JPS63150911A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS63150911A JPS63150911A JP29815586A JP29815586A JPS63150911A JP S63150911 A JPS63150911 A JP S63150911A JP 29815586 A JP29815586 A JP 29815586A JP 29815586 A JP29815586 A JP 29815586A JP S63150911 A JPS63150911 A JP S63150911A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
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Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置の製造方法に関するものである。
従来の技術
三次元素子のような半導体装置を形成するためには、絶
縁膜上に堆積した多結晶質のあるいは非晶質の膜を単結
晶膜に変換する技術（三次元素子形成技術）の確立が必
要不可欠である。
縁膜上に堆積した多結晶質のあるいは非晶質の膜を単結
晶膜に変換する技術（三次元素子形成技術）の確立が必
要不可欠である。
近年、種々の三次元素子形成技術が提案されて来たが、
その中でも、局所的溶融、高速走査が可能なレーザによ
る再結晶化技術が中心的位置占めている。
その中でも、局所的溶融、高速走査が可能なレーザによ
る再結晶化技術が中心的位置占めている。
以下、第２図に従い、従来のこのような半導体装置の製
造方法について説明する。第２図ａは平面図、第２図す
は第２図ａにおけるＡ−Ａ’＠にそった断面図であり、
２１が（１００）シリコン基板、２２がオリエンテーシ
目ンフラット、２３がシード領域、２４が再結晶化領域
、２５が固液界面、２６がポリシリコン、２７がレーザ
ビーム、２８がシリコン酸化膜である。
造方法について説明する。第２図ａは平面図、第２図す
は第２図ａにおけるＡ−Ａ’＠にそった断面図であり、
２１が（１００）シリコン基板、２２がオリエンテーシ
目ンフラット、２３がシード領域、２４が再結晶化領域
、２５が固液界面、２６がポリシリコン、２７がレーザ
ビーム、２８がシリコン酸化膜である。
従来は、第２図ａ、ｂに示したように、線状に整形した
レーザビーム２７を４６°程度に傾け、シード領域２３
上のポリシリコン２６からシリコン酸化膜２８上のポリ
シリコン２６にわたって走査することにより、シード領
域２３からポリシリコン２６を再結晶化膜２４に変換す
る、ラテラルシーディング法がよく用いられていた。ま
た、この際レーザビーム２７を傾けているので、固液界
面２５は走査方向に対して４６°傾いている。即ち、走
査方向に対して横方向にも結晶を引継がせることにより
、再結晶化膜２４の大面積化をはかる方法がよくとられ
ていた。
レーザビーム２７を４６°程度に傾け、シード領域２３
上のポリシリコン２６からシリコン酸化膜２８上のポリ
シリコン２６にわたって走査することにより、シード領
域２３からポリシリコン２６を再結晶化膜２４に変換す
る、ラテラルシーディング法がよく用いられていた。ま
た、この際レーザビーム２７を傾けているので、固液界
面２５は走査方向に対して４６°傾いている。即ち、走
査方向に対して横方向にも結晶を引継がせることにより
、再結晶化膜２４の大面積化をはかる方法がよくとられ
ていた。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記の製造方法では（１００）シリコンウ
ェーハ２１のオリエンテーションフラットは通常＜１１
０＞方向を向いているため、固液界面２５は＜１００＞
方向を向くことになる。固液界面内で、最も成長速変の
小さい（１１１）面がファセットとなり、このファセッ
トに対して横方向の成長が速くなる。即ち、固液界面２
５が＜１００＞方向をむいている場合、（１１１）ファ
セットは（１１１）と（１〒１）の両面により形成され
るので、のこぎり波状になる。従って、（１１１）ファ
セットからの成長と（１〒１）ファセットからの成長が
出合う所に粒界が入シやすい。そのだめ、再結晶化膜２
４に欠陥が形成されるという問題があった。
ェーハ２１のオリエンテーションフラットは通常＜１１
０＞方向を向いているため、固液界面２５は＜１００＞
方向を向くことになる。固液界面内で、最も成長速変の
小さい（１１１）面がファセットとなり、このファセッ
トに対して横方向の成長が速くなる。即ち、固液界面２
５が＜１００＞方向をむいている場合、（１１１）ファ
セットは（１１１）と（１〒１）の両面により形成され
るので、のこぎり波状になる。従って、（１１１）ファ
セットからの成長と（１〒１）ファセットからの成長が
出合う所に粒界が入シやすい。そのだめ、再結晶化膜２
４に欠陥が形成されるという問題があった。
本発明は、上記問題点を鑑みてなされたもので、再結晶
化膜内に欠陥が入らない半導体装置の製造方法を提供す
るものである。
化膜内に欠陥が入らない半導体装置の製造方法を提供す
るものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために、本発明の半導体装置の製
造方法は、（１００）面の半導体基板上に、選択的に絶
縁膜を形成する工程と、上記絶縁膜を有する半導体基板
上に多結晶または非晶質の半導体膜を形成する工程と、
上記半導体膜上に、短軸が〈１１０〉方向の線状ビーム
を照射する工程とをそなえて構成されている。
造方法は、（１００）面の半導体基板上に、選択的に絶
縁膜を形成する工程と、上記絶縁膜を有する半導体基板
上に多結晶または非晶質の半導体膜を形成する工程と、
上記半導体膜上に、短軸が〈１１０〉方向の線状ビーム
を照射する工程とをそなえて構成されている。
作 用
上記した手段により、（１００）Ｓｉ基板を使った場合
、（１１１）ファセットは、（１００）面より５４．７
°傾いた１つの平面によって形成される。即ち、（１０
０）面を有する再結晶化膜は、１千面の（１１１）ファ
セットからの成長によって形成されるので、再結晶化膜
