 - Google Patents
単結晶育成用ルツボ及び単結晶製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7155968B2 JP7155968B2 JP2018227084A JP2018227084A JP7155968B2 JP 7155968 B2 JP7155968 B2 JP 7155968B2 JP 2018227084 A JP2018227084 A JP 2018227084A JP 2018227084 A JP2018227084 A JP 2018227084A JP 7155968 B2 JP7155968 B2 JP 7155968B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- crucible
- crystal growth
- side wall
- wall portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/002—Crucibles or containers for supporting the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
本発明の第1実施形態に係るβ-Ga2O3結晶の育成装置において、結晶育成に使用する単結晶育成用ルツボの材料には、Pt-Rh系合金材料を使用する。本発明による単結晶育成用ルツボの特徴については後述する。図1に、第1実施形態に係るβ-Ga2O3を育成する単結晶育成装置1の構成例を示す。図1は単結晶育成装置1の単結晶育成用ルツボ5Aの中心軸を通る面における断面構成図を示している。この単結晶育成装置1は、酸化雰囲気(大気中)において、VB法(垂直ブリッジマン法)によりβ-Ga2O3結晶を育成する装置となっている。
β-Ga2O3単結晶の育成工程、つまり単結晶製造方法を、図2(A)~(G)を用いて説明する。まず単結晶育成用ルツボ5A内にはβ-Ga2O3の種結晶10が配置され、その上方に原料9が充填される(図2(B))。単結晶育成用ルツボ5Aは、加熱前に一時的にヒータ4に対して充分に下方に下げられており、炉内温度が融点近傍に達するのと前後して上昇させていく。
(単結晶育成用ルツボの側壁部の周長冗長性について)
図3、図4、図5(A)、図5(B)及び図5(C)を用いて、単結晶育成用ルツボ5の側面部sの周長冗長性を説明する。図3は第1実施形態に係る単結晶育成用ルツボ5Aの形状を示す概略斜視図であり、図4は単結晶育成用ルツボ5の水平断面形状を示す斜視図であり、図5(A)、図5(B)及び図5(C)は平面図である。図3に示すように、単結晶育成用ルツボ5Aは、原料融液8を囲繞する側壁部5sと、側壁部5sと連続しつつ原料融液8を支持する底部5bとを備える。後述するように側壁部5sは、横断面視で凹部Dを有する。
図5(C)を用いて、単結晶育成用ルツボ5の側壁部5sの変曲点について説明する。図5(C)に示すように、本実施形態では、閉曲線Rで規定される側壁部5sは、横断面視で変曲点Pを有する。変曲点Pは、水平面S上の閉曲線Rで曲率の正及び負の符号が変化し、曲率が0となる点をいう。側壁部5sは、横断面視で変曲点Pを有する状態においては、横断面視で単結晶育成用ルツボ5Aの内側から外側に曲がる部位が単結晶育成用ルツボ5Aの外側に展張するため、単結晶11への圧縮応力が印加されない。したがって、応力による単結晶11の結晶性低下を抑制でき、単結晶育成用ルツボ5Aを破壊せずにより容易に単結晶11を回収することが可能となる。
図5(C)に示すように、側壁部5sを規定する閉曲線R中の2点を結ぶ線分の少なくとも一部が閉曲線Rの外側に位置する場合は、側壁部5sは横断面視で凹部Dを有すると定義する。本実施形態では、単結晶育成用ルツボ5Aの側壁部5sに内側に周長冗長性及び変曲点Pを与える手段として、単結晶育成用ルツボ5Aの側壁部5sと水平面Sとの交点で定まる閉曲線Rに凹部Dを与えることを特徴とする。
本実施形態では、単結晶育成用ルツボ5Aの側壁部5sは、横断面視で滑らかな閉曲線Rにより構成されている。図6(A)及び図6(B)を用いて、単結晶育成用ルツボ5Aの側壁部5sの水平方向の断面形状を、閉曲線Rの関数r(θ)で表す場合を用いて説明する。ここで、角度θは、水平面S上の任意の方向に対する角度を示す。単結晶育成用ルツボの中心から角度θをなす方向の半径をrとする。この関数が導関数dr/dθを有し、この導関数が連続である場合、側壁部5sは横断面視で滑らかな閉曲線により構成されていると定義する。
図1及び図3に示すように、本実施形態の単結晶育成用ルツボ5Aの側壁部5sは、底部5bから上方にむけて拡がるテーパ形状を有する。側壁部5sは、底部5bから側壁部5sの上端の範囲で1~3°の角度で外側に拡がっている。これにより、育成された単結晶11を単結晶育成用ルツボ5Aから取り出すことがより容易となる。
本実施形態では、単結晶育成用ルツボ5Aは、白金及び白金-ロジウム合金のいずれかから構成され、望ましくはロジウムの重量比が20%以上、より望ましくは30%の組成を有する。一方、原料融液8は、β-Ga2O3系の単結晶11を育成するためのものである。本実施形態では、単結晶育成用ルツボ5Aと単結晶11との熱膨張率の相違が大きいときであっても、冷却された単結晶育成用ルツボ5Aが収縮する応力が育成された単結晶11に加わることを低減できる。
