DE19905516C2 - Lichtemittierende Diode mit dotierter Grenzflächenschicht zum Steuern von Verunreinigungen und Verfahren zum Herstellen derselben - Google Patents

Lichtemittierende Diode mit dotierter Grenzflächenschicht zum Steuern von Verunreinigungen und Verfahren zum Herstellen derselben

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Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf die Herstellung von optoelektronischen Bauelementen und insbesondere auf das Umgehen mit Belastungen und das Steuern von Verunreinigungen in den aufgewachsenen Schichten.
Gegenwärtig existiert kein Substratmaterial, das die Gitter­ konstanten und thermischen Ausdehnungskoeffizienten der Ver­ bindungen und Legierungen in dem III-V-Nitridmaterialsystem anpassen kann. Somit ist die Fähigkeit, hochqualitative Filme der III-V-Nitride (AlInGaN) durch Standardepitaxie­ techniken (z. B. organisch-metallische Dampfphasenepitaxie (OVPE), Molekularstrahlepitaxie (MBE) und Hydriddampfphasen­ epitaxie (HVPE)) auf fehlangepaßte Substrate, wie z. B. Saphir und Siliziumcarbid, aufzuwachsen, eine Schlüsselkom­ ponente, um hochqualitative Schichten zu erzeugen, und um ein optimales Bauelementeverhalten zu erreichen. Das Wachs­ tum von AlInGaN-Schichten bei typischen Wachstumstempera­ turen (< 1.000°C) resultiert in Filmen, die aus einer mosa­ ikartigen Ansammlung von hexagonalen Kristallisationskernen bestehen. Diese Schichten zeigen eine sehr rauhe Morpho­ logie, sehr hohe Hintergrund-Donatorkonzentrationen, und dieselben sind für eine Sprungbildung sehr anfällig.
Die Verwendung von Kernbildungs- oder Pufferschichten, die bei niedrigen Temperaturen (400 bis 900°C) auf Saphir und bei höheren Temperaturen auf Siliziumkarbid aufgebracht wer­ den, bevor das Wachstum bei hoher Temperatur durchgeführt wird, erlaubt es, daß das Kristallwachstum mit dramatisch verbesserter Qualität der epitaxialen Nitridfilme durchge­ führt werden kann. Gegenwärtig bestehen diese Pufferschich­ ten aus AlN, GaN oder einer bestimmten Zusammensetzung zwi­ schen den zwei Binärmaterialien. Die Einfügung dieser Nie­ dertemperatur-Pufferschicht liefert die Einrichtung, durch die drastische Differenzen in 1) Gitterparameter, 2) ther­ mischer Ausdehnung, 3) Oberflächenenergie und 4) Kristallo­ graphie zwischen dem Substrat, z. B. Saphir, und der Ni­ trid-Epischicht überwunden werden.
Nitridbasierte lichtemittierende Dioden (LEDs) umfassen ty­ pischerweise ein Substrat, eine Kernbildungs- oder Puffer­ schicht, eine n-Typ-Leitschicht, eine aktive Schicht, eine p-Typ-Leitschicht und Metallkontakte auf der n- und der p- Typ-Schicht. Eine schematische Darstellung einer allgemeinen LED ist in Fig. 1 gezeigt. Nitrid-LEDs haben typischerweise die in Fig. 2 gezeigte Struktur. Die Kernbildungsschicht ist üblicherweise aus AlN, GaN oder AlGaN.
Eine zusätzliche Komplikation beim Umgang mit der Nitrid­ epitaxie ist das Problem der Sprungbildung. Eine Sprungbil­ dung tritt auf, wenn die epitaxialen Filme unter Spannung gezogen werden, und zwar aufgrund: 1) einer Gitterfehlanpas­ sung zwischen Substrat und Film, 2) einer Fehlanpassung des thermischen Ausdehnungskoeffizienten zwischen Substrat und Film, 3) hohen Dosierpegeln und 4) einer Gitterfehlanpassung aufgrund beabsichtigter Zusammensetzungsmodulationen während des Wachstums eines Nitridbauelements. Typische nitridba­ sierte Bauelemente zeigen stark dotierte Schichten, in denen die Dotierungskonzentrationen oft 1018-1019 cm-3 über­ schreiten, und mehrere Zusammensetzungs-Heterogrenzflächen. Obwohl diese Probleme, die einer Gitter- und thermischen Fehlanpassung zugeordnet sind, unter Verwendung existieren­ der Kernbildungsschichttechnologien unter Steuern der Erwär­ mungs- und Abkühlungssituationen, die dem Wachstum zugeord­ net sind, adäquat angegangen werden können, kann eine Sprungbildung aufgrund einer Dotierung und aufgrund beab­ sichtigter Zusammensetzungsschwankungen nicht durch solche Verfahren gelöst werden.
