DE69019639T2

DE69019639T2 - Plättchen aus halbleiterkomposit.

Info

Publication number: DE69019639T2
Application number: DE69019639T
Authority: DE
Inventors: T Osaka Works Of Sumit Iwasaki; Y Itami Works Of Sumitom Miura; N Osaka Works Of S Yamabayashi
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 1989-03-17
Filing date: 1990-03-15
Publication date: 1995-09-21
Anticipated expiration: 2010-03-16
Also published as: WO1990011391A1; KR930007856B1; EP0416128A1; CA2028808C; DE69019639D1; EP0416128A4; CA2028808A1; KR920700315A; EP0416128B1

Description

Gebiet der Erfindung

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Blättchen aus Halbleiterkomposit, in welcher eine heteroepitaxiale Kristallschicht über einem Halbleiterkomposit eines Einzelkristallsubstrates gebildet ist.

Hintergrund der Erfindung

Ein optisches Element, wie beispielsweise ein lichtemittierendes Element oder ein Fotorezeptor hat eine Struktur, die durch fachmännisch Kombination von Bereichen erzielt wird, welche sich in den optischen und elektrischen Eigenschaften voneinander unterscheiden. Zudem wird es notwendiger Weise durch eine Epitaxitechnik hergestellt, da eine solche Struktur durch eine Einzelkristallschicht eines Kristalls auf einer Basis von bereits vollendeten Kristallen gebildet werden muß. Expitaxiekristalle werden klassifiziert in homoepitaxiale Kristalle und heteroepitaxiale Kristalle abhängig davon, ob ein Substrat und eine epitaxiale Schicht aus dem gleichen Material oder aus verschiedenen Materialien sind.
In einem konventionellen heteroepitaxialen Blättchen aus einem Halbleiterkomposit sind obere, untere, linke und rechte Teile eines Substrates mit einem Durchmesser von beispielsweise zwei Zoll abgeschnitten, um das Substrat in eine rechtwinklige Konfiguration zu formen und danach wird eine Epitaxie auf dem rechtwinkligen Substrat durch ein Aufwachstumsverfahren mit Flüssigfaser oder einem Aufwachstumsverfahren mit Dampfphase durchgeführt in Hinsicht auf die technischen Einschränkungen des epitaxialen Aufwachsens, das auf dem Halbleiterkompositsubstrat gebildet ist.
Jedoch ein solches konventionelles rechtwinkliges epitaxiales Blättchen hat die folgenden Probleme: Es gibt nämlich das Problem, daß die Dicke des Resistfilmes, der durch Spinnbeschichtung oder ähnliches aufgebracht wird, heterogen an den Eckteilen des äußeren Umfanges bei der Musterbildung wie beispielsweise Fotolitographie heterogen wird, so daß eine gute Musterbildung in diesen Teilen nicht erreicht werden kann und die Ausbeute vermindert wird. Weiterhin gibt es das Problem, daß die Eckteile Risse oder Absplitterungen durch physikalische Stöße oder ähnliches aufgrund der rechtwinkligen Konfiguration erfahren und folglich die Arbeitsausbeute vermindert wird.
Als ein Verfahren zum Lösen dieser Probleme liegt es nahe, epitaxiale Blättchen mit einer kreisförmigen Konfiguration zu verwenden. Eine hohe Ausbeute wurde tatsächlich durch Verwendung von kreisförmigen Substraten in Bezug auf Siliziumhalbleiter erhalten. Jedoch haben die Erfinder herausgefunden, daß eine hohe Ausbeute nicht erreicht werden kann durch direktes Verwenden eines heteroepitaxialen Blättchens aus Halbleiterkomposit mit einer kreisförmigen Konfiguration, im Gegensatz zu Siliziumhalbleitern. Dies wird nun beschrieben.
In einem Halbleiterkomposit ist es ziemlich schwierig Einzelkristalle mit einer hohen Vollständigkeit unter Beibehaltung der stoichiometrischen Zusammensetzung aufzuwachsen im Vergleich mit Kristallen einer einfachen Substanz wie beispielsweise Silizium. Daher sind Blockkristalle aus einem Halbleiterkomposit im allgemeinen von minderer Vollständigkeit im Vergleich zum Silizium. In einem allgemein verwendeten Substrat eines Halbleiterkomposits mit einer kreisförmigen Konfiguration konzentrieren sich nämlich Defekte auf den äußeren Umfang und die Defekte propagieren in Richtung einer epitaxialen Kristallschicht, wenn ein epitaxiales Aufwachsen auf diesem Teil ausgeführt wird. Es wurde erkannt, daß die Defekte am äußeren Umfangsteil, insbesondere Verwerfungen propagieren und in Richtung eines Blättchenmittelteils aus denen, der absolut defektfrei in sich selbst ist, nach der Epitaxie, aufgrund von thermischen Spannungen und physikalischen Spannungen in einem Bearbeitungsschritt. In Bezug auf die Verwerfungen gibt es eine Beschreibung in J. Appl. Phys. 54(2), Februar 1983, SS. 666 - 672 beispielsweise. Die Definition richtet sich auf mindestens zehn Kristalldefekte, die in gerader Linie von 1 mm Länge ausgerichtet sind.

Offenbarung der Erfindung

Eine Aufgabe der Erfindung ist es, ein Blättchen aus Halbleiterkomposit zu schaffen, welches die Probleme des Standes der Technik zur Verbesserung der Ausbeute lösen kann.
In dem Artikel "Chemical beam epitaxy of InGaAS" von W. T. Tsang in Journal of Applied Physics 58 (1985) ist ein InGaAs Substratgitter angepaßt an InP mit einer Gitterabweichung von weniger als 10&supmin;³ offenbart. Eine Epischicht wird durch Molekularstrahlepitaxie aufgewachsen.
Ein anderer Artikel, nämlich "Epitaxie en phase liquide des composés III-V sur substrat InP" von N.T. Linh, J.-P Hombrouck und N. Sol in Journal of Crystal Growth 31 (1975) SS. 204 - 209 offenbart die Epitaxie von glatten InGaAs Schichten auf InP Substraten. Die glatten Oberflächen wurden erreicht durch Superkühlen- und Schrittkühlverfahren.
EP-A-0 229 263 offenbart ein Verfahren von vierer und fünfer Legierungshalbleiter durch MBE gitterangepaßten Substraten unter Verwendung von III-V Gruppenlegierungen als eine aktive Schicht in Opto-Vorrichtungen.