本実施形態では、単結晶育成用ルツボ5Aの側壁部5sの厚さが1mm以下である。側壁部5sの厚さは、望ましくは0.5mm以下、より望ましくは0.2mm以下である。本実施形態では、側壁部5sの厚さが1mm以下と薄いため、単結晶育成後の冷却工程で単結晶育成用ルツボ5Aが冷却されると側壁部5sの凹部D等が単結晶育成用ルツボ5Aの外側に展張し易くなるため、冷却された単結晶育成用ルツボ5Aが収縮する応力が育成された単結晶11に加わることをより低減できる。
以下、本発明の第2実施形態について説明する。図8に示すように、本実施形態の単結晶育成用ルツボ5Bでは、側壁部5sは、横断面視で複数の凹部Dを有し、複数対の変曲点Pを有する。図8の例では、側壁部5sは、横断面視で8つの凹部Dを有し、8対の変曲点Pを有する。複数の凹部Dは同じ形状を有する。複数の凹部D及び複数対の変曲点Pは、側壁部5sに等間隔で配置されている。本実施形態では、横断面視で、複数の凹部D及び複数対の変曲点Pが側壁部5sに等間隔で配置されているため、冷却された単結晶育成用ルツボ5Bが収縮する応力が育成された単結晶11に加わることを側壁部5sの全周でより均一に低減できる。
以下に、本発明の実施形態を実施例により説明するが、本発明は以下の実施例にのみ限定されるものではない。図1で示される単結晶育成装置1を用いて、VB法によりβ-Ga2O3単結晶が育成された。本実験例では、図9に示すようなRh含有量20wt%のPt-Rh系合金で、厚さ0.5mmの薄板より加工作製した単結晶育成用ルツボ5Aが使用された。単結晶育成用ルツボ5Aの直径は約100mmであり、側壁部5sの上下方向の長さは150mmである。側壁部5sは、底部5bから上方にむけて約2°の角度で拡がるテーパ形状を有する。
実験例と同じ単結晶育成装置1を用いて、VB法によりβ-Ga2O3単結晶が育成された。図13に示すように、単結晶育成用ルツボ50の側壁部5sの横断面形状が略正円であり、側壁部5sに凹部Dが設けられていない単結晶育成用ルツボ50を用いた点を除けば、その他の点では実験例と同じ条件で単結晶11の育成が行われた。側壁部5sに凹部Dが形成されていない為、単結晶育成用ルツボ50の内部に原料融液8が存在する状態で、ルツボ外周押さえ冶具12を単結晶育成用ルツボ50の側壁部5sに当てる作業及び冷却工程に進む前にルツボ外周押さえ冶具12を単結晶育成用ルツボ50の側壁部5sから取り外す作業は省略された。
上記の実験例及び比較例により育成された単結晶の結晶性が以下のようにして評価された。
育成された単結晶11に対する結晶性の評価は、結晶配向性および欠陥密度の測定により行われた。評価に先立ち、評価用の基板を育成した単結晶11から主面が(100)面となるように約1cm角、厚さ約0.4mmの薄片が切り出され、表裏の主面を鏡面研磨した単結晶基板が作製された。両主面は更に、コロイダルシリカを用いたCMP(Chemical Mechanical Polishing)により、加工ダメージ層を除去した状態に仕上げられた。評価用基板は、単結晶11の中央部から4枚、単結晶の外周から約1cm内側の位置から、実験例においては7枚、比較例においては8枚作製され、それぞれの平均値とバラツキが評価値とされた。
育成された単結晶11の結晶性は、RIGAKU社製SmartLab(商品名)を用いてX線ロッキングカーブ(XRC)の半値幅(FWMH)が測定された。測定には、二結晶のGe(220)をモノクロメータとして用い、単色化したX線(CuKα1:λ=1.5405Å)による(400)面の回折をωスキャンすることにより、結晶の配向性が評価された。
熱リン酸(85wt%H3PO4:140℃)を用いたケミカルエッチングにより、欠陥密度が測定された。基板表面近傍の欠陥が存在する部分は、欠陥が存在しない部分と比較して、エッチング速度が大きくなる為、エッチングにより、基板表面に窪み(エッチピット)として出現する。[010]方向に伸びた、長さ数μm~数百μmの線状のピットの単位面積当たりの密度が測定され、欠陥密度として評価された。
図12(A)及び図12(B)に、上記の実験例及び比較例により育成された単結晶の結晶性の評価結果を示す。図12(A)はX線ロッキングカーブの測定結果を示し、図12(B)は熱リン酸エッチングの結果を示す。実験例の結果は黒丸(●)でプロットし、比較例の結果は白丸(○)でプロットし、更に評価用基板を単結晶から切り出した場所より、内側と外側に分類して図示した。
Claims (4)
- 単結晶育成用の原料融液が収容されつつ固化する単結晶育成用ルツボであって、
前記原料融液を囲繞する側壁部と、
前記側壁部と連続しつつ前記原料融液を支持する底部と、
を備え、
前記側壁部は、厚さが1mm以下であり、横断面視で滑らかな閉曲線により構成され、横断面視で内側に周長冗長性を有し、外周面にルツボ外周押さえ冶具が当接するための凹部を有し、前記凹部は、横断面視で2つの変曲点を有し、前記ルツボ外周押さえ冶具を取り除いた場合に、横断面視で、外側に拡がることが可能である、
単結晶育成用ルツボ。 - 前記側壁部は、前記底部から上方にむけて拡がるテーパ形状を有する、
請求項1に記載の単結晶育成用ルツボ。 - 前記側壁部及び前記底部は、Pt及びPt-Rh系合金のいずれかから構成され、前記原料融液は、β-Ga2O3系単結晶を育成するためのものである、