Die Sprungbildung stellt ein wesentliches Problem dar, wenn GaN-Schichten mit Si (das einen Ionenradius hat, der 30% kleiner als der von Gallium ist, wobei Gallium das Atom ist, anstatt dessen Silizium eingesetzt wird) n-Typ-dotiert sind, und wenn Schichten unterschiedlicher Zusammensetzungen auf­ einander aufgebracht werden. Der zweite Fall ist besonders problematisch, wenn die oben aufgewachsene Schicht einen kleineren a-Achsen-Gitterparameter als die Schicht hat, auf der sie aufgewachsen ist, z. B. AlN oder AlGaN auf GaN, auf­ grund der sehr starren Elastizitätskonstanten, die die III- V-Nitride zeigen. Zusätzlich zeigen Heterostrukturen, die aus Nitridschichten bestehen, allgemein eine Ausrichtung entlang der a-Achse, die parallel zu der Substrat-Film- Grenzfläche ist, und dieselben sind nur entlang der c-Achse verzerrt, die senkrecht zu der Substrat-Film-Grenzfläche ist. Wenn somit eine Schicht einen kleineren relaxierten a-Achsen-Parameter hat als die Schicht, auf der sie aufge­ wachsen ist, wird eine Zugspannung in dieser Schicht einge­ führt, um die Grenzfläche in Ausrichtung zu halten.
Ein weiteres Problem, das beim Aufwachsen von Kristallen auftritt, ist typischerweise das Problem der unerwünschten Verunreinigungen in ansonsten reinen Kristallen. Unter den üblichen Verunreinigungen, die während des Verfahrens des Kristallwachstums auftreten können, und zwar unabhängig von dem verwendeten Verfahren, wird Sauerstoff als die problema­ tischste Verunreinigung angesehen. Sauerstoff kann die Fä­ higkeit wesentlich begrenzen, die Leitfähigkeit, die Bela­ stung und die optische Lumineszenz zu steuern. Sauerstoff­ quellen können Reaktandenquellen, Reaktorwände und Hardware, Graphit-Suszeptoren oder Boote und sogar die Substratwafer selbst sein. Weitere Sauerstoffquellen sind denkbar.
Die DE 196 29 720 A1 zeigt eine lichtemittierende Halblei­ tervorrichtung mit einer aktiven InGaAlN-Schicht, die auf einem Saphirsubstrat ausgebildet ist, wobei eine ZnO-Puffer­ schicht für eine Gitteranpassung auf dem Substrat ausge­ bildet ist.
Die DE 197 25 578 A1 betrifft die Reduzierung der Rißbildung im Material von III-V-Halbleiterbauelementen bei einer gleichzeitigen Maximierung einer elektrischen Dotierung. Das betreffende Bauelement umfaßt ein Substrat, auf dem eine aktive Schicht aus AlGaIn aufgebracht ist, wobei zusätzlich eine Pufferschicht zwischen der aktiven Schicht und dem Substrat angeordnet ist.
Die EP 0 731 512 A2 offenbart eine lichtemittierende Diode mit einer Doppel-Heterostruktur und einer InGaN-Puffer­ schicht, auf der die lichtemittierende Schicht gebildet ist.
In dem Artikel "Improvements in AlGaAs laser diodes grown by molecular beam epitaxy using a compositionally graded buffer layer" von T. Hayakawa u. a. in Applied Physics Letters 49 (4), 1986, S. 191-193 werden AlGaAs-Laserdioden beschrieben, die eine Pufferschicht aufweisen.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine lichtemittierende Diode mit einer höheren Zuverlässigkeit und Reproduzierbarkeit zu schaffen, sowie ein Verfahren zu deren Herstellung.
Diese Aufgabe wird durch eine lichtemittierende Diode gemäß Anspruch 1 und gemäß Anspruch 4 sowie durch ein Verfahren gemäß Anspruch 2 gelöst.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine Grenzflächen­ schicht zu einer lichtemittierenden Diode oder einer Laser­ diodenstruktur hinzugefügt, um die Rolle des Umgehens mit Belastungen und des Getterns von Verunreinigungen zu über­ nehmen. Eine Schicht aus AlxInyGa1-x-yN (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1), die mit Mg, Zn, Cd dotiert ist, kann für diese Schicht verwendet werden. Die Grenzflächenschicht wird direkt auf der Pufferschicht vor dem Wachstum der n-Typ- (GaN : Si-) Schicht und dem Rest der Bauelementestruktur aufgebracht. Die Dicke der Grenzflächenschicht variiert von 0,01 bis 10,0 µm.
