JPS5810816A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS5810816A
JPS5810816A JP56111176A JP11117681A JPS5810816A JP S5810816 A JPS5810816 A JP S5810816A JP 56111176 A JP56111176 A JP 56111176A JP 11117681 A JP11117681 A JP 11117681A JP S5810816 A JPS5810816 A JP S5810816A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は絶縁性基板あるいは半導体基板との間の浮遊
容量が小さく、かつ金属電極と活性領域との間の寄生抵
抗が小さい半導体装置に関するものである。
第１１ｇは従来の半導体装置の基板構造を示す断面図で
ある。同図において、（１）はシリコン々どの半導体基
板、（２）はこの半導体基板Ｔｌｌ上に形成した例えば
酸化シリコン膜または窒化シリコン膜などの絶縁性薄膜
、（３）は仁の絶縁性薄膜（２；上にデポジットした多
結晶シリコン薄膜、（４）はこの多結晶シリコン薄１１
１３）のアニールに使用するレーザビー人である。
次に上記構成による半導体装置の基板構造を用いて半導
体装置を製造する手順について説明する。
まず、シリコンなどの半導体基板（１）上に酸化シリコ
ン属または窒化シリコン腹などの絶縁性薄膜（２）を形
成する。次に、この絶縁性薄膜（２）上に多結晶シリコ
ン簿膜＋３）　′ｆｒデポジットする。次に、この多結
晶シリコン薄膜（３１にＶ−ザビーム（４）を照射する
と、この多結晶シリコン薄膜（３）が瞬間的に溶融して
、再固化する際に、多結晶シリコンの結晶粒径が著しく
増大し、極端な場合にけ単結晶になる。
こうして、単結晶化した、あるいは大きな結晶粒径を有
するシリコン膜が得られる。そして、仁のシリコン膜中
にＭＯＳ　＠電界効果トランジスタ、あるいはバイポー
ラ型トランジスタを形成することにより、半導体基板と
の間の浮遊容量が極めて小さい半導体装置を形成するこ
とができる。
しかしながら、従来の半導体装置は金属電極と活性領域
との間の寄生抵抗がシリコン薄膜の比抵抗で決まるため
、極めて大きなものとなり、良好な素子特性が得られな
いなどの欠点があった。
したがって、この発明の目的は金属電極と活性領域との
間の寄生抵抗を低くシ、良好な素子特性が得られる半導
体装置を提供するものである。
このような目的を達成するため、この発明は絶縁性薄膜
と多結晶シリコン膜との間に所望パターンの金属薄膜を
設けるものであり、以下実施例を用いて詳細に説明する
。
第２図はこの発明に係る半導体装置の一実施例を示す基
板構造の断面図である。同図において、（５）はシリコ
ン酸化膜あるいはシリコン窒化膜などの絶縁性薄膜、（
６；はこの絶縁性薄膜（５）と多結晶シリコン膜との界
面に形成した所望パターンの金属薄膜であり、例えばモ
リブデン、モリブデン・シリサイド、タングステン、タ
ングステン・シリサイドなどの高融点金属あるいけ高融
点金属合金を用いる。
なお、前記多結晶シリコン膜の厚さはレーザ・アニール
に使用するレーザ光線の強度あるいは形成する素子に応
じて決める必要があるが通常は０．３〜１．０μｍｌ！
度である。
次に、上記構成による半導体装置の基板構造を用いて、
半導体装置を製造する手順について説明する。まず、半
導体基板（１）の表面に熱酸化法あるいはＣＶＤ法によ
り、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜などの絶縁性
薄膜（５）を形成する。次に、この絶縁性薄膜（５）上
に所定パターンの高融点金属あるいは高融点金属合金の
薄膜（６）を形成する。この金属ｉたは金属合金の薄膜
（６）のパターンは下記のシリコン膜中に形成する素子
に応じて形成する。
次に、ＣＶＤ法により、多結晶シリコン薄Ｍ（３）をデ
ポジットする。次に、この多結晶シリコン基板（３）に
レーザビーム（４）を均一に照射し、この多結晶シリコ
ン薄１［（３）を瞬間的に溶融させると、再固化する際
に、結晶粒径が著しく増大し、極端な場合には単結晶と
なる。そして、この結晶粒径が大きい、あるいは単結晶
のシリコン膜中にＭＯＳ　ｇ電界効果トランジスタある
いはバイポーラ型トランジスタを形成する。この場合、
電極を取り出す部位と活性領域との間の寄生抵抗を著し
く小さくすることができる。
第３図はこの発明に係る半導体装置の他の実施例を示す
基板構造の断面図であり、絶縁性薄膜（５）をストライ
プ状にエツチングによって形成したものである。このた
め、半導体基板（１）とこの絶縁性薄膜（５）が交互に
露出するので、レーザ・アニールによシ、多結晶シリコ
ンが単結晶シリコンになり易い。これはシリコンの基板