Offenbarung der Erfindung

Eine Aufgabe der Erfindung ist es, ein Blättchen aus Halbleiterkomposit zu schaffen, welches die Probleme des Standes der Technik zur Verbesserung der Ausbeute lösen kann.
Die Aufgabe wird erreicht mit einem epitaxialen Blättchen aus Halbleiterkomposit gemäß Anspruch 1 und 10.
Ein versetzungsfreier Bereich muß sich nicht notwendig über das gesamte Substrat erstrecken, aber wenn eine Vorrichtung zum Abschneiden der Verbindung von Kristallen in der heteroepitaxialen Kristallschicht vorgesehen ist, wie im folgenden beschrieben wird, kann ein versetzungsfreier Teil in einem Bereich, der von dieser Einrichtung umgeben ist, geschaffen werden.
Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
Gemäß der Erfindung ist es möglich, ein heteroepitaxiales Kristallblättchen zu schaffen, das keine großen Kristalldefekte zu einer heteroepitaxialen Kristallschicht überträgt, die auf einem Substrat über der gesamten Oberfläche gebildet wurde, da das Halbleiterkompositsubstrat versetzungsfrei ist. Da weiterhin das Halbleiterkompositsubstrat eine im wesentlichen kreisförmige Konfiguration aufweist ist es möglich, die Ausbeute beträchtlich zu erhöhen ohne eine Heterogenität eines Resistfilmes zu verursachen, wie es im Falle der Verwendung von konventionellen rechteckigen Substraten beobachtet wird. Außerdem ist es gleichzeitig möglich eine Vorrichtung zu erhalten, welche ausgezeichnete Eigenschaften über den gesamten Bereich einer kreisförmigen Konfiguration aufweist, ohne daß neue Kristalldefekte durch thermische Spannung und physikalische Spannung aufgrund von äußeren Kräften in einer Zwischenstufe der Bearbeitung der Vorrichtung verursacht werden und ohne die Propagation von solchen Kristalldefekten.
Wenn ein Halbleiterkompositsubstrat verwendet wird, das noch Defekte aufweist, kann ein ähnlicher Effekt erreicht werden durch Abschneiden der Verbindung in einer heteroepitaxialen Schicht, so daß kein schlechter Einfluß durch nahegelegene existierende Kristalldefekte ausgeübt wird.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

Die Fig. 1 bis 3 sind hervorgehobene Vorderansichten zur Erläuterung eines Verfahrens zum Aufwachsen einer epitaxialen Schicht auf einem versetzungsfreien kreisförmigen Substrat gemäß der Erfindung.
Fig. 1 ist eine hervorgehobene Vorderansicht, die einen Zustand eines Substrates zeigt, das durch Schneiden eines Barren erhalten wurde.
Fig. 2 ist eine hervorgehobene Vorderansicht eines Zustandes eines epitaxialen Blättchen nach dem heteroepitaxialen Aufwachsen.
Fig. 3 ist eine hervorgehobene Vorderansicht, die den Zustand des Substrates nach dem Musterformvorgang zeigt.
Fig. 4 bis 6 sind hervorgehobene Vorderansichten zur Erläuterung eines Verfahrens zum Aufwachsen einer epitaxialen Schicht auf einem rechtwinkligen Substrat gemäß einem konventionellen Verfahren.
Fig. 4 ist eine hervorgehobene Vorderansicht, die einen Zustand eines Substrates zeigt, das durch Aufschneiden eines Barrens erhalten wurde.
Fig. 5 ist eine hervorgehobene Vorderansicht eines Zustandes eines epitaxialen Blättchens, das heteroepitaxial auf einem rechtwinkligen Teil aufgewachsen wurde, der entlang der gestrichelten Linien in Fig. 4 geschnitten wurde.
Fig. 6 ist eine hervorgehobene Vorderansicht, die einen Zustand des Substrates nach der Musterbildungsarbeit zeigt.
Die Fig. 7 und 8 sind hervorgehobene Vorderansichten zur Erläuterung eines Vergleichsverfahrens zum Aufwachsen einer epitaxialen Schicht auf einem kreisförmigen Substrat, das nicht versetzungsfrei ist.
Fig. 7 ist eine hervorgehobene Vorderansicht, die einen Zustand eines Substrates zeigt, das durch Aufschneiden eines Barren erhalten wurde, wobei ein Zustand eines epitaxialen Blättchens nach dem heteroepitaxialen Aufwachsen ähnlich zu diesem ist.
Fig. 8 ist eine hervorgehobene Vorderansicht, die einen Zustand des Substrates nach der Musterbildungsarbeit zeigt.
Fig. 9 bis 14 sind Aufsichten, die Zustände der Propagation von Defekten im Falle der Bearbeitung eines epitaxialen Blättchens zeigt, das durch Aufwachsen einer heteroepitaxialen Kristallschicht auf einem Halbleiterkomposit erhalten wurde.
Fig. 9 ist eine Aufsicht, die ein Blättchen zeigt, das nach Aufwachsen einer heteroepitaxialen Kristallschicht auf einem Einzelkristallsubstrat aus Halbleiterkomposit erhalten wurde.
Fig. 10 ist eine Aufsicht, die einen Blättchenzustand nach der Bearbeitung des Blättchens von Fig. 9 durch ein konventionelles Verfahren zeigt.
Fig. 11 ist eine Aufsicht, die das Blättchen zeigt, welches auf seinem äußeren Umfangsteil mit einer Einrichtung zum Abschneiden der Verbindungen der Kristalle in der heteroepitaxialen Kristallschicht in dem Blättchen, das in Fig. 9 gezeigt ist, zeigt.
Fig. 12 ist eine Aufsicht, die ein Blättchen zeigt, das mit einer Einrichtung zum Abschneiden der Verbindungen der Kristalle in der heteroepitaxialen Kristallschicht des Blättchens, das in Fig. 9 gezeigt ist, in Form von Gittern zum Einschließen von jedem Element zeigt.
Fig. 14 ist eine Aufsicht, die einen solchen Zustand eines Teiles einschließlich von Defekten zeigt, der den äußeren Umfangsteil eines Blättchens darstellt.
Die Fig. 15 bis 18 sind Querschnittsansichten, die einen Zustand der Propagation von Kristalldefekten im Falle einer Bearbeitung eines epitaxialen Blättchens zeigen.
Fig. 15 ist eine Querschnittsansicht, die typischer Weise einen Kristalldefekt zeigt, der in dem Blättchen von Fig. 9 gezeigt ist.
Fig. 16 ist eine Querschnittsansicht, die die Propagation des Kristalldefektes zu der epitaxialen Kristallschicht in dem Blättchen von Fig. 10 zeigt.
Fig. 17 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schnitt des Blättchens von Fig. 13 zeigt.
Fig. 18 ist eine Querschnittsansicht, die einen Zustand der Propagation des Kristalldefektes in der epitaxialen Schicht nach der Bearbeitung des Blättchens von Fig. 17 zeigt.