請求項1又は2に記載の単結晶育成用ルツボ。 - 請求項1~3のいずれか1項に記載の単結晶育成用ルツボを使用して単結晶の育成を行う単結晶製造方法であって、
前記単結晶育成用ルツボ内において原料を融解する工程と、
前記原料が融解状態の時に前記ルツボ外周押さえ冶具を前記凹部に当接させる工程と、
前記原料の融液が完全に固化した後、前記ルツボ外周押さえ冶具を前記凹部から取り除き、その後、前記単結晶育成用ルツボを冷却する工程と、
を備える単結晶製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018227084A JP7155968B2 (ja) | 2018-12-04 | 2018-12-04 | 単結晶育成用ルツボ及び単結晶製造方法 |
US17/299,695 US11946155B2 (en) | 2018-12-04 | 2019-12-03 | Single-crystal growing crucible, single-crystal production method and single crystal |
CN201980080253.5A CN113195800B (en) | 2018-12-04 | 2019-12-03 | Crucible for single crystal growth, single crystal production method, and single crystal |
TW108144119A TWI743609B (zh) | 2018-12-04 | 2019-12-03 | 單晶成長用坩堝、單晶製造方法及單晶 |
PCT/JP2019/047260 WO2020116458A1 (ja) | 2018-12-04 | 2019-12-03 | 単結晶育成用ルツボ、単結晶製造方法及び単結晶 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018227084A JP7155968B2 (ja) | 2018-12-04 | 2018-12-04 | 単結晶育成用ルツボ及び単結晶製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020090403A JP2020090403A (ja) | 2020-06-11 |
JP7155968B2 true JP7155968B2 (ja) | 2022-10-19 |
Family
ID=70974755
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018227084A Active JP7155968B2 (ja) | 2018-12-04 | 2018-12-04 | 単結晶育成用ルツボ及び単結晶製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11946155B2 (ja) |
JP (1) | JP7155968B2 (ja) |
TW (1) | TWI743609B (ja) |
WO (1) | WO2020116458A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113445125B (zh) * | 2021-07-14 | 2024-01-23 | 同济大学 | 一种坩埚下降法生长氧化镓体单晶的生长装置及其方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009215112A (ja) | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Hitachi Cable Ltd | 結晶成長用ルツボ及びそれを用いて成長させた半導体単結晶 |
JP2011251891A (ja) | 2010-05-06 | 2011-12-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶の製造方法および単結晶製造用るつぼ |
JP2014181142A (ja) | 2013-03-18 | 2014-09-29 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | サファイア単結晶育成用坩堝 |
JP2014205587A (ja) | 2013-04-11 | 2014-10-30 | 住友電気工業株式会社 | 結晶成長用るつぼおよび結晶の製造方法 |
JP2016079080A (ja) | 2014-10-21 | 2016-05-16 | 国立大学法人信州大学 | β−Ga2O3結晶の製造方法及び製造装置並びにるつぼ容器 |
JP2018177552A (ja) | 2017-04-04 | 2018-11-15 | 住友金属鉱山株式会社 | 単結晶育成用坩堝 |
JP2018501184A5 (ja) | 2015-12-16 | 2020-01-09 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5312506A (en) * | 1987-06-15 | 1994-05-17 | Mitsui Mining Company, Limited | Method for growing single crystals from melt |