Die Grenzflächenschicht erhöht die Bauelementezuverlässig­ keit und Reproduzierbarkeit, da die Probleme, die der Sprungbildung, des Schichtzusammenwachsens und des Einfan­ gens von Verunreinigungen zugeordnet sind, in eine Region des Bauelements verlagert sind, die während des Bauelemente­ betriebs nicht aktiv ist. Zur Veranschaulichung dient die Grenzflächenschicht zum "Gettern" oder zum "Einfangen" der Restverunreinigungen (z. B. O) in der Anfangsschicht der Struktur. Zusätzlich reinigt dieses Verfahren ferner die Kammer- und die Reaktorkomponenten, indem sie dieselben frei von unerwünschten Verunreinigungen macht, die ansonsten sgä­ ter vorhanden sein würden, wenn die kritischeren Schichten, z. B. die aktive Schicht oder die p-Typ-Schichten, in der Struktur aufgewachsen werden. Die bevorzugten Ausführungs­ beispiele für diese Schicht umfassen GaN : Mg und AlGaN : Mg für die Zusammensetzung der Grenzflächenschicht, da sowohl Mg als auch Al eine hohe Affinität für Sauerstoff haben. Zu­ sätzlich reduziert die Verwendung dieser Grenzflächenschicht die Belastung und verringert die Antriebskraft zum Sprung­ bilden durch Verändern des Wesens des Belastungszustands der Nitrid-Epischicht.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend bezugnehmend auf die beiliegenden Zeich­ nungen detailliert erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine allgemeine lichtemittierende Diode gemäß dem Stand der Technik;
Fig. 2 eine typische nitridbasierte LED gemäß dem Stand der Technik;
Fig. 3 eine lichtemittierende Diode gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 4 ein SIMS-Profil einer GaN : Mg-Schicht, wo die Anwe­ senheit von O an der Grenzfläche deutlich zu sehen ist;
Fig. 5 das Tiefenprofil für Mg einer bekannten LED; und
Fig. 6 das Tiefenprofil für Mg unter Verwendung des Ver­ fahrens der vorliegenden Erfindung.
Fig. 3 stellt ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Er­ findung 10 dar. Eine Grenzflächenschicht 16 ist einer licht­ emittierenden Diodenstruktur oder einer Laserdiodenstruktur hinzugefügt worden, um die Rolle des Umgehens mit Belastun­ gen und des Getterns von Verunreinigungen zu übernehmen. Eine Schicht aus AlxInyGa1-x-yN (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1), die mit Mg, Zn, Cd dotiert ist, kann als Grenzflächenschicht verwendet werden. Die Grenzflächenschicht 16 wird vor dem Wachstum der n-Typ- (GaN : Si-) Schicht 18, der aktiven Region 20 und der p-Typ-Schicht 22 direkt auf der Pufferschicht 14 aufgebracht. Die Dicke der Grenzflächenschicht variiert von 0,01 bis 10,0 µm und hat einen bevorzugten Dickenbereich von 0,25 bis 1,0 µm. Metallkontaktschichten 24A, 24B sind auf der p-Typ-Schicht 22 bzw. auf der n-Typ-Schicht 18 aufgebracht.
Die Grenzflächenschicht erhöht die Bauelementezuverlässig­ keit und die Reproduzierbarkeit durch "Gettern" oder Einfan­ gen der Restverunreinigungen, z. B. Sauerstoff, in der Anfangsschicht der Struktur. Das Verfahren reinigt ferner die Kammer- und die Reaktorkomponenten, indem sie dieselben von weiteren Verunreinigungen frei macht, die ansonsten spä­ ter vorhanden sein würden, wenn die kritischeren Schichten, z. B. die aktive Schicht oder die p-Typ-Schichten, in der Struktur aufgewachsen werden. Das bevorzugte Ausführungsbei­ spiel verwendet GaN : Mg als Zusammensetzung der Grenzflächen­ schicht, da Mg eine hohe Affinität für Sauerstoff hat. Allgemein sind die Quellen, die durch die Anwesenheit von sauerstoffenthaltenden Verunreinigungen ungünstig beeinflußt werden, z. B. die, die Mg, Zn und Al enthalten, einfacher zu verwenden und für Vorreaktionen und schließlich eine Gasphasenverarmung weniger anfällig, nachdem die Grenzflächenschicht aufgewachsen ist.
Fig. 4 zeigt ein Sekundärionenmassenspektrometrie-Profil (SIMS-Profil; SIMS = Secondary Ion Mass Spectrometry) einer GaN : Mg-Schicht, in dem die Anwesenheit von Sauerstoff an der Grenzfläche deutlich zu sehen ist. Nach den ersten 0,25 bis 0,35 µm ist die Konzentration von Sauerstoff auf den SIMS- Hintergrundpegel reduziert, was anzeigt, daß der Sauerstoff in diesem nicht-kritischen Abschnitt der Struktur eingefan­ gen worden ist. Fig. 5 zeigt das Mg-Profil in einer GaN-ba­ sierten LED. Die Mg-dotierte Region auf der rechten Seite der Figur ist die Grenzflächenschicht gemäß der vorliegenden Erfindung. Das In-Profil ist als Markierer vorhanden und zeigt die Position der aktiven Region an.