は無欠陥となる。
、（１１１）ファセットは、（１００）面より５４．７
°傾いた１つの平面によって形成される。即ち、（１０
０）面を有する再結晶化膜は、１千面の（１１１）ファ
セットからの成長によって形成されるので、再結晶化膜
は無欠陥となる。
実施例
本発明の半導体装置の製造方法の一実施例を第１図に示
す。１１が（１００）シリコン基板、１２が＜１１０＞
方向のオリエンテーションフラット、１３がシード領域
、１４が再結晶化膜、１５が固液界面、１６がポリシリ
コン、１７がレーザビームである。まだ断面図は第２図
すと同様である。
す。１１が（１００）シリコン基板、１２が＜１１０＞
方向のオリエンテーションフラット、１３がシード領域
、１４が再結晶化膜、１５が固液界面、１６がポリシリ
コン、１７がレーザビームである。まだ断面図は第２図
すと同様である。
第１図に示したような再結晶化を行なうと、固液界面を
＜１１０＞方向とすることができる。即ち固液界面内に
形成される（１１１）ファセットは、（１ｏｏ）面より
５４．７°傾いた１つの平刃となる。従って、１平面の
ファセットからの成長によって（１ｏＯ）面をもった再
結晶化膜が形成されるので、再結晶化膜に欠陥は入らな
い。即ち大面ＦＩＬＬにわたる無欠陥の再結晶化膜を形
成することができる。
＜１１０＞方向とすることができる。即ち固液界面内に
形成される（１１１）ファセットは、（１ｏｏ）面より
５４．７°傾いた１つの平刃となる。従って、１平面の
ファセットからの成長によって（１ｏＯ）面をもった再
結晶化膜が形成されるので、再結晶化膜に欠陥は入らな
い。即ち大面ＦＩＬＬにわたる無欠陥の再結晶化膜を形
成することができる。
また、線状ビームの短軸を〈１１０〉方向とし、短軸方
向へ走査することによって、固液界面を＜１１０＞方向
とすることができるので、走査方向へ無欠陥の再結晶化
膜をのばすことができることはいうまでもない。
向へ走査することによって、固液界面を＜１１０＞方向
とすることができるので、走査方向へ無欠陥の再結晶化
膜をのばすことができることはいうまでもない。
発明の効果
本発明の半導体装置の製造方法は、（１００）単結晶基
板上に形成した絶縁膜上に、線状ビームを使って大面積
の再結晶化膜を形成することができ、実用的にきわめて
有効な方法である。
板上に形成した絶縁膜上に、線状ビームを使って大面積
の再結晶化膜を形成することができ、実用的にきわめて
有効な方法である。
第１図は本発明の一実施例半導体装置の製造方法を説明
するための図、第２図ａ、ｂは従来の半導体装置の製造
方法を説明するための図である。 １１．２１・・・・・・（１００）シリコン基板、１３
゜２３・・・・・・シード領域、１５．２５・・・・・
・固液界面、１２．２２・・・・・・オリエンテーショ
ンフラット。
するための図、第２図ａ、ｂは従来の半導体装置の製造
方法を説明するための図である。 １１．２１・・・・・・（１００）シリコン基板、１３
゜２３・・・・・・シード領域、１５．２５・・・・・
・固液界面、１２．２２・・・・・・オリエンテーショ
ンフラット。
Claims (1)
- （１００）面をもった半導体基板上に絶縁膜を形成し、
上記絶縁膜の一部を除去して上記半導体基板の一部を露
出することによって種領域を形成する工程と、上記絶縁
膜上に、一部が上記種領域に接するように多結晶質ある
いは非晶質の半導体膜を形成する工程と、短軸を〈１１
０〉方向とした線状ビームを上記多結晶質あるいは非晶
質の膜上に照射し、上記多結晶質あるいは非晶質膜を上
記種領域から単結晶膜に変換する工程とをそなえたこと
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61298155A JPH0834175B2 (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61298155A JPH0834175B2 (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63150911A true JPS63150911A (ja) | 1988-06-23 |
| JPH0834175B2 JPH0834175B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=17855907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61298155A Expired - Lifetime JPH0834175B2 (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0834175B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007221157A (ja) * | 2007-04-02 | 2007-08-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59181528A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-16 | Fujitsu Ltd | 線状ビ−ムによる熱処理方法 |
-
1986
- 1986-12-15 JP JP61298155A patent/JPH0834175B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59181528A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-16 | Fujitsu Ltd | 線状ビ−ムによる熱処理方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007221157A (ja) * | 2007-04-02 | 2007-08-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0834175B2 (ja) | 1996-03-29 |
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