JPH0834175B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0834175B2 JPH0834175B2 JP61298155A JP29815586A JPH0834175B2 JP H0834175 B2 JPH0834175 B2 JP H0834175B2 JP 61298155 A JP61298155 A JP 61298155A JP 29815586 A JP29815586 A JP 29815586A JP H0834175 B2 JPH0834175 B2 JP H0834175B2
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- Japan
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- semiconductor device
- semiconductor
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体装置の製造方法に関するものであ
る。
る。
従来の技術 三次元素子のような半導体装置を形成するためには、
絶縁膜上に堆積した多結晶質のあるいは非晶質の膜を単
結晶膜に変換する技術（三次元素子形成技術）の確立が
必要不可欠である。
絶縁膜上に堆積した多結晶質のあるいは非晶質の膜を単
結晶膜に変換する技術（三次元素子形成技術）の確立が
必要不可欠である。
近年、種々の三次元素子形成技術が提案されて来た
が、その中でも、局所的溶融．高速走査が可能なレーザ
による再結晶化技術が中心的位置占めている。
が、その中でも、局所的溶融．高速走査が可能なレーザ
による再結晶化技術が中心的位置占めている。
以下、第２図に従い、従来のこのような半導体装置の
製造方法について説明する。第２図ａは平面図、第２図
ｂは第２図ａにおけるＡ−Ａ′線にそった断面図であ
り、21が（100）シリコン基板、22がオリエンテーショ
ンフラット、23がシード領域、24が再結晶化領域、25が
固液界面、26がポリシリコン、27がレーザビーム、28が
シリコン酸化膜である。
製造方法について説明する。第２図ａは平面図、第２図
ｂは第２図ａにおけるＡ−Ａ′線にそった断面図であ
り、21が（100）シリコン基板、22がオリエンテーショ
ンフラット、23がシード領域、24が再結晶化領域、25が
固液界面、26がポリシリコン、27がレーザビーム、28が
シリコン酸化膜である。
従来は、第２図a.bに示したように、線状に整形した
レーザビーム27を45゜程度に傾け、シード領域23上のポ
リシリコン26からシリコン酸化膜28上のポリシリコン26
にわたって走査することにより、シード領域23からポリ
シリコン26を再結晶化膜24に変換する、ラテラルシーデ
ィング法がよく用いられていた。また、この際レーザビ
ーム27を傾けているので、固液界面25は走査方向に対し
て45゜傾いている。即ち、走査方向に対して横方向にも
結晶を引継がせることにより、再結晶化膜24の大面積化
をはかる方法がよくとられていた。
レーザビーム27を45゜程度に傾け、シード領域23上のポ
リシリコン26からシリコン酸化膜28上のポリシリコン26
にわたって走査することにより、シード領域23からポリ
シリコン26を再結晶化膜24に変換する、ラテラルシーデ
ィング法がよく用いられていた。また、この際レーザビ
ーム27を傾けているので、固液界面25は走査方向に対し
て45゜傾いている。即ち、走査方向に対して横方向にも
結晶を引継がせることにより、再結晶化膜24の大面積化
をはかる方法がよくとられていた。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記の製造方法では（100）シリコンウ
ェーハ21のオリエンテーションフラットは通常＜110＞
方向を向いているため、固液界面25は＜100＞方向を向
くことになる。固液界面内で、最も成長速度の小さい
（111）面がファセットとなり、このファセットに対し
て横方向の成長が速くなる。即ち、固液界面25が＜100
＞方向をむいている場合、（111）ファセットは（111）
と（１１）の両面により形成されるので、のこぎり波
状になる。従って、（111）ファセットからの成長と
（１１）ファセットからの成長が出合う所に粒界が入
りやすい。そのため、再結晶化膜24に欠陥が形成される
という問題があった。
ェーハ21のオリエンテーションフラットは通常＜110＞
方向を向いているため、固液界面25は＜100＞方向を向
くことになる。固液界面内で、最も成長速度の小さい
（111）面がファセットとなり、このファセットに対し
て横方向の成長が速くなる。即ち、固液界面25が＜100
＞方向をむいている場合、（111）ファセットは（111）
と（１１）の両面により形成されるので、のこぎり波
状になる。従って、（111）ファセットからの成長と
（１１）ファセットからの成長が出合う所に粒界が入
りやすい。そのため、再結晶化膜24に欠陥が形成される
という問題があった。
本発明は、上記問題点を鑑みてなされたもので、再結
晶化膜内に欠陥が入らない半導体装置の製造方法を提供
するものである。
晶化膜内に欠陥が入らない半導体装置の製造方法を提供
するものである。
問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために、本発明の半導体装置の
製造方法は、（100）面を有する半導体基板上に絶縁膜
を形成する工程と、前記絶縁膜の一部を除去して前記半
導体基板の一部を露出することによって種領域を形成す
る工程と、前記絶縁膜上に一部が前記種領域に接するよ
うに多結晶質あるいは非晶質の半導体膜を形成する工程
と、短軸を＜110＞方向とした線状ビームを前記半導体
膜上に照射しながら前記種領域から＜100＞方向に走査
することにより前記半導体膜を再結晶化する工程とを備
えて構成されている。
製造方法は、（100）面を有する半導体基板上に絶縁膜
を形成する工程と、前記絶縁膜の一部を除去して前記半
導体基板の一部を露出することによって種領域を形成す
る工程と、前記絶縁膜上に一部が前記種領域に接するよ
うに多結晶質あるいは非晶質の半導体膜を形成する工程
と、短軸を＜110＞方向とした線状ビームを前記半導体
膜上に照射しながら前記種領域から＜100＞方向に走査