（１）に接している部分が再結晶化の種となるため、絶
縁性薄膜あるいは高融点金属あるいは高融点金属合金の
薄膜（６）上の多結晶シリコンも単結晶に成長するから
である。
なお、以上の実施例では多結晶シリコン薄膜のアニール
にレーザビームを使用したが、電子ビームあるいはキセ
ノンランプなどの７ラツシユ光を使用してもよいことは
もちろんである。また、シリコン基板を用いたが、石英
などの絶縁性基板を用いてもよいことはもちろんである
。
以上、詳細に説明したように、この発明［係ル半導体装
置によれば半導体素子の寄生抵抗を大幅に低下すること
ができるので、良好な特性が得られるなどの効果がある
。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体装置の基板構造を示す断面図、第
２図はこの発明に係る半導体装置の一実施例を示す基板
構造の断面図、第３図はこの発明に係る半導体装置の他
の実施例を示す基板構造の断面図である。 （１）・・・・半導体基板、（２）・・・・絶縁性薄膜
、（３）・・ｅ゛・多結晶シリコン薄膜、（４）・・・
・レーザビーム、（５）・・・・絶縁性薄膜、（６）・
・・・金属薄膜。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　葛　野　信　−（外１名） 第２図 第３図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 （１）絶縁体または半導体からなる基板と、この基板上
    に形成した絶縁性薄膜と、この絶縁性薄膜上にデポジッ
    トした多結晶シリコン膜とを備え、仁の多結晶シリコン
    膜管レーザビーム。電子ビームあるいＦｉ７ラツシユラ
    ンプ光などによってアニールして、単結晶化あるいは多
    結晶シリコンの結晶粒径を著しく大きくシ、このシリコ
    ン膜中に活性領域を設けてなる半導体装置において、前
    記絶縁性薄膜と前記多結晶シリコン展との間に所望パタ
    ーンの金属薄層を設けることを特徴とする半導体装置。 （り前記金属薄Ｊ［はモリブデン、モリブデン・シリサ
    イド、タングステン、タングステン・シリサイドなどの
    高融点の金属あるいは金属合金であることを特徴とする
    特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 （３）前記絶縁性薄膜をストライプ状に形成することを
    特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
JP56111176A 1981-07-14 1981-07-14 半導体装置 Expired JPS6020890B2 (ja)

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JP56111176A JPS6020890B2 (ja) 1981-07-14 1981-07-14 半導体装置

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JPS5810816A true JPS5810816A (ja) 1983-01-21
JPS6020890B2 JPS6020890B2 (ja) 1985-05-24

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59194422A (ja) * 1983-04-20 1984-11-05 Agency Of Ind Science & Technol 半導体層の単結晶化方法
JPH0228315A (ja) * 1988-07-18 1990-01-30 Sanyo Electric Co Ltd 多結晶シリコン薄膜及びその形成方法
JPH0246761A (ja) * 1988-08-09 1990-02-16 Ricoh Co Ltd 半導体集積回路装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59194422A (ja) * 1983-04-20 1984-11-05 Agency Of Ind Science & Technol 半導体層の単結晶化方法
JPH0228315A (ja) * 1988-07-18 1990-01-30 Sanyo Electric Co Ltd 多結晶シリコン薄膜及びその形成方法
JPH0246761A (ja) * 1988-08-09 1990-02-16 Ricoh Co Ltd 半導体集積回路装置

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JPS6020890B2 (ja) 1985-05-24

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