Beste Arten zum Ausführen der Erfindung

Vor der Erklärung der Beispiele der Erfindung wird die Erfindung ausführlich beschrieben.
Ein epitaxiales Blättchen aus Halbleiterkomposit gemäß der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß ein Einzelkristallsubstrat aus Halbleiterkomposit, über welchem eine heteroepitaxiale Kristallschicht gebildet ist, eine im wesentlichen kreisförmige Konfiguration aufweist und daß sie versetzungsfrei ist.
Als ein Verfahren zur Verbesserung der Heterogenität eines Resistfilmes beim Spinnbeschichten ist relativ leicht verständlich ein Substrat mit einer im wesentlichen kreisförmigen Konfiguration anstatt des konventionellen rechtwinkligen Substrates zu verwenden. Jedoch wird die Erfindung besonders dadurch gekennzeichnet, daß ein Substrat mit einer im wesentlichen kreisförmigen Konfiguration, welches außerdem versetzungsfrei ist, verwendet wird als Substrat zum Bilden einer epitaxialen Kristallschicht.
Die Erfinder haben nämlich herausgefunden, daß die Ausbeute nicht verbessert werden kann im Falle der Verwendung eines Substrates, welches eine im wesentlichen kreisförmige Konfiguration aufweist, doch nicht versetzungsfrei ist, wie es im allgemeinen verwendet wird. Der Ausdruck versetzungsfrei bedeutet einen Zustand, der keine Versetzungen (lineare Defekte) umfaßt mit EPD (etch pit density; Kristalldefektdichte) von nicht mehr denn 500/cm². In Bezug auf die Versetzungen wird eine ausführliche Beschreibung in der oben erwähnten Literatur gegeben und die Definition derselben zeigt an, daß mindestens zehn Kristalldefekte auf einer geraden Linie von 1 mm Länge ausgerichtet sind.
Die Erfindung ist geeignet, die Heterogenität, die durch Spinnbeschichten verursacht wird, zu verbessern, um die Ausbeute durch Verwendung eines Substrates mit einer im wesentlichen kreisförmigen Konfiguration zu verbessern, ebenso wie die Verminderung der Ausbeute aufgrund der Propagation von Defekten insbesondere Versetzungen durch Verwendung eines versetzungsfreien Substrates zu vermeiden.
Die obige Sache wird mit Bezug auf die Zeichnungen beschrieben.
Die Fig. 4 bis 6 sind hervorgehobene Vorderansichten zur Erläuterung eines konventionellen Verfahrens zum Aufwachsen einer epitaxialen Kristallschicht auf einem rechtwinkligen Substrat.
Fig. 4 ist eine hervorgehobene Vorderansicht, die einen Zustand eines Substrates zeigt, welcher durch Schneiden einer Einzelkristallstange aus Halbleiterkomposit erhalten wird, wie beispielsweise eine Einzelkristallstange aus InP. Die Substratebene eines kreisförmigen Einzelkristallsubstrates 1 aus InP ist die (100) Ebene und abspaltbare Richtungen sind [011] und eine Richtung senkrecht dazu. Das kreisförmige Einzelkristallsubstrat aus InP ist ein allgemein verwendetes Einzelkristallsubstrat aus InP und ein Teil einschließlich von Kristalldefekten und Versetzungen ist weit verbreitet / existiert in dem äußeren Umfangsteil entlang der [001] Richtung und der Richtung senkrecht dazu. Folglich gibt es einen versetzungsfreien Teil 2 in einer Verteilung, die mit schrägen Linien in Fig. 4 gezeigt ist. Auf der Innenseite eines solchen versetzungsfreien Teils 2 sind die oberen, unteren, linken und rechten Teile abgeschnitten in einer Konfiguration, die durch gepunktete Linien in Fig. 4 gezeigt ist, um ein rechtwinkliges Substrat herzustellen. Ein epitaxiales Aufwachsen auf diesem rechtwinkligen Substrat wird ausgeführt. Folglich haben im wesentlichen keine Versetzungen in dem konventionellen rechtwinkligen Substrat existiert.
Fig. 5 ist eine hervorgehobene Vorderansicht, die einen Substratzustand nach dem heteroepitaxialen Aufwachsen zeigt. Mit Bezug auf Fig. 5 ist ein verfügbarer effektiver Teil durch Schraffieren angezeigt. Wie in Fig. 5 gezeigt ist, ist das gesamte rechtwinklige Blättchen 3 im wesentlichen wirksam. Dann wird ein Resistfilm auf diesem rechtwinkligen Blättchen 3 durch Spinnbeschichten oder ähnliches aufgebracht, um die Musterformarbeit auszuführen.
Fig. 6 ist eine hervorgehobene Vorderansicht, die einen Zustand des Substrates nach der Musterformarbeit zeigt. Mit Bezug auf Fig. 6 ist ein effektiver Teil 5 durch Schraffieren angezeigt. Wie in Fig. 6 gezeigt ist, definieren die Eckteile des rechtwinkligen Blättchens 3 einen heterogenen Resistteil 4 und der verfügbare Teil ist weiter vermindert, wodurch die Ausbeute beeinträchtigt wird.
Fig. 7 und 8 sind hervorgehobene Vorderansichten zur Erläuterung eines Verfahrens zum Aufwachsen einer epitaxialen Schicht auf einem kreisförmigen Substrat, das nicht versetzungsfrei ist.
Fig. 7 ist eine hervorgehobene Vorderansicht, die einen Zustand eines Substrates zeigt, welches durch Schneiden einer Stange erhalten wurde, ähnlich zu dem Zustand des Substrates, das in Fig. 4 gezeigt ist. In diesem Fall ist das Substrat nicht rechtwinklig ausgeschnitten und verschieden zu dem konventionellen Verfahren geformt, doch wird das heteroepitaxiale Aufwachsen direkt auf dem kreisförmigen Substrat ausgeführt. Der Zustand des epitaxialen Blättchens nach dem heteroepitaxialen Aufwachsen ist ähnlich zu dem von Fig. 7, da es Kristalldefekte des Substrates direkt aufnimmt.
Fig. 8 ist eine hervorgehobene Vorderansicht, die einen Zustand des Substrates nach der Musterformarbeit zeigt. Mit Bezug auf Fig. 8 zeigt ein schraffierter Teil einen wirksamen Teil 7. Folglich sind Versetzungen in dem äußeren Umfangsteil des kreisförmigen Einzelkristallsubstrates 1 aus InP nach innen propagiert durch Spannungen beim Bearbeiten und folglich wird der versetzungsfreie Teil weiter vermindert.
Wenn daher ein epitaxiales Blättchen, das auf einem kreisförmigen Substrat, das nicht versetzungsfrei ist, vorgesehen ist, maschinenbearbeitet wird, dann erreichen die Versetzungen unvermeidlich einen Teil, welcher nach dem heteroepitaxialem Aufwachsen versetzungsfrei war und ein wirksamer Teil wird ziemlich vermindert, wodurch die Ausbeute abgesenkt wird.