することにより前記半導体膜を再結晶化する工程とを備
えて構成されている。
作用 上記した手段により、（100）Si基板を使った場合、
（111）ファセットは、（100）面より54.7゜傾いた１つ
の平面によって形成される。即ち、（100）面を有する
単結晶化膜は、１平面の（111）ファセットからの成長
によって形成されるので、再結晶化膜は無欠陥となる。
（111）ファセットは、（100）面より54.7゜傾いた１つ
の平面によって形成される。即ち、（100）面を有する
単結晶化膜は、１平面の（111）ファセットからの成長
によって形成されるので、再結晶化膜は無欠陥となる。
実 施 例 本発明の半導体装置の製造方法の一実施例を第１図に
示す。11が（100）シリコン基板、12が＜110＞方向のオ
リエンテーションフラット、13がシード領域、14が再結
晶化膜、15が固液界面、16がポリシリコン、17がレーザ
ビームである。また断面図は第２図ｂと同様である。
示す。11が（100）シリコン基板、12が＜110＞方向のオ
リエンテーションフラット、13がシード領域、14が再結
晶化膜、15が固液界面、16がポリシリコン、17がレーザ
ビームである。また断面図は第２図ｂと同様である。
第１図に示したような再結晶化を行なうと、固液界面
を＜110＞方向とすることができる。即ち固液界面内に
形成される（111）ファセットは、（100）面より54.7゜
傾いた１つの平面となる。従って、１平面のファセット
からの成長によって（100）面をもった再結晶化膜が形
成されるので、再結晶化膜に欠陥は入らない。即ち大面
積にわたる無欠陥の再結晶化膜を形成することができ
る。
を＜110＞方向とすることができる。即ち固液界面内に
形成される（111）ファセットは、（100）面より54.7゜
傾いた１つの平面となる。従って、１平面のファセット
からの成長によって（100）面をもった再結晶化膜が形
成されるので、再結晶化膜に欠陥は入らない。即ち大面
積にわたる無欠陥の再結晶化膜を形成することができ
る。
また、線状ビームの短軸を＜110＞方向とし、＜100＞
方向へ走査することによって、固液界面を＜110＞方向
とすることができるで、走査方向へ無欠陥の再結晶化膜
をのばすことができることはいうまでもない。
方向へ走査することによって、固液界面を＜110＞方向
とすることができるで、走査方向へ無欠陥の再結晶化膜
をのばすことができることはいうまでもない。
発明の効果 本発明の半導体装置の製造方法は、（100）単結晶基
板上に形成した絶縁膜上に、線状ビームを使って大面積
の再結晶化膜を形成することができ、実用的にきわめて
有効な方法である。
板上に形成した絶縁膜上に、線状ビームを使って大面積
の再結晶化膜を形成することができ、実用的にきわめて
有効な方法である。
第１図は本発明の一実施例半導体装置の製造方法を説明
するための図、第２図a.bは従来の半導体装置の製造方
法を説明するための図である。 11,21……（100）シリコン基板、13,23……シード領
域、15,25……固液界面、12,22……オリエンテーション
フラット。
するための図、第２図a.bは従来の半導体装置の製造方
法を説明するための図である。 11,21……（100）シリコン基板、13,23……シード領
域、15,25……固液界面、12,22……オリエンテーション
フラット。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−181528（ＪＰ，Ａ) 日経マイクロバイス1986年８月号ＰＰ. 48〜49
Claims (1)
- 【請求項１】（100）面を有する半導体基板上に絶縁膜
を形成する工程と、前記絶縁膜の一部を除去して前記半
導体基板の一部を露出することによって種領域を形成す
る工程と、前記絶縁膜上に一部が前記種領域に接するよ
うに多結晶質あるいは非晶質の半導体膜を形成する工程
と、短軸を＜110＞方向とした線状ビームを前記半導体
膜上に照射しながら前記種領域から＜100＞方向に走査
することにより前記半導体膜を再結晶化する工程とを備
えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61298155A JPH0834175B2 (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61298155A JPH0834175B2 (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63150911A JPS63150911A (ja) | 1988-06-23 |
| JPH0834175B2 true JPH0834175B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=17855907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61298155A Expired - Lifetime JPH0834175B2 (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0834175B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4869130B2 (ja) * | 2007-04-02 | 2012-02-08 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59181528A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-16 | Fujitsu Ltd | 線状ビ−ムによる熱処理方法 |
-
1986
- 1986-12-15 JP JP61298155A patent/JPH0834175B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 日経マイクロバイス１９８６年８月号ＰＰ．４８〜４９ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63150911A (ja) | 1988-06-23 |
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