US5123996A (en) * | 1991-01-28 | 1992-06-23 | At&T Bell Laboratories | Crystal growth method and apparatus |
JP3787888B2 (ja) * | 1996-02-28 | 2006-06-21 | 住友電気工業株式会社 | 結晶の育成方法及び育成用ルツボ |
JP2000143383A (ja) | 1998-11-12 | 2000-05-23 | Hitachi Cable Ltd | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
US6423136B1 (en) * | 2000-03-20 | 2002-07-23 | Carl Francis Swinehart | Crucible for growing macrocrystals |
JP4778188B2 (ja) * | 2002-02-13 | 2011-09-21 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
JP3679097B2 (ja) | 2002-05-31 | 2005-08-03 | 株式会社光波 | 発光素子 |
JP4168796B2 (ja) * | 2003-03-20 | 2008-10-22 | 三菱マテリアル株式会社 | 単結晶引上装置用坩堝及び単結晶引上装置 |
JP3818311B1 (ja) * | 2005-03-23 | 2006-09-06 | 住友電気工業株式会社 | 結晶育成用坩堝 |
JP4799536B2 (ja) * | 2007-12-14 | 2011-10-26 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | 大径のシリコン単結晶インゴット中のピンホール欠陥の低減を可能とする大径シリコン単結晶インゴット引上げ用高純度石英ガラスルツボ |
KR100980822B1 (ko) * | 2007-12-17 | 2010-09-10 | (주)아이블포토닉스 | 압전성 단결정 성장 방법 |
JP2012017239A (ja) * | 2010-12-22 | 2012-01-26 | Covalent Materials Corp | ルツボ構造 |
CN105220223A (zh) * | 2014-07-02 | 2016-01-06 | 攀时(上海)高性能材料有限公司 | 用于晶体培养的坩埚 |
EP3042986A1 (en) | 2015-01-09 | 2016-07-13 | Forschungsverbund Berlin e.V. | Method for growing beta phase of gallium oxide (ß-Ga2O3) single crystals from the melt contained within a metal crucible by controlling the partial pressure of oxygen. |
JP6726910B2 (ja) | 2016-04-21 | 2020-07-22 | 国立大学法人信州大学 | 酸化ガリウム結晶の製造装置および酸化ガリウム結晶の製造方法 |
JP6633455B2 (ja) * | 2016-05-30 | 2020-01-22 | 京セラ株式会社 | 坩堝 |
DE102018113417A1 (de) * | 2018-06-06 | 2019-12-12 | Netzsch - Gerätebau Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Messanordnung und Verfahren für eine thermische Analyse einer Probe |
-
2018
- 2018-12-04 JP JP2018227084A patent/JP7155968B2/ja active Active
-
2019
- 2019-12-03 WO PCT/JP2019/047260 patent/WO2020116458A1/ja active Application Filing
- 2019-12-03 US US17/299,695 patent/US11946155B2/en active Active
- 2019-12-03 TW TW108144119A patent/TWI743609B/zh active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009215112A (ja) | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Hitachi Cable Ltd | 結晶成長用ルツボ及びそれを用いて成長させた半導体単結晶 |
JP2011251891A (ja) | 2010-05-06 | 2011-12-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶の製造方法および単結晶製造用るつぼ |
JP2014181142A (ja) | 2013-03-18 | 2014-09-29 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | サファイア単結晶育成用坩堝 |