Die Fig. 1 bis 3 sind hervorgehobene Vorderansichten zur Erläuterung eines Verfahrens zum Aufwachsen einer epitaxialen Schicht auf einem versetzungsfreien kreisförmigen Substrat in Übereinstimmung mit der Erfindung.
Fig. 1 ist eine hervorgehobene Vorderansicht, die einen Zustand eines Substrates zeigt, das erhalten wurde durch Aufschneiden einer Stange aus einem Halbleiterkomposit wie beispielsweise GaAs oder InP etc., das beispielsweise durch ein später beschriebenes VCZ Verfahren erhalten wurde, und wobei der versetzungsfreie Teil durch Schraffierung gezeigt ist. Wie in Fig. 1 gezeigt ist, erstreckt sich der versetzungsfreie Teil im wesentlichen über den gesamten Bereich eines kreisförmigen Einzelkristallsubstrates 11 aus einem Halbleiterkomposit.
Fig.2 ist eine hervorgehobene Vorderansicht, die einen Zustand eines epitaxialen Blättchens zeigt, nachdem es heteroepitaxial auf dem Substrat 11, das in Fig. 1 gezeigt ist, aufgewachsen wurde. In Fig. 2 ist der versetzungsfreie Teil ebenfalls durch Schraffierung angezeigt. Wie in Fig. gezeigt ist, erstreckt sich der versetzungsfreie Teil im wesentlichen über den gesamten Bereich des Substrates 11 nach dem heteroepitaxialen Wachsen.
Fig. 3 ist eine hervorgehobene Vorderansicht, die einen Zustand des Substrates nach dem Musterformen zeigt und ein schraffierter Teil zeigt einen wirksamen Teil 13. Wie in Fig. 3 gezeigt ist, ist der größte Teil des Substrates 11 der wirksame Teil 12 mit Ausnahme eines kleinen Teiles am äußeren Rand des Substrates 11. Folglich ist es gemäß der Erfindung möglich, eine Bearbeitung auszuführen und dabei den wirksamen Teil des Substrates maximal zu erhalten, wodurch die Ausbeute verbessert werden kann.
Ein Einzelkristallsubstrat aus einem Halbleiterkomposit, welches eine im wesentlichen kreisförmige Konfiguration aufweist und versetzungsfrei ist, wie es in der Erfindung verwendet wird, kann durch Aufschneiden einer Stange erhalten werden, die durch ein VCZ Verfahren (Dampfdruckgesteuertes Czochralski Verfahren) beispielsweise erhalten werden. Dieses VCZ Verfahren ist ein Flüssigkeit einschließendes Czochralski Verfahren zum Kristallwachstum in einem Dampfdruck eines Elementes der Gruppe V im Falle, wo beispielsweise Einzelkristalle aus einem Halbleiterkomposit der Gruppe III-V hergestellt wird.
Genauer gesagt wird die Stange in der folgenden Weise erhalten:
Ein Kessel, welcher luftdicht ein Element der Gruppe V bei hoher Temperatur enthält, wird im Innern einer Kammer für ein Czochralski Verfahren oder ein LEC Verfahren (Flüssigkeits- eingeschlossenes Czochralski Verfahren) verwendet, wobei eine Kristallzugwelle und ein drehbarer Tiegel durch die oberen und unteren Wände des Kessels angebracht sind. Freiräume zwischen dem Kessel und der Kristallzugwelle wie auch die Drehwelle des Tiegels werden durch eine flüssige Dichtung luftdicht gemacht.
Ein Rohmaterial, das in dem Tiegel enthalten ist, wird geschmolzen durch Aufheizen von außen und ein Haltekristall, das an dem vorderen Ende der Kristallzugwelle befestigt ist, wird in die geschmolzene Lösung des Rohmateriales eingetaucht und mit einer Drehbewegung herausgezogen, wodurch zylindrische Einzelkristalle gezüchtet werden.
Aufgrund des Druckes des gasförmigen Elementes der Gruppe V, das in dem Kessel vorhanden ist, wird kein Element der Gruppe V desorbiert von den Oberflächen der Einzelkristalle während des Wachstums. Mit anderen Worten werden keine Defekte auf der Basis der Desorption der Elemente der Gruppe V verursacht. Zur gleichen Zeit kann der Temperaturunterschied zwischen den Kristallen und dem geschmolzenen Rohmaterialgas vermindert werden durch diese Wirkung, wodurch keine Defekte verursacht werden auf der Basis von thermischen Kontraktionsspannungen und die Defekte betragen nicht mehr als 1/100 im Vergleich mit denen der konventionellen Verfahren, wobei es möglich ist, Versetzungen zu eliminieren.
In Bezug auf dieses VCZ Verfahren findet sich eine ausführliche Beschreibung in Inst. Phys. Conf. Ser. No. 91: Kapitel 5.
Es ist ebenfalls möglich, Einzelkristalle zu verwenden, die durch ein VGF Verfahren (Vertical Gradienteneinfrierung), die versetzungsfrei sind. Dieses Verfahren ist ein Verfahren mit Verwendung von schon synthetisierten Einzelkristallen aus Halbleiterkomposit als Rohmaterial, wobei dieses in einen Tiegel eingeführt wird und geschmolzen wird und danach die geschmolzene Lösung in Kontakt mit einem Haltekristall gebracht wird, das am unteren Ende des Tiegels angeordnet ist, um ein Festsitzen auszuführen, damit die Einzelkristalle aus Halbleiterkomposit wachsen durch allmähliches Abkühlen vom unteren Ende in einen Zustand, bei welchem ein Temperaturgradient in Richtung senkrecht zu der geschmolzenen Lösung steht. Zu diesem VGF Verfahren gibt es eine Beschreibung in J. Electrochem. Soc. Solid-State SCIENCE AND TECHNOLOGY, Februar 1988, japanische Offenlegungsschrift Nr. 63-85082 und japanische Offenlegungsschrift Nr. 63-274684 etc.
In der Erfindung können Halbleiterkomposite der Gruppe III-V wie beispielsweise GaAs, GaP, InsBb, GaSb, und InP etc. beispielsweise verwendet werden als Einzelkristallsubstrate aus Halbleiterkomposit. Eine heteroepitaxial aufgewachsene Schicht, die über dem Einzelkristallsubstrat aus Halbleiterkomposit gebildet wurde, kann durch eine andere Kristallschicht gewachsen werden oder direkt aufgewachsen werden.
Mit Bezug auf ein GaAs Substrat kann beispielsweise GaP, GaAlAs, GaAsP, InGaAlP, InAlAsP, AlAs, InGaP, InAlP, AlSbP, AlAsSbP, GaAsSbP, und GaSbP etc. als heteroepitaxial aufgewachsene Schichten verwendet werden. ÄHNLICHES GILT MIT BEZUG AUF EIN InP Substrat, wobei InAlAsP, InGaAs, InGaAsP, InGaSbAs, GaSbAs, GaSbAsP, GaSbP, InAlSbAs, AlAsSb, GaAlSbAs, In-AlSbP, AlSbP, AlGaSbP, InGaSbP, InSbP, AlSbP, AlGaSbP, Al-GaSbP, und GaSbP usw. verwendet werden als heteroepitaxial aufgewachsene Schichten.
Die Dicke der heteroepitaxialen Kristallschicht wird nicht notwendig definiert, da der Unterschied des Wärmeausdehnungskoeffizienten, der Unterschied in der Spannung und ähnliches variiert mit der Kombination des Materials für ein Substrat eines Halbleiterkomposits, das hier verwendet wird, und der Kristallschicht und die mit dem Zweck der Endvorrichtung etc. variieren kann.
Ein Halbleiterkomposit, das mit einer Einrichtung zum Abschneiden von Kristallverbindungen in einer heteroepitaxialen Kristallschicht versehen ist und die bevorzugte Ausführungsform der Erfindung ist, wird nun beschrieben.
Ein epitaxiales Blättchen, das über einem Einzelkristallsubstrat aus Halbleiterkomposit gebildet wurde, wurde bearbeitet und danach ausführlich untersucht, um ein Teil zu finden, in welchem Elemente mit unvorteilhaften fotoelektrischen Merkmalen verbunden sind mit einem Teil nahe dem Blättchenzentrum, das selbst defektfrei war, stetig vom äußeren Umfangsteil ausgehend. Die Erfinder nahmen an, daß ein solcher Teil verursacht wird aufgrund der Tatsache, daß Kristalldefekte neu verursacht wurden in einem Bearbeitungsvorgang nach dem epitaxialen Aufwachsen. Sie nahmen an, daß Versetzungen im äußeren Umfangsteil des epitaxialen Blättchens sich ausbreiteten, wenn eine Wärmebehandlung nach der Bearbeitung durchgeführt wurde. Eine Schicht, die am ehesten Spannungen ausgesetzt ist, ist eine Schnittstelle zwischen den heteroepitaxialen Schichten mit verschiedenen Wärmeausdehnungskoeffizienten. Daher wurde eine Rille entlang des äußeren Umfangsteiles gebildet, um den äußeren Umfangsteil abzutrennen, der einen Teil mit Kristalldefekten darstellt, von einem guten Teil ohne Kristalldefekte nach dem epitaxialen Aufwachsen, um die Ausbreitung von Versetzungen zu verhindern. Eine solche Rille wird allgemein ein Graben genannt. Wenn eine Bearbeitung durchgeführt wird unter Verwendung des Blättchens, das mit einem Graben versehen ist, werden gute fotoelektrische Charakteristiken erhalten in dem Teil, der von dem Graben eingeschlossen ist, wobei der schlechte Einfluß von dem äußeren Umfangsteil des Blättchens verschwindet.
Die oben erwähnte Sache wurde mit Bezug auf die Zeichnungen der Fig. 9 bis 14 und Fig 15 bis 18 beschrieben.
Fig. 9 zeigt ein Blättchen in einem Zustand nachdem eine heteroepitaxiale Kristallschicht 13 über einem Einzelkristallsubstrat 1 aus einem Halbleiterkomposit aufgewachsen wurde. Fig. 15 zeigt einen Abschnitt des Blättchens, das in Fig. 9 gezeigt ist. Wie in Fig. 15 exemplarisch gezeigt ist, wird ein Kristalldefekt 14 in dem Substrat auf die epitaxiale Kristallschicht 13 übertragen, auch wenn diese Kristallschicht aufgewachsen wird.
Wenn ein Blättchen mit solchen Kristalldefekten bearbeitet wird, dann propagieren die Kristalldefekte 15 entlang der Ebene der epitaxialen Kristallschicht, wie in Fig. 10 gezeigt ist. Wenn Vorrichtungen auf einem solchen Blättchen mit propagierten Kristalldefekten 15 gebildet werden, dann verursachen die Kristalldefekte 15 fehlerhafte Chips. Fig. 16 ist ein Querschnitt, der einen Zustand des Bildens von Vorrichtungen auf solchen Blättchen mit propagierten Kristalldefekten 15 zeigt. Wie in Fig. 16 gezeigt ist, wird ein fehlerhafter Chip 18 verursacht durch die Anwesenheit von propagierten Kristalldefekten 15.
In einem Blättchen, das mit einer Einrichtung 16 zum Abschneiden der Kristallverbindungen in einer heteroepitaxialen Kristallschicht versehen ist, was die bevorzugte Ausführungsform der Erfindung darstellt, ist es möglich, die Ausbreitung von Kristalldefekten durch diese Einrichtung zu verhindern. Fig. 11 ist eine Aufsicht, die ein Blättchen zeigt, welches auf der Innenseite seines äußeren Umfangteils mit einem Graben 16 als Einrichtung zum Abschnitten solcher Kristallverbindungen versehen ist. Fig. 17 ist ein Querschnitt, der einen Abschnitt eines solchen Blättchens zeigt. Wenn das Blättchen, das in Fig. 11 gezeigt ist, bearbeitet wird, dann werden Kristalldefekte 15, die sich entlang der Ebene der Kristallschicht ausbreiten, angehalten durch den Graben 16, welcher eine Einrichtung zum Abschneiden der Kristallverbindungen darstellt, so daß keine Kristalldefekte 15 sich in das Innere ausbreiten. Fig. 12 ist eine Aufsicht, die einen solchen Zustand zeigt.
Wie in Fig. 17 gezeigt ist, wird ein solcher Graben 16 vorzugsweise so gebildet, daß er eine Tiefe aufweist, die die Dicke der epitaxialen Kristallschicht übersteigt. Wie in Fig. 18 gezeigt ist, wird die Ausbreitung von Kristalldefekten 15 verhindert durch die Bildung eines solchen Grabens 16, wodurch nur ein Teil, der nahe den Kristalldefekten 15 liegt, einen fehlerhaften Chip 18 definiert und gute Chips 17 in anderen Bereichen erhalten werden können. Auf diese Weise ist es möglich, die Fabrikationsausbeute für Halbleiterchips beträchtlich zu verbessern.
Obwohl der Graben entlang des äußeren Umfangsteiles des Blättchens in dem oben erwähnten Beispiel gebildet wurde, kann ein solcher Graben auch in Abmessungen entsprechend einem Element des Chips gebildet werden. Fig. 13 zeigt Beispiele von solchen Gräben 26.
In Bezug auf die Einrichtung zum Abschneiden von Kristallverbindungen gibt es ebenfalls ein Verfahren der vollständigen Entfernung eines Teils mit Defekten zusätzlich zur Bildung eines Grabens, der einen Vertiefungsteil darstellt, welcher durch Ätzen entfernt wird. Fig. 14 zeigt ein Blättchen, bei welchem der äußere Umfangsteil 36 einer epitaxialen Kristallschicht einschließlich solcher Defekte entfernt wurde.
Als eine weitere Einrichtung kann ein äußerer Umfangsteil etc. eines Substrates mit einer großen Anzahl von Kristalldefekten bedeckt werden mit einem Film aus SixNy, SixOy oder ähnliches, um ein selektives Aufwachsen nur in einem versetzungsfreien Teil durchzuführen.

Beispiel 1

Ein versetzungsfreies GaAs Substrat , das durch das VCZ Verfahren erhalten wurde und ein allgemein verwendetes Substrat, das noch Kristalldefekte an seinem äußeren Umfangsteil aufweist wurden verglichen und wie folgt untersucht:
Heteroepitaxiale Blättchen wurden hergestellt durch aufeinanderfolgendes Aufwachsen von P-Typ AlxGa1-xAs Schichten (x = 0,3) von 100 um als erste Schichten, P-Typ AlxGa1-xAs lichtemittierende Schichten (x = 0,02) als zweite Schichten, und N- Typ AlxGa1-xAs Schichten (x = 0,4) als dritte Schichten auf kreisförmigen GaAs Substraten von 350 um Dicke und 75 mm Durchmesser.
Nach dem epitaxialen Aufwachsen wurden Kristalldefektverteilungen in den epitaxialen Schichten und den Substraten durch eine Röntgenstrahltopographiebeobachtung beobachtet, um zu erkennen, daß Kristalldefekte auf die N-Typ AlxGa1-xAs Schicht, die dritte Schicht, in dem konventionellen Substrat übertragen wurden.
Auf der anderen Seite wurde keine Übertragung von Kristalldefekten in dem versetzungsfreien Substrat erkannt.
Ein heteroepitaxiales Blättchen mit einer solchen Kristallstruktur wird hauptsächlich für Infrarot LED etc. verwendet. Die obigen heteroepitaxialen Blättchen wurden verwendet und einer Bearbeitung ausgesetzt, um die Verteilungen von Emissionsstärken in der Ebene zu ermitteln. In den konventionellen Blättchen waren Teile mit niedriger Emissionsstärke ungleichmäßig verteilt in einem Teil, das noch Kristalldefekte aufwies. Weiterhin waren die Teile mit einer niedrigen Emissionsstärke ausgestreut in Richtung des Blättchenmittelteils, der keine Kristalldefekte aufwies, nach dem expitaxialen Aufwachsen. In dem versetzungsfreien epitaxialen Blättchen wurde andererseits eine Emissionsstärke von mindestens 2 mW über die gesamte Oberfläche unabhängig vom Ort erreicht.
In Übereinstimmung mit einer anderen Ausführungsform der Erfindung haben die Erfinder den äußeren Umfangsteil, der noch Kristalldefekte aufwies, entfernt von dem konventionellen epitaxialen Blättchen durch Ätzen und haben die gleiche Bearbeitung durchgeführt. Die Verteilung in der Ebene der Emissionsstärke wurde ermittelt in dem epitaxialen Blättchen, auf welches dieses Verfahren angewendet wurde, wobei es möglich war, eine Emissionsstärke von mindestens 2 mW über die gesamte Oberfläche zu erhalten. Eine Probe, die bearbeitet wurde, wobei Kristalldefekte in seinem äußeren Umfangsteil verblieben und eines, das bearbeitet wurde nach Entfernung des Teils durch Ätzen wurden jeweils mittels Röntgenstrahltopographie beobachtet, wobei festgestellt wurde, daß Verwerfungen sich im ersteren in Richtung des Blättchenmittelteils ausbreiteten, wohingegen keine Kristalldefekte beobachtet wurden in irgendeinem Teil des letzteren.
Ähnliche Phänomene wurden untersucht in Bezug auf heteroepitaxiale Schichten aus InGaP und InGaAsP, die auf GaAs Substraten vorgesehen wurden. Solche Kirstallschichten werden in Lasern mit kurzer Wellenlänge verwendet. Ähnliche Phänomene wurden ebenfalls beobachtet bezüglich dieser Kristallschichten und es wurde festgestellt, daß diese Probleme hatten, wie sie heteroepitaxialen Blättchen gemeinsam sind, die GaAs Substrate aufweisen, wobei die Erfindung ebenfalls wirksam ist für solche Halbleiterkomposite.

Beispiel 2

Ein versetzungsfreies InP Substrat, das durch das VCZ Verfahren erhalten wurde und ein allgemein verwendetes Substrat, das noch Kristalldefekte in seinem äußeren Umfangsteil aufweist, wurden verglichen und wie folgt studiert: Kreisförmige Substrate von 350 um Dicke und 50 mm Durchmesser wurden jeweils in zwei Hälften aufgespalten und die Hälften der jeweiligen Substrate wurden aneinandergebracht, um gleichzeitig eine Epitaxie darauf auszuführen. Die epitaxialen Schichten wurden nacheinander aufgewachsen in der folgenden Struktur: InP Schichten von 2 um Dicke als erste Schichten, InGaAs Schichten von 5 um Dicke als zweite Schichten und InP Schichten von 2 um Dicke als dritte Schichten.
Nach dem epitaxialen Aufwachsen wurden Verteilungszustände der Kristalldefekte beobachtet durch ein Verfahren mittels Ätzen, um zu erkennen, daß die Kristalldefekte auf die InP Schicht, das heißt die dritte Schicht, durch die InGaAs Schicht in dem äußeren Umfangsteil des konventionellen InP Substrates übertragen wurden. In dem versetzungsfreien InP Substrat, das gemäß dem VCZ Verfahren hergestellt wurde, wurden andererseits keine Kristalldefekte in den jeweiligen epitaxialen Schichten beobachtet. Außerdem wurden keine Kristalldefekte in der Röntgenstrahltopographie beobachtet. Auf diese Weise wurde bestätigt, daß die Übertragung von Kristalldefekten, die in dem konventionellen InP Substrat beobachtet wurde, nicht verursacht wird durch epitaxiales Aufwachsen, sondern die Ursache desselben war das verwendete InP Einzelkristallsubstrat.
Kristalle mit solchen Kristallstrukturen werden hauptsächlich verwendet für lichtemittierende Elemente im langen Wellenlängenband, als PIN Photodioden und ähnliches. Die oben erwähnten jeweiligen epitaxialen Blättchen wurden verwendet und bearbeitet, um die Dunkelströme zu messen, die Rauschkomponenten darstellen, wobei festgestellt wurde, daß die Teile mit hohen Dunkelströmen ungleichmäßig verteilt waren in einem Teil, der nach Kristalldefekte in dem konventionellen Blättchen aufwies. Weiterhin wurde erkannt, daß Teile mit hohen Dunkelströmen sich ebenfalls in Richtung der Blättchenmitte ausbreiteten, die keine Kristalldefekte aufwies, nach dem epitaxialen Aufwachsen.
Auf der anderen Seite zeigten versetzungsfreie epitaxiale Blättchen ausgezeichnete Dunkelstromeigenschaften von nicht mehr als 3 x 10&supmin;&sup7; A/cm² bei der Anlegung einer Spannung von -5 V über die gesamte Oberfläche unabhängig von den Stellen. Folglich ist zu erkennen, daß Verwerfungen im äußeren Umfangsteil des Blättchens sich linear in Richtung des Mittelteils bei der Wärmebehandlung zur Bearbeitung ausbreiten. Es wurde erkannt, daß Teile mit hohen Dunkelströmen, d. h. Teile, in welchen die Dunkelstromwerte mindestens 3 x 10&supmin;&sup7; A/cm² bei der Anlegung einer Spannung von -5 V betragen, existieren in Ausdehnungen des äußeren Umfangsteils des Blättchens von zwei Zoll in Richtung des Mittelteils, in Entsprechung zu der Verteilung von Kristalldefekten während der Ätzbeobachtungen.
Im allgemeinen war es unmöglich, ein Blättchen mit kreisförmiger Konfiguration zu verwenden, das gerade durch Aufschneiden einer Stange erhalten wurde, aufgrund der Beschränkungen der Epitaxietechnik und folglich wurden Substrate mit rechtwinkligem Zuschnitt verwendet. Es wurde jedoch erkannt, daß selbst wenn Blättchen mit einer kreisförmigen Konfiguration verwendet wurden, die durch Aufschneiden einer Stange erhalten wurden, dann konnten Teile, die durch Abschneiden entfernt wurden, nicht verwendet werden, da Kristalldefekte des Substrates direkt auf die epitaxialen Kristallschichten übertragen wurden. Es wurde weiterhin erkannt, daß Verwerfungen im äußeren Umfangsteil des Blättchens sich in einen Teil des Substratmittelteiles mit niedriger Kristalldefektdichte ausbreiten und Teile mit ausgezeichneten Dunkelstromeigenschaften wurden vermindert im Vergleich mit dem Fall der Verwendung eines rechtwinklig zugeschnittenen Substrates.
Dann wurde eine heteroepitaxiale Schicht entfernt in Form einer Vertiefung vor der Wärmebehandlung in der Bearbeitung entlang eines äußeren Umfangsteils des epitaxialen Blättchens, das noch Kristalldefekte aufwies, um den oben erwähnten Graben zu bilden. Nach der Bildung dieses Grabens wurden 5000 Vorrichtungen die in ähnlicher Weise gebildet und die Verteilung der Dunkelströme in der Ebene wurde gemessen, wobei festgestellt wurde, daß Vorrichtungen mit mindestens 3 x 10&supmin;&sup7; A/cm² nicht häufiger als 100 auf der Innenseite waren, die von dem Graben eingeschlossen wurde. Es wurden gleichzeitig Röntgenstrahltopographiebeobachtungen durchgeführt, wobei keine Kristalldefekte wie beispielsweise Verwerfungen beobachtet wurden. Folglich ist es möglich, eine größere Anzahl von Halbleitervorrichtungen aus einem Blättchen zu erhalten, im Gegensatz zum Stand der Technik, wodurch die Ausbeute durch Bilden eines Grabens gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung und epitaxiales Aufwachsen auf einem versetzungsfreien Substrat beträchtlich erhöht wird.

Beispiel 3

In Bezug auf ein versetzungsfreies Substrat, das durch das VCZ Verfahren erhalten wurde, und ein allgemein verwendetes Substrat, das noch Kristalldefekte in seinem äußeren Umfangsteil aufwies, wurden ein Vergleich und eine Untersuchung in Bezug auf die Blättchen durchgeführt, die mit heteroepitaxialen Schichten aus InGaAsP versehen waren. Kreisförmige Substrate von 350 um als erste Schichten, InGaAsP (Strukturen aus 1,3 um in der Emissionsstärke) von 1 um als zweite Schichten und InP Schichten von 2 um als dritte Schichten wurden verwendet. Nach dem epitaxialen Aufwachsen wurde die Kristalldefektverteilung in den epitaxialen Schichten und das Substrat durch Röntgenstrahltopographie beobachtet, wobei erkannt wurde, daß das konventionelle Substrat Kristalldefekte in Richtung der InP Schicht, der dritten Schicht, zeigte.
Auf der anderen Seite wurde kein Übertrag von Kristalldefekten in dem versetzungsfreien Substrat gefunden. Ein epitaxiales Blättchen mit einer solchen Kristallstruktur wird hauptsächlich verwendet für langwellige LED's etc. Die oben erwähnten heteroepitaxialen Blättchen wurden verwendet und einer Bearbeitung ausgesetzt, um die inversen Spitzenspannungen, Emissionsstärken, Emissionsformdefekte und die jeweiligen Verteilungen in der Ebene zu ermitteln.
In dem konventionellen Blättchen war die inverse Spitzenspannung abgesenkt (< 1 V) in einem Teil, der noch Kristalldefekte aufwies, und die Emissionsstärke war ebenfalls erniedrigt. Die Emissionsform war ebenfalls beeinträchtigt. Durch die Röntgenstrahltopographie wurde ebenfalls beobachtet, daß diese Kristalldefekte sich nach der Bearbeitung in einen Teil ausbreiteten, der keine Kristalldefekte aufwies, nach dem heteroepitaxialen Aufwachsen.
In der heteroepitaxialen InGaAsP Schicht, die auf dem versetzungsfreien Substrat aufgebracht war, wurden andererseits keine Kristalldefekte nach dem epitaxialen Aufwachsen und nach der Bearbeitung beobachtet. Die inverse Spitzenspannung war > 2 V, wobei die Emissionsstärke einheitlich in der Ebene war und keine Beeinträchtigung der Emissionsform wurde beobachtet.
Während es in konventionellen Plättchen nicht mehr als 1000 nichtbeschädigte Vorrichtungen gab, war es möglich, mindestens 4000 nichtbeschädigte Vorrichtungen auf einem versetzungsfreien heteroepitaxialem Blättchen zu erhalten, wodurch die Ausbeute beträchtlich verbessert wurde.

Gewerbliche Anwendbarkeit

Die Blättchen aus Halbleiterkomposit gemäß der Erfindung sind anwendbar auf Halbleitervorrichtungen wie beispielsweise einem Fotorezeptor wie einer PIN Fotodiode, einem Laser und einem lichtemittierenden Element wie einem LED, und einem Verstärkerelement wie beispielsweise einem FET.

Claims

1. Epitaxiales Blättchen aus Halbleiterkomposit mit einem Einzelkristallsubstrat aus Halbleiterkomposit und einer heteroepitaxiale Kristallschicht, die auf dem Einzelkristallsubstrat aus Halbleiterkomposit gebildet ist, wobei das Einzelkristallsubstrat aus Halbleiterkomposit eine im wesentlichen kreisförmige Konfiguration aufweist,

gekennzeichnet durch

- eine Einrichtung zum Unterdrücken der Ausbreitung von Kristalldefekten in einen versetzungsfreien Teil der heteroepitaxialen Kristallschicht,

- wobei die Unterdrückungseinrichtung vor der Verarbeitung des Blättchens einen Bereich des Blättchens umgibt, so daß Defekte, die von außerhalb des Bereiches während der Bearbeitung des Blättchens starten, nicht in diesen Bereich sich ausbreiten können.

2. Epitaxiales Blättchen aus Halbleiterkomposit gemäß Anspruch 1, wobei das Einzelkristallsubstrat aus Halbleiterkomposit ein Halbleiterkomposit der Gruppe III-V ist und die heteroepitaxiale Kristallschicht, die darauf gebildet ist, eine Kristallschicht aus Halbleiterkomposit ist mit einer Gitterkonstante im wesentlichen identisch zu der Gitterkonstante der Einzelkristalle aus Halbleiterkomposit der Gruppe III-V bis zu einem solchen Grad, daß eine Kristallepitaxie möglich ist.

3. Epitaxiales Blättchen aus Halbleiterkomposit gemäß Anspruch 2, wobei das Halbleiterkomposit der Gruppe III-V GaAs oder InP ist.

4. Epitaxiales Blättchen aus Halbleiterkomposit gemäß Anspruch 2, worin das Halbleiterkomposit, das eine Gitterkonstante im wesentlichen identisch zu der Gitterkonstante der Einzelkristalle aus Halbleiterkomposit der Gruppe III-V aufweist, einen Halbleiter umfaßt, welcher mindestens zwei Elemente enthält, die von der Gruppe aus Ga, As, Al, In und P gewählt sind.

5. Epitaxiales Blättchen aus Halbleiterkomposit nach Anspruch 3, wobei das Halbleiterkomposit der Gruppe III-V GaAs ist und die heteroepitaxiale Kristallschicht aus GaAlAs gebildet ist.

6. Epitaxiales Blättchen aus Halbleiterkomposit nach Anspruch 3, worin das Halbleiterkomposit der Gruppe III-V GaAs ist, und die heteroepitaxiale Kristallschicht aus InGaP ist.

7. Epitaxiales Blättchen aus Halbleiterkomposit nach Anspruch 3, worin das Halbleiterkomposit der Gruppe III-V GaAs ist und die heteroepitaxiale Kristallschicht aus InGaAlP ist.

8. Epitaxiales Blättchen aus Halbleiterkomposit gemäß Anspruch 3, worin das Halbleiterkomposit der Gruppe III-V InP ist, und die heteroepitaxialen Kristalle aus InGaAs sind.

9. Epitaxiales Blättchen aus Halbleiterkomposit nach Anspruch 4, worin das Halbleiterkomposit der Gruppe III-V aus InP ist, und die heteroepitaxialen Kristalle aus InGaAsP sind.

10. Epitaxiales Blättchen aus Halbleiterkomposit mit einem Einzelkristallsubstrat aus Halbleiterkomposit und einer heteroepitaxiale Kristallschicht, die auf dem Einzelkristallsubstrat aus Halbleiterkomposit gebildet ist,

gekennzeichnet durch

- Einrichtung zum Unterdrücken der Ausbreitung von Kristalldefekten in einen versetzungsfreien Teil der heteroepitaxialen Kristallschicht,

- wobei die Unterdrückungseinrichtung eine Einrichtung zum Abschneiden der Kristallverbindung in der heteroepitaxialen Kristallschicht umfaßt.

11. Epitaxiales Blättchen aus Halbleiterkomposit nach Anspruch 10, worin die Einrichtung zum Unterdrücken der Ausbreitung der Kristalldefekte eine Vertiefung umfaßt, welche die guten Teile ohne Kristalldefekte umgibt.

12. Epitaxiales Blättchen aus Halbleiterkomposit nach Anspruch 10, worin die Unterdrückungseinrichtung zum Abschneiden der Kristallverbindung einen entfernten Teil umfaßt, welcher nahe dem äußeren Rand des Blättchens liegt.

13. Epitaxiales Blättchen aus Halbleiterkomposit nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung zum Abschneiden der Kristallverbindung einen Film aus SixNy, SixOy umfaßt, welcher einen äußeren Umfangsteil des Substrates abdeckt, wobei der Film ein selektives Aufwachsen der heteroepitaxialen Kristallschicht nur auf einem versetzungsfreien Teil des Substrates erlaubt.