Wenn die GaN : Si-Schicht direkt auf die Pufferschicht aufge­ bracht wird (was für GaN-basierte optoelektronische Bauele­ mente typisch ist), besteht die Tendenz, daß die Sprungbil­ dung ein Problem ist. Si hat einen kleineren Atomradius als Ga (0,041 gegenüber 0,062 nm). Filme, die mit Si dotiert sind, werden in einem Spannungszustand aufgewachsen, welcher ein ungünstiger Zustand für zerbrechliche Materialien, z. B. GaN, ist. Die Größe der Ionenradien von Mg und Zn sind mit denen des Atoms vergleichbar, anstatt dessen dieselben eingebracht werden, wenn dotiert wird (Ga = 0,062 nm; Mg = 0,066 nm; Zn = 0,076 nm). Zusätzlich beträgt der Ionenradius von Cd 0,094 nm. Ein Einfügen dieser Atome in die GaN-Schicht verschiebt den Spannungszustand, der den Dotierstoffverunreinigungen zugeordnet ist, in eine Kompression, welche ein sehr günstiger Zustand für GaN ist. Auf ähnliche Art und Weise wird die GaN-Schicht in einem Zustand der Kompression sein, wenn GaN auf AlGaN auf­ gewachsen ist, wobei AlGaN eine kleinere Gitterkonstante als GaN hat, was in einer wesentlichen Reduktion der Sprung­ bildung resultiert.
Im Stand der Technik besteht ein Hauptproblem, das in allen Herstellungsprozessen, die Mg als Dotierstoffquelle verwen­ den, zu sehen ist, im Punkt der Einschaltzeit. Aufgrund sei­ nes reaktiven Wesens und seiner starken Anziehung zu Feuch­ tigkeit und Sauerstoff sowie zu der Reaktorverblombung und den Reaktorwänden ist Mg eine Verunreinigung, die während des Kristallwachstums sehr schwer gesteuert werden kann. Oft nimmt das chemische Profil für Mg eine längere Zeit und eine wesentliche Filmdicke ein, bevor eine Gleichgewichtskonzen­ tration erreicht wird. Da die Trägermobilität und Lebens­ dauer für Löcher in GaN : Mg im allgemeinen niedrig sind, ist die Plazierung von Mg und daher die Position des p-n-Über­ gangs für einen effizienten LED-Betrieb wesentlich. Da die Dicke der Grenzflächenschicht im allgemeinen größer als die Dicke ist, die erforderlich ist, um die Gleichgewichtskon­ zentration von Magnesium zu erreichen, kann die vorliegende Erfindung verwendet werden, um die Zeit wesentlich zu redu­ zieren, die benötigt wird, um eine Gleichgewichtskonzentra­ tion zu erreichen. Das Resultat ist ein viel schärferes Mg- Profil, wodurch ein scharfer Übergang zwischen der n- und der p-Typ-Schicht in der Struktur erzeugt wird, wodurch der Bauelementewirkungsgrad erhöht wird. Ein Vergleich zwischen den Profilen unter Verwendung des Stands der Technik und unter Verwendung des hier beschriebenen Verfahrens ist in Fig. 5 gegeben. Beide y-Achsen sind normiert, um eine ab­ solute Mg-Konzentration von 5 × 1018-5 × 1021 cm-3 wieder­ zugeben.

Claims (4)

1. Lichtemittierende Diode (10) mit folgenden Merkmalen:
einem Substrat (12);
einer Pufferschicht (14), die über dem Substrat gebil­ det ist;
einer Grenzflächenschicht (16), die über der Puffer­ schicht gebildet ist und entweder eine Zusammensetzung hat, die aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Legie­ rungen aus GaN, GaP und GaAs umfaßt oder aus einer AlInGaN-basierten Verbindung besteht;
einer n-Typ-Schicht (18), die über der Grenzflächen­ schicht gebildet ist;
einer aktiven Region (20), die über der n-Typ-Schicht gebildet ist;
einer p-Typ-Schicht (22), die über der aktiven Region gebildet ist; und
zwei elektrischen Kontakten (24A, 24B), von denen ei­ ner mit der n-Typ-Schicht verbunden ist, während der andere mit der p-Typ-Schicht verbunden ist;
wobei die Grenzflächenschicht ferner einen Dotierstoff umfaßt, der einen Ionenradius in der Größenordnung des Atoms hat, das ersetzt wird, wobei der Dotierstoff aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Mg, Zn und Cd umfaßt.
2. Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Halbleiterbauelements (10) mit folgenden Schritten: Bilden einer Pufferschicht (14) über einem transparen­ ten Substrat (12);
Bilden einer Grenzflächenschicht (16) über der Puffer­ schicht (14), wobei die Grenzflächenschicht (16) eine Zusammensetzung hat, die eine Affinität für ausgewähl­ te Verunreinigungen hat;
Bilden einer n-Typ-Schicht (18) über der Grenzflächen­ schicht (16);
Bilden einer aktiven Region (20) über der n-Typ- Schicht (18);
Bilden einer p-Typ-Schicht (22) über der aktiven Re­ gion (20); und
Aufbringen von zumindest zwei Metallkontaken (24A, 24B), wobei einer der Metallkontakte mit der n-Typ- Schicht verbunden ist, während der andere der Metall­ kontakte mit der p-Typ-Schicht verbunden ist;
wobei die Zusammensetzung der Grenzflächenschicht eine GaN : Mg-basierte Verbindung ist.
3. Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Halbleiterbauelements gemäß Anspruch 2, bei dem die Zusammensetzung der Grenzflächenschicht eine AlInGaN­ basierte Verbindung ist.
4. Lichtemittierende Diode (10) mit folgenden Merkmalen:
einem transparenten Substrat (12);
einer Pufferschicht (14), die über dem transparenten Substrat (12) gebildet ist;
einer Grenzflächenschicht (16), die über der Puffer­ schicht (14) gebildet ist und eine Zusammensetzung aufweist, die eine Affinität für spezifische Verunrei­ nigungen hat;
einer ersten Schicht (18) mit einem ersten Typ, die über der Grenzflächenschicht (16) gebildet ist;
einer aktiven Region (20), die über der ersten Schicht (18) gebildet ist;
einer zweiten Schicht (22) mit einem zweiten Typ, die über der aktiven Region (20) gebildet ist; und
einem ersten und einem zweiten elektrischen Kontakt (24A, 24B), wobei der erste Kontakt mit der ersten Schicht verbunden ist, während der zweite Kontakt mit der zweiten Schicht verbunden ist;
wobei die Grenzflächenschicht (16) ferner einen Do­ tierstoff aufweist, der einen Ionenradius hat, der zu dem Ionenradius des Stoffes ähnlich ist, den derselbe ersetzt, wobei der Dotierstoff eine Affinität zu Sauerstoff hat.
DE19905516A 1998-06-05 1999-02-10 Lichtemittierende Diode mit dotierter Grenzflächenschicht zum Steuern von Verunreinigungen und Verfahren zum Herstellen derselben Expired - Lifetime DE19905516C2 (de)

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Families Citing this family (87)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3770014B2 (ja) * 1999-02-09 2006-04-26 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
US6133589A (en) * 1999-06-08 2000-10-17 Lumileds Lighting, U.S., Llc AlGaInN-based LED having thick epitaxial layer for improved light extraction
US6465809B1 (en) * 1999-06-09 2002-10-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Bonding type semiconductor substrate, semiconductor light emitting element, and preparation process thereof
JP4576674B2 (ja) * 2000-06-26 2010-11-10 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子
US6841808B2 (en) * 2000-06-23 2005-01-11 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group III nitride compound semiconductor device and method for producing the same
GB2365208A (en) * 2000-07-19 2002-02-13 Juses Chao Amorphous alingan light emitting diode
DE10056475B4 (de) * 2000-11-15 2010-10-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement auf GaN-Basis mit verbesserter p-Leitfähigkeit und Verfahren zu dessen Herstellung
US6791119B2 (en) * 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
US6794684B2 (en) 2001-02-01 2004-09-21 Cree, Inc. Reflective ohmic contacts for silicon carbide including a layer consisting essentially of nickel, methods of fabricating same, and light emitting devices including the same
JP2002289955A (ja) * 2001-03-23 2002-10-04 Sharp Corp 半導体レーザ素子とその製造方法および光学式情報再生装置
US6653166B2 (en) * 2001-05-09 2003-11-25 Nsc-Nanosemiconductor Gmbh Semiconductor device and method of making same
US6784074B2 (en) 2001-05-09 2004-08-31 Nsc-Nanosemiconductor Gmbh Defect-free semiconductor templates for epitaxial growth and method of making same
US6630692B2 (en) * 2001-05-29 2003-10-07 Lumileds Lighting U.S., Llc III-Nitride light emitting devices with low driving voltage
US7067849B2 (en) 2001-07-17 2006-06-27 Lg Electronics Inc. Diode having high brightness and method thereof
US7211833B2 (en) 2001-07-23 2007-05-01 Cree, Inc. Light emitting diodes including barrier layers/sublayers
US6740906B2 (en) 2001-07-23 2004-05-25 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for submount bonding
US6949395B2 (en) 2001-10-22 2005-09-27 Oriol, Inc. Method of making diode having reflective layer
US7148520B2 (en) 2001-10-26 2006-12-12 Lg Electronics Inc. Diode having vertical structure and method of manufacturing the same
US20030090103A1 (en) * 2001-11-09 2003-05-15 Thomas Becker Direct mailing device
US7030428B2 (en) * 2001-12-03 2006-04-18 Cree, Inc. Strain balanced nitride heterojunction transistors
EP2261989B1 (de) 2002-04-30 2014-07-16 Cree, Inc. Hochspannungsschaltungsvorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
US6841001B2 (en) 2002-07-19 2005-01-11 Cree, Inc. Strain compensated semiconductor structures and methods of fabricating strain compensated semiconductor structures
KR100497890B1 (ko) * 2002-08-19 2005-06-29 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US20060048700A1 (en) * 2002-09-05 2006-03-09 Wanlass Mark W Method for achieving device-quality, lattice-mismatched, heteroepitaxial active layers
KR100525545B1 (ko) * 2003-06-25 2005-10-31 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100576857B1 (ko) * 2003-12-24 2006-05-10 삼성전기주식회사 ＧａＮ 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US6943381B2 (en) * 2004-01-30 2005-09-13 Lumileds Lighting U.S., Llc III-nitride light-emitting devices with improved high-current efficiency
US7119374B2 (en) * 2004-02-20 2006-10-10 Supernova Optoelectronics Corp. Gallium nitride based light emitting device and the fabricating method for the same
US6989555B2 (en) * 2004-04-21 2006-01-24 Lumileds Lighting U.S., Llc Strain-controlled III-nitride light emitting device
US7344902B2 (en) 2004-11-15 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Overmolded lens over LED die
US7858408B2 (en) * 2004-11-15 2010-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens
US7352011B2 (en) * 2004-11-15 2008-04-01 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wide emitting lens for LED useful for backlighting
US7452737B2 (en) * 2004-11-15 2008-11-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Molded lens over LED die
US7244630B2 (en) * 2005-04-05 2007-07-17 Philips Lumileds Lighting Company, Llc A1InGaP LED having reduced temperature dependence
US7952112B2 (en) * 2005-04-29 2011-05-31 Philips Lumileds Lighting Company Llc RGB thermal isolation substrate
JP2007081180A (ja) * 2005-09-15 2007-03-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光素子
US8334155B2 (en) * 2005-09-27 2012-12-18 Philips Lumileds Lighting Company Llc Substrate for growing a III-V light emitting device
US20070069225A1 (en) * 2005-09-27 2007-03-29 Lumileds Lighting U.S., Llc III-V light emitting device
US20070076412A1 (en) * 2005-09-30 2007-04-05 Lumileds Lighting U.S., Llc Light source with light emitting array and collection optic
US7543959B2 (en) * 2005-10-11 2009-06-09 Philips Lumiled Lighting Company, Llc Illumination system with optical concentrator and wavelength converting element
KR20080106402A (ko) 2006-01-05 2008-12-05 일루미텍스, 인크. Ｌｅｄ로부터 광을 유도하기 위한 개별 광학 디바이스
CN101553928B (zh) * 2006-10-02 2011-06-01 伊鲁米特克有限公司 Led系统和方法
US20090275266A1 (en) * 2006-10-02 2009-11-05 Illumitex, Inc. Optical device polishing
US7534638B2 (en) * 2006-12-22 2009-05-19 Philips Lumiled Lighting Co., Llc III-nitride light emitting devices grown on templates to reduce strain
EP2240968A1 (de) * 2008-02-08 2010-10-20 Illumitex, Inc. System und verfahren zur bildung einer emitterschicht
US20090230409A1 (en) * 2008-03-17 2009-09-17 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Underfill process for flip-chip leds
US9048169B2 (en) * 2008-05-23 2015-06-02 Soitec Formation of substantially pit free indium gallium nitride
JP2012501089A (ja) * 2008-08-28 2012-01-12 ソイテック 塩化物ガス流の紫外線吸収によるモニタおよび制御
US7858409B2 (en) * 2008-09-18 2010-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. White point compensated LEDs for LCD displays
TW201034256A (en) * 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
US8431423B2 (en) * 2009-07-16 2013-04-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Reflective substrate for LEDS
US20110031516A1 (en) 2009-08-07 2011-02-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led with silicone layer and laminated remote phosphor layer
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US8449128B2 (en) * 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US20110049545A1 (en) * 2009-09-02 2011-03-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led package with phosphor plate and reflective substrate
US20110057213A1 (en) * 2009-09-08 2011-03-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Iii-nitride light emitting device with curvat1jre control layer
FR2953328B1 (fr) * 2009-12-01 2012-03-30 S O I Tec Silicon On Insulator Tech Heterostructure pour composants electroniques de puissance, composants optoelectroniques ou photovoltaiques
US8232117B2 (en) 2010-04-30 2012-07-31 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED wafer with laminated phosphor layer
TW201216526A (en) 2010-08-20 2012-04-16 Koninkl Philips Electronics Nv Lamination process for LEDs
US9082948B2 (en) 2011-02-03 2015-07-14 Soitec Methods of fabricating semiconductor structures using thermal spray processes, and semiconductor structures fabricated using such methods
US9142412B2 (en) 2011-02-03 2015-09-22 Soitec Semiconductor devices including substrate layers and overlying semiconductor layers having closely matching coefficients of thermal expansion, and related methods
US8436363B2 (en) 2011-02-03 2013-05-07 Soitec Metallic carrier for layer transfer and methods for forming the same
US8907362B2 (en) 2012-01-24 2014-12-09 Cooledge Lighting Inc. Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods
US8896010B2 (en) 2012-01-24 2014-11-25 Cooledge Lighting Inc. Wafer-level flip chip device packages and related methods
US20130187540A1 (en) 2012-01-24 2013-07-25 Michael A. Tischler Discrete phosphor chips for light-emitting devices and related methods
EP2822026B1 (de) * 2012-02-29 2018-03-14 Kyocera Corporation Verbundsubstrat
US9312432B2 (en) * 2012-03-13 2016-04-12 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Growing an improved P-GaN layer of an LED through pressure ramping
US9343613B2 (en) 2012-03-29 2016-05-17 Koninklijke Philips N.V. Phosphor in inorganic binder for LED applications
US9337398B2 (en) 2012-03-29 2016-05-10 Koninklijke Philips N.V. Phosphor in inorganic binder for LED applications
CN104396035B (zh) 2012-07-05 2019-11-05 亮锐控股有限公司 通过透明间隔物从led分离的磷光体
KR102281726B1 (ko) * 2012-07-11 2021-07-26 루미리즈 홀딩 비.브이. Iii-질화물 구조체들에서의 나노파이프 결함들의 감소 또는 제거
JP6223075B2 (ja) * 2012-10-09 2017-11-01 キヤノン株式会社 発光素子の製造方法及び発光素子
WO2014057748A1 (ja) * 2012-10-12 2014-04-17 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物複合基板およびその製造方法、ならびにｉｉｉ族窒化物半導体デバイスの製造方法
US9412911B2 (en) 2013-07-09 2016-08-09 The Silanna Group Pty Ltd Optical tuning of light emitting semiconductor junctions
US9343443B2 (en) 2014-02-05 2016-05-17 Cooledge Lighting, Inc. Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods
JP7071118B2 (ja) * 2014-08-19 2022-05-18 ルミレッズ ホールディング ベーフェー ダイレベルのレーザリフトオフ中の機械的損傷を減少させるサファイアコレクタ
CN104733576B (zh) * 2015-02-28 2017-07-25 华灿光电(苏州）有限公司 发光二极管外延片及其制备方法
US9873170B2 (en) 2015-03-24 2018-01-23 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting element
JP6146455B2 (ja) * 2015-03-24 2017-06-14 日亜化学工業株式会社 発光素子の製造方法
CN107924865B (zh) * 2015-05-13 2022-03-11 亮锐控股有限公司 用于减少在管芯水平激光剥离期间机械损伤的蓝宝石收集器
CN107851699B (zh) * 2015-09-15 2019-06-04 信越半导体株式会社 发光组件的安装方法
CN109791968A (zh) 2016-07-26 2019-05-21 克利公司 发光二极管、组件和相关方法
US11121298B2 (en) 2018-05-25 2021-09-14 Creeled, Inc. Light-emitting diode packages with individually controllable light-emitting diode chips
US11335833B2 (en) 2018-08-31 2022-05-17 Creeled, Inc. Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices
USD902448S1 (en) 2018-08-31 2020-11-17 Cree, Inc. Light emitting diode package
US11233183B2 (en) 2018-08-31 2022-01-25 Creeled, Inc. Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices
US11101411B2 (en) 2019-06-26 2021-08-24 Creeled, Inc. Solid-state light emitting devices including light emitting diodes in package structures

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0731512A2 (de) * 1995-03-10 1996-09-11 Hewlett-Packard Company Lichtemittierende Diode
DE19629720A1 (de) * 1995-07-27 1997-02-13 Nec Corp Lichtemittierende Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
DE19725578A1 (de) * 1996-09-06 1998-03-12 Hewlett Packard Co Reduzierung der Rißbildung im Material von III-V-Nitrid-Halbleiterbauelementen bei gleichzeitiger Maximierung der elektrischen Dotierung

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63198320A (ja) * 1987-02-13 1988-08-17 Mitsubishi Electric Corp 結晶成長方法
JPS6484773A (en) * 1987-09-28 1989-03-30 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor laser device and manufacture thereof
JPH01103998A (ja) * 1987-10-16 1989-04-21 Furukawa Electric Co Ltd:The ３−５族化合物半導体ｐ型結晶の作成方法
JPH01212483A (ja) * 1988-02-19 1989-08-25 Nec Corp 半導体装置
JP2653562B2 (ja) * 1991-02-05 1997-09-17 三菱電機株式会社 半導体レーザおよびその製造方法
JPH05175607A (ja) * 1991-06-18 1993-07-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体多層膜の形成方法および半導体レーザの製造方法
US5381756A (en) * 1992-03-04 1995-01-17 Fujitsu Limited Magnesium doping in III-V compound semiconductor
US5436466A (en) * 1992-08-19 1995-07-25 Goldstar Co., Ltd. Semiconductor laser diode
US5488233A (en) * 1993-03-11 1996-01-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting device with compound semiconductor layer
JPH07176821A (ja) * 1993-12-20 1995-07-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザ装置及びその製造方法
US5656832A (en) * 1994-03-09 1997-08-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor heterojunction device with ALN buffer layer of 3nm-10nm average film thickness
JPH08167392A (ja) * 1994-12-13 1996-06-25 Canon Inc 画像表示装置およびその製造方法
TW290743B (de) * 1995-03-27 1996-11-11 Sumitomo Electric Industries
US5670798A (en) 1995-03-29 1997-09-23 North Carolina State University Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact non-nitride buffer layer and methods of fabricating same
JPH08288544A (ja) * 1995-04-14 1996-11-01 Toshiba Corp 半導体発光素子
JP3719613B2 (ja) 1995-04-24 2005-11-24 シャープ株式会社 半導体発光素子
JP3771952B2 (ja) * 1995-06-28 2006-05-10 ソニー株式会社 単結晶ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体層の成長方法、発光素子の製造方法およびトランジスタの製造方法
EP0762516B1 (de) * 1995-08-28 1999-04-21 Mitsubishi Cable Industries, Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung auf Basis einer Nitridverbindung der Gruppe III
JP3399216B2 (ja) 1996-03-14 2003-04-21 ソニー株式会社 半導体発光素子
JP3216700B2 (ja) * 1996-05-22 2001-10-09 サンケン電気株式会社 半導体発光素子
JPH1033988A (ja) * 1996-07-24 1998-02-10 Miki Riken Kogyo Kk 無機酸化物複合体および製造方法
JPH1065271A (ja) * 1996-08-13 1998-03-06 Toshiba Corp 窒化ガリウム系半導体光発光素子
JPH10150245A (ja) * 1996-11-21 1998-06-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化ガリウム系半導体の製造方法
US5741724A (en) * 1996-12-27 1998-04-21 Motorola Method of growing gallium nitride on a spinel substrate
TW329058B (en) * 1997-03-20 1998-04-01 Ind Tech Res Inst Manufacturing method for P type gallium nitride
JPH1140891A (ja) * 1997-07-15 1999-02-12 Nec Corp 窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法
DE19855476A1 (de) * 1997-12-02 1999-06-17 Murata Manufacturing Co Lichtemittierendes Halbleiterelement mit einer Halbleiterschicht auf GaN-Basis, Verfahren zur Herstellung desselben und Verfahren zur Ausbildung einer Halbleiterschicht auf GaN-Basis

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0731512A2 (de) * 1995-03-10 1996-09-11 Hewlett-Packard Company Lichtemittierende Diode
DE19629720A1 (de) * 1995-07-27 1997-02-13 Nec Corp Lichtemittierende Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
DE19725578A1 (de) * 1996-09-06 1998-03-12 Hewlett Packard Co Reduzierung der Rißbildung im Material von III-V-Nitrid-Halbleiterbauelementen bei gleichzeitiger Maximierung der elektrischen Dotierung

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
US-Z: HAYAKAWA, T. et al.: "Improvements in AlGaAs laser diodes grown by molecular beam epitaxy using a compositionally graded buffer layer", Appl.Phys.Lett. 49 (4) 1986, S. 191-193 *

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000031539A (ja) 2000-01-28
GB2338109A (en) 1999-12-08
GB9912940D0 (en) 1999-08-04
US6194742B1 (en) 2001-02-27
US6274399B1 (en) 2001-08-14
DE19905516A1 (de) 1999-12-09
JP4677065B2 (ja) 2011-04-27

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