JP2014205587A (ja) | 2013-04-11 | 2014-10-30 | 住友電気工業株式会社 | 結晶成長用るつぼおよび結晶の製造方法 |
JP2016079080A (ja) | 2014-10-21 | 2016-05-16 | 国立大学法人信州大学 | β−Ga2O3結晶の製造方法及び製造装置並びにるつぼ容器 |
JP2018501184A5 (ja) | 2015-12-16 | 2020-01-09 | ||
JP2018177552A (ja) | 2017-04-04 | 2018-11-15 | 住友金属鉱山株式会社 | 単結晶育成用坩堝 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220056611A1 (en) | 2022-02-24 |
US11946155B2 (en) | 2024-04-02 |
JP2020090403A (ja) | 2020-06-11 |
CN113195800A (zh) | 2021-07-30 |
WO2020116458A1 (ja) | 2020-06-11 |
TWI743609B (zh) | 2021-10-21 |
TW202037769A (zh) | 2020-10-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5633732B2 (ja) | サファイア単結晶の製造方法およびサファイア単結晶の製造装置 | |
KR102374317B1 (ko) | 산화갈륨 결정의 제조 장치 및 산화갈륨 결정의 제조 방법 | |
JP5526666B2 (ja) | サファイア単結晶の製造装置 | |
JP2011524332A (ja) | 方向性凝固によって単結晶シリコンインゴットを成長させるためのシステムおよび方法 | |
GB2090545A (en) | Method and apparatus for zone freezing | |
TWI555886B (zh) | 藍寶石單結晶之製造裝置 | |
CN104651938A (zh) | SiC单晶的制造方法 | |
JP7155968B2 (ja) | 単結晶育成用ルツボ及び単結晶製造方法 | |
JP4060106B2 (ja) | 一方向凝固シリコンインゴット及びこの製造方法並びにシリコン板及び太陽電池用基板及びスパッタリング用ターゲット素材 | |
JP2010260747A (ja) | 半導体結晶の製造方法 | |
TW202113167A (zh) | ScAlMgO4單晶及其製作方法和自支撐基板 | |
CN113195800B (en) | Crucible for single crystal growth, single crystal production method, and single crystal | |
JP2020105069A (ja) | 酸化ガリウム結晶の製造装置および酸化ガリウム結晶の製造方法 | |
CN111902573A (zh) | 砷化镓单晶和砷化镓单晶基板 | |
JP2016132599A (ja) | サファイア単結晶製造装置、及びサファイア単結晶の製造方法 | |
JP4693932B1 (ja) | 筒状シリコン結晶体製造方法及びその製造方法で製造される筒状シリコン結晶体 | |
JP4549111B2 (ja) | GaAs多結晶の製造炉 | |
JP2016169112A (ja) | サファイア単結晶の製造方法 | |
JP2014201515A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
JPH02221193A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
JP2004269274A (ja) | 半導体単結晶成長用容器及び化合物半導体単結晶の製造方法 | |
JPH04167421A (ja) | 半導体単結晶の製造装置 | |
JP2016147767A (ja) | 単結晶育成用坩堝、単結晶製造装置、単結晶の製造方法 | |
JPH08301696A (ja) | 化合物半導体結晶の製造方法とその装置 | |
JP2009208992A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210827 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220614 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220729 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220906 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220919 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7155968 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |