DE102004046788A1 - Pufferschicht auf Basis eines ternären Nitrids eines Lichtemissions-Bauteils auf Nitridbasis, und Verfahren zum Herstellen derselben - Google Patents

Pufferschicht auf Basis eines ternären Nitrids eines Lichtemissions-Bauteils auf Nitridbasis, und Verfahren zum Herstellen derselben Download PDF

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Abstract

Es werden eine Pufferschicht auf Basis eines ternären Nitrids eines Lichtemissions-Bauteils auf Nitridbasis und ein zugehöriges Herstellverfahren angegeben. Das Bauteil verfügt über ein Substrat und mehrere Schichten, die auf diesem in der folgenden Abfolge hergestellt sind: eine auf diesem hergestellten Pufferschicht auf Basis eines ternären Nitrids, einer auf dieser hergestellten Halbleiterschicht auf Nitridbasis von erstem Leitungstyp, einer auf dieser hergestellten Halbleiterschicht auf Nitridbasis von zweitem Leistungstyp. Das Herstellungsverfahren umfasst das Einleiten einer ersten Reaktionsquelle mit einem ersten Element der Gruppe III in eine Kammer auf einer ersten Temperatur, wobei der Schmelzpunkt des ersten Elements der Gruppe III niedriger als die erste Temperatur ist, wobei das erste Element der Gruppe III auf dem Substat abgeschieden wird. Einleiten einer zweiten Reaktionsquelle mit einem zweiten Element der Gruppe III und einer dritten Reaktionsquelle mit einem Stickstoffelement in die Kammer auf einer zweiten Temperatur, um mit dem ersten Element der Gruppe III auf dem Substrat eine Pufferschicht auf Basis eines ternären Nitrids auszubilden, wobei die zweite Temperatur nicht niedriger als der Schmeldzpunkt des ersten Elements der Gruppe III ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Lichtemissions-Bauteil auf Nitridbasis sowie ein Verfahren zum Herstellen desselben, und spezieller betrifft sie ein Lichtemissions-Bauteil mit einer Pufferschicht auf Basis eines ternären Nitrids.
  • Die Anwendungen von Lichtemissionsdioden sind vielfältig, und zu ihnen gehören optische Displays, Verkehrssignale, Datenspeicher, Kommunikationsvorrichtungen, Beleuchtungsvorrichtungen sowie medizinische Geräte. Infolgedessen ist es wesentlich, die Helligkeit von Lichtemissionsdioden zu erhöhen und den Herstellprozess zu vereinfachen, um die Kosten derselben zu senken.
  • Im Allgemeinen verfügt ein bekanntes Lichtemissions-Bauteil auf Nitridbasis über eine Pufferschicht auf Nitridbasis der AlGaInN-Gruppe, die auf einem Saphirsubstrat hergestellt ist und auf der ein Epitaxieprozess auf Nitridbasis ausgeführt wird. Aufgrund von Problemen in Zusammenhang mit dem Anpassen von Kristallgitterkonstanten kann die Versetzungsdichte (die die Qualität des bekannten Lichtemissions-Bauteils auf Nitridbasis beeinflusst) nicht effizient gesenkt werden. Daher wird beim bekannten Epitaxieprozess auf Nitridbasis versucht, die Qualität des bekannten Lichtemissions-Bauteils auf Nitridbasis durch ein zweistufiges Züchtungsverfahren zu verbessern, bei dem Niedertemperatur (500 – 600°C) GaN zum Herstellen einer Pufferschicht verwendet wird, ein Heizprozess (bei dem eine Temperatur von 1000 – 1200°C) zum Bewirken einer Kristallisation ausgeführt wird sowie ein Epitaxieprozess für jede epitaktische Stapelschicht ausgeführt wird. Die Dicke und die Temperatur der Pufferschicht, die Rückführung ausgehend vom Heiz- und vom Umkristallisierungsprozess zuzüglich des Verhältnisses und der Flussrate von Gas für jede Reaktion müssen genau kontrolliert werden, wo durch der Herstellprozess kompliziert und schwierig wird, so dass infolgedessen die Herstelleffizienz nicht erhöht werden kann.
    •
  • Daher ist es eine Hauptaufgabe der beanspruchten Erfindung, eine Pufferschicht auf Basis eines ternären Nitrids eines Lichtemissions-Bauteils auf Nitridbasis zu schaffen.
  • Das Lichtemissions-Bauteil auf Nitridbasis verfügt über ein Substrat, eine auf diesem hergestellte Pufferschicht auf Basis eines ternären Nitrids sowie einen auf der Pufferschicht hergestellten Lichtemissionsstapel auf Nitridbasis. Ein Verfahren zum Herstellen der Pufferschicht auf Basis eines ternären Nitrids verfügt über Folgendes: (a) Einleiten einer ersten Reaktionsquelle mit einem ersten Element der Gruppe III in eine Kammer auf einer ersten Temperatur, damit das erste Element der Gruppe III auf der Oberfläche des Substrats abgeschieden/absorbiert wird, um eine Übergangsschicht auszubilden. Die erste Temperatur ist höher als der Schmelzpunkt des Elements der Gruppe III, um zu gewährleisten, dass sich zwischen den Elementen der Gruppe III und dem Substrat keine starken Kopplungen aufbauen. (b) Bei einer zweiten Temperatur, die nicht niedriger als der Schmelzpunkt des zweiten Elements der Gruppe III ist, werden eine zweite Reaktionsquelle mit einem zweiten Element der Gruppe III sowie eine dritte Reaktionsquelle mit einem Stickstoffelement in die Kammer auf einer zweiten Temperatur eingeleitet, um auf dem Substrat durch Reaktion mit dem ersten Element der Gruppe III eine Pufferschicht auf Basis eines ternären Nitrids auszubilden.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren kann den komplizierten und schwierigen Herstellprozess vereinfachen und die Herstelldauer im Heiz- und Abkühl- sowie im Umkristallisierprozess verkürzen. Bei der Erfindung kann Ga als zweites Element der Gruppe III entsprechend dem Herstellprozess ausgewählt werden, um nach dem Herstellen der Übergangsschicht aus dem ersten Element der Gruppe III mit der Züchtung der Hochtemperatur-GaN-Schicht fortzufahren, wobei die Pufferschicht auf Basis eines ternären Nitrids auf natürliche Weise ohne irgendeine Spezialbehandlung hergestellt werden kann, so dass der Herstellprozess vereinfacht werden kann und die Qualität eines Epitaxiefilms verbessert werden kann. Indessen können die Herstellkosten gesenkt werden.
  • Diese und andere Aufgaben der beanspruchten Erfindung werden dem Fachmann zweifelsfrei nach dem Lesen der folgenden detaillierten Beschreibung der bevorzugten Ausführungsform, die in den verschiedenen Figuren und Zeichnungen veranschaulicht ist, ersichtlich geworden sein.
    •
  • Die Erfindung wird in Bezug auf die in den beigefügten Zeichnungen dargestellten Ausführungsformen detaillierter erläutert.
  • 1 zeigt ein schematisches Diagramm einer Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Lichtemissions-Bauteils auf Nitridbasis mit einer Pufferschicht auf Basis eines ternären Nitrids.
  • 2 zeigt ein schematisches Diagramm einer Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Lichtemissions-Bauteils auf Nitridbasis mit einer Pufferschicht auf Basis eines ternären Nitrids.
  • 3, 4 und 5 sind Fotografien zum Veranschaulichen von Oberflächenmorphologien von Epitaxiewafern mit einem optischen Interferenzmikroskop.
  • 6 zeigt ein Schnittbild mit einem Transmissionselektro nenmikroskop.
  • 7 zeigt ein Diagramm des momentanen Reflexionsvermögens während eines Epitaxieprozesses.
  • 8 zeigt eine Tabelle für einen Vergleich zwischen einer durch die Erfindung geschaffenen Blaulicht-Lichtemissionsdiode und einem zweistufigen Züchtungsverfahren.
  • Es ist auf die 1 Bezug zu nehmen, die ein schematisches Diagramm eines erfindungsgemäßen Lichtemissions-Bauteils auf Nitridbasis mit einer AlGaN-Pufferschicht zeigt. Das Lichtemissions-Bauteil 1 auf Nitridbasis verfügt über ein Saphirsubstrat 10, eine auf diesem hergestellte AlGaN-Pufferschicht 11, eine auf dieser hergestellte n-Halbleiterstapelschicht 12 auf Nitridbasis mit einem Epitaxiegebiet 121 und einem n-Elektrodenkontaktgebiet 122, eine auf dem Epitaxiegebiet 121 hergestellte GaN/InGaN-Mehrquantentrog-Lichtemissionsschicht 13, eine auf dieser hergestellte p-Halbleiterstapelschicht 14 auf Nitridbasis, eine auf dieser hergestellte metallische, transparente, leitende Schicht 15, eine auf dem n-Elektrodenkontaktgebiet 122 hergestellte n-Elektrode 16 sowie eine auf der metallischen, transparenten, leitenden Schicht 15 hergestellte p-Elektrode 17.
  • Ein Verfahren zum Herstellen der oben genannten AlGaN-Pufferschicht des Lichtemissions-Bauteils auf Nitridbasis verfügt über die folgenden Schritte: (a) Einleiten einer Alhaltigen, metallorganischen Reaktionsquelle TMAl bei 800°C zum Herstellen einer an Aluminium reichen Übergangsschicht; (b) Einleiten einer Ga-haltigen, metallorganischen Reaktionsquelle TMGa und einer Stickstoff-Reaktionsquelle NH3 in einem Zustand mit niedrigem V/III(V/III<1000)-Verhältnis; (c) Erhöhen der Züchtungstemperatur auf 1050°C und Züchten einer Hochtemperatur-GaN-Schicht mit höherem V/III-Verhält nis (V/III>2000). Während des Wachstums der GaN-Schicht erfahren die Al-Atome der an Aluminium reichen Übergangsschicht und die Ga-Atome und die N-Atome im Bereich nahe an dieser eine Umordnung. Die Al-Atome diffundieren nach oben, und die Ga-Atome und die N-Atome diffundieren nach unten. Dann gehen die Al-, die Ga- und die N-Atome eine Bindung ein und bilden eine AlGaN-Pufferschicht.
  • Ein anderes Verfahren zum Herstellen der oben genannten AlGaN-Pufferschicht des Lichtemissions-Bauteils auf Nitridbasis beinhaltet die folgenden Schritte: (a) Einleiten einer Al-haltigen, metallorganischen Reaktionsquelle TMAl bei 1020° zum Herstellen einer an Aluminium reichen Übergangsschicht; (b) Einleiten einer Ga enthaltenden, metallorganischen Reaktionsquelle TMGa und einer Stickstoff-Reaktionsquelle NH3 bei derselben Temperatur wie im Schritt (a), um die Hochtemperatur-GaN-Schicht zu züchten. Während der Züchtung der GaN-Schicht erfahren die Al-Atome der an Aluminium reichen Übergangsschicht und die Ga-Atome und die N-Atome im Bereich nahe an dieser eine Umordnung. Die Al-Atome diffundieren nach oben, und die Ga-Atome und die N-Atome diffundieren nach unten. Dann gehen die Al-, Ga- und N-Atome eine Bindung ein und bilden eine AlGaN-Pufferschicht.
  • Beim Lichtemissions-Bauteil 1 auf Nitridbasis kann die transparente metallische, leitende Kontaktschicht durch eine transparente Oxid-Kontaktschicht ersetzt werden, um den Lichtemissions-Wirkungsgrad dank des höheren Transmissionsvermögens der transparenten Oxid-Kontaktschicht zu erhöhen.
  • Es ist auf die 2 Bezug zu nehmen, die ein schematisches Diagramm einer anderen Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Lichtemissions-Bauteils 3 auf Nitridbasis mit einer AlGaN-Pufferschicht zeigt. Der wesentlichste Unterschied zwischen dem in der Lichtemissions-Bauteil 1 auf Nitridbasis und dem Lichtemissions-Bauteil 3 auf Nitridbasis besteht darin, dass eine transparente Oxid-Kontaktschicht 28 des Lichtemissions-Bauteils 3 auf Nitridbasis die transparente, metallische Kontaktschicht 15 des Lichtemissions-Bauteils 1 auf Nitridbasis ersetzt, und dass zwischen der p-Halbleiterstapelschicht 14 auf Nitridbasis und der transparenten Oxid-Kontaktschicht 28 eine n-Sperr-Tunnelkontaktschicht 29 hoher Konzentration des Lichtemissions-Bauteil 3 auf Nitridbasis mit einer Dicke von weniger als 10 nm und einer Ladungsträgerkonzentration über 1 × 1019 cm–3 ausgebildet ist, so dass zwischen der transparenten Oxid-Kontaktschicht 28 und der n-Sperr-Tunnelkontaktschicht 29 ein Ohm'scher Kontakt gebildet wird. Wenn das Lichtemissions-Bauteil 3 auf Nitridbasis in Durchlassrichtung betrieben wird, befindet sich die Grenzfläche zwischen der n-Sperr-Tunnelkontaktschicht 29 hoher Konzentration und der p-Halbleiterstapelschicht 14 auf Nitridbasis in einem Sperrmodus, und es wird ein Verarmungsbereich ausgebildet. Außerdem können Ladungsträger der transparenten Oxid-Kontaktschicht 28 durch den Tunneleffekt durch die p-Halbleiterstapelschicht 14 auf Nitridbasis treten, was dafür sorgt, dass die Betriebsvorspannung des Lichtemissions-Bauteils 3 auf Nitridbasis denselben Pegel wie eine herkömmliche LED mit transparenter, metallischer Kontaktschicht erreicht. Außerdem können die AlGaN-Pufferschichten der Lichtemissions-Bauteile 1 und 3 auf Nitridbasis durch andere Pufferschichten auf Basis eines ternären Nitrids, wie InGaN- und InAlN-Pufferschichten, ersetzt werden.
  • Es ist auf die 3, 4 und 5 Bezug zu nehmen, die Fotografien zum Veranschaulichen von Oberflächenmorphologien eines Epitaxiewafers sind, der unter einem optischen Interferenzmikroskop untersucht wurde. Die 3 zeigt eine Fläche ohne irgendeine Pufferschicht. Die 4 zeigt eine Fläche mit einer bekannten GaN-Pufferschicht, die durch zweistufige Züchtung hergestellt wurde; die 5 zeigt eine Fläche mit der Erfindung in Form einer AlGaN-Pufferschicht auf Basis eines ternären Nitrids nach dem Aufwachsen einer Hochtemperatur-GaN-Schicht. Die Fläche ohne jedwede Pufferschicht ist eine trübe Fläche, was zeigt, dass es sich um eine nicht einkristalline Struktur handelt, während die Fläche mit der erfindungsgemäßen AlGaN-Pufferschicht auf Nitridbasis eine spiegelähnliche Fläche, ähnlich der bei einer herkömmlichen zweistufigen Züchtung, bildet.
  • Ferner wurde herausgefunden, dass durch das erfindungsgemäße Verfahren nicht nur eine spiegelglatte Fläche erzielt wird, sondern dass auch die Dicke der Pufferschicht kleiner als die beim Stand der Technik ist. Es ist auf die 6 Bezug zu nehmen, die ein mit einem Transmissionselektronenmikroskop aufgenommenes Schnittbild zeigt. Es ist ersichtlich dargestellt, dass die typische Dicke der durch die Erfindung erzielten Pufferschicht nur ungefähr 7 nm beträgt, im Gegensatz zum herkömmlichen zweistufigen Züchtungsverfahren mit einer Dicke der Pufferschicht von 20 – 40 nm.
  • Es ist auf die 7 Bezug zu nehmen, die ein Reflexionsspektrum durch in-situ-Betrachtung gemäß der Erfindung zeigt, wenn eine geringfügig mit Si dotierte GaN-Schicht gezüchtet wird. Es sind Signale beim Herstellen der Übergangsschicht und anschließend der Hochtemperatur-GaN-Schicht dargestellt. Die Kristallqualität wurde durch XRC- und Hall-Messungen gekennzeichnet. Die gemäß der Erfindung hergestellte GaN-Schicht verfügt über eine XRC-Halbwertsbreite (FWHM = Full Width at Half Maximum) von 232 arcsec. Die durch den Hall-Effekt gemessene Ladungsträgerbeweglichkeit kann den hohen Wert von 690 cm2/V·s erreichen. Im Vergleich dazu verfügt die gemäß dem herkömmlichen zweistufigen Züchtungsverfahren hergestellte GaN-Schicht über eine Ladungsträgerkonzentration von 1 × 101 cm–3 und eine breitere XRC-FWHM von 269 arcsec, mit niedrigerer Hall-Beweglichkeit von 620 cm2/V·s bei einer ähnlichen Ladungsträgerkonzentration von 1 × 101 cm–3. Dies zeigt stark an, dass die Kristallqualität des gemäß der Erfindung hergestellten GaN deutlich gegenüber derjenigen beim herkömmlichen zweistufigen Züchtungsverfahren verbessert ist.
  • Ferner wurde ein Vergleich für durch die Erfindung und das zweistufige Züchtungsverfahren hergestellte blaue Lichtemissionsdioden vorgenommen. Es ist auf die 8 Bezug zu nehmen, die eine Tabelle 100 zu einem Vergleich für durch die Erfindung und durch das zweistufige Züchtungsverfahren hergestellte blaue Lichtemissionsdioden zeigt. Aus der Tabelle 100 ist es erkennbar, dass hinsichtlich der Helligkeit, der Durchlassspannung bei 20 mA, dem Leckstrom bei –5 V und einer Sperrspannung bei –10 μA gemäß der Erfindung hergestellte LEDs vergleichbar mit denen unter Verwendung des herkömmlichen zweistufigen Züchtungsverfahrens sind. Außerdem sind auch die Zuverlässigkeitseigenschaften einer gemäß der Erfindung hergestellten blauen LED vergleichbar mit denen beim herkömmlichen zweistufigen Züchtungsverfahren. Daher werden durch die Erfindung Bauteile mit ähnlichen Eigenschaften wie denen beim Stand der Technik erzielt, wobei jedoch ein vereinfachter Prozess verwendet ist.
  • Bei den oben angegebenen Ausführungsformen verfügt die p-Halbleiterstapelschicht auf Nitridbasis ferner über eine p-Kontaktschicht 2 und eine p-Mantelschicht auf Nitridbasis, während die n-Halbleiterstapelschicht auf Nitridbasis ferner über eine n-Kontaktschicht auf Nitridbasis und eine n-Mantelschicht auf Nitridbasis verfügt. Die p-Kontaktschicht auf Nitridbasis verfügt über ein Material, das aus der aus AlN, GaN, AlGaN, InGaN und AlGaInN oder anderen Ersatzmaterialien bestehenden Gruppe ausgewählt ist. Die n-Kontaktschicht auf Nitridbasis verfügt über ein Material, das aus der aus AlN, GaN, AlGaN, InGaN und AlGaInN oder anderen Ersatzmaterialien bestehenden Gruppe ausgewählt ist. Die p- oder n-Mantelschicht auf Nitridbasis verfügt über ein Material, das aus der aus AlN, GaN, AlGaN, InGaN und AlGaInN oder anderen Ersatzmaterialien bestehenden Gruppe ausgewählt ist. Das Saphirsubstrat kann durch ein Material ersetzt werden, das aus der aus SiC, GaAs, GaN, AlN, GaP, Si, ZnO, MgO und Glas oder anderen Ersatzmaterialien bestehenden Gruppe ausgewählt ist. Die Pufferschicht auf Basis eines ternären Nitrids enthält ein Material, das aus der aus InGaN, AlGaN und InAlN oder anderen Ersatzmaterialien bestehenden Gruppe ausgewählt ist. Die n-Halbleiterstapelschicht auf Nitridbasis verfügt über ein Material, das aus der aus AlN, GaN, AlGaN, InGaN und AlGaInN oder anderen Ersatzmaterialien bestehenden Gruppe ausgewählt ist. Die Mehrfachquantentrog-Lichtemissionsschicht auf Nitridbasis enthält ein Material, das aus der aus GaN, InGaN und AlGaInN oder anderen Ersatzmaterialien bestehenden Gruppe ausgewählt ist. Die p-Halbleiterstapelschicht auf Nitridbasis verfügt über ein Material, das aus der aus AlN, GaN, AlGaN, InGaN und AlInGaN oder anderen Ersatzmaterialien bestehenden Gruppe ausgewählt ist. Die transparente, metallische Kontaktschicht enthält ein Material, das aus der aus Ni/Au, NiO/Au, Ta/Au, TiWn und TiN oder anderen Ersatzmaterialien bestehenden Gruppe ausgewählt ist. Die transparente Oxid-Kontaktschicht enthält ein Material, das aus der aus Indiumzinnoxid, Cadmiumzinnoxid, Antimonzinnoxid, Zinkaluminiumoxid und Zinkzinnoxid oder anderen Ersatzmaterialien bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
  • Der Fachmann erkennt leicht, dass zahlreiche Modifizierungen und Änderungen des Bauteils vorgenommen werden können; während die Lehren der Erfindung erhalten bleiben. Demgemäß soll die obige Offenbarung so ausgelegt werden, dass sie nur durch die Lehren der beigefügten Ansprüche beschränkt ist.

Claims (19)

  1. Verfahren zum Herstellen einer Pufferschicht auf Basis eines ternären Nitrids eines Lichtemissions-Bauteils auf Nitridbasis, mit den folgenden Schritten: – Bereitstellen eines Substrats; – Einleiten einer ersten Reaktionsquelle mit einem ersten Element der Gruppe III in eine Kammer auf einer ersten Temperatur, wobei der Schmelzpunkt des ersten Elements der Gruppe III niedriger als die erste Temperatur ist, wobei das erste Element der Gruppe III auf dem Substrat abgeschieden wird; und – Einleiten einer zweiten Reaktionsquelle mit einem zweiten Element der Gruppe III und einer dritten Reaktionsquelle mit einem Stickstoffelement in die Kammer auf einer zweiten Temperatur, um mit dem ersten Element der Gruppe III auf dem Substrat eine Pufferschicht auf Basis eines ternären Nitrids auszubilden, wobei die zweite Temperatur nicht niedriger als der Schmelzpunkt des ersten Elements der Gruppe III ist.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Substrat mindestens ein Material enthält, das aus der aus Saphir, GaN, AlN, SiC, GaAs, GaP, Si, ZnO, MgO, MgAl2O4, Glass und dergleichen bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die erste Temperatur 500°C oder höher ist.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die zweite Temperatur 700°C oder höher ist.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das erste Element der Gruppe III mindestens ein Material ist, das aus der aus Al, Ga, In und dergleichen bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
  6. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das zweite Element der Gruppe III mindestens ein Material ist, das aus der aus Al, Ga, In und dergleichen bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
  7. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Dicke der AlGaN auf Basis eines ternären Nitrids zwischen 1 nm und 500 nm beträgt.
  8. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Pufferschicht auf Basis eines ternären Nitrids mindestens ein Material enthält, das aus der aus InGaN, AlGaN, InAlN und dergleichen bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
  9. Lichtemissions-Bauteil auf Nitridbasis mit: – einem Substrat, einer auf diesem hergestellten Pufferschicht auf Basis eines ternären Nitrids, einer auf dieser hergestellten Halbleiterschicht auf Nitridbasis von erstem Leitungstyp, einer auf dieser hergestellten Lichtemissionsschicht und einer auf dieser hergestellten Halbleiterschicht auf Nitridbasis von zweitem Leitungstyp; wobei die Pufferschicht auf Basis eines ternären Nitrids wie folgt hergestellt wurde: Einleiten einer ersten Reaktionsquelle mit einem ersten Element der Gruppe III in eine Kammer auf einer ersten Temperatur, wobei der Schmelzpunkt des ersten Elements der Gruppe III niedriger als die erste Temperatur ist, wobei das erste Element der Gruppe III auf dem Substrat abgeschieden wird; und Einleiten einer zweiten Reaktionsquelle mit einem zweiten Element der Gruppe III und einer dritten Reaktionsquelle mit einem Stickstoffelement in die Kammer auf einer zweiten Temperatur, um mit dem ersten Element der Gruppe III auf dem Substrat eine Pufferschicht auf Basis eines ternären Nitrids auszubilden, wobei die zweite Temperatur nicht niedriger als der Schmelzpunkt des ersten Elements der Gruppe III ist.
  10. Pufferschicht auf Basis eines ternären Nitrids eines Lichtemissions-Bauteils auf Nitridbasis gemäß dem Anspruch 9, bei der das Substrat mindestens ein Material enthält, das aus der aus Saphir, GaN, AlN, SiC, GaAs, GaP, Si, ZnO, MgO, MgAl2O4, Glass und dergleichen bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
  11. Pufferschicht auf Basis eines ternären Nitrids eines Lichtemissions-Bauteil auf Nitridbasis gemäß dem Anspruch 9, bei der die auf erste Weise leitende Halbleiterschicht auf Nitridbasis mindestens ein Material enthält, das aus der aus AlN, GaN, AlGaN, InGaN, AlGaInN und dergleichen bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
  12. Pufferschicht auf Basis eines ternären Nitrids eines Lichtemissions-Bauteil auf Nitridbasis gemäß dem Anspruch 9, bei der die Lichtemissionsschicht mindestens ein Material enthält, das aus der aus AlN, GaN, AlGaN, InGaN, AlGaInN und dergleichen bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
  13. Pufferschicht auf Basis eines ternären Nitrids eines Lichtemissions-Bauteil auf Nitridbasis gemäß dem Anspruch 9, bei der die auf zweite Weise leitende Halbleiterschicht auf Nitridbasis mindestens ein Material enthält, das aus der aus AlN, GaN, AlGaN, InGaN; AlGaInN und dergleichen bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
  14. Pufferschicht auf Basis eines ternären Nitrids eines Lichtemissions-Bauteil auf Nitridbasis gemäß dem Anspruch 9, bei der die erste Temperatur 500°C oder höher ist.
  15. Pufferschicht auf Basis eines ternären Nitrids eines Lichtemissions-Bauteil auf Nitridbasis gemäß dem Anspruch 9, bei der die zweite Temperatur 700°C oder höher ist.
  16. Pufferschicht auf Basis eines ternären Nitrids eines Lichtemissions-Bauteil auf Nitridbasis gemäß dem Anspruch 9, bei der das erste Element der Gruppe III mindestens ein Material ist, das aus der aus Al, Ga, In und dergleichen bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
  17. Pufferschicht auf Basis eines ternären Nitrids eines Lichtemissions-Bauteil auf Nitridbasis gemäß dem Anspruch 9, bei der das zweite Element der Gruppe III mindestens ein Material ist, das aus der aus Al, Ga, In und dergleichen bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
  18. Pufferschicht auf Basis eines ternären Nitrids eines Lichtemissions-Bauteil auf Nitridbasis gemäß dem Anspruch 9, bei der die Dicke der Pufferschicht auf Basis eines ternären Nitrids zwischen 1 nm und 500 nm beträgt.
  19. Pufferschicht auf Basis eines ternären Nitrids eines Lichtemissions-Bauteil auf Nitridbasis gemäß dem Anspruch 9, bei der die Pufferschicht auf Basis eines ternären Nitrids mindestens ein Material enthält, das aus der aus InGaN, AlGaN, InAlN und dergleichen bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
DE102004046788A 2004-03-11 2004-09-27 Verfahren zum Herstellen einer Pufferschicht auf Basis eines ternären Nitrids eines Lichtemissionsbauteils auf Nitridbasis und Lichtemissionsbauteil mit einer nach dem Verfahren hergestellten Pufferschicht Active DE102004046788B4 (de)

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